DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, 3

Autor: GÓMEZ CAMA JOSÉ M..
Año: 1999.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FÍSICA.
Centro de realización: FACULTAD DE FÍSICAS.

Resumen: En esta tesis se realiza el diseño de una interfaz en tecnología CMOS VLSI para microsensores capacitivos, basada en un modulador Delta-Sigma. Este diseño ha sido realizado según una metodología Top-Down. El primer paso ha sido un análisis de los posibles métodos de medida de este tipo de sensores, y su modelización con lenguajes de descripción de hardware analógicos HDL-A. Seguidamente se ha realizado el diseño funcional del mismo. En él se ha estudiado la mejor forma de integrar el modulador dentro de la interfaz. También se ha llevado a cabo un estudio de la estabilidad del sistema sensor-interfaz. El siguiente paso ha sido el diseño estructural, utilizando una nueva arquitectura, que permite substituir las capacidades lineales por capacidades MOS. Posteriormente se ha realizdo el diseño físico, haciendo uso de las metodologías de diseño para sistemas mixtos analógico-digitales. Por útlimo se realizo el test del modulador, comparando la solución basada en capacidades MOS con la basada en capacidades lineales, así como del sistema sensor-modulador, obteniendo los resultados esperados.

Autor: GARCIA LOUREIRO ANTONIO.
Año: 1999.
Universidad: SANTIAGO DE COMPOSTELA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.

Resumen: En este trabajo se ha desarrollado un simulador numérico tridimensional de dispositivos bipolares, el cual puede ser aplicado a dispositivos de homounión y de heterounión gradual y abrupta. Se ha implementado sobre arquitecturas multiprocesador. Este simulador ha sido programado utilizando los lenguajes C y Fortran junto con la librería estándar de pase de mensajes MPI, usando el modelo de programación SPMD. Esto ha permitido obtener un código eficiente y portable. El simulador ha sido testeado utilizando entre otros los multicomputadores AP3000, CRAY T3E y redes de estaciones de trabajo. El programa de simulación parte de un conjunto de parámetros físicos correspondientes a los materiales que componen el transistor y de una malla no estructurada de elementos tetraédricos. Se utiliza un modelo de arrastre-difusión extendido, en el que se resuelven las ecuaciones de Poisson y de continuidad de huecos y electrones. Se ha aplicado el método de elementos finitos para discretizar las ecuaciones y se han linealizado usando el método de Gummel. Ha sido desarrollada una formulación especial para el caso de los dispositivos HBT abruptos, la cual permite aplicar el modelos de arrastre-difusión extendido para el modelado de dispositivos en varias dimensiones, combinándolo junto con el método de discretización que se aplique. Se han estudiado las características de las matrices de coeficientes correspondientes a los sistemas lineales que tenemos que resolver con el fin de seleccionar los métodos y los parámetros que mejor se adaptan a cada situación. El simulador permite obtener las características eléctricas en régimen estacionario y de pequeña señal de los dispositivos que simula. Se han estudiado diferentes transistores tanto BJT como HBT graduales y abruptos con el fin de validar y comparar los resultados obtenidos con otros resultados de la literatura y de otros simuladores de dispositivos.

Autor: VILANOVA SALAS XAVIER.
Año: 1998.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.

Resumen: El objetivo de esta tesis ha sido explorar dos estrategias para mejorar la selectividad de los sensores de gases basados en óxidos semiconductores. En un caso se ha caracterizado dinámicamente la respuesta de estos sensores ante un cambio de concentración en forma de escalón, modelándose como un proceso de difusión-adsorción. Mediante este modelo se ha podido comprobar que el tiempo de subida de la curva de conductancia eléctrica del sensor ante el mencionado estímulo aporta información útil para mejorar la selectividad de estos dispositivos. Así mismo, se ha analizado la influencia de la temperatura de trabajo y la humedad ambiental sobre este nuevo parámetro. Este estudio ha puesto de manifiesto que la dependencia de este parámetro con la temperatura es lineal, mientras que es prácticamente independiente de la humedad. Por otra parte, se ha comprobado a nivel de simulación la posibilidad de mejorar la selectividad del dispositivo optimizando la estructura de sus electrodos. Para ello se ha desarrollado un nuevo modelo de difusión-adsorción-reacción que nos permite obtener la distribución de portadores generados en todo el grosor de la capa activa al entrar el sensor en contacto con el gas a medir. Con un software comercial de simulación de dispositivos ha sido posible estudiar el efecto de la geometría de los electrodos en la respuesta del sensor. Este estudio ha permitido diseñar estructuras multielectródicas (varios pares de electrodos en la misma capa activa), que se han demostrado útiles para discriminar entre gases poco reactivos y gases muy reactivos e incluso entre mezclas de dichos gases.

Autor: GARCIAS SALVA PAU.
Año: 1998.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.

Resumen: El desarrollo de la tecnología electrónica hace necesario disponer de modelos fiables de los dispositivos y convierte la simulación de los mismos en un elemento estratégico para su desarrollo presente y futuro. El transistor bipolar de heterounión (HBT) es uno de los componentes más prometedores dentro del campo de los dispositivos de alta velocidad, ya que es capaz de controlar densidades de corriente elevadas a frecuencias muy elevadas. Dentro de esta familia destacan los HBTs de InP/InGaAs, que registran actualmente la frecuencia de operación más alta. Estos dispositivos exhiben una discontinuidad abrupta en las bandas de energía (en la interfaz base-emisor), cuya presencia invalida los modelos convencionales de transporte, basados en los mecanismos de arrastre-difusión (DD) o en el modelo hidrodinámico (HD) y ampliados con la emisión termoiónica y la transmisión túnel en la heterounión. Tanto el modelo DD como el HD derivan de aproximaciones de la ecuación de transporte de Boltzmann (BTE) que, alternativamente, puede ser resuelta de forma exacta por el método de Monte Carlo (MC). De esta forma, se superan las limitaciones intrínsecas de los simuladores convencionales y es posible determinar su margen de validez. El inconveniente principal de los simuladores MC es su elevado requerimiento de tiempo de cálculo. El objetivo de la tesis es desarrollar un simulador MC para HBTs abruptos que sea computacionalmente eficiente, por aplicación de técnicas de supercomputación paralela. La memoria de la tesis consta de seis capítulos. En el primero se introducen la problemática de la simulación de dispositivos, los HBTs y el método de MC aplicado a este campo. En el segundo se presenta el método convencional de simulación de HBTs, puesto que su resultado será utilizado como aproximación inicial en el simulador MC desarrollado y como referencia comparativa. El tercer capítulo se dedica a presentar el esquema básico de simulación MC de transistores bipolares, mientras que en el cuarto se dan detalles de la implementación eficiente del simulador MCHBT, con la aplicación de técnicas de supercomputación paralela y la utilización de técnicas específicas como el MC ponderado. El capítulo quinto contiene los resultados de simulación de BJTs de GaAs, para resaltar las diferencias del nuevo método de simulación con el convencional sobre un dispositivo y un material conocidos. Finalmente, se amplía el simulador MC con la resolución de la ecuación de Schrodinger en la interfaz abrupta, para incorporar los fenómenos cuánticos de transporte en el HBT. Asimismo, se utiliza la ecuación de balance del momento para interpretar los resultados y establecer un margen de validez de los simuladores convencionales ampliados para el estudio de HBTs abruptos.

Autor: DIEGUEZ BARRIENTOS ANGEL.
Año: 1998.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA.

Resumen: La investigación presentada está centrada en la mejora de sensores de gas conductométricos de Sn02. Se analizan sensores en capa gruesa y en capa delgada. En el primer caso, el polvo de Sn02 necesario para fabricar los sensores ha sido elaborado mediante la técnica de sol-gel. Tras la obtención de un precursor (Sn02 hidratado), se han realizado estudios de calcinación, introducción de aditivos metálicos (Pt, Pd) y, por primera vez, un molido del material. Gracias a la disponibilidad de nanopartículas con tamaño de grano entre 3 y 100 nm, se ha podido analizar por primera vez el espectro Raman completo de nanoparticulas de Sn02, a partir el cual se presentan tres metodos diferentes para determinar de forma no destructiva el tamaño de grano medio y la distribución de tamaños de partícula en un sensor. Del estudio del molido del material de deduce que a través de éste se puede controlar la microestructura de las nanopartículas, asi como el estado de su superficie, permitiendo un control de la resistencia de base de los sensores y una mejora de su selectividad. Los sensores en capa delgada se han fabricado mediante las técnicas IBAD i RGTO, en crecimiento mono y multicapa. Se presenta en el trabajo un estudio detallado del depósito de Sn y de su oxidacón termica, extrayéndose de la investigación de los parámetros de la difusión del O en el Sn, así como las diferentes fases intermedias en la conversión de Sn a Sn02. Mediante el método RGTO multicapa se consigue reducir el tiempo de oxidación, así como mejorar la sensitividad de los sensores.

Autor: BARDES LLORENSI DANIEL.
Año: 1997.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ENGINYERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ENGINYERIA ELECTRONICA .

Autor: GODOY MEDINA ANDRES.
Año: 1997.
Universidad: GRANADA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRONICA Y TECNOLOGIA DE COMPUTADORES PROGRAMA DE DOCTORADO: NUEVAS PERSPECTIVAS EN MICROELECTRONICA Y TECNOLOGIA DE COMPUTADORES.

Resumen: Este trabajo se centra en el ruido de baja frecuencia presente en los transistores de efecto campo. Para los JFETs se analizan las uniones puerta-canal polarizadas en inverso, resolviendo en ellas de modo numérico la ecuación de Poisson. Los resultados nos permiten calcular la densidad espectral de ruido originada por diferentes centros investigando la influencia de su posición energética y de los diferentes perfiles de impurezas poco profundas. Son considerados dispositivos construidos con diferentes materiales semiconductores, tales como Si o SiC. En los MOSFETs se estudia el llenado y vaciado de los estados ligados próximos a la interfase Si/SiO2, su influencia en la corriente del dispositivo debido a la variación del número de portadores libres y a la variación de la movilidad provocada por el incremento de la dispersión culombiana. Además se analizan las dependencias de los tiempos de captura y emisión de los electrones con la temperatura y la tensión de puerta aplicada. Para todas estas estructuras se investigan las consecuencias de su posible exposición a radicación.

Autor: GONZALEZ HERNANDEZ JAIME.
Año: 1997.
Universidad: LAS PALMAS DE GRAN CANARIA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRONICA, TELEMATICA Y AUTOMATICA PROGRAMA DE DOCTORADO: INGENIERIA DE TELECOMUNICACION AVANZADA.

Resumen: En los Sistemas Eléctricos de Potencia o Redes Eléctricas cada vez existen más elementos que producen distorsiones tanto en las intensidades como en las tensiones que han de ser normalmente senoidales. Estos elementos son principalmente cargas con control electrónico de potencia. El objetivo de esta Tesis es el estudio de los elementos distorsionantes particularmente relacionados con los actuales compensadores estáticos (electrónicos) de potencia reactiva llamados en terminología anglosajona SVC (Static Var Controller). Concretamente se analiza el compensador TCR (Thyristor Controlled Reactor) o compensador de bobina controlable como uno de los elementos electrónicos que más distorsión producen. Como es bien conocido, cada vez adquiere más importancia el control del flujo de potencias reactivas en los Sistemas Eléctricos de Potencia. En este sentido, este trabajo está enfocado al estudio de la distorsión armónica que estos compensadores producen en la interacción con el Sistema Eléctrico. Para tal fin, se describe inicialmente un algoritmo que simula un Sistema Eléctrico de Potencia con lo que esto conlleva, es decir, el modelado de elementos como generadores, transformadores, líneas de transmisión y cargas todo ello para frecuencias distintas de la fundamental y para Sistemas trifásicos. Seguidamente se estudia los compensadores electrónicos de potencia como sistemas no lineales (que producen distorsiones armónicas) y se analiza, mediante un algoritmo iterativo múltiple, los armónicos de intensidad que estos elementos producen. Este algoritmo iterativo es una técnica que trabaja fundamentalmente en el dominio de la frecuencia, aunque utiliza procedimientos particulares en el dominio del tiempo. Es decir, en el caso de existir dispositivos electrónicos de difícil evaluación armónica, éstos se estudian inicialmente en el dominio del tiempo y posteriormente se pasan al dominio de la frecuencia. Se analiza también el efecto de la saturación y fenómeno de histeresis del transformador de potencia de conexión de los compensadores de reactiva a la red. Es decir, éste se estudia también como un elemento no lineal incorporándolo posteriormente al proceso iterativo múltiple anterior. Como resumen y conclusión, esta tesis aporta un algoritmo iterativo que se presenta como la técnica más indicada actualmente para realizar análisis de armónicos en Sistemas o Redes Eléctricas de Potencia con dispositivos no lineales. Se particulariza en las distorsiones producidas por los compensadores de energías reactivas de muy altas potencias.

Autor: GRAJAL DE LA FUENTE JESUS.
Año: 1997.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: SEÑALES, SISTEMAS Y RADIOCOMUNICACIONES PROGRAMA DE DOCTORADO: SEÑALES, SISTEMAS Y RADIOCOMUNICACIONES.

Resumen: Esta Tesis profundiza en la problemática propia de las heteroestructuras y del transporte a través de interfases mediante simulaciones físicos. Se han estudiado tanto heteroestructuras metal-semiconductor, diodos Schottky, como heteroestructuras semiconductor-semiconductor, transistores bipolares basados en heteroestructuras (HBTs), utilizadas en aplicaciones de radiofrecuencia. El punto de partida fue la teoría clásica de arrastre y difusión, complementada con modelos adecuados para el transporte en las interfases. La comprensión de las limitaciones de esta aproximación ha servido para ampliar este modelo, de modo que incluya aspectos tan importantes como generación de calor o transporte no estacionario. También se ha avanzado por la vía de adaptarse a la geometría de los dispositivos a través de un simulador bidimensional para HBTs. Por último, se ha integrado un simulador unidimensional para diodos Schottky en un simulador circuital basado en la técnica de balance armónico. Se pretende con ello desarrollar una herramienta capaz de evitar el uso de circuitos equivalentes y que permita el diseño conjunto del dispositivo y del entorno circuital.

Autor: JIMENEZ SERRES VICENTE.
Año: 1997.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ENGINYERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ENGINYERIA ELECTRONICA .

Resumen: BiCMOS es una tecnología emergente que pretende unir las ventajas de las tecnologías CMOS y bipolares mediante la combinación de ambos tipos de dispositivos en un mismo substrato. Para que una tecnología pueda alcanzar su madurez, es preciso el desarrollo de herramientas y metodologías que permitan el test de los diseños fabricados. Estas herramientas se fundamentan, en última instancia, en abstracciones de los defectos físicos que pueden darse en esta tecnología. El objetivo de esta tesis consiste en analizar las consecuencias que los fallos físicos pueden provocar sobre el comportamiento de puertas BiCMOS. Para ello, no obstante, es necesario estudiar previamente el comportamiento de las puertas BiCMOS típicas y su optimización. Por tanto, esta tesis se divide en dos partes. En la primera parte se estudia el comportamiento dinámico y la optimización de la puerta BiCMOS standard que es base del resto de realizaciones. A continuación, en la segunda parte, se analizan las consecuencias que los fallos tienen sobre las puertas. En el primer capítulo se realiza una breve introducción a la tecnología BiCMOS para seguidamente describir la estructura de las puertas BiCMOS más habituales. A continuación, se detalla un nuevo desarrollo analítico que permite obtener de una manera muy exacta el retardo de la puerta BiCMOS standard a partir de sus parámetros circuitales. En el segundo capítulo, se estudia la optimización de puertas BiCMOS comparándose los resultados obtenidos con los casos CMOS. De los análisis realizados se obtiene una relación entre el área ocupada por los elementos bipolares de una puerta BiCMOS óptima y el retardo de ésta. Este resultado se emplea a continuación para comparar la ocupación de área en los casos CMOS y BiCMOS. En el tercer capítulo se introduce la segunda parte de esta tesis. En este capítulo se describen los distintos mecanismos de fallo que pueden darse en tecnología BiCMOS para, a continuación, estudiar el modelado de éstos. En el cuarto capítulo se describen los análisis realizados mediante simulación, de las consecuencias que los fallos paramétricos, de cortocircuito y de circuito abierto tienen sobre el comportamiento de las puertas BiCMOS. Debido a la complejidad del análisis de estos dos últimos modos de fallo, se realiza un programa específico para analizarlos, el cual se halla descrito en el apéndice. En capítulo concluye abordando el tema de testabilidad de las puertas. En concreto se obtiene una nueva metodología que permite mejorar la testabilidad de las puertas BiCMOS frente a fallos de circuito abierto. Para finalizar, en el quinto capítulo, se realiza una validación experimental del capítulo anterior mediante la realización y medida de un integrado específico desarrollado mediante diseño full-custom en una tecnología BiCMOS comercial.

Autor: LLOBET VALERO EDUARD .
Año: 1997.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ENGINYERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ENGINYERIA ELECTRONICA.

Resumen: El principal objetivo de este trabajo ha sido la contribución al modelado de la respuesta dinámica de los sensores de capa gruesa de óxido de estaño ante un cambio brusco de la concentración gaseosa. Los aspectos más importantes de la tesis son los siguientes: . Hemos desarrollado un modelo para la respuesta transitoria de los sensores de capa gruesa de óxido de estaño en presencia de un único gas. Dicho modelo ha sido extendido para contemplar el caso de inyecciones sucesivas del mismo gas. . El análisis del modelo anterior nos ha permitido la identificación de dos nuevos parámetros característicos de cada par sensor/gas e independientes de la concentración, susceptibles de conferir mayor selectividad a los sensores. . Hemos desarrollado dos modelos complementarios que describen el comportamiento transitorio de la conductancia eléctrica de los sensores en presencia de mezclas gaseosas. En el primero hemos considerado que la respuesta de los sensores a un gas es independiente del resto de gases que componen la mezcla. El segundo (válido para concentraciones gaseosas más elevadas) considera la existencia de interacciones entre los gases a través de la modificación del equilibrio de adsorción. . Los modelos anteriores nos han permitido obtener un nuevo conjunto de parámetros característicos de cada sensor y gas presente en la mezcla. . Hemos validado los modelos teóricos desarrollados mediante la caracterización de la respuesta transitoria de sensores comerciales de capa gruesa de óxido de estaño. Hemos comprobado que los modelos describen adecuadamente el comportamiento experimental de los sensores en presencia de un único gas o de mezclas gaseosas. . Para evaluar la mejora en la selectividad conseguida a través de la caracterización dinámica de los sensores, hemos utilizado una agrupación de sensores juntamente a técnicas de reconocimiento de patrones. Hemos comprobado que la utilización conjunta de parámetros del régimen permanente y transitorio mejora notablemente la identificación y cuantificación de una agrupación de sensores de capa gruesa de óxido de estaño. Los diferentes aspectos teóricos que hemos desarrollado, sugieren que una posible estrategia hacia una mejora de la selectividad de dichos sensores consiste en la modificación de su estructura para incrementar los diferentes efectos observados en su respuesta dinámica. En particular, el grosor de la capa activa, su porosidad y la superposición de capas porosas actuando como barreras de difusión, pueden ser estrategias muy válidas para diseñar sensores más selectivos.

Autor: MARSAL GARVI LLUIS F..
Año: 1997.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ENGINYERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ENGINYERIA ELECTRONICA.

Resumen: En este trabajo se analizan las características eléctricas y los mecanismos de conducción en diodos de heterounión formados por aleaciones de silicio-carbono no cristalino tipo N (a-Si:H, a-SiC:H y a-SiC:H recocido) sobre silicio cristalino tipo P(c-Si). Los aspectos más importantes del trabajo son: . Mediante el análisis de la característica corriente-tensión en función de la temperatura, se han determinado los mecanismos de conducción de estos diodos. Para polarizaciones en directa y bajas tensiones, los diodos con un dopado de base (c-Si) de NA = 1016 cm-3 están dominados por mecanismos de recombinación en la zona de carga de espacio del material no cristalino mientras que para tensiones más elevadas están dominados por conducciones limitadas por zona de carga de espacio (SCLC). En diodos con un dopado de base superior (NA = 1018-20 cm-3) aparecen mecanismos de conducción túnel a bajas tensiones y una zona resistiva a tensiones más elevadas. . La existencia de un mecanismo de conducción limitado por zona de carga de espacio (SCLC) ha permitido estimar la densidad de estados en la banda prohibida del silicio amorfo y del silicio-carbono amorfo. . Se ha propuesto un nuevo modelo de circuito eléctrico equivalente que describe el comportamiento de los diodos en directa. La validez y precisión del modelo se demuestra para tensiones en directa y diferentes temperaturas. . Se ha determinado los mecanismos de conducción en transistores bipolares NPN con emisor de silicio-carbono recocido. Los resultados indican que la corriente de colector esta dominada por difusión mientras que la corriente de base esta dominada por mecanismos de conducción túnel. La ganancia de corriente presenta valores del orden de 100 a temperatura ambiente.

Autor: PALLARES MARZAL JOSEP.
Año: 1997.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ENGINYERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ENGINYERIA ELECTRONICA .

Resumen: En este trabajo se analizan las corrientes de recombinación Shockley-Read-Hall (SRH) en heterouniones P-N abruptas, prestando una especial atención a las heterouniones con materiales no cristalinos dopados tipo N sobre silicio cristalino tipo P. Los aspectos más importantes del trabajo son: . hemos propuesto una metodología que permite calcular las corrientes SRH en una heterounión genérica, válida tanto para materiales cristalinos como no cristalinos. Incluye como condición de contorno en la entrecara la emisión termo-iónica asistida por túnel y contempla también posibles discontinuidades de los pseudo-niveles de Fermi de electrones y huecos; . hemos analizado los efectos de una distribución continua de centros de recombinación en el gap de un material sobre la corriente SRH. Las trampas más activas son las situadas en el medio del gap, originando corrientes con factores de idealidad (eta) de 2, mientras que las trampas con energías cercanas a las bandas de conducción y de valencia son eléctricamente menos activas y originan corrientes con eta = 1; . hemos identificado los parámetros responsables de la distribución de la corriente SRH en las dos semizonas de carga de espacio de una heterounión. Son la relación de dopados, el tipo de trampas y las discontinuidades de la heterounión; . hemos ajustado características corriente-tensión experimentales para diodos del tipo (N) no cristalino / (P)c-Si, así como su variación en temperatura, asumiendo parámetros obtenidos a partir de la caracterización eléctrica; y, . hemos propuesto unas reglas de diseño para transistores bipolares de heterounión con emisores no cristalinos y revisado sus aplicaciones.

Autor: ULLAN COMES MIGUEL.
Año: 1997.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA.

Resumen: El tema en el que se enmarca este trabajo es el estudio y optimización, además del desarrollo, de tecnologías bipolares y bicmos dentro de una de las líneas de trabajo del dpto. de microsistemas y tecnologías del silicio del instituto de microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM-CSIC) El tema tiene por tanto, dos vertientes por un lado el estudio y optimización de una tecnología bipolar pura submicrónica y de altas prestaciones; y por otro el estudio, desarrollo, optimización e implementación de una tecnología bicmos dentro de la "sala blanca" del instituto partiendo de la tecnología cmos de 2.5 m ya existente y compatible con ella.

Autor: VELLVEHI HERNANDEZ MIQUEL.
Año: 1997.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA.

Resumen: Este trabajo va dirigido al estudio del comportamiento eléctrico de estructuras IGBT laterales, haciendo especial énfasis en su comportamiento térmico. Se han diseñado, fabricado y caracterizado 5 tipos diferentes de estructuras IGBT laterales, de las cuales dos son de concepción propia. Las simulaciones realizadas muestran un mejor comportamiento eléctrico de la nueva estructura diseñada en el marco de este trabajo. Estos resultados han sido corroborados experimentalmente. La otra estructura propuesta está basada en la anterior, pero añadiendo una difusión de shorted-anode para la mejora de las pérdidas en conmutación. Se ha puesto especial interés en el desarrollo de un sistema de caracterización dinámica que permitiera hacer medidas dinámicas ya sea bajo carga resistiva e inductiva.

Autor: JUAN HORMIGO ANTONIO.
Año: 1997.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INFORMATICA.

Autor: BISTUE GARCIA GUILLERMO.
Año: 1996.
Universidad: NAVARRA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: PROGRAMA DE DOCTORADO: PROPIEDADES MECANICAS Y ESTRUCTURA DE LOS MATERIALES.

Resumen: LOS OBJETIVOS FUNDAMENTALES DE ESTA TESIS DOCTORAL SE CENTRAN EN DOS ASPECTOS. POR UNA PARTE, EL DESARROLLO DE UNA HERRAMIENTA DE DISEÑO PARA MICROSENSORES DE PRESION PIEZORRESISTIVOS DE MEMBRANA CUADRADA; Y POR OTRA, SU APLICACION AL DISEÑO, FABRICACION Y CARACTERIZACION DE UN MICROSENSOR PARA LA MEDIDA INVASIVA DE LA PRESION ARTERIAL. LA CONJUNCION DE AMBAS TAREAS CONFIERE UN MARCADO CARACTER MULTIDISCIPLINAR AL TRABAJO AQUI PRESENTADO. EN ESE CASO, HA SIDO NECESARIO ACUDIR A FUNDAMENTACIONES PROCEDENTES DE LA TEORIA DE LA ELASTICIDAD Y DE LA FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES. POR OTRO LADO HA SIDO NECESARIO UTILIZAR DE MODO COHERENTE TECNICAS TAN DISPARES COMO LAS SIMULACIONES MECANICAS BASADAS EN EL METODO DE LOS ELEMENTOS FINITOS Y LAS ELECTRICAS MEDIANTE SPICE, AL MISMO TIEMPO QUE SE HAN ABARCADO VARIADAS TECNOLOGIAS DE FABRICACION (OXIDACION, DOPADO, DEPOSITO DE PELICULAS DELGADAS, MICROMECANIZADO DEL SILICIO, FOTOLITOGRAFIA) Y DE CARACTERIZACION DE DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS. LOS RESULTADOS DE LA CARACTERIZACION DE LOS PROTOTIPOS HAN PERMITIDO CONTRASTAR LA VALIDEZ DE LA HERRAMIENTA DESARROLLADA PARA EL DISEÑO DE MICROSENSORES DE PRESION. ASIMISMO, EL SENSOR FABRICADO SE AJUSTA A LAS ESPECIFICACIONES REQUERIDAS.

Autor: BLANCO MOURENZA FERNANDO.
Año: 1996.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: MATERIALES Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

Resumen: INVESTIGACION SOBRE EL ORIGEN Y LA CARACTERIZACION DE LAS ANOMALIAS DE BAJA FRECUENCIA (POR DEBAJO DE 1MHZ) EN EL RUIDO, TRANSCONDUCTANCIA Y CONDUCTANCIA DE SALIDA EN LOS HEMTS PSEUDOMORFICOS DE ALGAAS/INGAAS. TAMBIEN SE REALIZA UN ANALISIS DE LA CAPACIDAD Y DE LAS RESISTENCIAS PARASITAS. SE ESTUDIA LA DISPERSION DE LA TRANSCONDUCTANCIA CON LA FRECUENCIA Y EL RUIDO PARA DIFERENTES TEMPERATURAS Y POLARIZACIONES. SE ENCUENTRA QUE LA CAUSA DE LAS ANOMALIAS SON DOS TRAMPAS: LOS CENTROS DX, DEBIDOS AL DOPANTE Y LAS TRAMPAS PSEUDOMINORITARIAS, RELACIONADAS CON LOS ESTADOS DE LA SUPERFICIE NO CUBIERTA CON LA PUERTA. ASIMISMO SE PROPONEN MODELOS QUE INCLUYEN ESTOS EFECTOS EN EL CIRCUITO EQUIVALENTE DEL TRANSISTOR.

Autor: GARCES GREGORIO JUAN IGNACIO.
Año: 1996.
Universidad: ZARAGOZA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HA ABORDADO EL ESTUDIO, TEORICO Y EXPERIMENTAL, DEL COMPORTAMIENTO DE GUIAS DE ONDA INTEGRADAS SOBRE SUBSTRATO PLANO DE SILICIO, EN LAS QUE EL GUIADO EN LA DIRECCION TRANSVERSAL A LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO SE OBTIENE POR MEDIO DE UNA CONFIGURACION ANTIRRESONANTE (ARROW), MIENTRAS QUE PARA EL CONFINAMIENTO LATERAL SE UTILIZA UNA ESTRUCTURA RIB. EL OBJETIVO FINAL HA SIDO EL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS INTEGRADOS BASADOS EN ESTE TIPO DE ESTRUCTURAS. EN PARTICULAR, SE HA DISEÑADO Y FABRICADO UN SENSOR OPTOQUIMICO PARA LA MEDIDA DE IONES ESPECIFICOS (EN PARTICULAR, IONES POTASIO K+) PRESENTES EN DISOLUCIONES ACUOSAS, A PARTIR DEL CAMBIO EN ABSORCION DE UN INDICADOR SELECTIVO INTEGRADO EN EL DISPOSITIVO. EN EL ANALISIS TEORICO DE LA ESTRUCTURA RIB ARROW APARECEN DOS ASPECTOS DIFERENCIADOS: LAS PERDIDAS POR RADIACION EN EL SUBSTRATO, QUE ESTAN DETERMINADAS POR LA CONFIGURACION DE CAPAS ANTIRRESONANTES, Y LAS CONDICIONES DE GUIADO, QUE ESTAN ESTABLECIDAS POR LA ESTRUCTURA RIB. SE HAN FABRICADO Y CARACTERIZADO GUIAS RIB ARROW CON PROPIEDADES OPTIMIZADAS, GRABADAS POR RIE Y QUE PRESENTAN CARACTERISTICAS BIEN DEFINIDAS: LA ATENUACION DE LAS GUIAS ES SUFICIENTEMENTE BAJA PARA ABORDAR CON GARANTIAS LA CONSTRUCCION DE DISPOSITIVOS BASADOS EN ESTE TIPO DE ESTRUCTURAS. SUS PROPIEDADES EN CUANTO A PERDIDAS EN FUNCION DE LA LONGITUD DE ONDA Y POLARIZACION SON ABSOLUTAMENTE COMPATIBLES CON LOS RESULTADOS TEORICOS. POR CONTRA, LAS CONDICIONES DE GUIADO DE LAS ESTRUCTURAS PRESENTAN CARACTERISTICAS ESPECIFICAS DE DIFICIL JUSTIFICACION A PARTIR DEL ANALISIS TEORICO, AUNQUE LAS PREVISIONES TEORICAS Y LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES MUESTREN TENDENCIAS SIMILARES. TENIENDO EN CUENTA LAS CONDICIONES DE GUIADO Y CARACTERISTICAS DE RADIACION DE LAS GUIAS MEDIDAS, SE HA DISEÑADO Y FABRICADO UN SENSOR OPTOQUIMICO PARA LA MEDIDA DE CONCENTRACIONES DE COMPUESTOS ESPECIFICOS, BASADO EN LA MEDIDA DE LA ABSORCION QUE PRESENTAN REACTIVOS INMOVILIZADOS EN UNA MATRIZ POLIMERICA O MEMBRANA. SE HAN REALIZADO MEDIDAS CON EL DISPOSITIVO CONFIRMANDOSE LA VALIDEZ DEL MISMO EN CUANTO A SU FUNCIONAMIENTO COMO SENSOR OPTOQUIMICO.

Autor: MELCHOR FERRER IGNACIO.
Año: 1996.
Universidad: GRANADA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRONICA Y TECNOLOGIA DE LOS COMPUTADORES PROGRAMA DE DOCTORADO: NUEVAS PERSPECTIVAS EN MICROELECTRONICA Y TECNOLOGIA DE COMPUTADORES.

Resumen: SOBRE ESTRUCTURAS BASADAS EN UN POTENCIAL UNIDIMENSIONAL: SE HA RESUELTO AUTOCONSISTENTEMENTE LAS ECUACIONES DE POISSON Y SCHRODINGER INCLUYENDO NO PARABOLICIDAD EN UNA ESTRUCTURA MIS Y A CUALQUIER POLARIZACION; SE SUPONEN LOS ELECTRONES CONTENIDOS EN UN CONTINUO MAS SUBBANDAS, EL MODELO CONVERGE CON EL CASO CLASICO. SE ADAPTA TAMBIEN AL CASO DE BANDAS NO PARABOLICAS EN EL QUE ADEMAS SE CALCULA LA DENSIDAD DE ESTADOS BIDIMENSIONAL NO PARABOLICA Y NUEVAS EXPRESIONES ANALITICAS PARA LA INTEGRAL DE FERMI DE ORDEN 1/2. SE PROPONE UNA ECUACION DE SCHRODINGER MODIFICADA PARA INCLUIR NO PARABOLICIDAD, EN EL POZO Y LA BARRERA, Y SUS CORRESPONDIENTES CONDICIONES DE CONTORNO. SE DESARROLLA UN SIMULADOR DE TRANSPORTE ELECTRONICO POR MONTE CARLO PARA SILICIO, GAAS, Y SIO2. EN ESTE ULTIMO MATERIAL SE UTILIZAN LOS MODELOS PARA LA ESTABILIZACION DE LOS ELECTRONES: EL DE UN VALLE (DISPERSION ACUSTICA UMKLAPP) Y EL DE DOS VALLES (DISPERSION INTERVALLE). SE CORRIGEN LAS EXPRESIONES PARA LA PROBABILIDAD DE COLISION EN LA DISPERSION ACUSTICA UMKLAPP, EN LA DISPERSION OPTICA E INTERVALLE, Y EN LA OPTICA POLAR. SE REALIZA UN SIMULADOR MICROSCOPICO DE ATRAPAMIENTO-LIBERACION EN SIO2 POR EL METODO DE MONTE CARLO, UTILIZANDO EL CAMPO ELECTRICO EN EL OXIDO MEDIANTE LA RESOLUCION AUTOCONSISTENTE DE LAS ECUACIONES DE POISSON Y SCHRODINGER EN UNA ESTRUCTURA MIS.