DISSENY, TECNOLOGIA, FABRICACIO I MODELITZACIO DE DISPOSITUS VDMOS INTERDIGITATS
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Autor: PAREDES FONTAN JACINTO.
Año: 1987.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: CENTRO NACIONAL DE MICROELECTRONICA.
Resumen: EN ESTE TRABAJO SE PRESENTA UN MODELO
ANALITICO CAPAZ DE EXPLICAR SATISFACTORIAMENTE EL COMPORTAMIENTO FISICO DEL VDMOS EN ESTADO ESTACIONARIO, BASADO EN EL PLANTEAMIENTO Y RESOLUCION DE LAS ECUACIONES DE CAMPO Y DE CORRIENTE EN LAS DIFERENTES REGIONES DE LA EPITAXIA. ENTRE LAS
INNOVACIONES QUE PRESENTA ESTE MODELO CABE DESTACAR LA INCORPORACION DE LA SATURACION DE LA VELOCIDAD DE LOS PORTADORES COMO CAUSANTE DE LA LIMITACION EN CORRIENTE QUE SE OBSERVA EN EL VDMOS POLARIZADO EN QUASI-SATURACION, ASI COMO LA MODULACION DE
LA LONGITUD DEL CANAL DEL JFET ASOCIADO EN LUGAR DE SU ANCHURA, CONTRARIAMENTE A LO QUE SE CREIA HASTA AHORA.
LA VALIDEZ DEL MODELO HA SIDO CORROBORADA EXPERIMENTALMENTE A TRAVES DE LAS CARACTERISTICAS DE SALIDA DEL VDMOS FABRICADO Y DE OTROS EXISTENTES EN LA LITERATURA, ASI COMO CON LOS RESULTADOS DE LAS SIMULACIONES 2D.
EN EL AMBITO TECNOLOGICO-EXPERIMENTAL SE HA REALIZADO EL DISEÑO, LA FABRICACION Y LA CARACTERIZACION DE UN TRANSISTOR VDMOS-INTERDIGITADO CON PUERTA DE ALUMINIO, DE UNA CAPACIDAD EN CORRIENTE SUPERIOR A LOS 10A Y UNA TENSION DE RUPTURA DE 500 V.
EL CANAL, DE 2 MICRAS DE LONGITUD, HA SIDO FORMADO MEDIANTE UN PROCESO AUTOALINEADO DE DOBLE DIFUSION A TRAVES DE LA MISMA VENTANA.
SE HA ESTUDIADO LA EFECTIVIDAD DE LAS TERMINACIONES CON PLACA DE CAMPO Y CON ANILLO DE GUARDA FLOTANTE, LLEGANDO A LA CONCLUSION DE QUE ESTE ULTIMO PERMITE OBTENER MEJORES RESULTADOS SIN NECESIDAD DE VARIAR EL PROCESO DE FABRICACION STANDART.
ADEMAS SE HA ANALIZADO LA INFLUENCIA DE LA DISTANCIA INTERCELULAR SOBRE LA RESISTENCIA ESPECIFICA, RON 5, NOTANDO QUE UNA RESISTENCIA DE ACCESO DE TIPO DISTRIBUIDO AJUSTA PERFECTAMENTE LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES.
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