DIELECTRICOS, 2

Autor: PAULE VAZQUEZ ELIAS.
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.

Resumen: SE HA DISEÑADO UN REACTOR PARA LA DEPOSICION DEL OXIDO DE SILICIO DOPADO CON BORO Y FOSFORO EN SUBSTRATOS (*) DE 150 MM DE DIAMETRO Y PARA SER UTILIZADO EN TECNOLOGIAS SUBMICRONICAS. LOS REACTIVOS UTILIZADOS HAN SIDO TMB, TEOS, PH3 Y O2; LA REACCION SE ACTIVO TERMICAMENTE Y FUE REALIZADA A BAJA PRESION (LPCVD). LAS PROPIEDADES DE ESTE MATERIAL (BPTEOS) SON SENSIBLEMENTE SUPERIORES AL MATERIAL QUE SE OBTIENE DE LA REACCION QUIMICA SIH4, PH3, B2H6 Y O2; BPSG; Y QUE SE UTILIZA TRADICIONALMENTE EN TECNOLOGIAS SUPERIORES A LA MICRA. POR ELLO ESTE MATERIAL (BPTEOS) ES FACTIALE DE SER UTILIZADO EN TECNOLOGIAS SUAMICRONICAS.

Autor: VILLUENDAS YUSTE FRANCISCO.
Año: 1989.
Universidad: ZARAGOZA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS (DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA).

Resumen: EN LA PRESENTE MEMORIA, SE RECOGEN LOS RESULTADOS OBTENIDOS EN EL ESTUDIO TEORICO Y EXPERIMENTAL DE LA EXCITACION Y DETECCION DE PLASMONES SUPERFICIALES EN EL INFRARROJO PROXIMO EN UNA PELICULA METALICA DELGADA. LOS OBJETIVOS DE ESTE ESTUDIO ESTAN ENCAMINADOS AL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS SENSORES OPTICOS CON ACOPLAMIENTO POR FIBRAS OPTICAS; POR ESTA RAZON, EL ESTUDIO SE PARTICULARIZA A LAS TRES VENTANAS DE TRANSMISION DE LAS FIBRAS OPTICAS, DONDE, ADEMAS DE LA BAJA ATENUACION QUE PRESENTAN, SE DISPONE DE LOS EMISORES Y DETECTORES UTILIZADOS EN LOS SISTEMAS DE TRANSMISION OPTICOS. FINALMENTE, SE RECOGEN LOS RESULTADOS OBTENIDOS EN LAS CARACTERIZACION DE UN PROTOTIPO DE DISPOSITIVO SENSOR EN UNA SERIE DE APLICACIONES CONCRETAS EN EL CAMPO DE LA DETECCION QUIMICA.

Autor: PRIETO DE CASTRO CARLOS ANDRES.
Año: 1985.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE OPTICA Y ESTRUCTURA DE LA MATERIA .

Resumen: SE HAN REALIZADO EXPERIMENTOS DE MEDIDAS ELECTRICOS Y OPTICAS ENCAMINADOS A LA CARACTERIZACION FERROELECTRICA Y SE HA ESTUDIADO LA INFLUENCIA DE DEFECTOS PUNTUALES EN LAS PROPIEDADES DIELECTICOS DEL LITA 03 Y LINB03 A TEMPERATURAS COMPRENDIDAS ENTRE 400 Y 800 C. ENCONTRANDOSE UNA CONTRIBUCCION DEBIDA A DEFECTOS PUNTUALES MOVILES QUE SE PUEDE EXPLICAR DE ACUERDO CON LOS VACANTES NO ESTEQUIOMETRICAS DE LITIO EN LOS CRISTALES. ASI MISMO SE HA REALIZADO UN ESTUDIO TEORICO DE LA TRANSICION DE FASE EN LOS COMPUESTOS DE LA FAMILIA DEL LINB03.

Autor: MONTERO HERRERO ISABEL.
Año: 1983.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA - FACULTAD DE CIENCIAS - UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID.

Resumen: EL OBJETIVO DE ESTE TRABAJO HA SIDO EL ESTUDIO DE LA FORMACION PROPIEDADES Y RUPTURA DIELECTRICA DE LAS PELICULAS DE TA SUB 2 O SUB 5 FORMADAS SOBRE LA LAMINA DE TANTALIO UTILIZANDO COMO ELECTROLITO DISOLUCIONES DE DIFERENTES ACIDOS. EL ELECTROLITO Y LA DENSIDAD DE CORRIENTE DE LA ANODIZACION DESEMPEÑAN UN PAPEL FUNDAMENTAL DURANTE LA OXIDACION LO CUAL ES DEBIDO FUNDAMENTALMENTE A LA INCORPORACION DEL ELECTROLITO EN LA PELICULA ANODICA. LA CURVATURA DETECTADA EN LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES DE LA VELOCIDAD DE ANODIZACION EN FUNCION DEL VOLTAJE HA SIDO EXPLICADA A TRAVES DE UN MODELO SIMPLE DE AVALANCHA ELECTRONICA DURANTE LA ANODIZACION LA CUAL CRECE EXPONENCIALMENTE A LO LARGO DEL ESPESOR DEL OXIDO EN UN PROCESO DE MULTIPLICACION POR IMPACTO.

Autor: BENADERO GARCIA MORATO LUIS.
Año: 1982.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: E.T.S.I. TELECOMUNICACION .

Resumen: MEDIANTE UN SISTEMA DE EXCITACION ELECTRICA DISEÑADO AL EFECTO SE HAN EFECTUADO EXPERIENCIAS SOBRE LA INFLUENCIA EN LOS PRAMETROS DE LA CONMUTACION FERROELECTRICA EN TGS DEL INTERVALO ENTRE DOS CONMUTACIONES SUCESIVAS O TIEMPO DE ESPERA TD. SE HA OBSERVADO QUE EL LOGARTIMO DE LA CORRIENTE MAXIMA DE RESPUESTA A CAMPO CONSTANTE ES PROPORCIONAL AL PRODUCTO DEL LOGARITMO DE TD POR EL RECIPROCO DEL CAMPO APLICADO VALIDA CON PARAMETROS DIFERENTES EN TRES INTERVALOS DE CAMPO ANALIZANDOSE LA INFLUENCIA DE TD SOBRE LOS CAMPOS DE ACTIVACION Y TRANSICION. SE DA UNA INTERPRETACION BASADA EN LA HIPOTESIS DE EVOLUCION DE LOS DOMINIOS RESIDENTES.

Autor: SOLIER GARCIA JUAN DE DIOS.
Año: 1982.
Universidad: EXTREMADURA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DPTO. ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA. UNIV. EXTREMADURA Y DPTO. ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA UNIV. PAIS VASCO..

Resumen: SE REALIZA UN ESTUDIO TANTO EN SU ASPECTO TEORICO COMO EXPERIMENTAL DENTRO DE UNA TEORIA LINEAL DE LOS MECANISMOS DE POLARIZACION EN BAJA FRECUENCIA DE LOS SOLIDOS DIELECTRICOS EN EL MARCO DE LA LEY DE RESPUESTA DIELECTRICA UNIVERSAL. EN EL ASPECTO TEORICO SE PROPONE UN MODELO ESTADISTICO DIPOLAR DE APLICACION A SOLIDOS DIPOLARES Y EN PARTICULAR A FERROELECTRONICOS DIPOLARES CON TRANSICIONES DE FASE DE SEGUNDO ORDEN TIPO ORDEN-DESORDEN. EN PARTICULAR SE ESTUDIA EL COMPORTAMIENTO DIELECTRICO A BAJO CAMPO EN AUDIO Y RADIOGRECUENCIA DE LOS FERROELECTRCOS SULFATO DE TRIGLICINA Y SELENATO DE TRIGLICINAL.

Autor: TORIBIO MILLAN ELIEZER.
Año: 1982.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
Centro de realización: E.T.S.I. TELECOMUNICACION DE LA U.P.B..

Resumen: SE HA REALIZADO UN SISTEMA EXPERIMENTAL PARA LA CONMUTACION DEL TGS Y REGISTRO DE SEÑALES CON SISTEMA DE ADQUISICION DE DATOS. SE HAN OBSERVADO LOS PARAMETROS DE LA CURVA DE LA CORRIENTE Y SU DEPENDENCIA CON EL CAMPO TIEMPO DE ESPERA Y TEMPERATURA. SE HAN ESTUDIADO LOS FENOMENOS DE ENMASARAMIENTO DEL CUERPO DEL PULSO ASI COMO LA CURVATURA DEL FLANCO DE SUBIDA. EL ESTUDIO DE LA COLA FACTOR DE ASIMETRIA Y EL RIZADO SON COHERENTES CON UNA NUCLEACION AISLADA REALIZADA SOBRE RESIDUOS CUYO NUMERO DECRECE CON EL TIEMPO DE ESPERA.

Autor: HERAS MOLINOS M. CARMEN DE LAS.
Año: 1981.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID.

Autor: CLIMENT FONT AURELIO.
Año: 1979.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA DE LA FACULTAD DE CIENCIAS DE LA UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID..