TECNOLOGIAS III-V Y ALTERNATIVAS

Autor: RONCERO SANCHEZ ELIPE PEDRO LUIS.
Año: 2003.
Universidad: CASTILLA-LA MANCHA.
Centro de lectura: E.T.S. DE INGENIEROS INDUSTRIALES.
Centro de realización: E.T.S. DE INGENIEROS INDUSTRIALES DE CIUDAD REAL.

Resumen: LA ENERGÍA EÓLICA ES UNA DE LAS MÁS BARATAS Y ECOLÓGICAS QUE EXISTEN EN LA ACTUALIDAD. EL DESARROLLO DE UNA MÁQUINA DE ESTE TIPO REQUIERE DEL CONCURSO DE VARIAS DISCIPLINAS DE NATURALEZA DIVERSA: MECÁNICA DE FLUIDOS, INGENIERÍA MECÁNICA, INGENIERÍA ELÉCTRICA Y MÁQUINAS ELÉCTRICAS, ELECTRÓNICA DE POTENCIA Y CONTROL AUTOMÁTICO. EL TRABAJO QUE AQUÍ SE PLANTEA SE CENTRA EN LAS DISCIPLINAS DE CONTROL AUTOMÁTICO Y LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA Y REALIZA APORTACIONES ORIGINALES EN EL TEMA DE CONTROL DE CIERTO TIPO DE AEROGENERADOR, BASADO EN MÁQUINAS ELÉCTRICAS DE INDUCCIÓN, MEDIANTE TÉCNICAS DE CONTROL VECTORIAL. LOS MOTIVOS PARA UTILIZAR UNA MÁQUINA DE INDUCCIÓN EN UN AEROGENERADOR SON VARIOS: ESTE TIPO DE MÁQUINAS SON MÁS ROBUSTAS Y BARATAS QUE OTRAS Y, AUNQUE SU CONTROL ES COMPLEJO, LA TÉCNICA DEL CONTROL VECTORIAL PERMITE UNA REGULACIÓN CORRECTA TANTO EN RÉGIMEN PERMANENTE COMO EN RÉGIMEN TRANSITORIO. ESTAS MÁQUINAS SE SUELEN UTILIZAR EN APLICACIONES DE TRACCIÓN A ALTA VELOCIDAD Y CON GRANDES POTENCIAS. EL CONTROL PROPUESTO EN ESTE TRABAJO SE BASA EN UNA TOPOLOGÍA DE AEROGENERADORES QUE PRESENTA EL SIGUIENTE ESQUEMA: MÁQUINA + INVERSOR + CONDENSADOR + INVERSOR. DICHO ESQUEMA PERMITE SEPARAR EL SUBSISTEMA ASOCIADO AL GENERADOR DEL SUBSISTEMA ASOCIADO A LA RED ELÉCTRICA. ESTO SE REALIZA A TRAVÉS DEL CONDENSADOR INTERMEDIO, LO QUE PERMITE DOTAR DE MUCHA MÁS VERSATILIDAD AL SISTEMA. LA CONFIGURACIÓN PROPUESTA FUNCIONA CORRECTAMENTE CUANDO SE MANEJAN PEQUEÑAS POTENCIAS. EN ESTE CASO UN INVERSOR CONTROLA LA MÁQUINA APORTANDO LA POTENCIA REACTIVA NECESARIA, MIENTRAS QUE EL OTRO INVERSOR SE ENCARGA DE MANTENER LA FRECUENCIA CONSTANTE Y CONTROLAR EL NIVEL DE TENSIÓN. LAS LABORES REALIZADAS EN ESTA TESIS SON: 1. REALIZACIÓN DE UN CONTROL VECTORIAL APLICADO A ESTE TIPO DE MÁQUINAS QUE SEA AUTOADAPTATIVO ANTE VARIACIONES EN EL PAR DE LA MÁQUINA, DE MODO QUE SE OBTENGA EL ÓPTIMO RENDIMIENTO DE LA MÁQUINA ANTE VELOCIDADES CAMBIANTES DEL VIENTO. 2. CONTROL DEL AEROGENERADOR Y COMPENSACIÓN DE LA POTENCIA REACTIVA DE LA RED. 3. DESARROLLAR UN SISTEMA DE CONTROL DE ALTO NIVEL QUE COORDINE EL FUNCIONAMIENTO DE LOS DOS SUBSISTEMAS DEL AEROGENERADOR: INVERSOR MÁQUINA E INVERSOR RED DE MODO QUE SE OBTENGA EL MÁXIMO RENDIMIENTO ENERGÉTICO DE LA MÁQUINA. 4. REDUCCIÓN DE LOS ARMÓNICOS INYECTADOS EN LA RED ELÉCTRICA.

Autor: MAYA SÁNCHEZ M. CARMEN.
Año: 2003.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN .

Resumen: La tesis trata el problema de la medida de parámetros de ruido en transistores a frecuencias de microondas y milimétricas. En particular, se trata los casos de transistores de efecto campo (MESFET y HEMT) y transistores bipolares de heterounión (HBT). Se han implementado sistemas de medida en los márgenes de 2 a 75 GHz menor que y 2-50 GHz, para de dispositivos en oblea, y de 50-75 GGz para dispositivos en guía de onda. La tesis explora varias mejoras en las técnicas de medida, que incluyen el uso de un analizador de espectros con un detector externo y el uso de fuentes de ruido en la oblea. Las técnicas de medida propuestas aprovechan el conocimiento del modelo del dispositivo para realizar una mejor extracción de sus parámetros de ruido. Por ello, la tesis describe los modelos existentes y propone mejoras en el modelado de los transistores de efecto campo. En particular, se propone un modelo que tiene en cuenta los efectos distribuidos de lso electrodos de puerta, drenador y fuente de dichos dispositivos.

Autor: PONCE PEDRAZA ARTURO .
Año: 2002.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS.

Resumen: La presente Tesis Doctoral tiene por objeto, el estudio de películas semiconductoras con propiedades luminiscentes basadas en compuestos III-N y en silicio. Dichas películas semiconductoras son obtenidas por medio de técnicas de crecimiento epitaxial y de implantación iónica. En el caso de los compuestos III-N, se han estudiado heteroepitaxias GaN/zafiro, GaN/Si, AlGaN/AlN y AlN/Si, las cuales pretender ser aplicadas en dispositivos tales como láseres emisores de luz de cavidad vertical, sensores de ondas acústicas superficiales, entre otros. Por otra parte las películas obtenidas por medio de implantación iónica están encaminadas a la modificación del silicio para convertirlo en un material emisor de luz eficiente. Las aplicaciones de estos materiales, compuestos III-N y Si como material emisor de luz, están recogidas en el campo de los dispositivos optoelectrónicos. El estudio de los materiales está basado en la caracterización de ellos por medio de técnicas de haces de electrones y se complementa con otras técnicas de caracterización (fotoluminiscencia, cátodoluminiscencia, elipsometría, difracción de rayos X, microscopía de fuerza atómica y espectrometría de retodispersión de Rutherford). Los resultados obtenidos han permitido conocer de forma detallada algunas propiedades estructurales, composicionales y ópticas de dichos materiales. Tales resultados son de utilidad para la mejora en la operación de dichos dispositivos. Las películas semiconductoras estudiadas en la presente tesis han sido obtenidas en colaboración con otros grupos de investigación, los cuales pertenecen a las universidades Autónoma de Madrid, Politécnica de Madrid y de Hannover (Alemania).

Autor: FERRER MILLÁN JUAN CARLOS.
Año: 2001.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FÍSICA.
Centro de realización: FACULTAD DE FÍSICA.

Resumen: El objetivo de la tesis es la utilización de los procesos atómicos que ocurren durante el crecimiento epitaxial, para la fabricación de estructuras autoorganizadas de dimensionalidad reducida, así como la caracterización de la morfología de tales estructuras y su correlación con las propiedades ópticas y eléctricas. La tesis se divide, principalmente, en cuatro secciones: * Caracterización mediante TEM de los defectos cristalinos de capas de InSb depositadas sobre InP por ALMBE, y determinación de los efectos de la introducción de capas intermedias crecidas por MBE. Correlación con medidas de movilidad Hall. * Caracterización mediante HRTEM de pozos acuánticos de GaAs depositados mediante ALMBE en una matriz de GaAs y cuantificación de la interdifusión de los átomos de As y P en las interficies del pozo acuático. Realización de un programa de medida de las distorsiones atómicas. * Análisis mediante TEM y AFM de los fenómenos de descomposición e inestabilidad superficial en capas de InGaAs en InAlAs depositadas mediante MBE sobre InP. Determinación de la influencia de los parámetros tecnológicos (temperatura de crecimiento, desadaptación, desorientación y espesor de las capas) sobre los fenómenos de descomposición e inestabilidad. Correlación de los resultados obtenidos con las propiedades eléctricas de estructuras HEMT. * Caracterización mediante TEM y AFM de la morfología de puntos cuánticos de InSb depositados mediante ALMBE sobre InP. Determinación del modo de crecimiento, punto de nucleación y coalescencia, tamaño, forma y facetado, estabilidad y estado de tensiones. Relación con resultados obtenidos previamente mediante otras técnicas (espectroscopía Raman, fotoluminiscencia y fotoreflectanica) que no han podido ser explicados.