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ESTUDIO TEORICO DE LAS DISCONTINUIDADES DE BANDA EN UNA HETEROUNION. Autor: PEREZ PEREZ RUBEN. Año: 1992. Universidad: AUTONOMA DE MADRID. Centro de lectura: CIENCIAS. Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA
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Resumen: EL OBJETIVO DEL PRESENTE TRABAJO ES EL ESTUDIO TEORICO DE LA MODIFICACION Y CONTROL DE LAS
DISCONTINUIDADES DE BANDA MEDIANTE LA DEPOSICION DE INTRACAPAS EN UNA HETEROUNION. LA UTILIZACION DE UN METODO LCAO DE PRIMEROS PRINCIPIOS NOS PERMITE DETERMINAR LA GEOMETRIA MAS ESTABLE PARA LA INTERCARA Y EL CORRESPONDIENTE ALINEAMIENTO DE LAS
BANDAS. NUESTRO RESULTADOS MUESTRAN QUE EN LAS HETEROUNIONES NO POLARES, EL MECANISMO RESPONSABLE DE LOS CAMBIOS SON LAS MODIFICACIONES EN LA POSICION DE LOS NIVELES DE NEUTRALIDAD DE CARGA. EN EL CASO DE CARAS POLARES, EL CAMBIO ESTA RELACIONADO
CON LA ACUMULACION DE CARGA EN LA INTERCARA, Y EL DOBLADO DE LAS BANDAS NECESARIO PARA CONSEGUIR NEUTRALIDAD. EL SENTIDO DE LA MODIFICACION DEPENDE DE LA ELECTRONEGATIVIDAD DE LOS ATOMOS DE LA INTRACAPA. DESPLAZAMIENTOS ENERGETICOS EN IONES HIDROGENOIDES MOVIENDOSE POR EL INTERIOR DE UN SOLIDO.
Autor: MINCHOLE ALASTUEY JOSE LUIS. Año: 1991. Universidad: PAIS VASCO. Centro de lectura: QUIMICA. Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES.
Resumen: SE HA ESTUDIADO LA INTERACCION DE UN PLASMA CUANTICO CON UN ION HIDROGENOIDE, QUE SE
DESPLAZA POR SU SENO CON UNA VELOCIDAD ALTA BASANDONOS EN EL MODELO DEL APANTALLAMIENTO DINAMICO. EN PRIMER LUGAR SE HA ESTUDIADO EL POTENCIAL INDUCIDO POR LA PRESENCIA DEL PLASMA, PARA DIVERSAS CONDICIONES DE VELOCIDAD DEL ION PROYECTIL, ASI COMO
PARA DIFERENTES DENSIDADES ELECTRONICAS DEL PLASMA.
EL NUCLEO FUNDAMENTAL DEL TRABAJO HA CONSISTIDO EN ESTUDIAR LA MODIFICACION CUANTITATIVA DE LOS NIVELES ENERGETICOS DEL ELECTRON LIGADO PRODUCIDA POR EL POTENCIAL INDUCIDO. SE COMPARA LA IMPORTANCIA RELATIVA DEL EFECTO DEL POTENCIAL INDUCIDO Y
DE LOS EFECTOS RELATIVISTAS.
LOS ABUNDANTES RESULTADOS OBTENIDOS CREEMOS QUE SERAN DE UTILIDAD PARA LOS TRABAJOS EXPERIMENTALES Y TEORICOS EN CURSO DENTRO DE ESTE CAMPO. DINAMICA DE ESPIRALES EN SISTEMAS DE REACCION-DIFUSION: ONDAS SUPER-ESPIRALES. Autor: PEREZ MUÑUZURI VICENTE. Año: 1991. Universidad: SANTIAGO DE COMPOSTELA. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA
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Resumen: LA DINAMICA DE LAS ESPIRALES SE HA ESTUDIADO DESDE TRES PUNTOS DE VISTA. DE UNA PARTE
MEDIANTE UNA ECUACION DE RELAJACION DE FASE DESARROLLADA A TAL EFECTO. LA APARICION DE UNA FUNCION DE FASE NO LINEAL (A DIFERENCIA DE KURAMOTO QUE ES CONSTANTE) DA LUGAR A LA FORMACION DE UNA SUPER-ESTRUCTURA DENOMINADA: SUPER-ESPIRAL. MEDIANTE UN
MODELO TIPO GEOMETRICO-CINEMATICO, EN EL QUE SE SUPONEN CONOCIDAS LAS ECUACIONES DETERMINANTES DE LA POSICION DE LA PUNTA DE LA ESPIRAL, SE HA ANALIZADO LA FORMACION DE SUPER-ESPIRALES EN FUNCION DE LA SEGUNDA FRECUENCIA ASOCIADA AL MEANDERING DE LA
PUNTA DE LA ESPIRAL. UNA POSIBLE TRANSICION AL CAOS ESPACIO-TEMPORAL ES COMENTADA AL AÑADIR UN NUMERO N DE FRECUENCIAS A LA ROTACION DE LA PUNTA DE LA ESPIRAL. FINALMENTE, EL EFECTO DE UN CAMPO ELECTRICO ES ESTUDIADO SOBRE LA DINAMICA DE LAS
ESPIRALES Y MODELIZADO MEDIANTE UNA VERSION MODIFICADA DEL OREGONATOR. CUANDO SE APLICA UN CAMPO ELECTRICO ALTERNO DE BAJA FRECUENCIA SE INDUCE UN MEANDERING SOBRE LAS ESPIRALES QUE CONDUCE EN LA REACCION DE BELOUSOV-ZHABOTINSKY A LA APARICION DEL
FENOMENO DE LAS SUPER-ESPIRALES (OBTENIDAS EXPERIMENTALMENTE).
MICROESTRUCTURA Y DEFORMACION PLASTICA DEL COMPUESTO SIC(WHISKERS)/AL2O3. Autor: RAMIREZ DE ARELLANO LOPEZ ANTONIO. Año: 1990. Universidad: SEVILLA. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA.
Resumen: EL ESTUDIO QUE SE PRESENTA EN LA MEMORIA TIENE COMO OBJETIVO IDENTIFICAR LOS MECANISMOS DE
DEFORMACION ACTIVOS A ALTA TEMPERATURA, EN MATERIALES COMPUESTOS POR UNA MATRIZ DE OXIDO DE ALUMINIO POLICRISTALINO A LA QUE SE HA AÑADIDO UN REFORZANTE DE TIPO FILAMENTARIO (WHISKERS DE CARBURO DE SILICIO). EN PARTICULAR, SE COMPARAN ESTOS
MECANISMOS CON LOS QUE CONTROLAN LA DEFORMACION DEL AL2O3 MONOLITICO, PARA TRES FABRICACIONES DISTINTAS.
PARA UN PRECISO CONOCIMIENTO DE LOS MECANISMOS QUE SE INVESTIGAN EN LOS MATERIALES BIFASICOS, ES NECESARIO CARACTERIZAR LAS MICROESTRUCTURAS TANTO DE LOS COMPUESTOS BRUTOS DE FABRICACION COMO DE LOS DEFORMADOS EN DIVERSAS CONDICIONES.
EL TRABAJO DE INVESTIGACION, QUE SE HA REALIZADO SIGUIENDO LA LINEA INDICADA, LOGRA TODOS LOS OBJETIVOS MARCADOS. ENTRE ELLOS, SE ESTABLECE CON CLARIDAD EL PAPEL DE LOS WHISKERS, QUE DIFICULTAN EL DESLIZAMIENTO DE LOS GRANOS, EXPLICANDO ASI EL
EFECTO DE REFORZAMIENTO OBSERVADO. EL DESLIZAMIENTO EN JUNTA DE GRANO ES EL MECANISMO DE DEFORMACION QUE SE HA IDENTIFICADO PARA EL AL2O3 DE GRANO FINO A LA TEMPERATURA Y CONDICIONES EXPERIMENTALES EMPLEADAS.
CON UNA CANTIDAD SUFICIENTE DE FILAMENTOS, ES POSIBLE IMPEDIR COMPLETAMENTE EL DESLIZAMIENTO DE LOS GRANOS, SIENDO ASI ACTIVO UN MECANISMO CONTROLADO POR LA DIFUSION PURA.
LAS CONCENTRACIONES DE TENSIONES SOBRE LOS WHISKERS PUEDEN, SIN EMBARGO, MOTIVAR LA APARICION DE DAÑOS EN TORNO A ELLOS. ASI SE HA PUESTO DE MANIFIESTO PARA TENSIONES SUFICIENTEMENTE ALTAS.LA TENSION A LA QUE COMIENZAN LOS DAÑOS DEPENDE DEL
FABRICANTE. ANALIZADOR DE REDES 5-PUERTAS EN GUIA CON PRUEBAS FIJAS. Autor: MUÑOZ MADRID JUAN. Año: 1988. Universidad: MURCIA. Centro de lectura: QUIMICA. Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA DE LA UNIVERSIDAD DE MURCIA..
Resumen: EN EL MARCO DE LO QUE SE CONOCE COMO ANALIZADOR AUTOMATICO DE REDES, ESTE TRABAJO HA TENIDO
POR OBJETIVO EL DESARROLLO DE UN REFLECTOMETRO Y ANALIZADOR DEL TIPO LLAMADO MULTIPUERTA PARA LA CARACTERIZACION DE DISPOSITIVOS DE UNA O DOS PUERTAS A FRECUENCIAS DE MICROONDAS. EL SISTEMA ESTA BASADO EN UNA UNIDAD DE 5 PUERTAS CON TRES PRUEBAS
FIJAS QUE PERMITEN DETECTAR EL CAMPO TOTAL (INCIDENTE + REFLEJADO) EN TRES POSICIONES A LO LARGO DE LA ESTRUCTURA DE TRANSMISION. ESTE SISTEMA, OPERANDO CON EL MINIMO NUMERO DE PUERTAS REQUERIDO QUE SE HA VISTO NECESARIO EN UN MULTIPUERTA, HA SIDO
DISEÑADO Y DESARROLLADO PARA TRABAJAR EN UNA BANDA ANCHA DE FRECUENCIA Y EN UN AMPLIO RANGO DINAMICO DE MEDIDA, SIN PROBLEMAS DE LAS TIPICAS INDETERMINACIONES O EXCESIVOS ERRORES ASOCIADOS A ESTE NUMERO DE PUERTAS FRENTE AL MAS VERSATIL DE 6
PUERTAS. ELLO HA SIDO POSIBLE EN VIRTUD DE UN CUIDADOSO ESTUDIO DEL DISEÑO DEL SISTEMA EN CONJUNCION CON UN SENCILLO Y RAPIDO ALGORITMO DE CALCULO. EN CONCRETO, EL SISTEMA SE HA DESARROLLADO EN GUIA RECTANGULAR EN BANDA X (8.2-12.4 GH). NO OBSTANTE
SU PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO PUEDE SER EXTENDIDO A OTRAS FRECUENCIAS Y ESTRUCTURAS DE TRANSMISION, Y A DISPOSITIVOS ACTIVOS. CON OBJETO DE EVALUAR LA OPERATIVIDAD DEL SISTEMA LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES SON CONTRASTADOS CON LOS SUMINISTRADOS POR
EL ANALIZADOR DE HEWLETT-PACKARD, HP8510B. DADO QUE ESTE SISTEMA ES NORMALMENTE SUMINISTRADO CON LOS CORRESPONDIENTES JUEGOS DE CALIBRACION PARA ESTRUCTURA COAXIAL, SEGUN LA TECNICA CONVENCIONAL DE CALIBRACION LLAMADA 12-TERMINOS, Y DADO QUE HEMOS
ELEGIDO OTRA TECNICA DE CALIBRACION LA LLAMADA TRL, MAS VENTAJOSA DESDE EL PUNTO DE VISTA PRACTICO, HEMOS TENIDO QUE ADAPTAR DICHO SISTEMA PARA LA MEDIDA Y CALIBRACION EN GUIA, CON DISEÑO Y FABRICACION PROPIA DE ESTANDARES.
ADSORPTION OF ALKALI METALS AND GASES ON SILICON SURFACES: CHARGE TRANSFER, DISSOCIATION, AND
ENHANCED OXIDATION. Autor: OELLING VAN DEN BOSCH EVA M.. Año: 1988. Universidad: AUTONOMA DE MADRID. Centro de lectura: CIENCIAS. Centro de realización: DPTO. DE FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA, UNIVERSIDAD
AUTONOMA DE MADRID..
Resumen: EL TRABAJO REALIZADO POR EVA M. OELLIG PARA SU TESIS DOCTORAL HA SERVIDO PARA ESTUDIAR POR
PRIMERA VEZ LA INTERACCION ENTRE METALES ALCALINOS Y SUPERFICIES DE SILICIO. PARA ELLO, HA PUESTO A PUNTO NUMEROSAS TECNICAS EXPERIMENTALES QUE NO ESTABAN DISPONIBLES EN ESTE PAIS.
DESDE EL PUNTO DE VISTA CIENTIFICO HA DESCUBIERTO UN FENOMENO MUY ESPECTACULAR: LA OXIDACION CATALITICA DEL SI INDUCIDA POR LOS METALES ALCALINOS. ESTE PROCESO PUEDE TENER UNA POTENCIAL APLICACION INDUSTRIAL PARA CRECER LOS OXIDOS DE PUERTA DE
TRANSISTORES MOSFET DE SI A TEMPERATURAS MAS REDUCIDAS QUE LAS ACTUALES. POR OTRO LADO, DESDE EL PUNTO DE VISTA BASICO, HA REALIZADO CUIDADOSAS MEDIDAS QUE PERMITEN IDENTIFICAR LAS CONDICIONES BAJO LAS QUE SE PRODUCE LA METALIZACION DEL SI EN
FUNCION DEL NUMERO DE ATOMOS DE K, POR EJEMPLO DEPOSITADOS SOBRE SU SUPERFICIE.
EFECTOS DE TRANSPORTE EN MATERIALES FERROMAGNETICOS AMORFOS . Autor: FLORES GOMEZ JOSE. Año: 1986. Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA DE LA FACULTAD DE CIENCIAS FISICAS DE LA UNIVERSIDAD
COMPLUTENSE.
Resumen: EL OBJETO FUNDAMENTAL DEL PRESENTE TRABAJO DE TESIS DOCTORAL HA SIDO EL ESTUDIO DE LAS
PROPIEDADES DE TRANSPORTE ELECTRICO EN MATERIALES AMORFOS FERROMAGNETICOS. EN CONCRETO SE HAN MEDIDO RESISTIVIDAD EFECTO HALL Y MAGNETO-RESISTENCIA DE DISTINTAS COMPOSICIONES AMORFAS DE FE B SI.
EN CUANTO A APORTACIONES ORIGINALES SE HA DE DESTACAR EN PRIMER LUGAR EL DISEÑO Y DESARROLLO DE UN EQUIPO COMPLETO ADECUADO PARA REALIZAR ESTAS MEDIDAS CON CONTROL POR MICROPROCESADOR. ESTE SISTEMA INCLUYE UN EQUIPO PARA PRODUCCION DE CAMPOS
MAGNETICOS INTENSO (2 TESLAS) BASADO EN DESCARGAS DE 1000 A REGULADAS ELECTRONICAMENTE SIENDO LA FUENTE DE ENERGIA UN CONJUNTO DE BATERIAS. TAMBIEN INCLUYE LA INSTALACION UN EQUIPO PARA MEDIDA DE MAGNETO-RESISTENCIA CON ELIMINACION DEL FONDO
COMPENSACION DE DERIVAS Y POSIBILIDAD DE MEDIDAS EN FASE.
LAS MEDIDAS OBTENIDAS APORTAN NUEVOS DATOS EN DIVERSOS ASPECTOS:
- DIVERSAS CORRELACIONES DE LA RESISTIVIDAD EN FUNCION DE LA TEMPERATURA REVELADORAS DE DISTINTOS MECANISMOS DE INTERACION QUE CONDICIONAN LA CONDUCCION ELECTRICA:
CONTRIBUCION ESTRUCTURAL CONTRIBUCION MAGNETICA ETC.
ASIMISMO SE ENCONTRARON MINIMOS A BAJAS TEMPERATURAS CON DEPENDENCIA DE LA LNT. - VARIACION DE LA IMANACION DE SATURACION CON LA TEMPERATURA OBTENIDA A PARTIR DE LAS GRAFICAS DE EFECTO HALL Y COMPROBACION DE LA LEY DE BLOCH.
-MAGNETORESISTENCIA Y ANISOTROPIA DE LA RESISTIVIDAD QUE ESTUDIADAS EN FUNCION DE LA TEMPERATURA Y PARA DISTINTOS ANGULOS IMANACION-CORRIENTE ELECTRICA CONFIRMAN LA DEPENDENCIA DE LA ANISOTROPIA DE LA RESISTIVIDAD CON M2 Y ACLARAN LA DEPENDENCIA
DEL MOMENTO MAGNETICO MEDIO. INFLUENCIA DE LA ADICION DE MINERALIZADORES EN LA MICROESTRUCTURA DE LA PORCELANA
. Autor: ALARCON NAVARRO JAVIER. Año: 1981. Universidad: VALENCIA. Centro de lectura: QUIMICA. Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS QUIMICAS.
Resumen: SE HA ESTUDIADO EL EFECTO DE UNA SERIE DE COMPUESTOS QUIMICOS SOBRE LA TEMPERATURA DE COCCION DE
LA PORCELANA.
SE HAN SELECCIONADO LOS MAS EFECTIVOS SIN QUE SU PRESENCIA EN LAS BARBOTINAS Y EN LOS OBJETOS MOLDEADOS CREE PROBLEMAS EN LA FABRICACION DE PORCELANA. SE HA PROFUNDIZADO EN EL ESTUDIO DE LA ACCION MINERALIZANTE DE ALGUNO DE LOS ADITIVOS
SELECCIONADOS SIGUIENDO LA EVOLUCION DE LAS FASES CRISTALINAS FUNDAMENTALMENTE DE LA DISOLUCION DEL CUARZO A MEDIDA QUE CRECE EL CONTENIDO EN MINERALIZADOR LO QUE NOS HA INDICADO EL AVANCE DEL PROCESO DE MADURACION DE LA PORCELANA Y LA POSIBILIDAD
DE ALCANZAR EL ESTADO FINAL DE LA MISMA A TEMPERATURAS MAS BAJAS. DESORCION TERMICA Y ELECTRONICA INDUCIDA DEL SISTEMA H2, CO2 / W (POLI). Autor: GONZALEZ RODRIGUEZ FERNANDO. Año: 1981. Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: INSTITUTO DE FISICA DE MATERIALES DEL CENFA L. TORRES QUEVEDO C.S.I.C..
Resumen: SE HA REALIZADO UN ESTUDIO MEDIANTE DESORCION TERMICA Y ELECTRONICA INDUCIDA DE LOS DIVERSOS
ESTADOS DE ADSORCION Y DESORCION DEL H2 Y CO2 SOBRE UNA SUPERFICIE DE VOLFRAMIO; Y SUS RELACIONES CON LA CORRIENTE IONICA DE SUPERFICIE. SE HA ENCONTRADO QUE EN EL CASO DEL H2 EXISTE UN ESTADO (BETA2) QUE ES EL PRINCIPAL RESPONSABLE DE DICHA
CORRIENTE Y QUE EL ESTADOBETA APANTALLA EN FORMA LINEAL A DICHO ESTADO BETA2. EN EL CASO DEL CO2 SE ENCUENTRA QUE DURANTE LA DESORCION SE PRODUCE UN FENOMENO DE INDUCCION DE ESTADOS IONIZABLES POR CALENTAMIENTO TERMICO PRODUCIENDOSE CORRIENTE IONICA
DE CO+ Y O+ DE SUPERFICIE. ADEMAS SE HAN ENCONTRADO LOS VALORES DE LOS PRINCIPALES PARAMETROS DE LA DESORCION TERMICA Y ELECTRONICO INDUCIDA PARA DICHOS ESTADOS. EFECTOS DE LA IRRADIACION CON IONES EN LA REACTIVIDAD SUPERFICIAL. Autor: MIRANDA SORIANO RODOLFO. Año: 1980. Universidad: AUTONOMA DE MADRID. Centro de lectura: CIENCIAS. Centro de realización: DEPARTAMENTO FISICA FUNDAMENTAL. FACULTAD DE CIENCIAS. UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID.
Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HAN PUESTO DE MANIFIESTO POR VEZ PRIMERA LOS MECANISMOS MEDIANTE LOS QUE
EL BOMBARDEO CON IONES DE ENERGIA MEDIA(500 EV) ALTERA LA REACTIVIDAD SUPERFICIAL. LA PRINCIPAL CONCLUSION DEL MISMO ES QUE EL BOMBARDEO CON IONES PUEDE AFECTAR LOS DIFERENTES ESTADIOS DE LA INTERACCION GAS-SUPERFICIE Y QUE EN OCASIONES PUEDE
INCLUSO CONTROLAR ALGUNOS DE DICHOS ESTADIOS. ASI POR EJEMPLO HEMOS ENCONTRADO QUE EN CIERTOS SISTEMAS PUEDE PRODUCIRSE QUIMISORCION DISOCIATIVA SOBRE SUPERFICIES BOMBARDEADAS MIENTRAS QUE DICHA QUIMISORCION ES PRACTICAMENTE NULA SOBRE LAS MISMAS
SUPERFICIES SIN IRRADIAR. EN OTROS SISTEMAS LA IRRADIACION PRODUCE UN AUMENTO DEL 300% EN LA CINETICA DE LA REACCION DE QUIMISORCION. TAMBIEN HEMOS PUESTO DE MANIFIESTO EN ALGUNOS CASOS QUE EL BOMBARDEO PREVIO DE LA SUPERFICIE PUEDE MODIFICAR
DRASTICAMENTE EL ESTADIO DE INCORPORACION PROVOCANDO LA NUCLEACION RAPIDA DE UN OXIDO Y SU CRECIMIENTO VOLUMICO. EN DEFINITIVA TODOS LOS CASOS ESTUDIADOS PUEDEN AGRUPARSE EN TRES GRUPOS: QUIMERACION CONTROLADA POR DEFECTOS EN SUPERFICIE QUMISORCION
CONTROLADA POR RECONSTRUCION SUPERFICIAL Y OXIDACION CONTROLADA POR DEFECTOS Y POR DEBAJO DE LA SUPERFICIE. ESTUDIO DEL SECADO DE SOLIDOS POROSOS . Autor: VALDES SANZ FERNANDO. Año: 1980. Universidad: GRANADA. Centro de lectura: CIENCIAS. Centro de realización: UNIVERSIDAD DE GRANADA.
Resumen: SE ESTUDIA EL EQUILIBRIO Y CINETICA DE SOLIDOS POROSOS DE FORMA ESFERICA A TEMPERATURAS
INFERIORES A 100 C. SE PROPONEN MODELOS TEORICOS PARA CORRELACIONAR LOS RESULTADOS CONTRIBUCION AL ESTUDIO DE ESTRUCTURAS PIN FUERTEMENTE COMPENSADAS CON UN CENTRO PROFUNDO
ACEPTOR . Autor: VICENTE ANTON JOSE. Año: 1980. Universidad: VALLADOLID. Centro de lectura: CIENCIAS. Centro de realización: DPTO. ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA FACULTAD DE CIENCIAS UNIVERSIDAD DE VALLADOLID
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Resumen: LA MAYOR PARTE DE LOS METODOS DE CARACTERIZACION DE CENTROS PROFUNDOS Y ENTRE ELLOS LA
D. L. T. S. ESTAN BASADOS EN LA APROXIMACION DE SUPONER NT MUCHO MENOR QUE ND ES DECIR CONCENTRACION DE CENTROS PROFUNDOS MUCHO MENOR QUE LA DE SUPERFICIALES. CUANDO NO SE VERIFICA ESTA DESIGUALDAD ESTOS METODOS LLEGAN A INTRODUCIR SERIOS ERRORES.
HEMOS ESTUDIADO LA INFLUENCIA DE UNA FUERTE COMPENSACION EN EL METODO DLTS APLICADO A ESTRUCTURAS PIN. ANALIZANDO LAS MODIFICACIONES QUE TIENEN LUGAR EN EL ESPECTRO ASI COMO LA INFLUENCIA QUE TIENEN ESTAS MODIFICACIONES EN LA INFORMACION QUE DE
DICHO ESPECTRO SE OBTIENE. SE ESTUDIA TAMBIEN EL CASO DE SOBRECOMPENSANCION DE ESTRUCTURAS PIN Y A PARTIR DE CORRIENTE INVERSA. ESTUDIO DE LA INTERFASE EN DIODOS SCHOTTKY SOBRE SILICIO. Autor: CALLEJA PARDO ENRIQUE. Año: 1979. Universidad: AUTONOMA DE MADRID. Centro de lectura: CIENCIAS. Centro de realización: INSTITUTO DE FISICA DE ESTADO SOLIDO..
Resumen: SE ESTUDIA EL PROCESO TECNOLOGICO DE FABRICACION DE DIODOS SCHOTTKY SOBRE SILICIO ASI COMO LA
EVOLUCION DE LA INTERFASE CON TRATAMIENTOS TERMICOS EN ATMOSFERA REDUCTORA Y SU RELACION CON LOS CAMBIOS DE LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS FUNDAMENTALES.SE OBTIENE Y DESARROLLA UN NUEVO TIPO DE MEDIDA APTA PARA OBTENER INFORMACION DE TRAMPAS
PROFUNDAS MUY PROXIMAS A LA INTERFASE METAL-SEMICONDUCTOR. ESTADOS EXCITONICOS DE LOS HALUROS ALCALINOS . Autor: GONZALO FONRODONA ISABEL. Año: 1979. Universidad: COMPLUTENSE DE
MADRID. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS FISICAS UNIV. COMPLUTENSE. MADRID.
Resumen: SE DESCRIBEN DE FORMA SATISFACTORIA LOS ESTADOS EXCITONICOS (CREADOS EN LA ABSORCION DE U. V.)
DE LOS HALUROS ALCALINOS POR MEDIO DE UN MODELO PROPUESTO: DE TRANSFERENCIA PARCIAL QUE NO PRESENTA ASPECTOS PARADOGICOS O CIERTAS INCONSISTENCIAS COMO LOS CONOCIDOS MODELOS DE TRANSFERENCIA Y LA EXCITACION. TODOS LOS DESARROLLOS Y CALCULOS SE
REALIZAN PARA EL CASO DEL BRK OBTENIENDOSE RESULTADOS ENERGETICOS CONCORDANTES CON LOS VALORES OBSERVADOS PARA LOS CINCO PICOS DE LA ABSORCION EN EL U-V. ASIMISMO LAS DISTRIBUCIONES ESPACIALES DEL ELECTRON EXCITADO SON CONCORDANTES CON LAS HIPOTESIS
DE PARTIDA. FENOMENOS DE OXIDACION Y CRECIMIENTO EN LAS SUPERFICIES AL(III) Y SI(III) . Autor: MUÑOZ DE PABLO M. CARMEN. Año: 1979. Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: INSTITUTO DE FISICA DE MATERIALES DEL CSIC.
Resumen: EN EL PRESENTE TRABAJO SE HAN ESTUDIADO: 1) INTERACCION DE O2 CON LAS SUPERFICIES SI(III)
7X7 Y AL(III). 2) OXIDACION DE SI ACTIVADO POR BOMBARDEO ELECTRONICO. 3) CRECIMIENTO EPITAXICO AL(III)/MICA(001) Y SI/AL(III). 4) ANALISIS COMPARATIVO DE LAS TRANSICIONES DE OXIDOS DE AL Y SI. LAS TECNICAS EMPLEADAS SON AES Y LEED. 1)EN EL CASO DEL
SI(III) 7X7 SE OBTIENEN LOS ESTADOS ELECTRONICOS CARACTERISTICOS DE UNA ESTRUCTURA DE VACANTES 25%. SE IDENTIFICA COMO FASE MOLECULAR EL O2 ABSORBIDO. EN LA SUPERFICIE DE AL(III) SE DESCARTA EL MODELO DE SIMPLE INCORPORACION DE O2 Y SE DA COMO
PROBABLE UN ESTADO MIXTO DE ADSORCION Y ADSORCION-INCORPORACION. 2) SE DETERMINA LA CINETICA DE OXIDACION DE SI ACTIVADA POR BOMBARDEO ELECTRONICO Y EL VOLTAJE CINETICO ASOCIADO COMPARANDOSE CON LA TEORIA DE MOLT-CABRERA CON RESULTADOS
SATISFACTORIOS. 3) SE DETERMINAN LAS CONDICIONES DE EPITEXIA DE AL(III)/MICA Y SE ESTUDIA EL CRECIMIENTO ORDENADO SI-AL(III) (3X3) ASI COMO LA ALEACION ORDENADA SI-AL(III) 50% FORMADA POR CRECIMIENTO A 200 GRADOS CENTIGRADOS. 4) SE DETERMINA LA
INFLUENCIA DEL CARACTER IONICO DE LOS OXIDOS EN LAS DENSIDADES DE TRANSICION AUGER. ANIQUILACION TERMICA DEL DAÑO INDUCIDO POR IRRADIACION A ALTAS DOSIS EN HALUROS ALCALINOS A 300 K.
ENERGIA ALMACENADA, TERMOLUMINISCENCIA Y COLORACION. Autor: DELGADO MARTINEZ LUIS
. Año: 1978. Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: JUNTA DE ENERGIA
NUCLEAR..
ESTUDIO CINETICO DE LA ENERGIA DE FRONTERAS DE GRANO EN PLATA. Autor: PAREJA PAREJA RAMIRO. Año: 1978. Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA DEL ESTADO SOLIDO. FACULTAD DE CIENCIAS FISICAS. UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE
MADRID..
Resumen: SE HA DETERMINADO LA ENERGIA DE FRONTERAS (001) DE ROTACION EN UN BICRISTAL DE PLATA OBTENIDO
POR SUPERPOSICION DE DOS PELICULAS EPITAXICAS MEDIANTE EL ESTUDIO DE SU CINETICA BAJO TRATAMIENTO ISOTERMO. EL ESTUDIO SE HIZO POR MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION. LOS RESULTADOS MOSTRARON UNA FUERTE DEPENDENCIA DE LA ENERGIA LIBRE DE LA
FRONTERA Y DE SU ENERGIA DE ACTIVACION PARA MIGRACION CON RESPECTO AL ANGULO DE LA FRONTERA. TAMBIEN SE ESTUDIO LA ESTRUCTURA DE DISLOCACIONES EN ESTAS FRONTERAS Y LA INTERACCION DE DEFECTOS PLANARES DE LA RED CON FRONTERAS DE INCLINACION EN
MOVIMIENTO. POR ULTIMO SE TRATO LA FORMACION Y CRECIMIENTO DE BURBUJAS DE GAS EN EL INTERIOR DE LAS PELICULAS BICRISTALINAS COMO CONSECUENCIA DEL TRATAMIENTO A QUE SE SOMETIERON. CIRCULACION EN DISPOSITIVOS DE ESTRUCTURA EN MALLA. Autor: MARTIN PASCUAL CARLOS. Año: 1976. Universidad: COMPLUTENSE DE
MADRID. Centro de lectura: FISICA.
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