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TRANSPORTE DE ELECTRONES



7 tesis en 1 páginas: 1
  • ANÁLISIS DE LOS FENÓMENOS DE TRANSPORTE Y RÚIDO ELECTRÓNICO EN TRANSISTORES MOSFET Y SOI SUBMICROMÉTRICOS .
    Autor: RENGEL ESTÉVEZ RAÚL.
    Año: 2002.
    Universidad: SALAMANCA.
    Centro de lectura: FÍSICA .
    Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS.
    Resumen: En este trabajo hemos desarrollado un simulador bidimensional Monte Carlo de Dispositivos de Silicio basado en un modelo microscópico con el fin de investigar los procesos de transporte de carga y el ruido electrónico a alta frecuencia en transistores de efecto de campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET) convencionales y Silicon-On-Insulator (SOI). La principal aportación de este trabajo radica en la utilización de una única herramienta de simulación numérica para el estudio global del comportamiento de los dispositivos, lo que constituye una aproximación altamente novedosa al problema con respecto a los estudios usualmente encontrados en la literatura. El escalado de los dispositivos MOSFET convencionales por debajo del cuarto de micra ha sido analizado en profundidad, encontrándose discrepancias con respecto a las predicciones del escalado ideal en algunas de las principales figuras de mérito. Asimismo, se ha evaluado el efecto de variar de manera aislada algunos parámetros dado su interés desde el punto de vista tecnológico, tales como la longitud de puerta o la impurificación del substrato. Las características del simulador han permitido efectuar un análisis comparativo global entre estructuras MOSFET convencionales y SOI con topologías totalmente equivalentes, lo que consituye una importante novedad dentro del estudio de este tipo de estructuras a nivel internacional. Finalmente, se ha procedido al estudio de estructuras SOI fabricadas en laboratorio, obteniéndose un acuerdo altamente satisfactorio entre los resultados de la simulación y las medidas experimentales para los principales parámetros estáticos, dinámicos y de ruido a alta frecuencia. El comportamiento de estos parámetros ha sido interpretado en relación con las principales magnitudes internas del transporte en los dispositivos. También se ha efectuado un análisis de las posibilidades de optimización de los dispositivos experimentales mediante el estudio de la variación de determinados parámetros de interés de la topología de los mismos.
  • TRANSPORT PROPERTIES OF MESOSCOPIC Y SYSTEMS .
    Autor: BASCONES FERNANDEZ DE VELASCO ELENA.
    Año: 2000.
    Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
    Centro de lectura: CIENCIAS.
    Centro de realización: INSTITUTO DE CIENCIA DE MATERIALES DE MADRID, CSIC.
    Resumen: DESDE UN PUNTO DE VISTA TEORICO SE ANALIZA EL TRANSPORTE ELECTRONICO EN SISTEMAS DE BAJA DIMENSIONALIDAD EN QUE EL CARÁCTER CUANTICO DE LOS ELECTRONES JUEGA UN PAPEL IMPORTANTE. EN PARTICULAR, SE ESTUDIA LA POSIBLE APARICIÓN DE CUANTIZACIOIN DE LA CONDUCTANCIA EN CONTACTOS METALICOS DE TAMAÑO ATOMICO Y SE COMPARA CON RESULTADOS EXPERIMENTALES EN CONTACTOS NORMALESY SUPERCONDUCTORES. SE ANALIZA EL EFECTO QUE UN CAMPO MAGNETICO TIENE EN LAS PROPIEDADES DE CUELLOS, SUPERCONDUCTORES DE TAMAÑO NANOSCOPICO. SE CALCULO LA RENORMALIZACION DE LA TRANSMISION EN HILOS UNIDIMENSIONALES INTERACTUANTES ASOCIADA A LA LONGITUD FINITA DEL HILO. SE ESTUDIA LA CONDUCTANCIA DE TRANSITOR A UN ELECTRON EN EL REGIMEN DE TUNEL INTENSO. FINALMENTE SE ANALIZAN EFECTOS QUE NO EQUILIBRIO EN PUNTOS CUANTICOS.
  • MODELIZACION MICROSCOPICA DEL RUIDO ELECTRONICO EN ESTRUCTURAS MESFET Y HEMT SUBMICROMETRICAS. ANALISIS NUMERICO Y EXPERIMENTAL.
    Autor: MATEOS LOPEZ JAVIER.
    Año: 1997.
    Universidad: SALAMANCA.
    Centro de lectura: CIENCIAS.
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA.
    Resumen: Utilizando el método de Monte Carlo se ha estudiado la dinámica de las partículas y el comportamiento del ruido y sus fuentes locales en dispositivos de complejidad creciente. Así, hemos comenzado con simulaciones unidimensionales de estructuras simples, pasando luego al análisis bidimensional de MESFETs de GaAs y HEMTs de GaAs/AlGaAs ambos sin puerta. Para estas estructuras sin puerta (pero con geometría recessed) se ha validado el modelo de simulación mediante la comparación de sus resultados con las medidas experimentales de características I-V y temperatura del ruido en estructuras reales. Finalmente se ha llevado a cabo el análisis de MESFETs y HEMTs con puerta de 0.1rm (recessed gate) para los cuales se han calculado (por primera vez utilizando el método de Monte Carlo) los parámetros de ruido P, R y C y la figura mínima del ruido. La comparación entre ambos tipos de dispositivos nos ha permitido explicar las causas de la superioridad de los HEMTs con respecto a los MESFETs tanto en rapidez como en nivel de ruido.
  • ANALISIS DEL TRANSPORTE DE CARGA Y DE LOS FENOMENOS DE RUIDO ELECTRONICO EN ESTRUCTURAS SI/SI1-XGEX BIPOLARES.
    Autor: MARTIN MARTINEZ M. JESUS.
    Año: 1996.
    Universidad: SALAMANCA.
    Centro de lectura: CIENCIAS .
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA .
    Resumen: EN ESTA MEMORIA PRESENTAMOS UN ESTUDIO MICROSCOPICO DEL TRANSPORTE EN HETEROUNIONES SI/SI1-XGEX SUBMICROMETRICAS LIMITANDO EL VALOR DE LA FRACCION DE GERMANIO A VALORES (IGUALES O INFERIORES A 0.3) COMPATIBLES CON LA TECNOLOGIA. NUESTRO OBJETIVO ES DOBLE. EN PRIMER LUGAR, ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES ELECTRICAS DE LA HETEROUNION PARA CONOCER LOS MECANISMOS QUE LIMITAN LA CORRIENTE EN BAJO Y ALTO NIVEL DE INYECCION. Y EN SEGUNDO LUGAR, DADO QUE LOS TRANSISTORES BIPOLARES DE HETEROUNION ESTAN DESTINADOS A OPERAR A MUY ALTAS FRECUENCIAS (MICROONDAS Y ONDAS MILIMETRICAS) DEBEMOS ESTABLECER EL ORIGEN DE LOS FENOMENOS DE RUIDO EN MATERIAL Y DISPOSITIVO SUSCEPTIBLES DE DIFICULTAR SU APLICACION EN CIRTUCITOS. EL ANALISIS HA SIDO ESTRUTURADO EN LAS SIGUIENTES FASES. EN LA PRIMERA ESTUDIAMOS LOS MATERIALES QUE SERAN EMPLEADOS EN ESTRUCTURAS. ESTAREMOS INTERESADOS TANTO EN LAS PROPIEDADES DEL TRANSPORTE COMO EN EL ORIGEN DE LAS FLUCTUACIONES DE LA VELOCIDAD. EN LA SEGUNDA, HEMOS ESTUDIADO ESTRUCTURAS UNIPOLARES (N+NN+ Y P+PP+) PARA ANALIZAR LOS EFECTOS DE INHOMOGENEIDADES SOBRE EL TRANSPORTE Y EL RUIDO. POR ULTIMO, HEMOS PASADO A ESTRUCTURAS SUBMICROMETRICAS BIPOLARES SIMPLES, HOMOUNIONES DE SILICIO, PARA FINALMENTE, ABORDAR EL PROBLEMA DE HETEROUNIONES TANTO STRAINED COMO GRADUALES.
  • CARACTERIZACION POR MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION DE HETEROESTRUCTURAS INGAAS/INALAS CRECIDAS POR EPITAXIA DE HACES MOLECULARES SOBRE SUBSTRATOS DE INP.
    Autor: PEIRO MARTINEZ FRANCISCA.
    Año: 1992.
    Universidad: BARCELONA.
    Centro de lectura: FISICA.
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA Y ELECTRONICA - FACULTAD DE FISICA - UNIVERSIDAD DE BARCELONA.
    Resumen: LA FINALIDAD DE LA INVESTIGACION ES LA OPTIMIZACION DEL CRECIMIENTO DE ESTRUCTURAS INX GA1- XAS/INYA11-YAS/INP, PARA LA OBTENCION DE DISPOSITIVOS HEMT FUNCIONALES. PREVIAMENTE SE HA OPTIMIZADO LA PREPARACION DE MUESTRAS PARA SU OBSERVACION EN MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION, EVITANDO LA NUCLEACION DE ISLAS DE IN Y HOMOGENEIZANDO LA VELOCIDAD DE ADELGAZAMIENTO ENTRE LAS ESTRUCTURAS Y EL INP. SE HA ESTABLECIDO QUE UN TRATAMIENTO TERMICO DEL INP A UNA TEMPERATURA DE TH=530 GRADOS C BAJO ATMOSFERA DE SOBREPRESION DE AS, ELIMINA COMPLETAMENTE EL OXIDO DE PASIVACION, PROPORCIONANDO UN FRENTE DE CRECIMIENTO PLANO. LA TEMPERATURA OPTIMA DE CRECIMIENTO DEL INO.52 ALO.48 HA RESULTADO DE 530 GRADOS C, CON MINIMAS DENSIDADES DE DEFECTOS Y UNA REDUCCION DE LOS CENTROS DE CAPTURA DE PORTADORES. HEMOS OBSERVADO QUE LAS LONGITUDES DE ONDA DE LAS MODULACIONES DE CONTRASTE OBSERVADAS EN TEM EN LAS CAPAS DE INGAAS, VARIAN CON LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO, CONSIDERANDO QUE LAS MODULACIONES GRUESA (MODULACION DE COMPOSICION) Y FINA (DISTRIBUCION INHOMOGENEA DE AGREGADOS RICOS EN GA O EN IN), RESPONDEN A UN MECANISMO DE AUTOESTABILIZACION (FAVORECIDO POR LA LIMITACION CINETICA DE LA TECNICA MBE), PARA EVITAR UNA TOTAL SEPARACION DE FASES EN INAS Y GAAS SI EL MATERIAL SE HA CRECIDO DENTRO DEL GAP DE MISCIBILIDAD. HEMOS DIFERENCIADO LOS MECANISMOS DE RELAJACION DE LOS ESFUERZOS EN CAPAS COMPOSICIONALMENTE HOMOGENEAS, SEGUN SEAN TENSADAS O COMPRIMIDAS. PARA LAS PRIMERAS HEMOS OBSERVADO NUCLEACION DE DISLOCACIONES EN EL ORDEN 90 GRADOS-60 GRADOS-30 GRADOS, CON UNA RECOMBINACION INMEDIATA 30 GRADOS + 90 GRADOS - 60 GRADOS. EN LAS SEGUNDAS, EL PROCESO DE RELAJACION RESPONDE A LA NUCLEACION DE DISLOCACIONES PERFECTAS, SEGUIDA DE UNA DISOCIACION 60 GRADOS - 90 GRADOS + 30 GRADOS, Y GOBERNADO POR LAS BARRERAS DE FRICCION QUE IMPIDEN LA RECOMBINACION DE LAS PARCIALES. FINALMENTE, PARA LAS CAPAS CON MODULACIONES DE COMPOSICION, HEMOS PROPUESTO UN MECANISMO DE ACOMODACION ELASTICA DE LA DEFORMACION, MEDIANTE LA REDUCCION DE LA LONGITUD DE ONDA DE LA MODULACION, HASTA UN ESPESOR CRITICO APARENTE (MENOR QUE EL LIMITE DE ESPESOR PARA LA RELAJACION PLASTICA), AL CUAL LA ENERGIA ALMACENADA EN LA CAPA ES COMPARABLE A LA DE UN FALLO DE APILAMIENTO. FINALMENTE, SIGUIENDO LAS PAUTAS DE OPTIMIZACION DERIVADAS DE LA INVESTIGACION, SE OBTUVO UN DISPOSITIVO HEMT, CON UN POZO DE IN0.60GA0.40AS DE ESPESOR LW=15 NM, CUYA CARACTERIZACION ELECTRICA MOSTRO LA DESAPARICION DE LA INFLEXION DE LAS CURVAS DE INTENSIDAD DE DRENADOR (EFECTO "KINK"), OBTENIENDO UNA MAXIMA GANANCIA DEL TRANSISTOR.
  • SECCIONES EFICACES DE CAPTURA OPTICA DEL PALADIO EN EL SILICIO .
    Autor: RUBIO GARCIA JOSE EMILIANO.
    Año: 1989.
    Universidad: VALLADOLID.
    Centro de lectura: CIENCIAS.
    Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS.
    Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HAN ANALIZADO Y DESARROLLADO DOS TECNICAS DE MEDIOS DE LAS SECCIONES EFICACES DE CAPTURA OPTICA DE CENTROS PROFUNDOS EN SEMICONDUCTORES, LA CC-DLOS (CONSTANT CAPACITANCE DEEP LEVEL OPTICAL SPECTROSCOPY) Y LA OAS (OPTICAL ADMITANCE SPECTROSCOPY). LA CC-DLOS SE BASA EN LA MEDIDA DE LA PENDIENTE EN EL ORIGEN DE LOS TRANSITORIOS DE VOLTAJE DE UNA UNION PN O DIODO SCHOTTKY ESTIMULADOS OPTICAMENTE, DESPUES DE HABER EXCITADO LA UNION ELECTRICA, TERMICA U OPTICAMENTE. LA OAS SE BASA EN LA MEDIDA DE LA CAPACIDAD Y LA CONDUCTANCIA DE UNA UNION BAJO ILUMINACION EN FUNCION DE LA ENERGIA DE LOS FOTONES DE LA LUZ INCIDENTE, MANTENIENDO CONSTANTES LA FRECUENCIA DE LA SEÑAL DE MEDIDA Y LA TEMPERATURA. SE HAN MEDIDO LAS ENERGIAS DE ACTIVACION TERMICA DE LOS DOS NIVELES PROFUNDOS ASOCIADOS AL PALADIO EN EL SILICIO MEDIANTE LA OLTS. SE HAN MEDIDO LAS SECCIONES EFICACES DE CAPTURA OPTICA DE ELECTRONES Y DE HUECOS DE ESTOS NIVELES UTILIZANDO LAS TECNICAS CC-DLOS Y OAS. LA TECNICA QUE SE HA EMPLEADO PARA MEDIR CADA UNA DE ELLAS DEPENDE DE SUS CARACTERISTICAS Y DE LA POSIBLE INTERACCION ENTRE LOS DOS NIVELES. SE HA OBTENIDO UN BUEN ACUERDO CON EL MODELO DE LUCOVSKY Y CON LOS RESULTADOS DE OTROS AUTORES.
  • CONTRIBUCION AL ESTUDIO DE LA MODELIZACION FISICA Y REALIZACION DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES .
    Autor: PASTOR DEGANO GERARDO.
    Año: 1981.
    Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
    Centro de lectura: FISICA.
    Centro de realización: INSTITUTO DE ELECTRONICA DE COMUNICACIONES (DTO. DE MICROELECTRONICA) DEL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS.
    Resumen: SE REALIZA UN AMPLIO ESTUDIO DE LOS PROCESOS TECNOLOGICOS UTILIZADOS EN LA ELABORACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES RECALCANDO EL PROCESO DE LA DIFUSION Y A CONTINUACION SE PASA A LA ELABORACION PROPIA DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES. SEGUIDAMENTE SE OBTIENEN LAS CARACTERISTICAS I-V DE ESTOS DIODOS Y DE UNA AMPLIA GAMA DE DIODOS COMERCIALES. VEMOS QUE ESTAS CARACTERISTICAS SE EXPLICAN SATISFACTORIAMENTE CON LOS MODELOS ACTUALES CUANDO SE REALIZAN A TEMPERATURA AMBIENTE PERO NO CUANDO SE VARIA LA TEMPERATURA. TENIENDO EN CUENTA LA POSIBLE EXISTENCIA DE ELECTRONES CALIENTES DEBIDO A LOS CAMPOS INTERNOS SE REALIZA UNA NUEVA MODELIZACION DE LA CORRIENTE DE UN DIODO QUE EXPLICA SATISFACTORIAMENTE LAS CARACTERISTICAS I-V TANTO A TEMPERATURA AMBIENTE COMO CUANDO VARIA LA TEMPERATURA
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