DISPOSITIVOS DE MICROONDAS, 3

Autor: ELIAS FUSTE ANTONIO.
Año: 1982.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
Centro de realización: E.T.S. INGENIEROS DE TELECOMUNICACION BARCELONA..

Resumen: SE PONDERAN LOS METODOS DE ANALISIS DE ALINEALIDADES EN DISPOSITIVOS ACTIVOS Y PASIVOS CONVERSORES DE FRECUENCIA. SE APLICAN LAS TECNICAS DE DISEÑO A CIRCUITOS MESCLADORES EN BANDA X. LAS TECNICAS DE ANALISIS DE WIENER-VOLTERRA SE ESTIMAN FAVORABLES PARA TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE MESFET ASBA PUESTO QUE LAS ALINEALIDADES SON SUAVES. EL ANALISIS PARAMETRICO ARNIQUICO APLICA BIEN O FUERTES ALIENALIDADES DEL TIPO VARISTOS.

Autor: PEREZ MARTINEZ JORGE.
Año: 1982.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
Centro de realización: E.T.S.I. TELECOMUNICACION DE MADRID..

Resumen: SE PRESENTA UNA FORMULACION ORIGINAL BASADA EN LA DESCRIPCION DE LA CARACTERISTICA NO LINEAL DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS SEGUN LA APROXIMACION DEL PRIMER ARMONICO QUE PERMITE ABORDAR EL ESTUDIO DE LOS OSCILADORES DE FORMA GENERALIZADA INDEPENDIENTEMENTE DEL NUMERO DE TERMINALES DEL DISPOSITIVO ACTIVO EMPLEADO. ESTA TEORIA PERMITE REALIZAR UN ANALISIS NO LINEAL COMPLETO DEL OSCILADOR PERMITIENDO PREDECIR EL COMPORTAMIENTO DEL MISMO (ESTABILIDAD RUIDO AM Y FM MARGEN DE SINCRONIZACION ETC...). ASI MISMO SE HAN DESARROLLADO TECNICAS DE MEDIDA Y CARACTERIZACION NO LINEAL DE DISPOSITIVOS DE MICROONDAS ADECUADAS A LA TEORIA. EL CONJUNTO DE TEORIA Y TECNICAS DE CARACTERIZACION NO LINEAL DE DISPOSITIVOS HA PERMITIDO REALIZAR DISTINTOS PROTOTIPOS DE OSCILADORES (OSCILADORES EN CAVIDAD RECTANGULAR Y DISPOSITIVOS ACOPLADOS MEDIANTE POSTES CILINDRICOS OSCILADORES EN LINEA MICROTIRA CON DISPOSITIVOS GUNN ESTABILIZADOS CON RESONADOR DIELECTRICOS OSCILADORES CON DISPOSITIVOS MESFET ETC...).

Autor: CAMACHO PEÑALOSA CARLOS.
Año: 1981.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: E.T.S. INGENIEROS DE TELECOMUNICACION. UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID.

Resumen: SE PROPONE UNA NUEVA TECNICA DE ANALISIS NO-LINEAL QUE PERMITE OBTENER LA RESPUESTA EN REGIMEN PERMANENTE DE MODELOS NO-LINEALES DE TRANSISTORES MESFET DE MICROONDAS A UNA EXCITACION PERIODICA. CONSISTE EN EMPLEAR EL DESARROLLO EN SERIE DE FORNIER PARA PLANTEAR EL PROBLEMA DE ANALISIS EN EL DOMINIO DE LA FRECUENCIA Y RESOLVER EL SISTEMA DE ECUACIONES NO-LINEALES RESULTANTE MEDIANTE UN EFICIENTE ALGORITMO. PERMITE MANEJAR UN ELEVADO NUMERO DE ARMONICOS Y CALCULAR LA RESPUESTA DEL DISPOSITIVO DENTRO DE LOS LIMITES DE VALIDEZ DEL MODELO UTILIZADO CON CONDICIONES ARBITRARIAS DE EXCITACION Y CARGA ADEMAS SE PROPONE UN NUEVO MODELO NO-LINEAL DE TRANSISTOR MESFET Y SE DESCRIBE COMO SE PUEDEN CARACTERIZAR LOS ELEMENTOS DEL MISMO A PARTIR DE MEDIDAS EN REGIMEN DE PEQUEÑA SEÑAL (PARAMETROS S) Y EN CONTINUA. COMO APLICACION SE PRESENTA EL ANALISI DE UN DOBLADOR DE FRECUENCIA CONSTRUIDO CON UN TRANSISTOR MESFET. EL EXCELENTE ACUERDO OBSERVADO ENTRE LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES Y LAS PREDICCIONES TEORICAS CONFIRMAN LA VALIDEZ TANTO DEL MODELO EMPLEADO COMO DEL ANALISIS NO-LINEAL EFECTUADO.