DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, 2

Autor: MARTÍNEZ SANTOS VÍCTOR ENRIQUE .
Año: 2001.
Universidad: PAIS VASCO.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: ESCUELA SUPERIOR DE INGENIEROS DE BILBAO.

Resumen: En la presente tesis se han realizado estudios y trabajos conducentes a la obtención de los parámetros asociados a los modelos eléctricos de la célula solar fotovoltaica de forma compatible con líneas de producción. Para ello se ha realizado una revisión comparativa de los modelos eléctricos más habituales, SEM, CDEM y VDEM, así como de otros dos modelos más avanzados, el BSF con efectos de sombra y de inyección variable, y el modelo transistor Ag-npn-AgA1 de colector perforado. Se ha propuesto y realizado un sistema de medida capaz de satisfacer los requerimientos de clasificación de la industria, pero que a su vez permite satisfacer las necesidades de un equipo de investigación. Se ha realizado una revisión de los métodos de obtención de parámetros a través de las características corriente-tensión, y se han propuesto nuevos métodos que se han denominado Multi-Ajuste, Estrategia de Ajuste y Ajuste por Lotes. Estos nuevos métodos, junto con el sistema de medida desarrollado constituyen una potente herramienta de análisis y obtención de parámetros de las características eléctricas de las células solares fotovoltaicas, con aplicación a líneas de producción, lo que permite la realización de un mejor control de la tecnología de fabricación, así como del control de calidad a largo plazo, que las simples figuras de mérito Isc, Voc, FF y eficiencia, habituales en la industria fotovoltaica.

Autor: BOGARRA RODRIGUEZ SANTIAGO.
Año: 2001.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.

Resumen: La realizacion de esta tesis ha sido motivada por la necesidad de comprender mejor el comportamiento de las reyes de potencia frente a las sobretensiones y como limitarlas. El comportamiento de una red ante una perturbación depende del tipo de perturbación y del nivel de tensión de la red, siendo habitualmente las sobretensiones atmosfericas las mas peligrosas en redes de distribucion, y las sobretensiones de maniobras la mas peligrosas en redes de transporte. Este trabajo se centra fundamentalmente en el calculo y analisis de las sobretensiones de origen atmosferico en redes de distribucion. Este trabajo tiene por objeto proporcionar las directrices que permitan: -determinar el comportamiento de los componentes de una red de distribución frente a sobretensiones, fundamentalmente de origen atmosferico. -establecer la localizacion mas adecuada de los dispositivos de proteccion contra sobretensiones atmosfericas. -seleccionar las caracteristcas de los dispositivos de proteccion, -coordinar las caracteristicas dielectricas de los componentes de la red y las caracteristicas de equipos de proteccion. El primer objetivo ha sido crear un metodo que permita calcular analiticamente la evolución de las sobretensiones atmosfericas en redes de distribucion, evitando problemas numericos que presentan los programas de calculo de transitorios basados en metdos de integracion, y que a la vez facilite la comprensión de los procesos transitorios originados por las sobretensiones atmosfericas. El segundo objetivo ha sido crear un metodo que permita establecer la ubicación mas adecuada de los dispositivos de protección frente a sobretensiones atmosfericas minimizando el riego de fallo de los componentes de la red, y que por lo tanto facilite el diseño de los esquemas de proteccion mas adecuados en cada caso. Los métodos de calculo de sobretensiones y de la localización mas adecuada de pararrayos autoválvula en una red eléctrica de potencia son aplicables a cualquier configuracion de red, lo que facilita el desarrollo de herramientas informaticas potentes que sirvan de apoyo al diseño y analisis de redes electricas de potencia. Y aunque no es uno de los objetivos báiscos de la tesis la creación de herramientas informaticas basadas en los metodos desarrollados, se han creado en C++ una versión del programa de calculo de sobretensiones en redes de potencia. Tambien se ha creado una aplicación informatica con el programa Matlab y algunas de sus toolbox para hallar la localizacion mas adecuada de pararrayos en redes electricas, aprovechando la potencia de calculo de las funciones que este programa tiene implementadas, con lo que se consigue reducir el tiempo recesario para elaborar una nueva aplicación informatica, quedando como trabajo futuro poder integrar los metodos desarrollados en un unico paquete informatico.

Autor: BUENO MENDIETA GORKA.
Año: 2001.
Universidad: PAIS VASCO.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: ESCUELA DE INGENIEROS DE BILBAO.

Resumen: En esta tesis se recoge el estudio de la influencia sobre - de los diferentes pasos del proceso de fabriación de células serigráficas con sustratos CZ-p y CZ-n de diversas resistividades, con un método de estimación de - desarrollado al efecto. El estudio centra su atención en la influencia sobre - de los procesos térmicos a alta temperatura, particularmente las difusiones y oxidaciones en tubo de cuarzo, así como la creación de emisores partiendo de pasta dopante serigráfica. También se presta atención al paso de los sustratos por la línea húmeda, que marca las condiciones de limpieza o contaminación de las superfiecies al iniciar el proceso térmico. Fruto de este estudio, se proponen dos procesos viables para la fabricación de células solares bifaciales finas, que han proporcionado células solares finas con alta bifacialidad.

Autor: GALCERAN ARELLANO SAMUEL.
Año: 2001.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: ETSEIB.

Autor: MARTÍNEZ GONZÁLEZ M. VICTORIA.
Año: 2001.
Universidad: PAIS VASCO.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS.

Resumen: El contexto del trabajo es el modelado lineal a tramos (piecewise-linear, PWL) de características no lineales de dispositivos y circuitos electrónicos. Se propone la utilización del modelo PWL reticular (PWL lattice, PL) en la síntesis de modelos dinámicos. El modelo representa una aproximación PWL continua y univaluada en términos de sus componentes lineales, sin incluir de forma explícita ni las fronteras ni las regiones de la misma. El modelo PL posee el sólido fundamento matemático de la teoría del álgebra de retículos que proporciona el nombre al modelo y aporta un conjunto de propiedades que favorecen la síntesis de modelos PL y su adaptación a los entornos de aplicación. La formulación matemática del modelo combina las componentes lineales de la aproximación PWL mediante dos operadores de selección constituyendo polinomios reticulares. Para la síntesis de estos polinomios se definen diferentes configuraciones de regiones y se enuncian los correspondientes teoremas de realización, que constituyen en sí mismos procedimientos generales de síntesis. El modelo se presenta con una forma circuital basada en la arquitectura resistiva PWL reticular (PWL lattice resistor, PLR), con un bloque estructural que implementa mediante resistores afines las componentes lineales de la aproximación PWL y un bloque topológico que realiza las operaciones de selección. Para incorporar los modelos PL a la simulación se ha desarrollado un entorno reticular en SPICE basado en macros que realizan las funciones de los operadores reticulares. Los bloques funcionales implementados tienen además capacidad de interpolación lineal (centred recursive interpolation, CRI) para mejorar el modelo sin aumento de coste de memoria. Se presentan tres estrategias de síntesis de modelos PL a través de tres ejemplos. Una de las estrategias se basa en el estudio cualitativo de las características no lineales para obtener un modelo PL genérico con capacidad de aproximación adaptable a los requisitos de la aplicación. La segunda estrategia consiste en utilizar objetos PL, modelos de componentes PWL básicas previamente estudiadas, para sintetizar un modelo de MOSFET. El tercer camino de modelado aprovecha las características comunes de familias de funciones PWL, concretamente las funciones de orden, para sintetizar sus modelos PL generales. Los modelos PL pertenecen al tipo de modelos explícitos f-f, forma del esquema fundamental f-o de Lin y Unbehauen para funciones continuas. Los modelos PL constituyen una alternativa a modelos explícitos del tipo o-o, como la conocida representación canónica de Chua con la cual se comparan en aspectos matemáticos, capacidad de representación y capacidad de síntesis.

Autor: HERNÁNDEZ DE MIGUEL JAVIER.
Año: 2001.
Universidad: NAVARRA.
Centro de lectura: ESCUELA SUPERIOR DE INGENIEROS.
Centro de realización: ESCUELA SUPERIOR DE INGENIEROS DE SAN SEBASTIAN.

Resumen: El crecimiento exponencial que ha experimentado el mercado de las comunicaciones, en especial en el mercado masivo al normalizar su uso diario, ha provocado un desarrollo igualmente acelerado de las tecnologías de fabricación de circuitos integrados. La aparición de nuevas aplicaciones, dado el colapso existente en el espectro radioeléctrico, ha exigido la ubicación de bandas cada vez más superiores, entrando en frecuencias hasta hace poco reservadas para ciertas aplicaciones y tecnologías. Con estos precedentes está claro que el principal objetivo de los desarrollados actuales de nuevos circuitos integrados es fusionar ambas tendencias, es decir, la de abaratar costes de cara a introducirse en un mercado masivo, y la de alcanzar frecuencias superiores. Es por esta razón que recientemente una gran parte de la labor investigadora de los nuevos diseños se centra en conseguir circuitos de radiofrecuencia, capaces de funcionar en bandas de aplicaciones masivas como GSM, GPS, etc, …, utilizando tecnologías y procesos de fabricación baratos, como la tecnología CMOS. Surge así una nueva tendencia de diseño que se denomina RF CMOS. Uno de los elementos claves, presente en la mayoría de las aplicaciones de radiofrecuencia, son los osciladores. Estos dispositivos son la pieza fundamental en la traslación frecuencial de una señal de radiofrecuencia a bandas inferiores, donde se facilita su tratamiento. Generalmente, y debido a las exigencias de pureza espectral que se requieren en los estándares actuales de comunicación, este tipo de dispositivos integrados suelen utilizar diversos componentes discretos externos al circuito integrado. Estos incrementa el coste del sistema y dificulta la labor de ensamblaje. Este trabajo de investigación se centra en analizar la viabilidad y funcionamiento de osciladores para radiofrecuencia fabriacados con tecnologías basadas en silicio, intentando integrar el máximo número de componentes. De esta manera, una parte importante del trabajo está focalizado en el análisis y diseño de elementos pasivos integrados (inductores y varactores) que formarán los tanques resonantes del oscilador. De la misma manera, se ha realizado un estudio de las diferentes arquitecturas que pueden representar los osciladores, analizando las variables fundamentales que influyen en su funcionamiento y las formas de optimización de las mismas. El estudio concluye con el análisis y diseño de un lazo de enganche de fase (PLL). En toda su arquitectura que incluya un oscilador, éste debe estar controlado por un lazo cerrado, capaz de fijar la salida del oscilador a las necesidades del sistema. Este dispositivo adicional tiende también a ser integrado junto con el oscilador, con el mínimo número de componentes externos. De cara a cumplir estos objetivos se han fabricado y medido diversos osciladores. Sus resultados fundamentan las conclusiones de este trabajo.

Autor: PINO SUÁREZ FRANCISCO JAVIER DEL.
Año: 2001.
Universidad: LAS PALMAS DE GRAN CANARIA.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN.
Centro de realización: ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN.

Resumen: En esta tesis se presenta un estudio sobre el diseño, optimización y modelado de inductores integrados en tecnologías de silicio. Comineza con un estudio sobre el estado del arte en inductores integrados sobre silicio prestando especial atención a su diseño, medida, y modelado. Seguidamente, se pasa a la fase de experimentos mediante los cuales se elaboran y evalúan diferentes estructuras de inductores integrados y se desarrolla una librería de bobinas de valores comprendidos entre 0.5 nH y 5 nH para las frecuencias 0.85GHZ, 1.5GHz, 1.8GHz, 2.4GHz y 5.6GHz. Los experimentos realidos hacen posible la revisión y modificación del modelo de circuito convencional que representa el funcionamiento de los inductores, ampliando el rango de frecuencias de validez del mismo. También se elabora un modelo paramétrico consistente en un conjunto de ecuaciones que caracterizan los elementos del circuito equivalente modificado. Los resultados de los modelos se incorporan en una herramienta de asistencia al diseño. Por último, se prueba la validez de los modelos y la herramienta desarrollada diseñando un circuito haciendo uso de estos elementos.

Autor: AGHZOUT OTMAN.
Año: 2001.
Universidad: LAS PALMAS DE GRAN CANARIA.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN.
Centro de realización: ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN.

Resumen: En esta Memoria de la Tesis, se presenta en primer lugar una técnica eficiente y precisa para determinar la constante de propagación de sistemas de transmisión multilíneas generalizadas de configuración plana con medios dieléctricos multicapas iso/anisótropas y, paredes eléctrica/magnéticas en límites inferiores y superiores con un número arbitrario de conductores en la interfase M-ésima, en tiempo de CPU lo más reducido posible, aplicando el método de Galerkin en el dominio espectral. Se ha visto que con nuestras técnicas se ha podido reducir el tiempo de cálculo de las constantes de propagación de este tipo de estructuras de una manera espectacular. En segundo lugar, en módulos modernos multichip de gran velocidad VLSI, las interconexiones juegan un papel cada vez más importante. Por eso, es necesario establecer un sistema seguro de diseño (modelo de línea de transmisión) para que los efectos asociados a las líneas de interconexión puedan ser analizados. Para optimizar el funcionamiento de los circuitos integrados de alta velocidad y similares como monolíticos de microondas, la inclusión del análisis del crosstalk es muy importante para determinar el buen funcionamiento de los circuitos. Las interconexiones eléctricas son unos de los componentes más sensibles a los acomplamientos electromagnéticos. Los acoples (tanto inductivos como capacitivos) debidos a las interferencias externas e internas puden afectar seriamente el comportamiento funcional del sistema. En esta Tesis, se desarrollan además por primera vez expresiones analíticas en forma cerrada para estimar el crosstalk en estructuras multinivel. Este modelo es exactamente comparable con Spice, sea para una señal de entrada función rampa o para un función escalón. Al contrario de los modelos existentes en la literatura, nuestro modelo es capaz de analizar estructuras con n líneas. Se consideran la resistencia y la capacidad de las líneas asó como la resistencia del driver. Este nuevo modelo es exacto y preciso para estimar el crosstalk.

Autor: MOHEDANO ARROYO RUBÉN.
Año: 2001.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN .
Centro de realización: E.T.S.I. TELECOMUNICACIÓN.

Resumen: La óptica anidólica (Nonimaging optics), que se encarga de problemas en que la transferencia de luz se ha de hacer de forma eficiente, encuadra casi todo el trabajo desarrollado en esta tesis. Sin duda la Energía Solar Fotovoltaica es el terreno de aplicación más importante (el otro es la Optoelectrónica). La estrella es la concentración, técnica que busca minimizar el coste del sistema fotovoltaico por reducción del área de célula solar utilizada (que es muy cara), sobre la cual se hace incidir luz solar concentrada para mantener su producción energética. En el capítulo 1 se plantea un método de diseño tridimensional que se apoya en el Cálculo Variacional para resolver problemas de optimización en la colminación del haz emitido por diodos emisores de luz (LED). A continuación (Capítulo 2) demostramos como idénticas herramientas permiten opitmizar también el patrón de iluminación solar sobre células solars en concentradores lineales con el criterio de maximizar la eficiencia de conversión de dichas células. El tercer desarrollo teórico (capítulo 3) demuestra las ventajas inmediatas que acompañan al uso de concentradores estáticos en integración arquitectónica. Los tres últimos capítulos están dedicados a un único dispositivo (diseño, fabricación y medida), el concentrador DSMTS (Dielectric Single Mirror Two Stage Concentrador), sistema que, al estar diseñado con herramientas anidólicas, alcanza unas propiedades ópticas muy notable, ejemplificadas en su alta aceptación angular (rango de direcciones en las cuales los rayos del sol son interceptados por el concentrador y dirigidos a la célula).

Autor: ORTEGA VILLASCLARAS PABLO RAFAEL.
Año: 2000.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.

Resumen: El trabajo de investigación realizado en este tesis doctoral, ha tenido como objetivo validar una tecnica de ensamblado no monolítica, que se utiliza asiduamente en la industria microelectronica, como es la Multichip Module MCM, para la fabricación de paneles fotovoltaicos de pequeña dimensión(1>cm2). La principal ventaja de esta tecnología con respecto a otras alternativas contempladas en la bibliografía, es la posibilidad de obtener minipaneles de rendimiento elevado dentro de un esquema industrial de producción masiva. El concepto de minipapel puede aplicarse en los siguientes ambitos: alimentación de pequeños sistemas electromecánicos MEMS,Telealimentación de sistemas eléctricos mediante fibra optica o a través del aire en entornos donde la transmisión de energía de forma convencional es poco recomendable o inviable, o la alimentación transcutánea de implantes biomédicos en el ser humano. Como resultado de este trabajo se han fabricado un total de 62 minipaneles de superficie total 0,64 cm2(area activa 0,32 cm2) constituidos por la conexión en serie de 15 minicélulas de 2,1 mm2. Desde un punto de vista tecnologico, se ha comprobado que la tecnología de ensamblado no repercute negativamente en el comportamiento eléctrico del panel, permitiendo la compatibilidad con la industria fotovoltaica. Desde un punto de vista eléctrico del panel, permitiendo la compatibilidad con la industria fotovoltaica. Desde un punto de vista eléctrico, se han medido tensiones de circuito abierto alrededor de los 7V, y potenicas entregadas de unos 100 uW bajo espectro solar AM1.5. En el caso de utilizar una lampara incandescente comercial ubicada a 5 cm del minipanel( 1W/cm2), estos dos parámetros se han situado entorno a los 8.5 V y 2 mW. Finalmente se ha verificado la mejora importante en corriente fotogenerada en un factor 5, en el infrarrojo cercano, usando una fuente Laser de Nd: Yag con una longitud de onda =1.064 um e irrandiancia 3.5 mW/cm2.

Autor: NADAL GUARDIA RAFAEL.
Año: 2000.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.

Resumen: La tesis presentada ha sido dirigida hacia la investigacion de los requerimientos energeticos de microestructuras capacitivas trabajando en modo actuador. Ha sido demostrado que la actuacion en modo corriente permite una distribucion de energia totalmente diferente al modo tension. Mediante la actuacion en modo corriente se ha propuesto un nuevo metodo de control del electrodo movil de dichas microestructuras. En contraste con otros trabajos presentados, el nuevo metodo no requiere de especiales geometrias para los electrodos, actuacion en modo AC, o circuteria de implementacion de tecnicas switched-capacitador. La operación del metodo propuesto ha sido demostrada mediante resultados experimentales, confirmando las simulaciones realizadas. Operando en modo corriente, ha sido propuesto un nuevo método de adquisición de señales para micro-microfonos capacitivos. La nueva tecnica esta basada en la polarizacion del micro-microfonos en puntos posteriores al pull-in de tension. En dichos puntos, mediante modo corriente, el control es posible permitiendo baja tension de operación con una sensibilidad muy elevada. Para la demostracion experimental de los nuevos metodos propuestos,han sido fabricados dos circuitos integrados por el consorcio Europractice. Paralelamente, se han fabricado estructurasde cantilever beam en la sala blanca de la UPC, mediante micromecanizado de volumen. Ha sido propuesto un nuevo metodo de soldadura anódica Si-cuarzo cuando ambos materiales presentan grosores semejantes. La estructura capacitiva ha sido finalmente obtenida uniendo el electrodo movil de silicio. Monocristalino con el electrodo fijo de cuarzo. El trabajo desarrollado ha sido de interes para la multinacional alemana Infineon Technologies AG, proporcionando estructuras de micro-microfono sobre las cuales han sido tomadas medidas experimentales.

Autor: REY-STOLLE PRADO IGNACIO.
Año: 2000.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN .
Centro de realización: E.T.S.I. DE TELECOMUNICACIÓN.

Resumen: La presente Tesis Doctoral trata sobre el diseño, realización y caracterización de células solares de GaAs de una unión para su utilización bajo concentraciones luminosas muy elevadas (alrededor de 1000 soles). En la Primera Parte de este trabajo se incluye una revisión de los modelos teóricos utilizados para la descripción de estos dispositivos, junto con nuevos desarrollos destinados a contemplar aspectos del funcionamiento extrínseco hasta ahora no considerados. Entre éstos destacan en modelado de la contribución de marco exterior (busbar) e hilos de conexión a la resistencia serie del dispositivo y un nuevo enfoque para el diseño y modelado de capas antirreflectantes que tiene en cuenta la posible oxidación superficial de la capa ventanta. La Segunda Parte se dedica a la descripción de los diversos procesos tecnológicos diseñados o adaptados para la fabricación de la células solares de alta concentración, con especial atención a la formación de la malla y al establecimiento de las conexiones exteriores del dispositivo mediante técnicas de soldadura con hilo (wirebonding). En la Tercera, y última Parte se recogen aspectos de caracterización, particularmente en tres líneas diferentes. En primer lugar, se proporciona evidencia experimental del buen funcionamiento de los modelos propuestos en la Parte I. En segundo lugar, se resumen y comentan los resultados más relevantes de los dispositivos fabricados, que han alcanzado valores de rendimiento entre el 24-26% para concentraciones en el rango de 400 a 1000 soles. En tercer lugar, se presenta un estudio de la degradación de estas células solares. Finalmente, en el último capítulo se resumen las conclusiones globales del trabajo y se proponen las líneas básicas de las investigaciones a emprender en el futuro.

Autor: CARTUJO CASSINELLO PEDRO.
Año: 1999.
Universidad: GRANADA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS.

Resumen: En este trabajo se hace un estudio del transistor MOS de doble puerta analizando las posibles ventajas de esta nueva estructura frene al transistor convencional y el transistor MOS SOI de puerta simple. Para ello se ha analizado una sección transversal de un transistor MOS de doble puerta de canal N, con el fin de examinar detalladamente las peculiaridades de la distribución de electrones con una amplia variedad de valores de todos los parámentros tecnológicos y condiciones de operación, y se ha estudiado las propiedades de trasnporte en el canal. Para las obtención de la distribución de electrones, se ha resuelto autoconsistentemente las ecuaciones de Poisson y Schrödinger en la estructura, dentro de las aproximaciones de Hartree y de masa efectiva. Para el estudio de las propeidades de transporte se calculará la movilidad de los electrones mediante el método de Monte Carlo. Los resultados de estas simulaciones se utilizarán también para verificar los efectos de los diferents parámetros tecnológicos en parámetros utilizados en modelos analíticos para la simulación de circuitos.

Autor: MORENO VENDRELL ANDREU.
Año: 1999.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .

Resumen: La maduración alcanzada por la tecnología fotovoltaica y sus aplicaciones permiten una mejor penetración de la electricidad solar en el panorama energetico mundial. Muchos son los aspectos de la ingeniería fotovoltaica insuficientemente analizados en la actualidad y que adquieren relevancia en aplicaciones que deben se cada día más fiables. La ingenería dispone de herramientas potentes que deben permitir una mejor predicción del funcionamiento de los sistemas fotovoltaicos, principalmente herramientas de simulación que no han sido suficientemente explotadas en este campo. Por otro lado el diseño y dimensionado de los sistemas PV se pueden ver muy beneficiados del uso de simuladores que incorporen modelos precisos y validados en el laboratorio. Este trabajo aporta procedimientos y resultados en diseño y simulación que han servido de base para desarrollar como principal dos algoritmos de control que optimizan la gestión de las cargas en una instalación fotovoltaica autónoma y permiten reducir el tamaño de un sistema fotovoltaico. El primer algoritmo tiene su principio de funcionamiento en la discriminación de cargas en función de su prioridad cuando la disponibilidad de energia es escasa,permitiendo prolongar el suministro de las más prioritarias. El segundo control añade al anterior predicciones de radiación y consumo junto con una técnica avanzada de control, el control Borroso, para conseguir adaptarse mejor a la dinamica del sistema. Estas dos controladores responden a la imposibilidad de utilizar métodos clasicos de control para gestionar el consumo en un sistema fotovoltaico debido a su naturaleza no lineal.

Autor: CAÑIZO NADAL CARLOS DEL.
Año: 1999.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: E.T.S.I. TELECOMUNICACIÓN.

Resumen: La tesis propone un modelo general de simulación de procesos de contaminación y extracción ("gettering") en silicio. Dicho modelo contempla los siguientes fenómenos: difusión de impurezas intersticiales y sustitucionales, segregación a una capa sumidero, interacción entre impurezas y defectos puntuales, precipitación y disolución de impurezas (incluyendo captura en precipitados de oxígeno), decoración de trampas asociadas a defectos cristalinos y efecto del engriamiento posterior al proceso de alta temperatura. El modelo también relaciona la contaminación y el tiempo de vida, descomponiendo éste en diferentes contribuciones. El modelo se aplica a diversos casos típicos, y se extren concluiones. Por otor lado, la tesis presenta un proceso de fabriación de células con BSF de aluminio localizada, basado en la extracción por fósforo y en la inmplementación sencilla de una unión flotante. Se obtienen eficiencias el 17,6% y voltajes de cirucito abierto que han llegado a 642 mV. También basado en la extracción por fósforo se presenta un proceso de fabricación de células bifaciales sobre material Cz, que da células de 17,7-15,2% (iluminación por cada cara, medida en NREL). La incorporación de un paso de decapado de boro da células del 17,2-16,2%.

Autor: FERÁNDEZ GONZÁLEZ ALVARO DE GUZMÁN.
Año: 1999.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN.
Centro de realización: ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN.

Resumen: En esta tesis doctoral se establece una Tecnología propia para el desarrollo y fabricación de dispositivos de detección de infrarrojo que trabajen simultáneamente en dos de las bandas de transmisión atmosférica, a saber, de 3 a 5 um y de 8 a 12 um sobre el sistema de materiales GaAs/AlGaAs. Esta tecnología incluye todas las fases, desde el diseño, pasando por el crecimiento epitaxial y la fabricación, hasta la caracterización. El diseñó de los detectores se lleva a cabo mediante el uso de herramientas de simulación que permiten obtener la estructura más adecuada para el objetivo propuesto. En cuanto al crecimiento, se realiza un estudio sistemático y exhaustivo del mismo. Se lleva a cabo un análisis previo de las estructuras para determinar los diferentes parámetros que influyen en las prestaciones del detector. A continuación, se describen los pasos seguidos por el autor para la optimización de cada uno de estos parámetros constrastando los resultados con figuras de mérito publicadas en la bibliografía. Por último, se detallan las diferentes modificaciones llevadas a cabo en algunas de las técnicas de medida para la correcta caracterización de los dispositivos. Se obtienen condiciones específicas para la medida de las estructuras y se obtiene una relación entre aspectos propios del material y aspectos propios del dispositivo. En difinitiva, se consigue desarrollar finalmente los detectores, con máximos de absorción en las bandas anteriormente citadas y con prestaciones similares a otros publicados en la bibliografía.

Autor: SÁNCHEZ MARTÍNEZ JORGE JULIAN.
Año: 1999.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN.
Centro de realización: ETSI TELECOMUNICACIÓN UPM.

Resumen: La tesis de la que se presenta este anteproyecto tiene como primer objetivo la optimización del crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares (MBE) de estructuras de AlGaAS/GaAS/InGaAS de baja dimensionalidad sobre substratos de GaAs (111)B con vistas a su aplicación en el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos de configuración guía-onda conlongitudes de onda de trabajo mayores a 1 um, con especial atención a láseres de pozo cuántico. La gran mayoría de los estudios realizados en el sistema InGaAs/GaAs para su aplicación en optoelectróncia hasta hace realtivamente poco tiempo, se centraba en heteroestructuras epitaxiadas sobre substratos GaAs (001). La principal razón de este hecho se basa en la relativa facilidad para obtener epitaxias de unas cualidades morfológicas, estructurales y ópticas adecuadas a las exigencias que requiere la fabricación de dispositivos optoelectrónicos. Sin embargo, intentos de extender las longitudes de onda de dispositivos en esta orientación por encima de la micra llevan a dispositivos poco fiables para su aplicación industrial. Para solventar este problema se propone en el presente trabajo el uso de una orientación cristalográfica novedosa: (111)B. La búsqueda de condiciones de crecimiento para este tipo de substratos es el motor principal de la presente Tesis Doctoral. Asimismo, se presenta un estudio del valor de los campos piezoeléctricos intrísecos a la heteroepitaxia coherente de InGaAs/GaAs (111)B mediante el uso de una técnica denominada "Fotocorriente Diferencial". Finalmente, se muestran resultados de caracterización de dispositivos láser fabricados con las obleas crecidas bajo las condiciones de crecimiento determinadas en el presente trabajo.

Autor: OLAIZOLA IZQUIERDO SANTIAGO MIGUEL.
Año: 1999.
Universidad: NAVARRA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.

Resumen: El continuo avance de la tecnología de microsistemas está dando lugar a innovadores y altamente controlados procesos que en un ambiente de sala limpia permiten la microfabricación de complejos dispositivos miniaturizados, de bajo consumo y con un relativo bajo coste derivado de una potencial fabricación en grandes series. El trabajo que se presenta, aplica estas técnicas al sector de los microsensores químicos en general y a los microsensores de gases en particular. Partiendo de un material básico en la industria microelectrónica, como es el sicilio monocristalino, añade nuevos materiales específicos como son las cerámicas semiconductoras. En este contexto se distinguen dos grandes áreas de investigación y desarrollo: Poruna parte, se investiga las propiedades sensoras de películas delgadas de óxido de estaño depositadas por sputtet para la detección de metano. Se ha analizado la influencia que tienen diferentes parámetros del proceso de depósito de la película en la obtención de películas sensibles y selectivas al metano. De esta manera, se ha desarrollado un proceso de optimización de las películas que ha considerado la influencia del tipo de blanco a partir del que se hace el depósito, la atmósfera durante el depósito, la temperatura de recocido, el espesor de la película, la ubicación del catalizador, la temperatura de funcionamiento y la alimentación eléctrica de la película. El resultado ha sido la obtención de unas películas delgadas de SnO2 de elevada sensibilidad y selectividad al metano. Por otra parte se ha desarrollado una estructura de un microsensor de gas para la detección de metano. Se han aplicado técnicas avanzadas de procesamiento del silicio como son el micromecanizado en volumen y el pegado electrostático. El microdispositivo resultante incluye un microcalefactor superficial y una película de óxido de estaño depositada con los parámetros obtenidos en el estudio previo. Este microsensor ha resultado ser eficaz para la detección de metano.#

Autor: ORPELLAGARCIA ALBERTO.
Año: 1999.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.

Resumen: El objetivo principal de este trabajo ha sido realizar una aportación al estudio del funcionamiento y de la tecnología de fabricación de transistores bipolares de silicio con emisor de silicio-carbono amorfo depositado mediante PECVD. La metodología utilizada ha consistido en adecuar primero un modelo usado para los emisores de polisilicio, modificándolo con la finalidad de considerar la diferencia entre la energía del gap de la capa depositada y el sustrato de base. Se ha fabricado después una estructura transistor base, caracterizándola y comparando los resultados experimentales con los teóricos. Finalmente se han realizado otras estructuras transistor mejorando el proceso de fabricación y consiguiendo mejores prestaciones. Así pues, las fases más importantes de este trabajo son: - Revisión de los trabajos más importantes referenciados que tratan sobre la tecnología de fabricación de los transistores bipolares con emisor depositado mediante CVD. - Repaso de los diferentes modelos propuestos para los emisores de polisilicio, escogiendo y adaptando uno de ellos a los materiales amorfos con una energía del gap mejor que el silicio cristalino de la base. - Fabricación de una primera estructura transistor y caracterización de la capa de emisor depositada y del transistor obtenido. - Partiendo de la interpretación física de funcionamiento de la estructura transistor realizada, se ha variado el proceso de fabricación obteniendo nuevas estructuras con mejores factores de mérito. Esta variación se ha centrado en el estudio de la difusión de los átomos de impurezas del dopado de emisor hacia la base y en la disminución de la resistencia de contacto de emisor utilizando emisores de doble capa. Se han conseguido así los siguientes resultados: - Obtención de un modelo que ajusta y explica los resultados experimentales. Los resultados teóricos concluyen que los transistores con emisor de gap ancho tienen potencialmente una mayor eficiencia de inyección que los transistores con emisor de polisilicio. Además, es necesario un incremento de la energía del gap sólo mayor de 0.2 eV para conseguir que la corriente inyectada a la capa depositada no influya en la corriente total de base. - Se han fabricado diferentes estructuras transistor que presentan corrientes de base y colector ideales. De la caracterización de la capa depositada se deduce la posibilidad de realizar después del depósito un paso térmico a temperatura moderadas, consiguiendo reordenarla parcialmente, activando las impurezas del dopante y difundiéndolas hacia la base. La estructura transistor con emisor de doble capa fabricada, posee un número de Gummel del emisor Ge=210.10 elevado 12 s/cm elevado 4 más del doble que el referenciado hasta la actualidad y una resistencia de emisor Re=0.65.10-6 omega.cm2 comparable a los mejores resultados para transistores con emisor de polisilicio, permitiendo usar estas estructuras para aplicaciones VLSI. - Del ajuste de los resultados teóricos obtenidos mediante el simulador con los experimentales, se obtiene una velocidad de recombinación en la interficie SiC/Si próxima a 10 elevado 5 cm/s. Este valor provoca que la corriente de base esté dominada por la corriente de recombinación en esta interficie y disminuya con el espesor del emisor introducido en la base. Como conclusión, este trabajo aporta desde el punto de vista teórico, un paso hacia adelante en la comprensión del funcionamiento de los transistores bipolares con emisor depositado de gap ancho. En este sentido y gracias a la fabricación de diferentes estructuras transistor, este trabajo sirve de punto de partida en la consolidación de una tecnología de fabricación propia que permita conseguir un control preciso de la difusión de las impurezas y por tanto de los espesores verticales de las zonas neutras de emisor y base. Finalmente, el análisis teórico confirma la posibilidad de realizar optimizaciones adicionales.#

Autor: RODRIGUEZ BOLIVAR SALVADOR.
Año: 1999.
Universidad: GRANADA.
Centro de lectura: CIENCIAS .

Resumen: En esta tesis se estudia el confinamiento de los huecos en láminas de inversión de Si y SiGe cuando se aplica un potencial externo al semiconductor haciendo uso del teorema de la masa efectiva. En este sentido, se resuelve autoconsistentemente la ecuación de poisson con el sistema de ecuaciones diferenciales que constituyen la ecuación de Schrodinger en la banda de Valencia de los semiconductores. Tras desarrollar una implementación numérica capaz de resolver el problema, se utiliza ésta para calcular las diversas magnitudes que definen una lámina de inversión, demostrando la inexactitud de aproximaciones más simples. También se analiza el comportamiento del centroide de la distribución, observando su importancia en el correcto modelado del potencial de superficie y cargas del semiconductor. Finalmente se estudian estructuras de Si/SiGe/Si/SiO2 y Si/SiGe/SiO2 calculando la influencia de los distintos parámetros tecnológicos en el confinamiento de los portadores de carga.#