DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, 4

Autor: MERTEN JENS.
Año: 1996.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA Y ELECTRONICA FISICA Y TECN..

Resumen: LA PRESENTE MEMORIA TRATA DE LAS CELULAS Y PANELES FOTOVOLTAICOS DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO. EN PARTICULAR, SE HA TRATADO LA TECNOLOGIA DE DEPOSITO DE CELULAS DE LABORATORIO, EL ESTUDIO DE ASPECTOS DE LA FISICA DEL COMPORTAMIENTO, TANTO DEL DISPOSITIVO COMO DEL PANEL COMERCIAL, Y EL ESTUDIO DEL RENDIMIENTO REAL DE PANELES DE SILICO AMORFO INTEGRADOS EN EL EFICIO FOTOVOLTAICO DE LA BIBLIOTECA PUBLICA "POMPEU FABRA" DE MATARO. SE DEMUESTRA LA INFLUENCIA SIGNIFICATIVA DE LA CONTAMINACION CON SODIO TANTO EN CELULAS DE LABORATORIO COMO EN PANELES COMERCIALES. SE PRESENTA UN METODO ORIGINAL (VARIED IRRADIANCE MEASUREMENT - VIM) QUE PERMITE UN MEJOR ANALISIS DE LOS DISTINTOS FENOMENOS FISICOS QUE APARECEN EN EL COMPORTAMIENTO DE LA CELULA P-I-N DE SILICIO AMORFO. PARA INTERPRETAR LOS RESULTADOS DEL METODO, SE HA DESARROLLADO UN MODELO SIMPLIFICADO DE LA CELULA QUE PERMITE EXTRAER IMPORTANTES PARAMETROS FISICOS DEL DISPOSITIVO, EN PARTICULAR, EL PRODUCTO MUPI MEDIO DE LOS PORTADORES EN LA ZONA INTRINSECA. EL ESTUDIO BAJO ILUMINACION SOLAR APLICANDO EL METODO VIM PARA MODULOS FOTOVOLTAICOS DE SILICIO AMORFO PERMITE DETERMINAR CLARAMENTE EL ORIGEN DE PROBLEMAS HABITUALES EN LOS MODULOS DE SILICIO AMORFO.

Autor: MORAN CARRERA JAVIER ALBERTO.
Año: 1996.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: CIRCUITOS Y SISTEMAS ELECTRONICOS INTEGRADOS.

Resumen: LA APARICION DE LOS DISPOSITIVOS LOGICOS PROGRAMABLES DE ALTA COMPLEJIDAD DENOMINADOS FIELD-PROGRAMMABLE GATE ARRAYS (FPGAS) HA SERVIDO DE BASE PARA EL DESARROLLO DE SISTEMAS COMPUTADORES QUE LOS EMPLEAN COMO ELEMENTOS COMPUTACIONALES. ESTOS SISTEMAS SON LLAMADOS FCCMS (FPGA-BASED CUSTOM COMPUTING MACHINE). ESTA TESIS ESTUDIA LAS POSIBILIDADES DE LOS FCCMS Y CUALES SON SUS PRINCIPALES PROBLEMAS. PARA ELLO, SE HA DESARROLLADO UN PROTOTIPO DE FCCM DENOMINADO PAR-1, DOTADO CON TODO EL SOPORTE DE INTERFAZ Y DEPURACION NECESARIO. EL PAR-1 ES UN SISTEMA ORIGINAL, UN COPROCESADOR CONTRUIDO EN TORNO A UN ARRAY LINEAL DE FPGAS CON MEMORIAS ASOCIADAS Y CON CAPACIDADES DE DIFERENTES MODOS DE SECUENCIACION. EL PROTOTIPO HA SERVIDO COMO VEHICULO PARA PROBAR LAS METODOLOGIAS QUE SE INTRODUCEN PARA LA PROGRAMACION DE ALGORITMOS, Y LAS POSIBILIDADES DE LA TECNOLOGIA. SE INCLUYEN ESTIMADORES DEL CONSUMO EN AREA DE ALGUNAS OPERACIONES IMPORTANTES SOBRE LOS FPGAS DEL PAR-1, ASI COMO EL IMPACTO DE LAS COMUNICACIONES CON EL PROCESADOR CENTRAL. SE HAN INTRODUCIDO ADEMAS NUEVAS APROXIMACIONES PARA LA REALIZACION DE OPERADORES ARITMETICOS SERIE, ORIENTADAS PARA SU EMPLEO EN FPGAS DONDE LAS RESTRICCIONES EN AREA SON IMPORTANTES. DADA LA IMPORTANCIA DE LOS OPERADORES ARITMETICOS, PRESENTES EN MULTITUD DE ALGORITMOS, SE INCLUYE UNA DISCUSION SOBRE LAS DIFERENTES ALTERNATIVAS DE IMPLEMENTACION SOBRE FPGAS. FINALMENTE, SE HAN EVALUADO VARIOS ALGORITMOS SOBRE EL SISTEMA, ENTRE ELLOS UN ENCRIPTADOR DES QUE CONSIGUE ACELARACIONES NOTABLES (ENTRE 5-40) CONTRA UN SPARC20. LOS RESULTADOS ANTERIORES SIRVEN PARA EFECTUAR UNA DISCUSION CRITICA DE LAS POTENCIALIDADES, LIMITACIONES E INCONVENIENTES DE LOS FCCMS.

Autor: PACHECO ROMERO FRANCISCO JOSE.
Año: 1996.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: CIENCIAS DE LOS MATERIALES E INGENIERIA METALURGICA Y Q.I. PROGRAMA DE DOCTORADO: QUIMICA INORGANICA.

Resumen: LA POSIBILIDAD DE CRECER CAPAS EPITAXIALES DE ALTA CALIDAD CON PARAMETROS RETICULARES DIFERENTES DEL SUSTRATO PERMITE UNA GRAN FLEXIBILIDAD EN EL DISEÑO DE DISPOSITIVOS OPTICOS Y ELECTRONICOS. LA DIFICULTAD ESTRIBA EN QUE EL DESAJUSTE RETICULAR INDUCE DEFECTOS EN LA INTERCARA SUSTRATO-EPICAPA Y DISLOCACIONES DE PROPAGACION, QUE PUEDEN PROPAGARSE EN LAS CAPAS SUPERIORES DEGRADANDO LA CALIDAD DEL MATERIAL. EN EL PRESENTE TRABAJO DE TESIS SE CONSIDERAN TRES SISTEMAS HETEROEPITAXIALES CON DIFERENTE ESTADO DE DEFORMACION/RELAJACION Y DE AHI QUE LA CONFIGURACION DE DEFECTOS CRISTALINOS PRESENTES SEA DIFERENTE: . INGAAS/GAAS (MBE: EPITAXIA DE HACES MOLECULARES). SON SISTEMAS DISEÑADOS PARA CONSEGUIR UN ESTADO DE RELAJACION AVANZADO DE FORMA QUE SE PRETENDE INVESTIGAR LA VALIDEZ DE DIFERENTES CAPAS AMORTIGUADORAS DE INGAAS. . GAP/SI (ALMBE: EPITAXIA DE HACES MOLECULARES EN CAPAS ATOMICAS). EN ESTE SISTEMA POLAR SE PRETENDE EXAMINAR LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS ASOCIADA A UN SISTEMA DE BAJO DESAJUSTE RETICULAR EN QUE SE PERSIGUE UN CRECIMIENTO CAPA A CAPA (BIDIMENSIONAL). . QW-INAS/INP (CBE: EPITAXIA DE HACES QUIMICOS). EN ESTE CASO SE ESPERA LA EXISTENCIA DE UN CRECIMIENTO PSEUDOMORFICO. SE TRATA DE AVERIGUAR EL MECANISMO (BIDIMENSIONAL O EN FORMA DE ISLAS) EN EL QUE CRECE ESTE TIPO DE POZOS CUANTICOS, PRESTANDO UNA ESPECIAL ATENCION A LA DISTRIBUCION COMPOSICIONAL DENTRO DE DICHO POZO A NIVEL SUBNANOMETRICO. ENTRE LAS CONCLUSIONES OBTENIDAS EN EL PRESENTE TRABAJO DE TESIS CABE DESTACAR LAS SIGUIENTES: . EL SIGNO DEL DESAJUSTE RETICULAR ENTRE UNA EPICAPA Y UN SUSTRATO CONDICIONA EL TIPO DE DEFECTOS QUE APARECERAN PARA LA RELAJACION DE LA DEFORMACION DEBIDA AL DESAJUSTE RETICULAR. . LOS TRATAMIENTOS TERMICOS Y LA TEMPERATURA DE CRECIMIENTO TIENEN UN EFECTO CRITICO EN LA MORFOLOGIA Y DISTRIBUCION DE DEFECTOS TANTO EN EL SENO DE LAS CAPAS EPITAXIADAS COMO EN LA SUPERFICIE. . SE HA DEMOSTRADO QUE INTERRUPCIONES EN EL CRECIMIENTO EN EL SISTEMA INAS/INP, CONDUCEN A RUGOSIDADES INTERFACIALES APRECIABLES RESPECTO DE LAS PRESENTES EN EL MISMO SISTEMA CRECIDO DE FORMA ININTERRUMPIDA. . SE HA PROPUESTO UNA EXPRESION PARA PREDECIR LA COMPOSICION QUE HA DE TENER UNA EPICAPA PARA QUE ESTA CREZCA LIBRE DE DISLOCACIONES (

Autor: ROLDAN ARANDA JUAN BAUTISTA.
Año: 1996.
Universidad: GRANADA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRONICA Y TECNOLOGIA DE COMPUTADORES PROGRAMA DE DOCTORADO: NUEVAS PERSPECTIVAS EN MICROELECTRONICA Y TECNOLOGIA DE COMPUTADORES.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE ABORDA LA SIMULACION DE TRANSISTORES MOS SUBMICRA. SE TIENEN EN CUENTA LOS EFECTOS DE CANAL CORTO POR MEDIO DE LA RESOLUCION DE LA ECUACION DE POISSON BIDIMENSIONAL Y LOS EFECTOS DE LA CUATIZACION POR MEDIO DE LA ECUACION DE SCHROEDINGER. LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE DE ESTOS DISPOSITIVOS SE HAN ESTUDIADO RESOLVIENDO LA ECUACION DE BOLTZMANN MEDIANTE EL METODO DE MONTE CARLO. SE DETALLA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DEL SEMICONDUCTOR Y LOS MECANISMOS DE DISPERSION. LOS RESULTADOS SE UTILIZAN PARA PROPONER MODELOS QUE NOS PERMITAN INCORPORAR EN SIMULADORES DE DISPOSITIVOS MAS SIMPLES Y DE CIRCUITOS LOS DISTINTOS FENOMENOS OBSERVADOS. SE HAN DESCRITO LAS PROPIEDADES DE MOSFETS DE CANAL DE SI TENSO SOBRE ALEACIONES DE SIGE RELAJADAS EN DIFERENTES CONFIGURACIONES, TAMBIEN LAS PROPIEDADES DE MOSFETS DE SIC CUBICO. EN GENERAL, SE DESCRIBE LA INFLUENCIA DE DIFERENTES PARAMETROS FISICOS Y TECNOLOGICOS SOBRE LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE EN MOSFETS FABRICADOS CON DISTINTOS MATERIALES Y ESTRUCTURAS.

Autor: ANTON MOLINA OSCAR ALBERTO.
Año: 1995.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: "MATERIALES Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS".

Resumen: ESTA TESIS ESTA ENCUADRADA EN EL AREA DE CONOCIMIENTO DE LA TECNOLOGIA OPTOELECTRONICA. EN DICHA TESIS SE DESCRIBEN LOS PROCESOS DE FABRICACION DE VARIOS DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS SOBRE SEMICONDUCTORES DE TIPO III-V, DE LA FAMILIA DEL FOSFURO DE INDIO, INP, PARA SU APLICACION A SISTEMAS DE TRANSMISION OPTICA COHERENTE. DE ESTE MODO, SE TRATAN TANTO DISPOSITIVOS DE LA PARTE DEL EMISOR, COMO DE LA PARTE DE RECEPCION DE ESTOS SISTEMAS. LA PARTE EMISORA ESTA FORMADA PRINCIPALMENTE POR UN DIODO LASER MONOCROMATICO, SINTONIZABLE EN LONGITUD DE ONDA, DE TIPO DBR (DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR). POR EL OTRO LADO, LA PARTE DE RECEPCION CUENTA CON DISPOSITIVOS FOTODETECTORES, TANTO EN FORMA DE DISPOSITIVOS DISCRETOS COMO INTEGRADOS DENTRO DE LOS LLAMADOS CIRCUITOS INTEGRADOS FOTONICOS (PIC). ESTOS CIRCUITOS SE COMPLETAN CON DIVERSOS DISPOSITIVOS PASIVOS TALES COMO COMBINADORES DE POTENCIA O GIRADORES DE POLARIZACION, QUE COMPLETAN SU FUNCIONALIDAD. ADEMAS, LOS LASERES TIPO DBR SERAN UTILIZADOS EN LA PARTE DE RECEPCION HETERODINA, Y A SU VEZ ADAPTABLE EN LONGITUD DE ONDA A LA SEÑAL RECIBIDA, PROCEDENTE DEL LASER EMISOR DBR.

Autor: BOEMO SCALVINONI EDUARDO IVAN.
Año: 1995.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: CIRCUITOS Y SISTEMAS ELECTRONICOS INTEGRADOS.

Resumen: EN ESTA TESIS SE ESTABLECE UN CONJUNTO DE CRITERIOS DE DISEÑO DE ARRAYS SISTOLICOS O SEGMENTADOS EN FPGAS Y STANDARD CELLS, DOS TECNOLOGIAS VLSI CARACTERIZADAS POR EL ALTO GRADO DE AUTOMATIZACION EN EL PROCESO DE PARTICIONADO, EMPLAZAMIENTO Y RUTADO. SE ANALIZAN LOS PRINCIPALES PARAMETROS QUE INTERVIENEN EN LA CONSTRUCCION DE ESTOS CIRCUITOS Y SUS LIMITACIONES DE CARACTER GENERAL, DEMOSTRANDOSE LA INFLUENCIA CENTRAL DE LA RED DE INTERCONEXION Y LA PROFUNDIDAD DE LOGICA SOBRE LAS DEMAS CARACTERISTICAS DEL ARRAY. SE DETERMINAN LOS PRINCIPALES COMPROMISOS EN VELOCIDAD, AREA, CONSUMO Y TIPO DE COMUNICACION, DESARROLLANDOSE UNA METODOLOGIA DE CARACTERIZACION Y ANALISIS APLICABLE A OTRAS TECNOLOGIAS. SE DEMUESTRA LA EFICACIA DE UN ENFOQUE BASADO EN MODIFICACIONES A NIVEL ARQUITECTURAL Y LAYOUT COMO METODO PARA REDUCIR EL CONSUMO DE POTENCIA. SE RESUELVE LA CONTROVERSIA SINCRONO-AUTOTEMPORIZADO Y SE DETERMINAN LOS LIMITES DE LA SINCRONIZACION CLASICA PARA EL ESTADO DEL ARTE DE LAS TECNOLOGIAS UTILIZADAS. SE ANALIZA LA TECNICA WAVE PIPELINE EN FPGA.

Autor: GARRELL GUIU JOSEP M..
Año: 1995.
Universidad: RAMON LLULL.
Centro de lectura: INGENIERIA ELECTRONICA E INFORMATICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: COMUNICACIONES Y TEORIA DEL SEÑAL PROGRAMA DE DOCTORADO: TEORIA Y TRATAMIENTO DEL SEÑAL Y LA INFORMACION.

Resumen: LA SINTESIS LOGICA ES EL NOMBRE QUE RECIBE EL PROCESO A TRAVES DEL CUAL SE DISEÑA UN CIRCUITO ELECTRONICO A PARTIR DE UN CONJUNTO DE ECUACIONES QUE DESCRIBEN SU FUNCIONAMIENTO. ESTE PROCESO HA VENIDO HACIENDOSE HISTORICAMENTE UTILIZANDO COMO UNIDAD MINIMA DE DISEÑO LA PUERTA LOGICA. ESTAS PUERTAS LOGICAS, POR SU PARTE, ESTAN CONSTRUIDAS A PARTIR DE TRANSISTORES. EN ESTE TRABAJO PRESENTO UN NUEVO METODO POR EL CUAL SE PUEDE REALIZAR LA SINTESIS LOGICA DIRECTAMENTE A NIVEL TRANSISTOR. ESTO HACE QUE LA COMPLEJIDAD DE LA SINTESIS AUMENTE NOTABLEMENTE, AUNQUE SE ESPERA QUE HAYA ALGUNA MEJORIA SOBRE EL CIRCUITO SINTETIZADO. LA MEJORA SOBRE LA QUE ME HE FOCALIZADO, HA SIDO LA CONSTRUCCION DE CIRCUITOS QUE MINIMIZAN EL NUMERO DE TRANSISTORES NECESARIOS PARA SU SINTESIS. EL TRABAJO HA TENIDO QUE INTEGRAR TECNOLOGIAS DE TRES AREAS DIFERENTES: LA SINTESIS LOGICA (DISEÑO MICROELECTRONICO), TECNICAS DE INTELIGENCIA ARTIFICIAL Y TECNICAS DE PARALELISMO. EL NUEVO PROCESO DE SINTESIS TRABAJA DE LA FORMA SIGUIENTE. A PARTIR DE LA FUNCION LOGICA QUE SE DESEE IMPLEMENTAR, SE CONSTRUYE UNA ESTRUCTURA DE DATOS QUE LA REPRESENTA. LA ESTRUCTURA ESCOGIDA, QUE DURANTE DIVERSOS AÑOS SE HA UTILIZADO AMPLIAMENTE EN TRABAJOS DE VERIFICACION DE CIRCUITOS, RECIBE EL NOMBRE DE ROBDD (REDUCED ORDERED BINARY DECISION DIAGRAM). A PARTIR DEL ROBDD CONSTRUIDO, SE ESTABLECE UN PROCESO DE ASOCIACION FISICA QUE TRANSFORMA ESTA ESTRUCTURA DE DATOS EN CIRCUITO ELECTRONICO. COMO QUE EL OBJETIVO DESEADO ES LA CONSTRUCCION DE CIRCUITOS QUE SEAN OPTIMOS EN CUANTO AL NUMERO DE TRANSISTORES UTILIZADOS, HA SIDO PRECISO APLICAR ALGUNA TECNICA QUE, ASOCIADA A LOS ROBDD INTENTASE MINIMIZAR ESTE FACTOR. EL PROBLEMA QUE TRATAMOS ES MODELABLE COMO EL PROBLEMA DEL VIAJANTE DE COMERCIO (TSP) Y, POR TANTO, HEMOS PODIDO APLICAR ALGUNAS DE LAS TECNICAS QUE SOLUCIONAN ESTA CLASE DE PROBLEMAS. HEMOS ESTADO APLICANDO REDES NEURONALES, ALGORITMOS GENETICOS Y SIMULATED ANNEALING. COMO LA COMPLEJIDAD DEL PROBLEMA ES NP-HARD, ALGUNOS ALGORITMOS UTILIZADOS SE HAN TENIDO QUE IMPLEMENTAR EN PARALELO CON EL FIN DE QUE LOS TIEMPOS DE EJECUCION FUESEN ACEPTABLES. LOS RESULTADOS DEMUESTRAN QUE LA NUEVA SINTESIS LOGICA A NIVEL TRANSISTOR UTILIZANDO ROBDDS, MEJORA LA SINTESIS LOGICA TRADICIONAL EN CUANTO AL NUMERO DE TRANSISTORES NECESARIOS. ESTE TRABAJO, PUES, ABRE LAS PUERTAS A FUTUROS ESTUDIOS SOBRE ESTE NUEVO TIPO DE SINTESIS LOGICA, DEMOSTRANDO SU VIABILIDAD INICIAL.

Autor: MOEHLECKE ADRIANO.
Año: 1995.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRONICA FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA.

Resumen: EL OBJETIVO DE LA TESIS ES APLICAR CONCEPTOS AVANZADOS DE TECNOLOGIA EN LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES CON EMISORES P+ DOPADOS CON BORO. LOS TRABAJOS HAN PROGRESADO EN DOS LINEAS: EL DISEÑO Y CARACTERIZACION DE UN PROCESO BASADO EN DOBLE DIFUSION DE B/P ASI COMO DE LAS CELULAS PRODUCIDAS Y LA APLICACION DE TECNICAS AVANZADAS PARA SUBSANAR LAS LIMITACIONES ENCONTRADAS EN EL DISEÑO INICIAL. EN CUANTO AL DISEÑO DEL PROCESO, SE REALIZA UNA LABOR DE OPTIMIZACION DE REGIONES P+ Y N+ Y UN ANALISIS DE LOS FACTORES QUE CONDICIONAN EL ORDEN DE LAS DIFUSIONES PARA PRODUCIR ESTAS REGIONES. CON RESPECTO A LO ULTIMO SE DETERMINA QUE UN PROCESO DE CELULAS SOLARES BASADO EN HORNOS CONVENCIONALES NECESITA UN PASO DE COMPENSACION ("GETTERING") EFICAZ QUE PERMITA LA OBTENCION DE ALTOS TIEMPOS DE VIDA DE LOS PORTADORES MINORITARIOS. DE LOS ESTUDIOS REALIZADOS PARA CARACTERIZAR LAS CELULAS P+NN+ SE CONSTATA QUE ESTAN LIMITADAS POR LA RECOMBINACION EN LA REGION P+, ESPECIALMENTE EN LAS SUPERFICIES. PARA SOLUCIONAR TAL LIMITACION, SE APLICAN DOS CONCEPTOS: EL DE UNION FLOTANTE N+ FRONTAL Y EL DE EMISOR SELECTIVO. AMBOS SE INCORPORARON A LA ESTRUCTURA BASICA MEDIANTE PROCESOS NOVEDOSOS QUE PERMITIERON UNA MEJORA NOTABLE DE LA SENSIBILIDAD FRENTE A LA RADIACION DE LONGITUD ONDA CORTA, AUMENTANDO LA EFICIENCIA DE LAS CELULAS SOLARES. ADEMAS, SE OBTUVIERON REGIONES N+ Y P+ DE ELEVADA CALIDAD UTILIZANDO LA TECNICA DEL DECAPADO QUIMICO LO QUE HA PERMITIDO LA FABRICACION DE CELULAS BIFACIALES DE ALTA EFICIENCIA, LAS MEJORES JAMAS PRODUCIDAS.

Autor: MOLINAS MATA PAU.
Año: 1995.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: INGENIERIA ELECTRONICA .

Resumen: DURANTE LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE GRAN SUPERFICIE Y CIRCUITOS ULSI SE UTILIZAN REACTORES DE RADIOFRECUENCIA PARA LOS PROCESOS DE DEPOSITO Y GRAVADO, RESPECTIVAMENTE. NORMALMENTE ESTOS REACTORES ESTAN EQUIPADOS CON TECNICAS DE MEDIDA DE LA POTENCIA INYECTADA, LA TEMPERATURA DE LOS ELECTRODOS, LA PRESION Y EL CAUDAL DEL GAS ACTIVO. PARA CONTROLAR COMPLETAMENTE EL PROCESO ES NECESARIO MEJORAR LAS TECNICAS DE CARACTERIZACION ELECTRICA, ESPECTROSCOPICA Y TERMICA DE UNA DESCARGA RADIOFRECUENCIA. EN ESTE TRABAJO, SE HA MEJORADO LA DETERMINACION DE LA FUNCION DISTRIBUCION DE LA ENERGIA DE LOS ELECTRONES A PARTIR DEL METODO DE DRUYVESTEYN (MEDIANTE LOS FILTROS SAVITZKY-GOLAY), BASADO EN LA SEGUNDA DERIVADA DE LA CURVA I (V) OBTENIDA CON UNA SONDA DE LANGMUIR COMPENSADA. LA ESPECTROSCOPIA DE EMISION OPTICA NOS HA PERMITIDO MEDIR LA DENSIDAD DE ESTADOS METASTABLES A PARTIR DEL METODO DE AUTOABSORCION DE LA INTENSIDAD DE LAS LINEAS ESPECTRALES EMITIDAS POR EL PLASMA. FINALMENTE, SE HA DETERMINADO LA TEMPERATURA DEL GAS MEDIANTE UNA TECNOLOGIA DE TERMOPARES.

Autor: BURRER CHRISTIAN.
Año: 1994.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA.

Autor: FLORES GUAL DAVID.
Año: 1994.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: DEPARTAMENTO DE FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HAN ANALIZADO Y FABRICADO CUATRO ESTRUCTURAS MOS-TIRISTOR: EL EST, EL BRT, EL IBMCT Y EL DMGT A PARTIR DE SIMULACIONES ELECTRICAS BIDIMENSIONALES. ESTOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA CONSISTEN EN UN TIRISTOR CUYOS PROCESOS DE DISPARO Y CORTE SE4 CONTROLAN A TRAVES DE TRANSISTORES MOS INTEGRADOS EN LA PROPIA ESTRUCTURA. LAS ESTRUCTURAS IBMCT Y DMGT, DE NUEVA CONCEPCION, PRESENTAN DOS TRANSISTORES MOS INDEPENDIENTES Y UN CONTACTO OHMICO FLOTANTE UTILIZADO EN EL PROCESO DE CORTE. LOS CUATRO TIPOS DE ESTRUCTURAS MOS-TIRISTOR SE HAN SIMULADO INCLUYENDO UN CONTACTO DE SHORTED ANODE PARA REDUCIR SU TIEMPO DE CORTE. EL PROCESO TECNOLOGICO DE FABRICACION DE LAS ESTRUCTURAS MOS-TIRISTOR ES UN PROCESO IGBT AL QUE SE HAN AÑADIDO LAS ETAPAS NECESARIAS PARA REALIZAR LA TERMINACION TIPO JTE Y EL PROCESADO DE LA CARA POSTERIOR QUE PERMITE OBTENER EL SHORTED ANODE LA CARACTERIZACION ESTATICA DE LOS DISPOSITIVOS HA PERMITIDO ANALIZAR LA INFLUENCIA DE LOS PARAMETROS GEOMETRICOS DE LA CELDA BASICA DE CADA ESTRUCTURA SOBRE SU CARACTERISTICA I(V) LA CARACTERIZACION DINAMICA HA CORROBORADO LA CAPACIDAD DE DISPARO Y CORTE DE LOS CUATRO TIPOS DE DISPOSITIVO MOS-TIRISTOR. ADEMAS, SE HA PROBADO LA REDUCCION DE LAS PERDIDAS EN CONMUTACION GRACIAS A LA INCLUSION DEL SHORTED ANODE

Autor: LOPEZ RUBIO JOSE ANGEL.
Año: 1994.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: TECNOLOGIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: MATERIALES Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

Resumen: ESTA TESIS DOCTORAL TRATA DEL DESARROLLO DE UNA TECNOLOGIA DE DOPADO TIPO N SOBRE CRISTALES TIPO P DE HGL-XCDTE (TELURURO DE CADMIO Y MERCURIO) MEDIANTE EL USO DE TECNICAS DE IMPLANTACION IONICA Y RECOCIDOS TERMICOS RAPIDOS. EN PRIMER LUGAR, SE HA REALIZADO UN ESTUDIO DE LOS EFECTOS DE LOS RECOCIDOS RTA SOBRE LAS PROPIEDADES ELECTRICAS DE LOS SUBSTRATOS DE PARTIDA SIN IMPLANTAR. SEGUIDAMENTE SE HA CARACTERIZADO EL EFECTO DE LOS CICLOS RTA SOBRE CAPAS IMPLANTADAS DE IN Y B. SE HA DESARROLLADO UN PROCESO RTA POSTIMPLANTACION QUE ELIMINA EL DAÑO DE IMPLANTACION Y PERMITE LA ACTIVACION ELECTRICA DE LAS ESPECIES IMPLANTADOS.

Autor: PALMA LOPEZ ALBERTO JOSE .
Año: 1994.
Universidad: GRANADA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECRONICA Y TECNOLOGIA DE COMPUTADORES. PROGRAMA DE DOCTORADO: NUEVAS PERSPECTIVAS EN MICROELECTRONICA Y TECNOLOGIA DE COMPUTADORES..

Resumen: SE HA REALIZADO UN ESTUDIO TEORICO DE LOS PRINCIPALES PROCESOS DE CAPTURA TERMICA EN EL VOLUMEN DEL SI Y GAAS MEDIANTE EL METODO DE MONTE CARLO. SE HA INCORPORADO LA PERTURBACION CULOMBIANA QUE PROVOCAN LOS CENTROS ATRACTIVOS A LA LUZ DE LA TEORIA DE CASCADA DE FONONES Y SE HA ADOPTADO LA EMISION MULTIFONON COMO LA RESPONSABLE DE LA TRANSICION AL NIVEL FUNDAMENTAL LIGADO. COMO RESULTADO DE LA COMPARACION DE LA SECCION EFICAZ DE CAPTURA NUMERICA Y LA EXPERIMENTAL SE HAN OBTENIDO IMPORTANTES CONSECUENCIAS RESPECTO A ESTE PAR DE MECANISMOS DE CAPTURA Y SE HAN CALCULADO VALORES PARA ALGUNOS DE SUS PARAMETROS CARACTERISTICOS. RESPECTO AL TRABAJO EXPERIMENTAL SE HA PROPUESTO UNA NUEVA TECNICA COMBINADA NUMERICO-EXPERIMENTAL DE MEDIDA PRECISA Y SIMULTANEA DE LAS SECCIONES EFICACES DE MAYORITARIOS Y LA CONCENTRACION DE CENTROS PROFUNDOS DE UNIONES P-N, QUE EVITA LAS PRINCIPALES DEFICIENCIAS DE LAS TECNICAS CAPACITIVAS TRADICIONALES. ESTA TECNICA SE HA APLICADO A UNIONES REALES IMPURIFICADAS CON PLATINO EN DISTINTAS CONCENTRACIONES PARA CALCULAR ESTOS PARAMETROS EN LOS DOS CENTROS CREADOS POR ESTA IMPUREZA.

Autor: GAMIZ PEREZ FRANCISCO JESUS.
Año: 1993.
Universidad: GRANADA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRONICA Y TECNOLOGIA DE COMPUTADORES PROGRAMA DE DOCTORADO: NUEVAS PERSPECTIVAS EN MICROELECTRONICA Y TECNOLOGIA DE COMPUTADORES.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE ABORDA EL ESTUDIO TEORICO DE LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE DE GASES DE ELECTRONES QUASI-BIDIMENSIONALES CONTENIDOS EN LAMINAS DE INVERSION TALES COMO LAS EXISTENTES EN ESTRUCTURAS MOS: PARA ELLO, SE REALIZA UN ESTUDIO TEORICO DE LAS PROPIEDADES ELECTRICAS DE ELECTRONES EN LAMINAS DE INVERSION SEMICONDUCTORAS A PARTIR DE UNA FORMULACION CUANTICA DEL PROBLEMA, SE ANALIZA DETALLADAMENTE LA CUANTIZACION DEL GAS DEBIDO AL CONFINAMIENTO EN POZOS ESTRECHOS DE POTENCIAL Y SE MODELAN TEORICAMENTE LOS DIFERENTES MECANISMOS DE DISPERSION. UNA VEZ REALIZADO EL ESTUDIO Y MODELADO DE LOS ELECTRONES EN LAMINAS DE INVERSION Y DE LOS DIFERENTES MECANISMOS DE DISPERSION SE ELABORAN LOS PROGRAMAS DE SIMULACION DEL COMPORTAMIENTO DE ELECTRONES IMPLEMENTANDO EL METODO DE MONTE CARLO. SE APLICA LA SIMULACION AL ESTUDIO DE LA INFLUENCIA DE LOS DIFERENTES PARAMETROS FISICOS Y TECNOLOGICOS SOBRE LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE.

Autor: GRACIA TORTADES ISABEL.
Año: 1993.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICAS PROGRAMA DE DOCTORADO: MICROELECTRONICA.

Resumen: LOS SENSORES TIPO ISFET HAN ADQUIRIDO EN LA ACTUALIDAD UNA GRAN IMPORTANCIA DEBIDO AL GRAN NUMERO DE VENTAJAS QUE INCORPORAN RESPECTO A LOS DISPOSITIVOS MACROSCOPICOS SENSORES DE PH. EN ESTE TRABAJO BASANDONOS EN UN PROCESO BASICO DE FABRICACION DE ISFET'S SE PRESENTA LA EVOLUCION HACIA LA FABRICACION DE UN SENSOR COMPATIBLE CON UNA TECNOLOGIA CMOS Y EL ESTUDIO DETALLADO DE LAS ETAPAS MAS CRITICAS DEL PROCESO CONSISTENTE EN LA FABRICACION CONJUNTA DEL SENSOR Y CIRCUITERIA. SE PRESENTA EL PROCESO COMPATIBLE CON UNA TECNOLOGIA CMOS DE 5 MICRAS Y LAS VARIACIONES QUE SUPONE LA COMPATIBILIZACION CON ALGUNAS TECNOLOGIAS MAS AVANZADAS. EL TIEMPO DE VIDA DE LOS SENSORES DE PH, ISFET'S VIENE DETERMINADO POR LA DEGRADACION DE MATERIALES TANTO DE PASIVACION COMO DE ENCAPSULADO DEBIDO A SUS CONDICIONES HABITUALES DE FUNCIONAMIENTO (INMERSION EN MEDIOS LIQUIDOS). POR ELLO SE PROPONE EL USO DE ESTRUCTURAS DE TEST, BASADAS EN TRANSISTORES MOS Y MEANDROS DE METAL, PARA MONITORIZAR DICHA DEGRADACION. ESTAS ESTRUCTURAS HAN SIDO SOMETIDAS A DIFERENTES PRUEBAS: VARIACION DE LIQUIDOS, VARIACION DE LA TEMPERATURA DE TRABAJO... Y SE HA DEMOSTRADO SU VALIDEZ COMO MONITORES DE DEGRADACION MEDIANTE EL USO DE UNA CARACTERIZACION ESTANDARD COMPLETA.

Autor: MERLOS DOMINGO ANGEL.
Año: 1993.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA.

Resumen: EL OBJETIVO PRINCIPAL DE ESTE TRABAJO HA SIDO EL DESARROLLO DE UN PROCESO DE FABRICACION DE SENSORES DE PH TIPO ISFET CON CONTACTOS POSTERIORES O BSC-ISFETS CON UNA TECNOLOGIA COMPATIBLE CON LOS PROCESOS DE SALA BLANCA ACTUALES DEL CNM. ESTE PROCESO DEBIA REUNIR LOS SIGUIENTES REQUISITOS: SIMPLE, ALTO RENDIMIENTO, BAJO COSTE, ALTA REPRODUCIBILIDAD, BUENAS PRESTACIONES, Y EN LA MEDIDA DE LA POSIBLE COMPATIBLE CMOS. LA MEMORIA SE HA SEPARADO EN DOS PARTES. EN LA PRIMERA PARTE SE HACE UN ANALISIS DEL FUNCIONAMIENTO DEL ISFET COMO SENSOR QUIMICO, ASI COMO SUS LIMITACIONES Y SUS APLICACIONES. TAMBIEN SE MUESTRA EL PROCESO DE FABRICACION DEL ISFET DE CONTACTOS FRONTALES DESARROLLADO EN EL CNM CON UNA TECNOLOGIA NMOS Y SUS CARACTERISTICAS ELECTRICAS Y QUIMICAS. LA SEGUNDA PARTE DE LA MEMORIA CORRESPONDE A LOS BSC-ISFETS. AQUI SE ANALIZAN LOS ASPECTOS TECNOLOGICOS DE DICHOS DISPOSITIVOS Y SE DISCUTEN DIVERSAS CONCEPCIONES DE LOS MISMOS. A CONTINUACION SE EXPONEN LAS TECNOLOGIAS (GRABADO ANISOTROPICO DE SILICIO CON TMAH, LA DEPOSICION QUIMICA SELECTIVA DE NIQUEL Y DIFUSIONES DE GRAN PROFUNDIDAD) QUE HA SIDO NECESARIO DESARROLLAR PARA PODER FABRICAR LAS DIFERENTES CONCEPCIONES DE BSC-ISFETS. FINALMENTE SE PRESENTAN LOS PROCESOS DE FABRICACION Y LA CARACTERIZACION ELECTRICA Y QUIMICA DE LOS DISPOSITIVOS BSC-ISFET.

Autor: MORALES SANCHEZ MANUEL.
Año: 1993.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: QUIMICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: QUIMICA INORGANICA PROGRAMA DE DOCTORADO: QUIMICA INORGANICA.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HA REALIZADO LA SINTESIS DE PRECURSORES, OXIDOS MIXTOS, PROCESADO DE DERAMICOS Y DISEÑO DE TERMISTORES NIC BASADOS EN OXIDOS MIXTOS DE MN-NI, MN-NI-LI Y FE-MN-NI CON ESTRUCTURA ESPINELA. LOS OXIDOS MN3-XNIX04 Y FE2+5NIXMN1-XS04 SE HAN SINTETIZADO A PARTIR DE SOLUCIONES SOLIDAS DE FORMIATOS. LOS OXDIS LIYMN3-X-YNIY04 SE SINTETIZARON POR INSERCION CON N-BULI Y POR REACCION DE LI(HCOO)H2O Y NI2MN1-Z (HC00)22H2O. LOS OXIDOS SE SINTETIZARON EN AIRE Y/O EN ATMOSFERA CONTROLADA ENTRE 700 GRADOS Y 900 GRADOS C DEPENDIENDO DE LA COMPOSICION DE CADA SOLUCION SOLIDA. EN TODOS LOS CASOS SE OBSERVARON DISTRIBUCIONES ESTRECHAS DE TAMAÑOS Y MORFOLOGIAS SEUDOOCTAEDRICAS. LOS CERAMICOS SE OBTUVIERON POR ADICION DE SOLUCION AL 17% DE PVA Y PRENSADO A 4KBAR POSTERIORMENTE SE SINTERIZAN A 1100 GRADOS Y 1160 GRADOS C (NI-MN Y NI-MN-LI) Y 1200 GRADOS Y 1300 GRADOS C (FE-MN-NI). LOS CERAMICOS PRESENTAN ELEVADAS DENSIDADES (93%-98%). LAS MEDIDAS ELECTRICAS SOBRE LOS TERMISTORES MOSTRARON QUE EL MINIMO DE RESISTIVIDAD PARA LA SERIE MN-NI ERA APROX. 1600 CM (B=3900 K), MN-NI-LI (0.05 MOL LI/MOL ESP.) DE 1700 CM (B=3800 K) Y FE-MN-NI DE 1300- 1600 CM (B=3800-4000 K).

Autor: BADENES GUIA GONCAL.
Año: 1992.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA.

Resumen: EL OBJETIVO DE ESTE TRABAJO ES EL DESARROLLO DE TECNICAS DE CARACTERIZACION Y DE DISPOSITIVOS DE TEST ADECUADOS PARA TECNOLOGIAS CMOS FABRICADAS SOBRE SIMOX. SE HA PUESTO ESPECIAL ENFASIS EN LA DEFINICION DE LAS HERRAMIENTAS MAS ADECUADAS PARA DETERMINAR LA CALIDAD DEL PRODUCTO FINAL. PARA ELLO, HA SIDO DESARROLLADA UNA TECNICA DE CARACTERIZACION BASADA EN MEDIDAS DE CAPACITANCIA QUE PERMITE LA EXTRACCION DE PROPIEDADES INTRINSECAS DE LAS ESTRUCTURAS SOI COMO SON EL GROSOR DEL FILM DE SILICIO Y LA DENSIDAD DE ESTADOS EN LA INTERFICIE ENTERRADA, ADEMAS DE TODOS LOS PARAMETROS QUE HABITUALMENTE SE OBTIENEN EN LAS MEDIDAS DE CAPACITANCIA. ADEMAS, SE PRESENTA LA TECNICA DE CHARGE PUMPING APLICADA A LA CARACTERIZACION DE ESTRUCTURAS SIMOX, BIEN SEA USANDO DIODOS P-I-N CON PUERTA O TRANSISTORES CON CINCO TERMINALES. SE MUESTRA UN ESTUDIO COMPARATIVO DE LOS DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS CON DISTINTAS GEOMETRIAS, ASI COMO UN EJEMPLO DE LA APLICABILIDAD DE ESTA TECNICA A DISPOSITIVOS CON PEQUEÑA SUPERFICIE DE PUERTA. FINALMENTE, SE PROPONE UN CONJUNTO MINIMO DE ESTRUCTURAS DE TEST PARA LA CARACTERIZACION COMPLETA DE UNA TECNOLOGIA SIMOX.

Autor: EL HASSANI ABDELLAH.
Año: 1992.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA I ELECTRONICA FACULTAD DE FISICA-UNIVERSIDAD DE BARCELONA.

Autor: KINDELAN BUSTELO ULTANO.
Año: 1992.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE MINAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: MATEMATICA APLICADA Y METODOS INFORMATICOS PROGRAMA DE DOCTORADO: SIMULACION NUMERICA DE FENOMENOS FISICOS Y TECNICOS.

Resumen: EN LA TESIS SE PROPONE UN NUEVO METODO DE DIFUSION ARTIFICIAL PARA LA RESOLUCION DEL SISTEMA DE ECUACIONES EN DERIVADAS PARCIALES QUE REPRESENTA EL COMPORTAMIENTO DE UN SEMICONDUCTOR EN ESTADO ESTACIONARIO. EL METODO CONSISTE EN AÑADIR A DOS DE LAS ECUACIONES DEL SISTEMA, TERMINOS DIFUSIVOS PROVENIENTES DE LA DISCRETIZACION DEL PROBLEMA TRANSITORIO A LO LARGO DE LAS CURVAS CARACTERISTICAS. DESPUES DE FORMULAR EL SISTEMA CON ESTOS NUEVOS TERMINOS, SE COMPARA SU ESTABILIDAD CON LA DEL SISTEMA INICIAL, PARA ESTUDIAR EN QUE SITUACIONES ES RENTABLE APLICAR EL METODO. PARA LA OBTENCION DE RESULTADOS NUMERICOS QUE VALIDEN LA COMPARACION TEORICA ANTERIOR SE APROXIMA LA NO LINEALIDAD DEL SISTEMA MEDIANTE UN METODO ITERATIVO DE PUNTO FIJO. EL PROBLEMA VARIACIONAL QUE APARECE EN CADA PASO DE LA ITERACION DEL METODO ANTERIOR, ES APROXIMADO CON ELEMENTOS FINITOS P1. LOS ALGORITMOS DE LA APROXIMACION NUMERICA OBTENIDA SE PROGRAMAN EN EL CODIGO SEMICON REALIZADO EN FORTRAN. SE CONCLUYE LA TESIS PRESENTANDO LOS RESULTADOS OBTENIDOS AL RESOLVER DOS PROBLEMAS TEST.