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MICROELECTRONICA



7 tesis en 1 páginas: 1
  • Modelado y análisis de los mecanismos de activación eléctrica del boro en procesos tecnológicos en silicio .
    Autor: Aboy Cebrián María.
    Año: 2004.
    Universidad: VALLADOLID.
    Centro de lectura: E.T.S.I. Telecomunicación.
    Centro de realización: E.T.S.I. Telecomunicación.
    Resumen: Las prestaciones de los circuitos integrados (IC) han ido mejorando continuamente durante los últimos años. Los dispositivos que los forman son cada vez más pequeños, y en la actualidad, dentro de la tecnología de ultra-elevada escala de integración la longitud de puerta de los dispositivos MOS es inferior a los 100 nm. Esto los hace, por una parte, ser extremadamente rápidos y, por otra, permite integrar dentro de un chip miles de millones de estos dispositivos, dando como resultado circuitos integrados muy potentes y con una gran capacidad de cálculo. Esta tendencia histórica se plasma en la conocida Ley de Moore, según la cual la reducción de tamaño de los dispositivos es tal que cada dos años se duplica el número de dispositivos por IC, con la consiguiente mejora de las prestaciones del mismo, y sin que ello suponga un encarecimiento del IC. Esto ha implicado una labor de investigación y desarrollo continuo para optimizar los procesos de la fabricación de los ICs. Sin embargo, debido a la escala nanométrica de los dispositivos, están apareciendo limitaciones físicas ligadas a los materiales y los procesos que hacen cada vez más compleja la fabricación de tales dispositivos. El International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) especifica claramente los desafíos abiertos para las futuras generaciones tecnológicas. Entre los aspectos más destacados se subraya el importantísimo papel que juegan el modelado y la simulación de los procesos tecnológicos como una de las pocas herramientas capaces de reducir el coste y el tiempo de desarrollo, ya que la fabricación de lotes experimentales a este nivel es altamente costosa. Los desafíos tecnológicos apuntados por el ITRS abarcan todas las etapas del proceso de fabricación, teniendo especial importancia aquellos relacionados con el procesado del semiconductor por corresponder a la formación de la parte activa de los dispositivos (front-end processing). A este respecto, las leyes de escalado de la tecnología CMOS, exigen la formación de uniones abruptas muy superficiales con alta concentración de dopantes eléctricamente activos. Generalmente, la técnica utilizada para la introducción de los dopantes en la oblea ha sido la implantación iónica. La activación eléctrica de dichos dopantes y la restauración de la red, dañada en el proceso de implantación, exige un recocido térmico que es crítico a la hora de definir el perfil final de dopantes activos y, en definitiva, las características eléctricas de los dispositivos. La obtención de perfiles de dopantes muy superficiales con una alta concentración activa está limitada por interacciones complejas entre los dopantes introducidos y el dañado generado en el proceso. Para el desarrollo de herramientas de simulación predictivas que puedan ser utilizadas en la optimización de los procesos tecnológicos es necesaria la comprensión y el modelado de las interacciones mencionadas. El modelado y la simulación de estos procesos va a ser especialmente exigente por cobrar relevancia en ellos algunos efectos que previamente o no se tenían en cuenta o que, dada su poca influencia, eran tratados con modelos muy sencillos. En este trabajo se han analizado estos procesos de implantación y recocido mediante simulaciones atomísticas de Monte Carlo Cinético. Se han comparado los resultados de las simulaciones con un amplio conjunto de resultados experimentales, que han servido de referencia para el desarrollo de los modelos y, al mismo tiempo, de test para los mismos. Se ha planteado la técnica de recocido de SPER (solid phase epitaxial regrowth) como una buena alternativa tecnológica para conseguir uniones PMOS de boro muy activas y superficiales. Sin embargo, se ha mostrado que es necesario evaluar todo el proceso de integración simultáneamente puesto que recocidos posteriores pueden degradar la alta activación alcanzada mediante SPER. Derivado del análisis de los mecanismos involucrados en los procesos se han planteado posibles mejoras tecnológicas.
  • TEST BASADO EN OSCILACION DE CIRCUITOS DE SEÑAL MIXTA .
    Autor: HUERTAS SANCHEZ GLORIA.
    Año: 2003.
    Universidad: SEVILLA .
    Centro de lectura: FACULTAD DE BIOLOGIA.
    Centro de realización: FACULTAD DE FISICA.
    Resumen: La contribución nuclear de esta tesis es el desarrollo y la validación experimental de una nueva versión muy mejorada de una estrategía de test estructural llamada “Test Basado en Oscilación” (en inglés, Oscillation-Based Test ó simplemente OBT). Los resultados que aquí se presentan permiten afirmar, no sólo desde un punto de vista teórico, sino con un amplio soporte experimental, que OBT supone una solución eficaz de test orientado a defectos, que puede complementar de manera muy eficiente a las técnicas de test funcionales existentes para circuitos de señal mixta. El trabajo aportado en esta tesis contribuye a definir un camino sistemático para aplicar OBT a ciertas clase de sistemas complejos. De forma general, la propuesta consiste en aislar, durante el modo de test, la estructura del bloque que se ha de testar (en inglés, Block Under Test ó BUT) y entonces sumar un lazo de realimentación no lineal para obtener oscilaciones. Se ha demostrado a lo largo de la tesis que imponiendo ciertas restricciones en los elementos de realimentación, es posible: -convertir el BUT en un oscilador estable con auto arranque, -relacionar las especificaciones del BUT con los parámetros de oscilación y -asegurar que todos los componentes del sistema son testados por esta técnica de test. Todo ello, evitando modificaciones importantes en el flujo normal de señal y asegurando gran precisión en la determinación de los parámetros de test.
  • HERRAMIENTAS DE CAD PARA EL DESARROLLO DE SISTEMAS DIFUSOS .
    Autor: LÓPEZ GARCÍA DIEGO RAFAEL.
    Año: 2001.
    Universidad: SEVILLA.
    Centro de lectura: INFORMÁTICA.
    Centro de realización: FACULTAD DE FÍSICA.
    Resumen: Xfuzzy, el entorno de desarrollo que ha constituido el objeto de esta tesis, está conformado por un conjunto de herramientas basadas en un lenguaje formal de especificación, llamado XFL (que son las siglas de Xfuzzy Language), integradas en un entorno gráfico de usuario. Además del entorno gráfico, las herramientas integradas en Xfuzzy comparten una representación común que les permite trabajar en paralelo sobre la misma especificación. XFL es un lenguaje formal específicamente orientado a la definición de sistemas difusos. Su diseño se ha realizado con el objetivo fundamental de que XFL pueda ser empleado en cualquiera de las etapas del desarrollo de un sistema difuso, desde su concepción hasta el momento de la realización final. La representación interna de una especificación XFL es única para todas las herramientas que la manipulen, de manera que todas ellas pueden integrarse en un entorno de desarrollo común. El modelo de representación que emplea Xfuzzy es un árbol de sintaxix abstracta, una construcción que permite asociar con cada uno de los elementos sintácticos del lenguaje un conjunto de atributos que caracterizan al elemento en cuestión en términos de la semántica de la especificación. De esta manera, una sola estructura almacena toda la información contenida en la especificación XFL. Una especificación XFL es indistinguible del árbol de sintaxis abstracta que la representa. Esta característica permite que cualquier herramienta basada en XFL pueda modificar como sea necesario una especificación, teniendo siempre la seguridad de que el resultado podrá ser representado en el fomento fuente original. Xfuzzy ofrece mecanismos específicos para que el usuario pueda definir y experimentar con nuevas conectivas y operaciones difusas. La definición de éstas se realiza de una manera particularizada dependiendo del destino de la implementación final, de manera que sea posible ajustar el comportamiento de las operaciones difusas. La definición de éstas se realiza de una manera particularizada dependiendo del destino de la implantación final, de manera que sea posible ajustar el comportamiento de las operaciones en función de los objetivos particulares del sistema de desarrollo. En cuanto a capacidades de síntesis, Xfuzzy ofrece mecanismos para obtener implementaciones tanto en software como en hardware de un sistema difuso. Para la realización software se dispone de traductores a C y a Java, mientras que las capacidades actuales de síntesis hardware permiten disponer de implementaciones en FPGAs y ASICs de sistemas difusos. Xfuzzy se distribuye de manera gratuita (siguiendo el modelo de free software), a través del sitio Internet de Xfuzzy, htpp://www.imse.cnm.es/Xfuzzy/. En el momento de escribir esta tesis, más de 500 personas se han identificado al descargar Xfuzzy a través de Internet. El entorno puede ser utilizado tanto en sistemas operativos derivados de Unix como sobre MS-Windows. En difinitiva, Xfuzzy constituye en entorno abierto, flexible y potente tanto para el desarrollo de aplicaciones difusas como para la experimentación con la tecnología en sí. A lo largo del desarrollo de Xfuzzy, estas características se han demostrado de modo palpable por medio de la integración de nuevas herramientas en el sistema. Creemos que Xfuzzy no sólo ha permitido el desarrollo de mejores sistemas basados en lógica difusa de manera más eficiente, sino que ha influido de manera significativa en el desarrollo de otras herramientas CAD para sistemas difusos.
  • ION BEAM SYNTHESIS OF SILICON-CARBON STRUCTURES AND RELATED MATERIALS.
    Autor: CALVO BARRIO LORENZO.
    Año: 1998.
    Universidad: BARCELONA.
    Centro de lectura: FISICA.
    Resumen: El objetivo principal de este trabajo es el estudio de la síntesis de SiC por implantación iónica de C en substratos de Si y estructuras SiGe/Si. Para ello se desarrolla una completa caracterización estructural y físico-química de los distintos procesos, a la vez que se aborda la obtención de un material utilizable como base para la realización de dispositivos micromecánicos simples. El estudio se ha estructurado en tres partes. La primera está dedicada a la síntesis y recristalización de capas de SiC amorfo, para lo que previamente se ha caracterizado el comportamiento de 6H-SiC comercial frente a procesos de implantación, y despues se ha estudiado en detalle tanto la disposición de los enlaces químicos existentes en función del contenido de C introducido, como la recristalización térmica y por IBIEC (cristalización epitaxial inducida por haces iónicos). En la segunda parte se ha tratado la síntesis directa de SiC cristalino, realizando los procesos de implantación a 500 grados C con el fin de evitar la amortización del substrato. De esta forma se ha sintentizado unacapa continua y estequiométricade SiC enterrada en el substrato de Si que ha permitido la fabricación de estructuras de test micromecánicas, como membranas y puentes. La realización de este tipo de estructuras, a partir de las capas sintetizadas por implantación iónica, constituye uno de los principales objetivos alcanzados en este trabajo, demostrando la viabilidad de los procesos de micromecanizado de las capas. Por último, la tercera parte del trabajo está dedicada al estudio de los procesos de implantación en capas de SiGe, para investigar la dependencia de las fases sintetizadas en el proceso de implantación con los parámetros del substrato como el estrés y la composición química y la constante de red.
  • EL IMPACTO SOCIAL DE LA TECNOLOGIA MICROELECTRONICA Y TRABAJO.
    Autor: GALAN GONZALEZ JOSE.
    Año: 1986.
    Universidad: SEVILLA.
    Centro de lectura: CIENCIAS ECONOMICAS Y EMPRESARIALES.
    Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS ECONOMICAS Y EMPRESARIALES DE LA UNIVERSIDAD DE SEVILLA. DEPARTAMENTO DE ORGANIZACION DE EMPRESAS..
    Resumen: EN EL PRESENTE TRABAJO SE PRETENDE ANALIZAR LAS CARACTERISTICAS Y LA DIFUSION ALCANZADA POR LA TECNOLOGIA MICROELECTRONICA ASI COMO SUS APLICACIONES EN LA EMPRESA Y SISTEMAS PRODUCTIVOS EN GENERAL. IGUALMENTE SE ANALIZA EL IMPACTO DE ESTA TECNOLOGIA SOBRE EL EMPLEO Y SOBRE EL CONTENIDO DEL TRABAJO PRESTANDO ESPECIAL ATENCION A LA POSIBILIDAD DE APARICIONDE DESEMPLEO TECNOLOGICO Y A LAS POTENCIALIDADES QUE ESTA TECNOLOGIA OFRECE PARAEL DESARROLLO FUTURO.
  • MICROELECTRONICA Y ECONOMETRIA. POSIBILIDADES Y LIMITACIONES DE LOS ORDENADORES PERSONALES EN LA RESOLUCION DE MODELOS ECONOMETRICOS.
    Autor: HERNANDEZ ALONSO JOSE.
    Año: 1986.
    Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
    Centro de lectura: CIENCIAS ECONOMICAS Y EMPRESARIALES.
    Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS ECONOMICAS Y EMPRESARIALES DE LA UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID. DEPARTAMENTO ECONOMIA CUANTITATIVA.
    Resumen: EL OBJETIVO DE ESTA TESIS ES PROBAR SI LA CAPACIDAD OPERATIVA DE LOS DENOMINADOS EN LA JERGA INFORMATICA ORDENADORES PERSONALES ES ADECUADA PARA RESOLVER DE UNA FORMA EFICAZ LAS MANIPULACIONES DE DATOS QUE TODO TRABAJO DE TIPO ECONOMETRICO CONLLEVA. TRAS UN PRIMER CAPITULO QUE RECOGE LOS PARAMETROS BASICOS QUE DEFINEN EL CONCEPTO DE INFORMATICA PERSONAL EL CUERPO DE LA TESIS LO COMPONEN TRES CAPITULOS QUE ANALIZAN EL PROCESO POR EL CUAL BAJO LA OPTICA DE LA ECONOMETRIA CLASICA O CAUSAL SUELEN GUIARSE LA MAYORIA DE LAS APLICACIONES PRACTICAS. EN PRIMER LUGAR LA ESTIMACION DE ECUACIONES AISLADAS A CONTINUACION EL ANALISIS DE SISTEMAS DE ECUACIONES SIMULTANEAS Y EN TERCER LUGAR PREDICCION/SIMULACION CON MODELOS ECONOMETRICOS. LAS CONCLUSIONES FINALES (CAPITULO QUINTO) MUESTRAN EL APOYO QUE LA MICROINFORMATICA A NIVEL ACTUAL Y FUTURO PUEDE PRESTAR AL DESARROLLO DE LA ECONOMETRIA EN ESPECIAL DESDE LA OPTICA DOCENTE.
  • CONTRIBUCION AL ESTUDIO DE LA OXIDACION TERMICA DEL SILICIO Y SU APLICACION A LA MICROELECTRONICA .
    Autor: LORA TAMAYO D'OCON AMELIA.
    Año: 1982.
    Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
    Centro de lectura: FISICA.
    Centro de realización: INSTITUCION DE ELECTRONICA DE COMUNICACION DEL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS..
    Resumen: EN EL TRABAJO SE REALIZA UN ESTUDIO DE LOS FENOMENOS FISICOS EN EL PROCESO DE OXIDACION TERMICA DEL SILICIO TANTO DE LOS QUE SE OBSERVAN DURANTE EL CRECIMIENTO DE LA CAPA DE OXIDO COMO DE LOS QUE SE VERIFICAN EN LA INTERFASE SI-SIO2; ASPECTOS ESTOS DE GRAN INTERES ACTUAL POR SU APLICACION EN LA PRODUCCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS EN MICROELECTRONICA EN EL ORDEN MAS ALTO DE INTEGRACION (V.L.S.I.) EL ESTUDIO FUNDAMENTALMENTE EXPERIMENTAL COMPRENDE INTERPRETACIONES ORIGINALES DE LOS RESULTADOS DETENIDOS Y HA EXIGIDO EL MONTAJE Y FAMILIARIZACION CON TECNICAS Y METODOS DE MEDIDA DE GRAN IMPORTANCIA ACTUAL TALES COMO CVHF CVBF TSIC TVS. ES DE DESTACAR TAMBIEN EL DISEÑO Y CONSTRUCCION DE UN ELIPSOMETRO PILOTADO POR ORDENADOR ASI COMO EL DESARROLLO DEL SOFTWARE NECESARIO PARA LA EXPLOTACION AUTOMATICA DE TODAS LAS MEDIDAS EXPERIMENTALES.
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