DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, 5

Autor: MARCO COLAS SANTIAGO.
Año: 1992.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPT.FISICA APLICADA Y ELECTRONICA. FACULTAD DE FISICA .

Resumen: LA TECNOLOGIA MICROELECTRONICA PUEDE UTILIZARSE EN LA FABRICACION DE MICROSENSORES MECANICOS DE ALTAS PRESTACIONES Y BAJO COSTE. LOS SENSORES DE PRESION ESTAN BASADOS EN UN DIAFRAGMA DELGADO DE SILICIO, FABRICADO MEDIANTE GRABADO ANISOTROPO HUMEDO, QUE DEFLECTA BAJO UNA PRESION DIFERENCIAL. LA INTEGRACION DE UN PUENTE DE WHEATSTONE EN EL DIAFRAGMA PERMITE OBTENER UNA SALIDA ANALOGICA PROPORCIONAL A LA DIFERENCIA DE PRESIONES DEBIDO AL EFECTO PIEZORRESISTIVO. DISPOSITIVOS BASADOS EN TECNOLOGIA DE SILICIO FUERON FABRICADOS Y CARACTERIZADOS, MOSTRANDO UN BUEN ACUERDO CON LA SIMULACION PREVIA. TOMANDO ESTOS COMO BASE, SE OPTIMIZO SU DISEÑO Y TECNOLOGIA PARA APLICACIONES A ALTA TEMPERATURA Y PARA LA MEDIDA INVASIVA DE LA PRESION SANGUINEA. PARA LAS APLICACIONES A ALTA TEMPERATURA DEBEN UTILIZARSE RESISTENCIAS DE POLISILICIO. LA OPTIMIZACION DE LAS CARACTERISTICAS DE ESTE MATERIAL PARA ESTA APLICACION HAN REQUERIDO UN TRABAJO DE CARACTERIZACION ESTRUCTURAL Y ELECTRICO. LOS DISPOSITIVOS FINALES FUNCIONARON SATISFACTORIAMENTE HASTA 200 GRADOS C, PRESENTARON UNA ALTA SENSIBILIDAD Y EXHIBIERON PEQUEÑAS DERIVAS TERMICAS. SE OPTIMIZARON TAMBIEN SENSORES DE PRESION PARA LA MEDIDA DE LA PRESION SANGUINEA. ELLO REQUIRIO UNA MINIATURIZACION CONSIDERABLE TANTO DEL DISPOSITIVO COMO DEL ENCAPSULADO MANTENIENDO UNA ALTA SENSIBILIDAD. PARA REDUCIR LA NO-LINEALIDAD HA DEBIDO OPTIMIZARSE EL DISEÑO MECANICO DEL DIAFRAGMA. SE HA OPTADO POR MEMBRANAS NO-UNIFORMES CUYO COMPORTAMIENTO SE HA ANALIZADO MEDIANTE ELEMENTOS FINITOS. SE HA DESARROLLADO UNA TECNOLOGIA PARA LA FABRICACION DE ESTAS ESTRUCTURAS BASADA EN EL PARO ELECTROQUIMICO. LOS DISPOSITIVOS FABRICADOS PRESENTAN MEJORES PRESTACIONES QUE LOS BASADOS EN UN DIAFRAGMA DE GROSOR UNIFORME.

Autor: MELENDEZ SANCHEZ JUAN.
Año: 1992.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LOS MATERIALES .

Resumen: SE DESARROLLA UN METODO DE CALCULO DE ESTRUCTURA ELECTRONICA EN MANUESTRUCTURAS DE SEMICONDUCTOR, BASADO EN UN MODELO DE "FUNCION ENVOLVENTE", QUE PERMITE CALCULAR LAS RELACIONES DE DISPERSION EN DIRECCION PARALELA A LAS INTERCARAS. EL METODO SE UTILIZA PARA DISEÑAR ESTRUCTURAS LASER DE SEMICONDUCTOR, QUE EMPLEAN SUPERREDES GAP/IMP E ..... EN LA ZONA ACTIVA. SE CRECEN POR MBE Y CARACTERIZAN OPTICAMENTE MUESTRAS DE ESTOS DOS TIPOS, Y SE FABRICAN Y CARACTERIZAN ESTRUCTURAS LASER COMPLETAS BASADAS EN ZONAS ACTIVAS DE ..... LOS RESULTADOS SE COMPARAN CON LAS PREVISIONES TEORICAS.

Autor: NAFRIA MAQUEDA MONTSERRAT.
Año: 1992.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: MICROELECTRONICA FISICA.

Resumen: EN ESTA TESIS SE ANALIZAN DIFERENTES ASPECTOS DE LA RUPTURA DIELECTRICA DEL SIO2 QUE DEBEN TENERSE EN CUENTA CUANDO SE DESEA EFECTUAR UNA SIMULACION DE FIABILIDAD. SE MUESTRA COMO MEDIANTE UNA CARACTERIZACION DE POST-RUPTURA DEL OXIDO PUEDE OBTENERSE INFORMACION SOBRE SU FIABILIDAD Y SOBRE LA FISICA DEL MECANISMO. POR OTRA PARTE, UN ANALISIS DE LAS ESTADISTICAS DE RUPTURA OBTENIDAS EN DIFERENTES CONDICIONES DE ESTRES MUESTRA QUE EXISTEN TRES MODOS DE RUPTURA, ACTIVOS EN DISTINTOS RANGOS DE CAMPOS. LA APARICION DE ESTOS MODOS EN DISTINTAS CONDICIONES DE ESTRES DEBE TENERSE EN CUENTA EN LA EXTRAPOLACION DE LOS DATOS DE FIABILIDAD A CONDICIONES NORMALES DE OPERACION. LOS RESULTADOS INDICAN QUE UNICAMENTE DEBEN IMPLEMENTARSE EN UN SIMULADOR DE FIABILIDAD DOS DE LOS MODOS OBSERVADOS. FINALMENTE, SE HA EFECTUADO UN ANALISIS DE LOS TRANSITORIOS OBSERVADOS CUANDO SE APLICAN AL OXIDO TENSIONES DINAMICAS DE ESTRES Y SE HA PRESENTADO UN MODELO CUALITATIVO PARA EXPLICARLOS, BASADO EN EL ATRAPAMIENTO/DESATRAPAMIENTO DE CARGA NEGATIVA EN EL OXIDO.

Autor: SILVEIRA MARTIN JUAN PEDRO.
Año: 1992.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.

Resumen: LA UTILIZACION DE UNA CINETICA DE CRECIMIENTO BIDIMENSIONAL EN LA EPITAXIA POR HACES MOLECULARES HA PERMITIDO LA OBTENCION DE CAPAS DE GAAS IMPURIFICADA CON SILICIO, ALCANZANDOSE NIVELES DE DENSIDAD DE PORTADORES DE HASTA 2 X 10(19) CM-3. ESTE LIMITE ES DEBIDO A LA EXISTENCIA DEL CENTRO DX, QUE ANCLA EL NIVEL DE FERNI. UNA CARACTERIZACION OPTICA Y ELECTRICA DE ESTE TIPO DE CAPAS MUESTRA LA EXISTENCIA DE DEFECTOS DE ALTA IMPURIFICACION (VACANTES DE GALIO-SILICIO DONADOR, VACANTE DE ARSENICO-SILICIO ACEPTOR) SIN EMBARGO, LA DENSIDAD DE LOS MISMOS NO SUPERA 2 X 10(18) CM-3, ES DECIR, MENOR DE UN 10% DE LA DENSIDAD DE ELECTRONES. LA APLICACION DE ESTA CINETICA A LA OBTENCION DE CAPAS CON FUERTE DESAJUSTE DE RED Y DE CONDICIONES DE CRECIMIENTO MUY DIFERENTES (INAS Y ALAS) HA SIDO ESTUDIADA, OBSERVANDOSE UNA AXIMETRIA EN EL CRECIMIENTO DE UN SEMICONDUCTOR SOBRE EL OTRO Y VICEVERSA. POSTERIORMENTE SE HAN OBTENIDO SUPERREDES CON ESTOS DOS MATERIALES.

Autor: FONSECA CHACHARO LUIS ANTONIO.
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA .

Resumen: LAS BUENAS PROPIEDADES DEL SIO2 COMO MATERIAL AISLANTE ES UNO DE LOS PILARES SOBRE LOS QUE DESCANSA EL DESARROLLO DE LA MICROELECTRONICA. LA BUENA CALIDAD CON LA QUE PUEDE CRECERSE LE PERMITE JUGAR UN PAPEL ELECTRICO ACTIVO JUNTO A OTRAS VARIAS FUNCIONES TECNOLOGICAS AUXILIARES. EN ESTE SENTIDO, A MEDIDA QUE PROGRESA LA MINIATURIZACION DE LOS DISPOSITIVOS, CAPAS CADA VEZ MAS DELGADAS SON NECESARIAS COMO OXIDOS DE PUERTA DE TRANSISTORES MOS. ES EN EL MARCO DE LAS TECNOLOGIAS DE MUY ALTA Y ULTRA ESCALA DE INTEGRACION (VLSI, ULSI) DONDE LOS PROCEDIMIENTOS CONVENCIONALES DE OXIDACION DEJAN DE SER ADECUADOS Y DONDE URGE EL DESARROLLO DE TECNICAS ALTERNATIVAS. EN ESTE TRABAJO SE EVALUA EL POTENCIAL DEL PROCESADO TERMICO RAPIDO A ESTE RESPECTO, Y SE LLEGA A LA CONCLUSION DE QUE LOS OXIDOS DELGADOS OBTENIDOS DE ESTA FORMA SON SUPERIORES EN CALIDAD A LOS OBTENIDOS MEDIANTE PROCEDIMIENTOS LLEVADOS A CABO EN HORNOS CONVENCIONALES, UNA VEZ MODIFICADOS ESTOS CONVENIENTEMENTE. ESTA MEJORIA RESULTA DE LAS ESPECIALES PRESTACIONES QUE PERMITEN LOS REACTORES TERMICOS RAPIDOS EN LOS QUE PUEDEN TENER LUGAR PROCESOS A MUY ALTA TEMPERATURA DURANTE TIEMPOS MUY BREVES, DOS ASPECTOS IMPOSIBLES DE COMPATIBILIZAR EN UN HORNO CONVENCIONAL. LA ALTA TEMPERATURA DE OXIDACION PROPIA DE ESTOS PROCESOS TIENE UN IMPACTO POSITIVO SOBRE LA CALIDAD MATERIAL DE LA CAPA, QUE A SU VEZ SE TRADUCE EN UNAS MEJORES CARACTERISTICAS ELECTRICAS, ESPECIALMENTE EN CUANTO A UNA MAYOR RESISTENCIA A LA DEGRADACION Y A LA RUPTURA DIELECTRICA.

Autor: HERNANDO ALVAREZ MARTA M..
Año: 1991.
Universidad: OVIEDO.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRICA, ELECTRONICA, DE COMPUTADORES Y SISTEMAS PROGRAMA DE DOCTORADO: "CONTROL Y AUTOMATIZACION DE PROCESOS INDUSTRIALES".

Resumen: EN EL PRESENTE TRABAJO SE ABORDA LA PROBLEMATICA DE LA CORRECCION DEL FACTOR DE POTENCIA PRESENTADO A LA RED POR LOS EQUIPOS ELECTRONICOS DE ALIMENTACION EN CONTINUA EN UN SISTEMA DE ALIMENTACION DISTRIBUIDA. A PARTIR DEL ESTUDIO DETALLADO DE LAS VENTAJAS E INCONVENIENTES DE UN SISTEMA DE ALIMENTACION DISTRIBUIDA SE DETERMINA DE UNA MANERA NATURAL QUE EL CONVERTIDOR DE ENTRADA DEBE SER DISEÑADO CON ESPECIFICACIONES DE FACTOR DE POTENCIA, TRATANDOSE DE AUNAR SIMULTANEAMENTE ESPECIFICACIONES DE RENDIMIENTO, PESO, TAMAÑO, INTERFERENCIAS, ETC. TOMANDO COMO BASE ESTOS DATOS DE PARTIDA SE HA SELECCIONADO LA TOPOLOGIA DE POTENCIA MAS INTERESANTE, RESULTANDO SER UNA ETAPA RESONANTE ALIMENTADA EN CORRIENTE CON FRECUENCIA Y TIEMPO DE CONDUCCION VARIABLES, DISPONIENDOSE ASI DE VARIOS GRADOS DE LIBERTAD. ESTA TOPOLOGIA HA SIDO ESTUDIADA TEORICAMENTE OBTENIENDOSE SUS REGIONES DE FUNCIONAMIENTO, SUS CONDICIONES DE DISEÑO Y LAS CONDICIONES BAJO LAS CUALES LA MISMA REALIZA LA CORRECCION DEL FACTOR DE POTENCIA DE UNA MANERA OPTIMA. JUANTO AL ESTUDIO DE LA PROPIA ETAPA DE POTENCIA, OTRAS VENTAJAS Y APORTACIONES ADICIONALES DE INTERES SE HAN DERIVADO, COMO SON EL ESTUDIO DETALLADO DE LAS FORMAS DE CONMUTACION EN INVERSORES RESONANTES ALIMENTADOS EN CORRIENTE Y EL HABER ESTABLECIDO UNA CLASIFICACION RIGUROSA Y METODICA DE LOS CONVERTIDORES DE ESTRUCTURA RESONANTE. FINALMENTE MENCIONAR QUE TODAS LAS CONCLUSIONES TEORICAS HAN SIDO VERIFICADAS EXPERIMENTALMENTE OBTENIENDOSE UNA MUY CORRECTA CORRELACION ENTRE LOS DATOS OBTENIDOS POR AMBAS FUENTES.

Autor: JIMENEZ TEJADA JUAN ANTONIO.
Año: 1991.
Universidad: GRANADA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRONICA Y TECNOLOGIA DE COMPUTADORES PROGRAMA DE DOCTORADO: TEMAS AVANZADOS EN MICROELECTRONICA E INFORMATICA.

Resumen: SE HAN ESTUDIADO UNIONES GRADUALES IMPURIFICADAS CON PLATINO (DIFUNDIDO EN UN RANGO DE TEMPERATURA 860 GRADOS C-920 GRADOS C). LA ESPECTROSCOPIA DE TRANSITORIOS DE NIVELES PROFUNDOS, DLTS, JUNTO CON UN ESTUDIO TEORICO HAN PERMITIDO DETERMINAR EL EFECTO DE ELEGIR UN MODELO APROPIADO PARA UNA ESTRUCTURA P-N Y COMPROBAR EL EFECTO DE ALTAS CONCENTRACIONES DE CENTROS PROFUNDOS EN ESTE TIPO DE UNIONES. BAJO CIERTAS CONDICIONES EL MODELO DE UNION ABRUPTA NO PERMITE EXPLICAR RESULTADOS PROCEDENTES DE MEDIDAS CAPACITIVAS ASI COMO PUEDE RESULTAR INCORRECTA LA INTERPRETACION NORMAL DE ASOCIAR CADA MAXIMO DE DLTS CON UN NIVEL DE ENERGIA. SIN EMBARGO, EL MODELO DE UNA UNION GRADUAL CON DOS NIVELES PROFUNDOS, COMO EN EL CASO DEL PLATINO, SI INTERPRETA TODOS LOS RESULTADOS. ADEMAS, TODA LA CARACTERIZACION EXPERIMENTAL Y NUMERICA SOBRE EL PLATINO EN EL SILICIO REALIZADA A LO LARGO DE ESTE TRABAJO, NOS INDICA QUE EL PLATINO EN EL SILICIO CREA UN CENTRO TRIPOLAR.

Autor: LOPEZ REBOLLAL EDUARDO L..
Año: 1991.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: CIRCUITOS Y SISTEMAS ELECTRONICOS INTEGRADOS.

Resumen: EL NUCLEO TEMATICO DE ESTA TESIS SE CENTRA EN LA PROBLEMATICA TECNOLOGICA QUE PRESENTA LA FABRICACION DE TRANSISTORES SUBMICRONICOS TIPO MODFET SOBRE ESTRUCTURAS ALGAAS/GAAS Y ALGAAS/INGAAS/GAAS, PARA APLICACIONES DE MUY ALTA FRECUENCIA. LA TESIS SE HA ORGANIZADO EN TRES PARTES. LA PRIMERA ES UNA INTRODUCCION GENERAL AL TEMA EN LA QUE SE COMENTAN LOS MODOS DE FUNCIONAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS. LA SEGUNDA PARTE CONSTITUYE LA PARTE MAS IMPORTANTE DEL TRABAJO, Y EN ELLA SE DESCRIBEN TODOS LOS PROCESOS TECNOLOGICOS NECESARIOS PARA LA FABRICACION DE LOS DISPOSITIVOS A PARTIR DEL MATERIAL BASE. EN LA TERCERA Y ULTIMA PARTE SE PRESENTAN LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES QUE SE OBTUVIERON EN LOS DISTINTOS TIPOS DE TRANSISTORES FABRICADOS. EN LA PARTE DE LA TECNOLOGIA SE PONE ESPECIAL INTERES EN LOS PROCESOS BASICOS DE TRANSFERENCIA DE GEOMETRIAS, AISLAMIENTO DE MESAS, CONTACTOS OHMICOS, REBAJE Y FABRICACION DE PUERTA. PARA LA ESCRITURA DE GEOMETRIAS SE HA UTILIZADO FUNDAMENTALMENTE UN SISTEMA DE LITOGRAFIA POR HAZ DE ELECTRONES. LA TERCERA PARTE SE DEDICA A LA DESCRIPCION DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS. LOS PARAMETROS QUE SE ESTUDIARON FUERON, ENTRE OTROS, LA LONGITUD DE PUERTA, ORIENTACION CRISTALINA DEL DISPOSITIVO, ANCHURA DE PUERTA, EFECTO DE LAS RESISTENCIAS DE ACCESO.

Autor: MARTINEZ ESTEBAN JUAN ANGEL.
Año: 1991.
Universidad: OVIEDO.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRICA, ELECTRONICA, DE COMPUTADORES Y SISTEMAS PROGRAMA DE DOCTORADO: CONTROL Y AUTOMATIZACION DE PROCESOS INDUSTRIALES.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE ABORDO EL DESARROLLO Y ESTUDIO DEL PARALELIZADO DE CONVERTIDORES CONTINUA-CONTINUA TRABAJANDO EN ALTA FRECUENCIA; EL OBJETIVO FINAL EN LA OBTENCION DE UNA TECNICA DE CONTROL QUE PERMITA UNA ECUALIZACION OPTIMA DE LOS CONVERTIDORES QUE TRABAJEN EN PARALELO; ESTE OBJETIVO SE ALCANZA SATISFACTORIAMENTE CON LA PRESENTACION DE UN TIPO ORIGINAL DE CONTROL DENTRO DE LAS ESTRATEGIAS DE "MODO CORRIENTE". ESTE NUEVO TIPO DE CONTROL ES DENOMINADO COMO CAC (CURRENT AVERAGE CONTROL) Y PRESENTA UN GRAN NUMERO DE VENTAJAS RESPECTO DE LOS METODOS QUE HASTA AHORA SE CONOCIAN. PARA ESTE NUEVO METODO SE HA ESTABLECIDO EL MODELO ESTATICO Y DINAMICO Y SE HA CORROBORADO EXPERIMENTALMENTE TANTO A NIVEL DE SIMULACION COMO SOBRE UN PROTOTIPO CONSTRUIDO AL EFECTO.

Autor: NUÑO GARCIA FERNANDO.
Año: 1991.
Universidad: OVIEDO.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRICA, ELECTRONICA, DE COMPUTADORES Y SISTEMAS PROGRAMA DE DOCTORADO: CONTROL Y AUTOMATIZACION DE PROCESOS INDUSTRIALES.

Resumen: LOS CONVERTIDORES CUASI-RESONANTES Y MULTIRESONANTES, DE APARICION MAS O MENOS RECIENTE, SURGIERON A PARTIR DE LA IDEA DE OPTIMIZAR LAS CONMUTACIONES EN LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PRESENTES EN LOS CONVERTIDORES CC/CC CONMUTADOS TRABAJANDO A FRECUENCIAS ELEVADAS. LA SIMPLE INCLUSION DE 2 O 3 ELEMENTOS REACTIVOS (RESONANTES) DE PEQUEÑA MAGNITUD EN LOS CONVERTIDORES ORIGINALES CLASICOS PWM DE ACUERDO CON CIERTAS REGLAS, HACE POSIBLE ESE COMPORTAMIENTO. LA SENCILLA INCORPORACION DE ESTOS NUEVOS ELEMENTOS MODIFICA, DE MANERA SUSTANCIAL, EL COMPORTAMIENTO A NIVEL INTERNO: ETAPAS EVOLUTIVAS, PARAMETROS DE CONTROL, ESFUERZOS ELECTRICOS, MODOS DE FUNCIONAMIENTO, ETC., COMPLICANDO EL CALCULO Y EL DISEÑO. EL PRESENTE TRABAJO APORTA UNA METODOLOGIA UNIFICADA DE ANALISIS A NIVEL ESTATICO Y DINAMICO DE TODO UN CONJUNTO DE CONVERTIDORES DE ESPECIAL INTERES: AQUELLOS QUE PRESENTAN UN INTERRUPTOR GOBERNADO UNICO Y AISLAMIENTO GALVANICO ENTRADA-SALIDA EXIGIDO EN MUCHOS CASOS.

Autor: PERELLO GARCIA CARLES.
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INFORMATICA PROGRAMA DE DOCTORADO: MICROELECTRONICA.

Resumen: EL AUMENTO EN LA DENSIDAD Y SUPERFICIE OCUPADA POR LOS CIRCUITOS INTEGRADOS OBLIGA A OPTIMIZAR LA FASE DE TEST.EN EL TRABAJO SE PROPONE UNA METODOLOGIA QUE TIENDE A AUTOMATIZAR LAS ETAPAS DE DISEÑO DE ESTRUCTURAS DE TEST, LA ADQUISICION DE PARAMETROS A PARTIR DE MEDIDAS ELECTRICAS EN ESTAS Y EL ANALISIS ESTADISTICO DE LOS MISMOS.SE HA DESARROLLADO UNA LIBRERIA DE ESTRUCTURAS DE TEST ELECTRICO QUE PERMITE GENERARLAS PARA LA TECNOLOGIA QUE SEA OBJETO DE ESTUDIO.SE HA PUESTO A PUNTO UN SISTEMA DE CARTOGRAFIADO Y ADQUISICION DE MEDIDAS QUE INCLUYE UNA LIBRERIA DE CARACTERIZACION BASICA DE TECNOLOGIA Y QUE INCLUYE UN EXTRACTOR DE PARAMETROS PARA EL MODELO SPICE LEVEL 3 DE SIMULACION DE CIRCUITOS.

Autor: LOPEZ VILLANUEVA JUAN ANTONIO.
Año: 1990.
Universidad: GRANADA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA Y TECNOLOGIA DE COMPUTADORES FACULTAD DE CIENCIAS. UNIVERSIDAD DE GRANADA..

Resumen: - SE HA REALIZADO UN ESTUDIO DE LA DEGRADACION DEL SISTEMA SI-SIO2 PRODUCIDA POR INYECCION DE CORRIENTE TUNEL FOWLER-NORDHEIM. EN PARTICULAR SE HA ANALIZADO EL ATRAPAMIENTO DE CARGA ELECTRICA EN EL INTERIOR DEL OXIDO Y LA GENERACION DE ESTADOS ENERGETICOS EN LA SUPERFICIE DE SEPARACION OXIDO-SEMICONDUCTOR. EN EL ASPECTO TEORICO SE HAN DESARROLLADO Y ANALIZADO METODOS DE CARACTERIZACION TANTO CAPACITIVOS COMO BASADOS EN LA INYECCION TUNEL FOWLER-NORDHEIM CON CORRIENTE CONSTANTE. ENTRE TALES TECNICAS SE PUEDEN DESTACAR: UN METODO BASADO EN LA SIMULACION DE LA CURVA DE CAPACIDAD EN ALTA FRECUENCIA DE UNA ESTRUCTURA MOS CON UN PERFIL DE IMPUREZAS ARBITRARIO. UN METODO BASADO EN EL ANALISIS DE UNA CURVA DE CAPACIDAD BIDIRECCIONAL EN ALTA FRECUENCIA A BAJAS TEMPERATURAS. SE HA CALCULADO LA RESPUESTA DE LOS ESTADOS SUPERFICIALES DURANTE LA CAPTACION DE ESTAS CURVAS. UN METODO BASADO EN EL ANALISIS DE LOS TRANSITORIOS DE TENSION DURANTE LA INYECCION FOWLER-NORDHEIM CON CORRIENTE CONSTANTE. SE HAN ANALIZADO TEORICAMENTE LOS EFECTOS DEL ATRAPAMIENTO DE CARGA EN EL INTERIOR DE LA BARRERA. SE HA DISCUTIDO LA INFORMACION QUE SE PUEDE EXTRAER DE LA TECNICA DE INYECCION A CORRIENTE CONSTANTE COMBINANDOLA CON DATOS OBTENIDOS A PARTIR DE LAS MEDIDAS DE CAPACIDAD. EN EL ASPECTO EXPERIMENTAL, SE HA REALIZADO UN ESTUDIO DE CAPACIDADES MOS FABRICADAS EN EL CNM (BARCELONA). SE HAN PUESTO A PUNTO DIVERSAS TECNICAS DE CARACTERIZACION PARA LA MEDIDA DE LA DENSIDAD DE ESTADOS SUPERFICIALES Y DE LA SECCION DE CAPTURA DE ESTOS. SE HA MONTADO Y PUESTO A PUNTO UN SISTEMA CRIOGENICO CON POSIBILIDAD DE EXCITACION OPTICA EN EL RANGO DE TEMPERATURAS 77-300 K Y UN SISTEMA PARA LA MEDIDA EXPERIMENTAL DE CURVAS I(V) Y DE TRANSITORIOS DE ATRAPAMIENTO DE CARGA CON EL QUE SE HA ANALIZADO LA CARGA ATRAPADA Y SU POSICION. SE HA ESTUDIADO TAMBIEN LA GENERACION DE ESTADOS SUPERFICIALES Y SE HA PROPUESTO UN MODELO CON EL FIN DE INTERPRETAR LOS MECANISMOS FISICOS QUE DAN LUGAR A DICHA GENERACION.

Autor: PEREZ GARCIA MIGUEL ANGEL .
Año: 1990.
Universidad: OVIEDO.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ING. ELECTIRCA, ELECTRONICA DE COMPUTADORES Y SISTEMAS PROGRAMA DE DOCTORADO: "CONTROL Y AUTOMATIZACIONDE PRCESOS INDUSTRIALES".

Resumen: EN EL PRESENTE TRABAJO SE ABORDO EL DESARROLLO Y ESTUDIO DE REDES RESONANTES PARA LA PROTECCION DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA PROPIOS DE LOS CONVERTIDORES QUE TRABAJAN EN ALTA FRECUENCIA CON LA POSIBILIDAD DE RECUPERAR PARTE DE LA ENERGIA PUESTA EN JUEGO DURANTE LA SALIDA DE CONDUCCION DE LOS MISMOS. SE HAN DESCRITO LOS CRITERIOS NECESARIOS PARA EL DISEÑO DE LAS REDES QUE PERMITEN LA SUAVIZACION DE LA SALIDA DE CONDUCCION Y SE HAN PRESENTADO DOS NUEVAS TOPOLOGIAS QUE CONSIGAN RECUPERAR PARCIALMENTE LA ENERGIA PUESTA EN JUEGO EN LAS SALIDAS DE CONDUCCION. PARA ESTAS REDES SE HAN ESTABLECIDO LOS CRITERIOS DE DISEÑO, MARGENES DE TRABAJO Y APLICACIONES INMEDIATAS CORROBORANDO EXPERIMENTALMENTE LOS ASPECTOS TEORICOS ESTUDIADOS.

Autor: PLACENCIA MILLAN YOLANDA.
Año: 1990.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA.

Resumen: EL OBJETIVO DEL TRABAJO ES LA CARACTERIZACION DEL TRANSPORTE DE ELECTRONES EN EL OXIDO DE SILICIO DE CAPACIDADES MOS SOMETIDAS A CAMPOS ELECTRICOS DEL ORDEN DE LOS 10 MV/CM Y CONSTANTES TEMPORAL Y ESPACIALMENTE. A TAL EFECTO, SE HA DESARROLLADO UN PROGRAMA DE SIMULACION BASADO EN EL METODO DE MONTE CARLO. EL TRABAJO SE DIVIDE EN SEIS CAPITULOS: EN EL PRIMERO SE EXPONEN LAS PROPIEDADES FISICAS DEL SISTEMA EN EL QUE SE EFECTUA EL TRANSPORTE. EN EL SEGUNDO, SE DESCRIBEN LOS MODULOS DE LA IMPLEMENTACION INFORMATICA LLEVADA A CABO. EN EL CAPITULO TERCERO SE ESTUDIA LA CINEMATICA DEL TRANSPORTE ELECTRONICO. EN EL CAPITULO CUARTO SE OBTIENE LA FUNCION DE DISTRIBUCION DEL MOMENTO Y DE LA ENERGIA DEL SISTEMA DE ELECTRONES. EN EL CAPITULO CINCO SE ESTUDIA LA DINAMICA DEL ELECTRON, A FIN DE CARACTERIZAR SU DISPERSION ESPACIAL Y RELACIONARLA CON EL AREA DE RUPTURA DE UN OXIDO ROTO DIELECTRICAMENTE. FINALMENTE, EN EL CAPITULO SEIS, SE CARACTERIZA LA DISIPACION DE ENERGIA EN EL VOLUMEN DEL OXIDO Y SE INTERPRETA FENOMENOLOGICAMENTE LA RELACION TIEMPO DE RUPTURA-ESPESOR DE OXIDO.

Autor: CID SANCHEZ MANUEL.
Año: 1989.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA FISICA DE LA UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID..

Resumen: EN ESTA TESIS SE PRESENTA UN ANALISIS EXHAUSTIVO DE LA CONTRIBUCION DE LA REGION DE BASE A LAS PRESTACIONES DE CELULAS SOLARES DE SILICIO. EN ESTE TRABAJO SE TRATAN FENOMENOS COMO INFRALINEALIDAD Y SUPRALINEALIDAD DE LA CORRIENTE DE CORTOCICUITO, ADEMAS DE EFECTOS DE MODULACION Y DEMODULACION DE LA CONDUCTIVIDAD, QUE OCURREN SEGUN EL TIPO DE BASE Y MODO DE OPERACION DE LAS CELULAS SOLARES. ESTOS EFECTOS SOLAMENTE HABIAN SIDO VERIFICADOS EXPERIMENTALMENTE Y HASTA ENTONCES NO SUFICIENTEMENTE ACLARADOS EN LA LITERATURA. POR LO TANTO, CON EL OBJETIVO DE ESTUDIAR LOS FENOMENOS QUE SE PRODUCEN EN LA BASE, SE FABRICO Y MIDIO UNA GRAN CANTIDAD DE CELULAS SOLARES DE TIPO P Y N, CON RESISTIVIDADES DE BASE COMPRENDIDAS ENTRE 0,3 Y 1000 OMEGA POR CM. POR OTRA PARTE, SE HA DESARROLLADO UN MODELO TEORICO PARA EL ANALISIS DE CARACTERISTICAS DE CELULAS SOLARES QUE PERMITE EL ESTUDIO DE LA REGION DE BASE EN CONDICIONES DE INYECCION ARBITRARIA. EL MODELO SE BASA EN LA LINEARIZACION POR TRAMOS DE LAS ECUACIONES DE TRANSPORTE Y RESOLUCION POR CONCATENACION DE ARCOS DE SOLUCION ANALITICA. POR PRIMERA VEZ SE HA ATRIBUIDO EL COMPORTAMIENTO SUPRALINEAL DE LA CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO CON LA CONCENTRACION LUMINOSA A LA ACCION DEL CAMPO ELECTRICO, QUE EMPUJA A LOS PORTADORES MINORITARIOS HACIA LA UNION P-N, REDUCIENDO LA RECOMBINACION EN BASE. SE HA COMPROBADO QUE TAMBIEN LA INFRALINEALIDAD DE LA CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO SE DEBE AL CAMPO ELECTRICO, EL CUAL, POR MEDIO DE SU ACCION REDUCTORA SOBRE EL PERFIL DE PORTADORES MINORITARIOS, PRODUCE UNA DEMODULACION PROGRESIVA DE LA CONDUCTIVIDAD DE BASE Y UN EFECTO APARENTE DE RESISTENCIA EN PARALELO. PARA AUMENTAR LA EFICIENCIA DE CONVERSION DE AQUELLAS CELULAS AFECTADAS POR LA INFRALINEALIDAD DE LA CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO, SE HA PROPUESTO ILUMINAR LA CELULA POR EL LADO POSTERIOR. SE HAN DEFINIDO UNAS REGLAS DE DISEÑO, PARA LA TECNOLOGIA DE FABRICACION DISPONIBLE, QUE PUEDEN SER DE ESPECIAL INTERES PARA LA INDUSTRIA, YA QUE PERMITEN UTILIZAR UNA AMPLIA GAMA DE RESISTIVIDADES DE BASE, CUYO TIPO ES INDIFERENTE A LA HORA DE CONSEGUIR BUENAS EFICIENCIAS A ELEVADAS CONCENTRACIONES LUMINOSAS. SE HA REALIZADO UNA NUEVA PROPUESTA DE ESTRUCTURA DENOMINADA "CORTE", HABIENDOSE DEMOSTRADO EXPERIMENTALMENTE QUE A ELEVADAS CONCENTRACIONES SE PRODUCE UNA REDUCCION DEL AREA EFECTIVA DE UNION P-N.

Autor: FERNANDEZ GARCIA JUAN.
Año: 1988.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: CENTRO NACIONAL DE MICROELECTRONICA. CSIC-UAB. CAMPUS DE BELLATERRA. 08193 BELLATERRA, BARCELONA..

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HA REALIZADO UNA FORMULACION ANALITICA DE LA RESISTENCIA ESPECIFICA DE DISPOSITIVOS VDMOS DE POTENCIA, VALIDA PARA CUALQUIER DISEÑO INTERDIGITADO O CELULAR, ASI COMO PARA UNO PROPIO CONSISTENTE EN UN ELECTRODO DE PUERTA ONDULADA. ADEMAS, SE HA DESARROLLADO EL SOFTWARE NECESARIO PARA LA GENERACION DEL CONJUNTO DE MASCARAS PARA LA FABRICACION DE ESTOS DISPOSITIVOS. LA TECNOLOGIA DE FABRICACION HA SIDO OBJETO DE ESTUDIO, TRATANDOSE DE UN PROCESO TECNOLOGICO CONSISTENTE EN SIETE ETAPAS FOTOLITOGRAFICAS BASADO EN UN PROCESO DE DOBLE DIFUSION AUTOALINEADO PARA LA OBTENCION DEL CANAL ACTIVO. LOS DISPOSITIVOS FABRICADOS HAN SIDO CARACTERIZADOS ELECTRICA Y TECNOLOGICAMENTE, CORROBORANDOSE EXPERIMENTALMENTE LA VALIDEZ DE LA MODELIZACION ANALITICA LLEVADA A CABO MEDIANTE EL ESTUDIO DE LA RESISTENCIA DE LOS 67 DISPOSITIVOS DIFERENTES INTEGRADOS EN EL CHIP.

Autor: HERRERO RUEDA JOSE .
Año: 1988.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: INSTITUTO DE ENERGIAS RENOVABLES-CENTRO DE INVESTIGACIONES ENERGETICAS MEDIOAMBIENTALES Y TECNOLOGICAS..

Resumen: EL DESARROLLO INDUSTRIAL Y TECNOLOGICO A GRAN ESCALA DE DISPOSITIVOS BASADOS EN MATERIALES SEMICONDUCTORES EN LAMINA DELGADA CELULAS SOLARES FOTOVOLTAICAS, PANTALLAS PLANAS, BATERIAS Y MICROBATERIAS, ETC..., ESTA LIMITADO PRINCIPALMENTE POR LA POSIBILIDAD DE PREPARAR ESTOS MATERIALES SOBRE GRANDES SUPERFICIES POR UN METODO EFICAZ Y ECONOMICO. UNA DE LAS POSIBLES TECNICAS QUE CUMPLE ESTAS CONDICIONES ES EL METODO DE SINTESIS ELECTROQUIMICA, ESTE METODO NO SOLO ES ESENCIALMENTE BARATO, ADEMAS DE NO REQUERIR PRODUCTOS DE PARTIDA DE GRAN PUREZA, SI NO QUE ES UNA TECNOLOGIA YA APLICADA EN GRAN ESCALA PARA DIFERENTES USOS INDUSTRIALES. EL OBJETIVO DE ESTA MEMORIA HA SIDO ESTUDIAR LA APLICACION DE LOS METODOS ELECTROQUIMICOS A LA PREPARACION Y CARACTERIZACION DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DEL GRUPO DE LOS CALCOGENUROS DE COBRE-INDIO EN LAMINA FINA O PELICULA DELGADA, TRATANDO ADEMAS DE ENCONTRAR VIAS ALTERNATIVAS A LA CLASICA DE DEPOSITOS ELECTROQUIMICOS YA SEAN METALES O ALEACIONES Y TRAS ADECUADOS TRATAMIENTOS POSTERIORES OBTENER COMPUESTOS SEMICONDUCTORES LOS CUALES NO SON VIABLES POR EL METODO DIRECTO. EL GRUPO DE SEMICONDUCTORES ESTUDIADOS ES EL QUE FORMA EL SISTEMA SEUDOBINARIO DONDE LOS COMPUESTOS CON X=0,5, SON LOS MAS CONOCIDOS DEBIDO A SUS PROMETEDORAS PROPIEDADES FOTOVOLTAICAS. ESPECIAL ATENCION SE HA PRESTADO A SINTETIZAR Y DETERMINAR LAS PROPIEDADES FOTOELECTROQUIMICAS QUE PRESENTAN EL Y . ESTOS DOS SEMICONDUCTORES SE HAN PREPARADO POR REACCION DE DEPOSITOS ELECTROQUIMICOS DE INDIO Y SELENIO POR UN LADO Y DE INDIO EN UNA ATMOSFERA DE GAS. A PARTIR DE ALEACIONES METALICAS DE CU-IN Y POR TRATAMIENTOS EN ATMOSFERAS DE SE HAN SINTETIZADO LOS COMPUESTOS Y . EL COMPUESTO SE HA PREPARADO EN SU FASE CALCOPIRITA POR UN METODO DE ELECTRODEPOSICION EN UNA ETAPA A UN BAJO POTENCIAL, -0,6 V(SCE), A PARTIR DE UN BAÑO CITRICO DE LOS COMPONENTES. TODOS ESTOS MATERIALES SE HAN CARACTERIZADO APROVECHANDO LAS PROPIEDADES RECTIFICANTES DE LA INTERFASE SEMICONDUCTOR-ELECTROLITO TANTO EN OSCURIDAD COMO EN ILUMINACION.

Autor: RUIZ RUIZ DE GOPEGUI ANA.
Año: 1988.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: CENTRO NACIONAL DE MICROELECTRONICA. CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS..

Resumen: EL TRABAJO RECOGE LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES OBTENIDOS EN UN ESTUDIO DE CRECIMIENTO POR EPITAXIA DE HACES MOLECULARES Y SU APLICACION A LA OBTENCION DE HETEROESTRUCTURAS DE SEMICONDUCTORES COMPUESTOS III-V CON DISTINTO PARAMETRO DE RED. EL METODO DE OBTENCION EMPLEADO ES UNA MODIFICACION DEL PROCESO CONVENCIONAL DE MBE QUE CONSISTE EN MODULAR (INTERRUMPIR, ALTERNAR O PULSAR) LOS HACES QUE INCIDEN SOBRE EL SUSTRATO, EN SINCRONISMO CON LA SECUENCIA DE CRECIMIENTO CAPA POR CAPA DEL COMPUESTO. SE PRESENTAN RESULTADOS OBTENIDOS EN LA APLICACION DEL MISMO A SISTEMAS HETEROEPITAXICOS FUERTEMENTE DESACOPLADOS (INAS SOBRE GAAS), SUPERREDES SOMETIDAS A TENSION (INAS-ALAS) Y HETEROESTRUCTURAS DE COMPUESTOS CON DIVERSOS ELEMENTOS DEL GRUPO V (III-VA-III-V) COMO EJEMPLO DE APLICACION. ESTE ULTIMO CASO PRESENTA GRAN INTERES POR LA DIFICULTAD QUE PRESENTAN TALES COMPUESTOS PARA ALCANZAR UN CONTROL PRECISO DE LA COMPOSICION CUANDO SE INTENTAN OBTENER POR MBE CONVENCIONAL. LOS RESULTADOS OBTENIDOS, RESUMIDOS EN LA MEMORIA, DEMUESTRAN LA VALIDEZ DE LA TECNICA, Y SUS POSIBILIDADES DE APLICACION EN TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES III-V PARA OBTENER HETEROESTRUCTURAS Y SUPERREDES CONTANDO CON UN AMPLIO MARGEN PARA LA ELECCION DE LOS MATERIALES COMPONENTES.

Autor: SUÑE TARRUELLA JORGE FRANCISCO.
Año: 1988.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: CENTRO NACIONAL DE MICROELECTRONICA (CSIC-VAB) -UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BARCELO NA. .

Resumen: LA RUPTURA DIELECTRICA DEL OXIDO DE PUERTA EN TRANSISTORES MOS ES UNO DE LOS PRINCIPALES FENOMENOS QUE REDUCEN LA FIABILIDAD DE LOS DISPOSITIVOS INTEGRADOS EN TECNOLOGIAS VLSI. EN ESTE TRABAJO SE PRESENTA UN MODELO GENERAL QUE PERMITE EL ESTUDIO DE LA RUPTURA DE CAPAS DELGADAS DE SIO2 EN LAS CONDICIONES NORMALES DE OPERACION DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS. SE HA DEMOSTRADO QUE LA RUPTURA ES UN PROCESO QUE TIENE LUGAR EN DOS ETAPAS. CUANDO SE SOMETE LA ESTRUCTURA MOS A UN ESTRES ELECTRICO, SE PROVOCA LA INYECCION DE ELECTRONES EN LA BANDA DE CONDUCCION DEL SIO2. LA ENERGIA QUE DICHOS ELECTRONES GANAN AL SER ACELERADOS POR EL CAMPO ELECTRICO SE DISIPA MEDIANTE CHOQUES CON FONONES. PARTE DE LA ENERGIA DISIPADA SE EMPLEA EN DEGRADAR PROGRESIVAMENTE LA ESTRUCTURA MICROSCOPICA DEL OXIDO HASTA QUE SE DISPARA UN SEGUNDO MECANISMO DE CONDUCCION QUE PROVOCA LA RUPTURA. EL PRINCIPAL EFECTO DE LA DEGRADACION CONSISTE EN LA GENERACION DE TRAMPAS NEUTRAS PARA ELECTRONES, CUYO LLENADO PARCIAL OBLIGA A MODIFICAR CONTINUAMENTE LAS CONDICIONES EXTERNAS DE ESTRES ELECTRICO. EN EL MARCO DEL MODELO PRESENTADO, SE HA EXPLICADO LA EVOLUCION DE LAS CONDICIONES DE ESTRES BAJO CUALQUIER TIPO DE ESTRES ELECTRICO, SE HA ESTABLECIDO UNA RELACION DIRECTA ENTRE CUALQUIER TIPO DE ESTRES DE FORMA QUE LOS PARAMETROS CONSIDERADOS SON SIEMPRE LOS MISMOS, SE HA DETERMINADO LA DEPENDENCIA DEL TIEMPO MEDIO DE RUPTURA CON LA CORRIENTE Y LA TENSION APLICADAS. ASIMISMO, APLICANDO EL MODELO A NIVEL LOCAL, HEMOS EXPLICADO LAS DISTRIBUCIONES ESTADISTICAS DE TIEMPOS DE RUPTURA QUE APARECEN COMO CONSECUENCIA DE QUE LA RUPTURA ES UN FENOMENO LOCAL. POR ULTIMO, SE HA PRESENTADO UN ESTUDIO DE LA CONDUCCION DE POST-RUPTURA CON EL FIN DE DETERMINAR QUE MECANISMO DISPARA LA RUPTURA.

Autor: VILANOVA SOMOZA JESUS.
Año: 1988.
Universidad: VALLADOLID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: APTO ELECTRONICA Y TECNOLOGIA ELECTRONICA- FACULTAD DE CIENCIAS-UNIVERSIDAD DE VALLADOLID..