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DISPOSITIVOS FOTOELECTRICOS, 3



48 tesis en 3 páginas: 1 | 2 | 3
  • CONTRIBUCION AL ESTUDIO DE TECNICAS DE COMUNICACIONES OPTICAS NO GUIADAS PARA SU APLICACION EN REDES DE DATOS .
    Autor: GABIOLA ONDARRA FRANCISCO JAVIER.
    Año: 1991.
    Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
    Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: TECNOLOGIA FOTONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: TECNOLOGIAS OPTICAS PARA TRATAMIENTO DE LA INFORMACION.
    Resumen: EL TRABAJO ESTA DEDICADO AL ESTUDIO DE LA DISTRIBUCION DE POTENCIA OPTICA EN ENLACES EN QUASI-DIFUSION (Q-DIFUSION), ASI COMO AL DISEÑO DE ARRAYS DE LED DE REDUCIDO TAMAÑO JUNTO A SUS CIRCUITOS DE EXCITACION. TODO ELLO ORIENTADO A LA TRANSMISION DE DATOS EN ENTORNOS CERRADOS DE PEQUEÑO TAMAÑO. SE PLANTEA UN MODELO MATEMATICO QUE PERMITA CARACTERIZAR LA FORMA EN QUE UN SISTEMA LED-LENTE DISTRIBUYE LA POTENCIA OPTICA. COMO RESULTADO SE OBTIENE LA IRRADIANCIA SOBRE PLANOS SITUADOS A DISTINTAS DISTANCIAS DEL SISTEMA LED-LENTE, TANTO EN INCIDENCIA PERPENDICULAR COMO EN INCIDENCIA OBLICUA. LOS RESULTADOS OBTENIDOS SE VALIDAN EXPERIMENTALMENTE. LOS NIVELES DE POTENCIA OPTICA REQUERIDOS EXIGEN RECURRIR A LA FABRICACION DE ARRAYS DE LEDS. PUESTO QUE EL ARRAY DEBE IR ACOMPAÑADO DE UNA LENTE, SU TAMAÑO DEBE SER MUY INFERIOR AL DE ESTA. LA SOLUCION ADOPTADA CONSISTE EN EL EMPLEO DE LA TECNOLOGIA DE CIRCUITOS HIBRIDOS. PARA ELLO SE HA DESARROLLADO UN MODELO DE SIMULACION TERMICA BASADO EN LA RESOLUCION DE LA ECUACION DIFERENCIAL DEL CALOR MEDIANTE EL METODO DE LAS DIFERENCIAS FINITAS APLICADO A UN SUSBTRATO CERAMICO. EL MODELO TERMICO PERMITE REALIZAR UN ESTUDIO DETALLADO DE LA INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA EN LOS PARAMETROS DE LOS LEDS QUE FORMAN EL ARRAY.
  • DESARROLLO DE CELULAS SOLARES DE ARSENIURO DE GALIO PARA SU UTILIZACION EN CONCENTRACION.
    Autor: MARTI VEGA ANTONIO.
    Año: 1991.
    Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
    Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRONICA FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ELECTRONICA FISICA .
    Resumen: PARTIENDO DEL ESTUDIO DE LOS LIMITES TEORICOS DE LA EFICIENCIA DE CONVERSION FOTOVOLTAICA SE ESTUDIAN PROGRESIVAMENTE LOS MECANISMOS RESPONSABLES DE LA PERDIDA DE EFICIENCIA DE LAS CELULAS SOLARES, HASTA LLEGAR AL ESTUDIO TEORICO Y EXPERIMENTAL DE UN NUEVO TIPO DE ESTRUCTURA DE CELULA DE GAAS DENOMINADA "CELULA DE CONTACTO POSTERIOR DEL EMISOR" (COPE). LAS PRINCIPALES CARACTERISTICAS DE ESTA NUEVA ESTRUCTURA SON LAS DE PERMITIR LA EXTRACCION DE LA CORRIENTE FOTOGENERADA EN LA REGION FRONTAL DE EMISOR POR PARTE POSTERIOR DE LA CELULA Y LA DE PERMITIR LA REDUCCION DEL FACTOR DE SOMBRA Y RESISTENCIA SERIE RESPECTO A LAS CELULAS DE ESTRUCTURA CONVENCIONAL. LA TESIS INCLUYE TAMBIEN CONSIDERACIONES TECNOLOGICAS RELATIVAS A LA UTILIZACION DE TECNICAS DE ATAQUE SECO E INCLUYE UN APENDICE QUE RECOGE EL VALOR DE LOS PARAMETROS FISICOS DEL GAAS QUE RESULTA DE UTILIDAD PARA LA SIMULACION NUMERICA DE DISPOSITIVOS.
  • ESTUDIO DE TECNICAS DE DOPADO MEDIANTE IMPLANTACION IONICA EN COMPUESTOS II-VI .
    Autor: CENTENO ARRIBAS JOSE MIGUEL.
    Año: 1990.
    Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
    Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: TECNOLOGIA ELECTRONICA Y BIOINGENIERIA PROGRAMA DE DOCTORADO: TECNOLOGIA ELECTRONICA.
    Resumen: ESTUDIO DE LAS UNIONES NTP FABRICADAS MEDIANTE IMPLANTACION IONICA (SIN "ANNEALING" POSTERIOR) EN COMPUESTOS DEL GRUPO II-VI (HGI-X CD X TE Y HG1-X ZNXTE) -DESARROLLO DE TECNOLOGIA DE FABRICACION DE DETECTORES FOTOVOLTAICOS PLANARES DE INFRARROJO LEJANO EN HG 08 CD 02 TE. -ESTUDIO DE LOS EFECTOS DE LA DOSIS DE IMPLANTACION Y EXPOSICION H CICLOS TERMICOS EN LAS PRESTACIONES ELECTRICAS DE LOS DISPOSITIVOS FABRICADOS, CONTRIBUCION DE LA ZONA N AL PRODUCTO R0 A TOTAL E INESTABILIDADES EN "INTERFACES" ZNS- HGO.8 CD O.2 TE. -ANALISIS TEORICO DE UNIONES CON PERAL NTNP.
  • DEPOSICION DE PELICULAS DE SILICE AMORFA A PARTIR DE VAPOR MEDIANTE LASER DE EXCIMERO EN CONFIGURACION PARALELA.
    Autor: GONZALEZ FERNANDEZ PIO MANUEL.
    Año: 1990.
    Universidad: SANTIAGO DE COMPOSTELA.
    Centro de lectura: FISICA.
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: (DEL BIENIO 86-88).
    Resumen: ESTA TESIS TRATA SOBRE LA DEPOSICION DE PELICULAS DELGADAS DE OXIDO DE SILICIO SOBRE SILICIO CRISTALINO MEDIANTE LA TECNICA LCVD UTILIZANDO UN LASER DE EXCIMERO EN CONFIGURACION PARALELA. SE PRESENTA UN ESTUDIO EXHAUSTIVO DE LA INFLUENCIA DE LOS PARAMETROS DE PROCEDIMIENTO EN LA VELOCIDAD DE DEPOSICION Y PROPIEDADES DE LAS PELICULAS. ADEMAS SE HA ELABORADO UN MODELO DESCRIPTIVO DEL PROCESO DE DEPOSICION, SE HA REALIZADO UN COMPENDIO DE RELACIONES EMPIRICAS PARA LA DETERMINACION INDIRECTA DE LAS PROPIEDADES DE LAS PELICULAS Y, POR ULTIMO, SE HAN ESTUDIADO LAS APLICACIONES MICROELECTRONICAS Y METALURGICAS DE ESTAS PELICULAS.
  • DESARROLLO DE CELULAS SOLARES DE GAAS DE ALTO RENDIMIENTO CRECIDA POR EPITAXIA DE FASE LIQUIDA.
    Autor: ALGORA DEL VALLE CARLOS.
    Año: 1989.
    Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
    Centro de lectura: FISICA.
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: ESCUELA TECNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
    Resumen: EL OBJETIVO DE LA TESIS ES LA OBTENCION DE CELULAS SOLARES DE GAAS DE ALTO RENDIMIENTO UTILIZANDO LA EPITAXIA DE FASE LIQUIDA. PARA ELLO, EN PRIMER LUGAR SE REALIZO UNA MODELIZACION DE LA CELULA SOLAR INCLUYENDO EFECTOS DE RESISTENCIA SERIE Y FACTOR DE SOMBRA DE LA MALLA DE METALIZACION. LA SIMULACION DEL DISPOSITIVO TOMA COMO CRITERIO DE OPTIMIZACION LA OBTENCION DEL MAYOR RENDIMIENTO DE CONVERSION QUE SEA POSIBLE DA COMO RESULTADO EL DISEÑO OPTIMO DE LA CELULA QUE INDICA UNA GRAN SENSIBILIDAD DEL RENDIMIENTO RESPECTO DE CUATRO PARAMETROS: R,WV,WE Y NE. EL CONTROL DE ESTOS PARAMETROS PUEDE CONSEGUIRSE SI SE DOMINAN LOS PROCESOS TECNOLOGICOS QUE LOS DETERMINAN, A SABER: R(DEPOSICION DE CAR); WV (CRECIMIENTO DE LA CAPA VENTANA DE ALGAAS); WE Y NE (DIFUSION DEL DOPANTE TIPO P PARA FORMAR LA UNION PN). LA INVESTIGACION DE ESTOS TRES PROCESOS DIO LOS SIGUIENTES RESULTADOS: 1) DEPOSICION DE CAR: OBTENCION DE UNA REFLECTIVIDAD MEDIA DEL 1-2% MEDIANTE LA DEPOSICION DE CAPAS DOBLES DE SZN-F2MG (COLABORACION CON LPM-INSA LYON). 2) LA DIFUSION DE ZINC EN GAAS A PARTIR DE SOLUCIONES LIQUIDAS INDICO: A) LA CONCENTRACION DE ZN EN EL SOLIDO ES PROPORCIONAL A LA RAIZ CUADRADA DE SU FRACCION ATOMICA EN EL LIQUIDO; B) EL MECANISMO INTERSTICIAL-SUSTITUCIONAL ES EL QUE GOBIERNA LA DIFUSION; C) EL COEFICIENTE DE DIFUSION DEPENDE, APROXIMADAMENTE, DE FORMA CUBICA CON LA CONCENTRACION; D) SI SE AÑADE ALUMINIO A LAS SOLUCIONES LIQUIDAS JUEGA UN PAPEL DE CATALIZADOR, DE MANERA QUE D=(YASX1AS)-1; E) EL COEFICIENTE DE DIFUSION DE ZINC EN ALGAAS (X=0.85) ES APROXIMADAMENTE, CUATRO VECES MAYOR QUE EN GAAS. 3) EL CRECIMIENTO DE CAPAS VENTANAS DE ALGAAS MEDIANTE SOLUCIONES LIQUIDAS ISOTERMAS MOSTRO QUE: A) EL ESPESOR DE LA CAPA AUMENTA RAPIDAMENTE EN LOS PRIMEROS INSTANTES DE CONTACTO PARA ESTABILIZARSE AL CABO DE ALGUNOS MINUTOS; B) EL ESPESOR DE LA CAPA DISMINUYE AL AUMENTAR LA TEMPERATURA; C) EL CONTENIDO DE ALUMINIO AUMENTA EN LOS PRIMEROS INSTANTES DE CONTACTO Y NO DEPENDE LA TEMPERATURA UTILIZADA; D) LAS CARACTERISTICAS DE LA CAPA NO VARIAN SI COMO DOPANTE SE EMPLEA ZN EN LUGAR DE BE; E) EL ASPECTO DE LAS MUESTRAS ES MATE Y CON RELIEVE ACCIDENTADO. LA INTEGRACION DE ESTOS TRES PROCESOS JUNTO CON LA AYUDA DE TECNICAS AUXILIARES (METALIZACION, FORMACION DE MESAS, ENCAPSULADO, ETC.) PERMITIO LA OBTENCION DE NUMEROSAS CELULAS. LA CARACTERIZACION DE LOS DISPOSITIVOS DIO COMO RESULTADO: A) VARIAS CELULAS DIERON RENDIMIENTOS DE 20-22% BAJO UN SOL DE ILUMINACION, OBTENIENDO COMO MEJOR RESULTADO EL 22.8%, QUE SE SITUA ENTRE LOS MEJORES DE EUROPA. B) CON ESTRUCTURA DE CONCENTRACION EL MEJOR RESULTADO ES EL 24.4% BAJO UNA ILUMINACION DE 70 SOLES.
  • FORMULACION DE UN MODELO DE ESTUDIO PARA EL APROVECHAMIENTO DE LA ENERGIA SOLAR MEDIANTE LA CONVERSION FOTOVOLTAICA EN ENERGIA ELECTRICA PARA SISTEMAS DE PEQUEÑA POTENCIA .
    Autor: PANTOJA LOPEZ ALFONSO.
    Año: 1987.
    Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
    Centro de lectura: INGENIEROS DE MINAS.
    Centro de realización: DEPARTAMENTO DE SISTEMAS ENERGETICOS DE LA E.T.S.I. DE MINAS DE MADRID E HIDROELECTRICA ESPAÑOLA S.A..
    Resumen: -EL MODELO PARTE DEL ESTUDIO DE UNA ESTRUCTURA INTEGRAL DE ANALISIS DE LOS SISTEMAS FOTOVOLTAICOS EN BASE A LOS ALGORITMOS REPRESENTATIVOS DE LAS PRESTACIONES DE CADA UNO DE LOS SUBSISTEMAS QUE LO INTEGRAN. -PARTE DEL ORIGEN DE LA CONVERSION DIRECTA DE LA ENERGIA (EN ESTADO SOLIDO) PROCEDE A LA CARACTERIZACION DE LA ENERGIA SOLAR Y CONTINUA CON LA BUSQUEDA DE ALGORITMOS PARA CADA UNA DE LAS VARIABLES DE LA CONVERSION FOTOVOLTAICA PARASU ANALISIS Y CODIFICACION. -ADICIONALMENTE ESTUDIA DESARROLLA Y CARACTERIZA EL ACONDICIONAMIENTO DE POTENCIA DE CONTINUA A ALTERNA (BATERIAS INVERSORES) Y SU FIABILIDAD. -COMPLETANDOSE CON EL ANALISIS DE SU POSIBLE CONEXION A LA RED Y LAS PERTURBACIONES ORIGINADAS. -POR ULTIMO DESARROLLA UN MODELO DE PREVISION DE CARGAS PARA VIVIENDAS FOTOVOLTAICAS DE CARACTER DINAMICO PARA CONCLUIR CON UN MODELO DE BALANCE DE ENERGIA+POTENCIA Y SU VALORACION ECONOMICA.
  • CARACTERIZACION Y FABRICACION DE CELULAS SOLARES BIFACIALES DE SILICIO POLICRISTALINO.
    Autor: JIMENO CUESTA JUAN CARLOS.
    Año: 1986.
    Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
    Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
    Centro de realización: ESCUELA TECNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION (INSTITUTO DE ENERGIA SOLAR)..
    Resumen: EN ESTE TRABAJO SE ANALIZA LA VIABILIDAD DEL SILICIO POLICRISTALINO COMO MATERIAL DE PARTIDA PARA LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES BIFACIALES. PARA ELLO SE HA EMPLEADO SILICIO POLICRISTALINO TIPO P Y TIPO N DE DIVERSOS TAMANOS DE GRANO. COMO MATERIAL DE TAMAÑO DE GRANO GRANDE SE HA EMPLEADO SILICIOPOLICRISTALINO OBTENIDO POR H.E.M. (HEAT EXCHANGER METHOD) CUYOS GRANOS SON DEL ORDEN DE 1 CM2 DE AREA Y RESISTIVIDADES DE 16 CM. PARA SUBSTRATOS TIPO N Y 1 5 CM. PARA SUBSTRATOS TIPO P. COMO MATERIAL DE PEQUEÑO TAMAÑO DE GRANO SE HA EMPLEADO SILICIO OBTENIDO POR CAST (COLADA) CON GRANOS DEL ORDEN DE 1 MM2. EN ESTE ULTIMO CASO TODOS LOS SUBSTRATOS HAN SIDO TIPO P DE 14 CM Y 2 CM. LA ESTRUCTURA DE LAS CELULAS REALIZADAS HA SIDO LA B.S.F. BIFACIAL. LAS CELULAS REALIZADAS HAN SIDO CIRCULARES Y DE 5 CM. DE DIAMETRO Y EN TODOS LOS CASOS SE HAN FABRICADO SIMULTANEAMENTE CELULAS POLI Y MONOCRISTALINAS (ESTAS ULTIMAS DE SUBSTRATO TIPO N Y DE 7-13 CM DE RESISTIVIDAD) A FIN DE COMPARAR RESULTADOS. PARA LA CARACTERIZACION SE HAN EMPLEADO TANTO METODOS CONVENCIONALES (CURVAS ISC-VOC I-V DE ILUMINACION Y OSCURIDAD METODO DE OCVD...) ASI COMO OTROS NOVEDOSOS DESARROLLADOS DURANTE EL PRESENTE TRABAJO. EN LA MAYORIA DE LOS CASOS HA SIDO PRECISO DESARROLLAR NUEVOS MODELOS TEORICOS O BIEN ADAPTAR MODELOS TEORICOS AVANZADOS A FIN DE PODER EXTRAER CONCLUSIONES. POR ULTIMO SE HA INGENIADO UN SENCILLO METODO DE CARACTERIZACION DE FRONTERAS DE GRANO Y SE HA PUESTO EN FUNCIONAMIENTO UN SISTEMA DE PASIVACION DE LAS MISMAS POR PLASMA DE HIDROGENO ESTUDIANDOSE DE ESTA FORMA EL EFECTO QUE PRESENTAN LAS FRONTERAS DE GRANO SOBRE EL COMPORTAMIENTO DE LAS CELULAS SOLARES BIFACIALES. COMO CONCLUSION SE HA OBTENIDO QUE EL COCIENTE ENTRE LA LONGITUD DE DIFUSION EN VOLUMEN Y EL ESPESOR DE LAS CELULAS ES EL PRINCIPAL FACTOR LIMITADOR TANTO DE LA EFICIENCIA COMO DE LA BIFACIALIDAD DE LAS CELULAS. CON SUBSTRATOS H.E.M. ES POSIBLE REALIZAR CELULAS CON ALTA BIFACIALIDAD (MAYOR QUE EL 70%) Y RENDIMIENTOS BIFACIALES ACEPTABLES (16%) CON ESPESORES QUE PUEDEN CALIFICARSE COMO ACEPTABLES (200 M). SIN EMBARGO LOS SUBSTRATOS OBTENIDOS POR CAST PRESENTAN LONGITUDES DE DIFUSION TAN BAJAS QUE SOLO PODRIAN OBTENERSE BUENAS CELULAS BIFACIALES CON ESPESORES DEL ORDEN DE 50 A 100 M LO CUAL ES INACEPTABLE POR RAZONES DE FRAGILIDAD EN CELULAS DE GRAN AREA. DE TODO ELLO SE DEDUCE LA VIABILIDAD DEL SILICIO POLICRISTALINO TIPO HEM PARA LA FABRICACION DE CELULAS BIFACIALES Y LA INVIABILIDAD DEL SILICIO CAST.
  • ESTUDIO DE ESTRUCTURAS FOTOVOLTAICAS DE ALTO RENDIMIENTO DE SILICIO MEDIANTE SIMULACION NUMERICA .
    Autor: PRAT VIÑAS LUIS.
    Año: 1980.
    Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
    Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
    Centro de realización: ESCUELA TECNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION - UNIVERSIDAD POLITECNICA DE BARCELONA.
    Resumen: RESOLUCION NUMERICA EXACTA DE LAS ECUACIONES GENERALES DE LA CELULA SOLAR. CONTRASTACION DE LOS RESULTADOS DE LA SIMULACION CON LOS MEDIDOS EXPERIMENTALMENTE Y MODIFICACION DEL MODELO TEORICO EN LAS ZONAS DE FUERTE DOPADO. ESTUDIO FISICO Y MEDIANTE SIMULACION NUMERICA DE ESTRUCTURAS HLE-BSF: CARACTERISTICAS DE ESTAS CELULAS SOLARES Y CONDICIONES PARA INCREMENTAR SU EFICIENCIA DE CONVERSION.
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