DISPOSITIVOS DE ESTADO SOLIDO, 2

Autor: GOMEZ SAN ROMAN RUPERTO JAVIER.
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA.

Resumen: SE HA ESTUDIADO LA OXIDACION EN PLASMA RE DE OXIGENO A POTENCIAL FLOTANTE DE PELICULAS DELGADAS DE TASIX (X COMPRENDIDO ENTRE 0.3 Y 4.5) Y DE ALEACIONES DE SIGE, EN EL RANGO DE 400-800 C. SE HAN ANALIZADO LAS CINETICAS DE OXIDACION, NATURALEZA DEL OXIDO Y FENOMENOS DE TRANSPORTE ATOMICO, ASI COMO LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE LOS OXIDOS CRECIDOS, MEDIANTE CURVAS I-V, C-V Y DISPERSION DE LA CAPACIDAD EN FUNCION DE LA FRECUENCIA. LAS CINETICAS DE OXIDACION SON PRINCIPALMENTE DE TIPO PARABOLICO, INDICANDO LA DIFUSION DEL OXIGENO A TRAVES DEL OXIDO, MEDIANTE UN MECANISMO DE TRANSPORTE ATOMICO DE CORTO ALCANCE. LA OXIDACION DE PELICULAS DE TASIX CONDUCE A LA FORMACION DE SIO2 O DE UN OXIDO MIXTO DE SIO2-TA2O5 DEPENDIENDO DE LA COMPOSICION DE LA PELICULA, DE LA TEMPERATURA Y LA NATURALEZA DEL SUSTRATO. LA OXIDACION DE ALEACIONES DE SIGE CONDUCE A LA FORMACION DE SIO2 EN SUPERFICIE CON RITMOS DE OXIDACION NOTABLEMENTE MAYORES QUE PARA EL SI PURO, PONIENDO DE MANIFIESTO EL EFECTO CATALIZADOR DEL GE.

Autor: JIMENEZ AREVALO M. CARMEN.
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA.

Autor: VERGARA OGANDO GERMAN.
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HACE UN ESTUDIO EXHAUSTIVO DEL FOTOCATODO DE ASGA (CS.O) LAS PRINCIPALES APORTACIONES ORIGINALES SON: 1) SE HA MEJORADO EL PROCESO DE ACTIVACION. SE HA COMPROBADO QUE LA MEJOR TEMPERATURA DE CALENTAMIENTO INTERMIDUI ES -410 C.. 2) SE HA HECHO UN ESTUDIO EXHAUSTIVO DE LA CINETICA DE ADSORCION DEL CS Y EL O DURANTE LA ACTIVACION: 3) SE PROPONE UN MODELO QUE DESCRIBE LA FORMACION Y ESTRUCTURA DE LA CAPA ACTIVANTE. EN EL SE PROPONE LA FORMACION DE UN OXIDO DE GA DURANTE LA PRIMERA ETAPA Y EL CALENTAMIENTO INTERMEDIO. SOBRE EL QUE SE DEPOSITA, DURANTE LA SEGUNDA ETAPA, AGREGADOS CS,, O3. 4) SE HA PROBADO QUE LA MEJOR CONCENTRACION DE DOPANTE ES -IXIO19CM3 Y LA MEJOR PASIVACION ES LA DEPOSICION DE UNA CAPA DE SB SOBRE EL ASGA. 5) SE HA DESARROLLADO UN ANALISIS TEORICO QUE DESCRIBE PERFECTAMENTE LA DEPENDENCIA DE LAS CURVAS DE FOTOEMISION CON LA CONCENTRACION DE DOPANTE.

Autor: GARCIA CARRETERO BASILIO JAVIER.
Año: 1989.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA-UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID..

Resumen: SE HA DESARROLLADO UN NUEVO METODO DE DIFUSION DE IMPUREZAS EN GAAS QUE CONSISTE EN APROVECHAR EL CALENTAMIENTO SUPERFICIAL PRODUCIDO EN EL SUSTRATO POR LA IRRADIACION CON UN LASER PULSADO, PARA INDUCIR LA DIFUSION EN FASE LIQUIDA DE LAS IMPUREZAS PRESENTES EN LA SUPERFICIE. SE HA REALIZADO EL PROCESO DESCRITO PARA DIFUNDIR SN, GE Y ZN A PARTIR DE CAPAS EVAPORADAS DE ESTOS ELEMENTOS. LOS ANALISIS, MEDIANTE SEM, EFECTO HALL, SIMS Y SPREADING RESISTANCE MUESTRAN LA EXISTENCIA DE UNA CAPA SUPERFICIAL MUY DOPADA, DEPENDIENDO EL NIVEL DE DOPAJE ALCANZADO, DEL TIPO DE IMPUREZA Y DE LA ENERGIA DE IRRADIACION, OBTENIENDOSE CONCENTRACIONES N EN EL RANGO 10 18-10 19CM-3 (GE Y SN) Y P EN EL RANGO 10 20-10 21CM-3 (ZN). SE HA MODELIZADO LOS PROCESOS DE FUSION Y DIFUSION MEDIANTE CALCULOS NUMERICOS, MOSTRANDOSE COEFICIENTES DE DIFUSION SUPERIORES A 10-4CM2/. SE HA REALIZADO Y CARACTERIZADO DISPOSITIVOS MESFET UTILIZANDO LA TECNICA DESCRITA PARA FORMAR LOS CONTACTOS DE FUENTE Y DRENADOR.

Autor: VELAZQUEZ PEREZ JESUS ENRIQUE.
Año: 1989.
Universidad: SALAMANCA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DPTO. FISICA APLICADA -UNIVERSIDAD DE SALAMANCA INSTITUTO DE ELECTRONICA FUNDAMENTAL -UNIVERSIDAD DE PARIS SUD..

Resumen: EL TRANSISTOR DE BASE PERMEABLE (PBT) ES UN DISPOSITIVO DE CONCEPCION RECIENTE (1.980) QUE PRESENTA MUY BUENAS CUALIDADES PARA LA FABRICACION DE CIRCUITOS QUE FUNCIONEN A FRECUENCIAS SUPERIORES A 100 KHZ. LA PROXIMIDAD DE LOS CONTACTOS DE DRENADOR Y REJILLA LE CONFIEREN CARACTERISTICAS DE SALIDA DE TIPO "TRIODO". SE PROPONE UNA NUEVA ESTRUCTURA DE BASE PERMEABLE QUE POSEE UNA SEGUNDA REJILLA INTERPUESTA ENTRE LA REJILLA PRIMITIVA DEL PBT Y EL DRENADOR. SU MISION ES LA DE APANTALLAR EL POTENCIAL DE DRENADOR DE MANERA QUE LA INFLUENCIA SOBRE LA BARRERA DE CONTROL SEA REDUCIDA. LA DISPOSICION DE LOS ELECTRODOS A LO LARGO DEL CANAL Y LA LONGITUD DE ESTE HAN SIDO ELEGIDOS DE MANERA QUE LOS FENOMENOS DE SOBREVELOCIDAD NO ALTEREN LA SATURACION DE LA CORRIENTE. PARA EL ESTUDIO DE LA ESTRUCTURA SE HAN EMPLEADO TECNICAS DE TIPO MONTE-CARLO ACOPLADAS CON UNA RESOLUCION BIDIMENSIONAL DE LA ECUACION DE POISSON AUTOCONSISTENTE. LOS RESULTADOS DEL ESTUDIO CONFIRMAN QUE LAS CARACTERISTICAS DE DRENADOR SON DE TIPO "PENTODO" Y EL COMPORTAMIENTO EN FRECUENCIAS ES ADECUADO.

Autor: CORREIG BLANCHAR XAVIER.
Año: 1987.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: E.T.S. INGENIEROS DE TELECOMUNICACION DE BARCELONA. .

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HA ABORDADO EL ESTUDIO DE LOS EFECTOS DE SUPERFICIE EN ESTRUCTURAS DE SILICIO CON LA SUPERFICIE PASIVADA. EN PRIMER LUGAR SE HAN DISEÑADO UNA SERIE DE ESTRUCTURAS FOTOVOLTAICAS UTILES PARA EL ESTUDIO DE LA RECOMBINACION SUPERFICIAL. SEGUIDAMENTE SE HAN SIMULADO DICHAS ESTRUCTURASEN BASE A UN PROCESO ITERACTIVO BASADO EN LA SOLUCION DE LA EC. DE CONTINUIDAD TOMANDO COMO CONDICION DE CONTORNO EN LA SUPERFICIE LA CORRIENTE SEGUN S.R.H. TAMBIEN SE HA CONTRIBUIDO EN LA FABRICACION Y POSTERIOR CARACTERIZACION DE DICHAS ESTRUCTURAS. ESTE TRABAJO SE HA COMPLEMENTADO CON EL ESTUDIO DE LOS EFECTOS DE REFLEXION EN LA SUPERFICIE DE CELULAS SOLARES DE SILICIO PLANAS.

Autor: CAMPABADAL SEGURA FRANCESCA.
Año: 1985.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISCIA. FACULTAD DE CIENCIAS UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BARCELONA .

Resumen: EL OBJETO DE ESTE TRABAJO ES EL ESTUDIO DE LA CONDUCCION ELECTRICA A TRAVES DE LAMINAS DELGADAS DE SIO2 EN ESTRUCTURAS METAL-AISLANTE-SEMICONDUCTOR EN CONDICIONES DE BAJO Y ALTO CAMPO ELECTRICO. EN EL PRIMER CASO SE REALIZA UN ESTUDIO TEORICO DE LA CONDUCCION TUNEL RESONANTE ASI COMO DE LOS EFECTOS DEBIDOS A ESTE TIPO DE MECANISMO. EN ESTRUCTURAS AL-SIO2-SI(N)-SI(P) SE DEMUESTRA COMO EL MECANISMO PREDOMINANTE ES EL TUNEL RESONANTE OBTENIENDOSE ADEMAS UNA CARACTERIZACION COMPLETA DEL PROCESO TUNEL. EN CUANTO AL CASO DE REGIMEN DE ALTO CAMPO LOS RESULTADOS EN ESTRUCTURAS CR-SIO2-SI(P) Y POLY-SIO SIO2-SI(N) DEMUESTRAN COMO LA CONDUCCION ES DEBIDA A TUNEL FOWLER-NORDHEIM. EL ANALISIS DE LA ESTRUCTURA OSCILATORIA QUE PRESENTA ESTE TIPO DE CONDUCCION PERMITE DETERMINAR EL ESPESOR DEL OXIDO EFECTIVO EN CUANTO A LA CONDUCCION A TRAVES DE EL.

Autor: CASTAÑO PALAZON JOSE LUIS.
Año: 1982.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPTO. DE FISICA APLICADA. UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID.

Autor: MARTINEZ RODRIGUEZ ANGEL JAVIER.
Año: 1982.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA FACULTAD DE CIENCIAS DE LA UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID.

Resumen: SE HA ESTUDIADO LOS FENOMENOS DE TRANSPORTE EN SILICIO POLICRISTALINO COMPARANDO LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS CON EL VALOR QUE SE OBTIENE EN EL MONOCRISTAL. A PARTIR DE MEDIDAS EXPERIMENTALES SE HAN DESARROLLADO DIFERENTES METODOS PARA PODER DETERMINAR PROPIEDADES INTRINSECAS DE LAS FRONTERAS DE GRANO. SE HAN FABRICADO DISPOSITIVOS DE CONMUTACION MISS UTILIZANDO COMO CAPA I SILICIO MEDIANTE CAÑON DE ELECTRONES. SE HA ESTUDIADO COMO DEPENDE LA TENSION DE CONMUTACION DEL DISPOSITIVO EN FUNCION DEL ESPESOR DE LA CAPA DE SILICIO POLICRISTALINO EVAPORADA. SE HA REALIZADO UN MODELO FISICO QUE EXPLICA EL FENOMENO DE LA CONMUTACION EN ESTOS DISPOSITIVOS.

Autor: EGUREN ALBISTEGUI JAVIER.
Año: 1980.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: ESCUELA TEC. SUP. INGENIEROS DE TELECOMUNICACION. CIUDAD UNIVERSITARIA. MADRID-3.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE PROPONE UN NUEVO TIPO DE CELULA SOLAR FOTOVOLTAICA LA BIFACIAL DE CAMPO DE SUPERFICIE BCS CON ESTRUCTURAS P+NN+ QUE SE PUEDEN UTILIZAR EN PANELES PLANOS COLECTORES DE ALBEDO CON EFICIENCIAS EFECTIVAS SUPERIORES AL 20% Y CON CONCENTRACION. SE UTILIZA UN NUEVO MODELO TEORICO PARA ANALIZAR EN ALTA INYECCION LA CELULA BCS Y SE PONEN DE MANIFIESTO LAS DIFERENCIAS CON EL FUNCIONAMIENTO EN BAJA INYECCION. SE DEMUESTRA LA NO ADECUACION DE LA TECNICA DE ALEACIONDE ALUMINIO PARA LA PREPARACION DE LA UNION HOMOPOLAR DE LA CELULA BCS. DESPUES DE COMPARAR EXPERIMENTALMENTE VARIAS TECNOLOGIAS SE HACE UNA FABRICACION PILOTO DE 200 CELULAS POR DOBLE DIFUSION. LAS EFICIENCIAS CON ILUMINACION FRONTAL Y POSTERIOR SON RESPECTIVAMENTE DE 15 7% Y 12 7% (VALORES MAXIMOS).

Autor: SANDOVAL HERNANDEZ FRANCISCO .
Año: 1980.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: E.T.S. INGENIEROS TELECOMUNICACION DE MADRID.

Resumen: LA UTILIZACION DE DIODOS ELECTROLUMINISCENTES (LED S) DE PXAS1-X GA COMO DISPOSITIVOS EMISORES DE LUZ EN UN SISTEMA DE COMUNICACIONES OPTICAS DONDE SE EMPLEA COMO CANAL LA FIBRA DE CUBIERTA Y NUCLEO DE PLASTICO PLANTEA LA NECESIDAD DE UN ESTUDIO DE DICHOS DISPOSITIVOS QUE PERMITA CONOCER SUS PROPIEDADES DE PEQUEÑA SEÑAL (MODOIMPULSOS) ASI COMO LA INFLUENCIA QUE SOBRE ELLAS TIENE EL CIRCUITO EMPLEADO PARA LA EXCITACION. SE PROPONE UN MODELO PARA EL DISPOSITIVO QUE TIENE EN CUENTA APARTE DE LOS EFECTOS DE LA UNION EL EFECTO DE MODULACION DE CONDUCTIVIDAD EN LAS ZONAS NEUTRAS Y DE LOS NIVELES PROFUNDOS QUE SE CREAN EN EL PROCESO TECNOLOGICO.

Autor: GRACIA GAUDO FRANCISCO JAVIER.
Año: 1978.
Universidad: NAVARRA.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS (DIVISION DE FISICAS). UNIVERSIDAD DE NAVARRA..

Resumen: EN UNA PRIMERA FASE SE DESCRIBE UN SISTEMA EXPERIMENTAL PARA DETERMINACION DE VARIABLES ELECTRICAS EN TERMINALES DE TRANSISTORES BIPOLARES EN CONDICIONES ESTACIONARIAS RESTRINGIDAS AL CASO PARTICULAR DE TENSION COLECTOR-BASE NULA. EL EMPLEO DE UN METODO DE PULSOS QUE PRETENDE MINIMIZAR EL CALENTAMIENTO INTERNO HA OBLIGADO A PONER UNA INSTRUMENTACION ESPECIFICA QUE COMPLEMENTA A UN ORIGINAL CIRCUITO DE TEST GARANTIZANDOSE ASI MEDIDAS CON ERROR INFERIOR AL 10/00. EN SEGUNDA FASE SE DESARROLLAN METODOS NUMERICOS Y PROGRAMAS DE CALCULO POR ORDENADOR. ESTE METODO NUMERICO EXPERIMENTAL SE HA APLICADO A DOS TRANSISTORES COMERCIALES. COMO CONSECUENCIA SE HAN OBTENIDO UN CONJUNTO DE PARAMETROS PRIMARIOS CUYO ANALISIS DE DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA HA PERMITIDO EN ALGUNOS CASOS EL COMPROBAR Y EN OTROS EL APORTAR LEYES EMPIRICAS HASTA EL MOMENTO AUSENTE EN LA BIBLIOGRAFIA OBTENIENDOSE A LA VEZ INTERESANTES VALORACIONES DE PARAMETROS SECUNDARIOS LIGADOS A LA FISICA ESTRUCTURA O TECNOLOGIA DEL DISPOSITIVO ENSAYADO LO QUE SUPONE UN IMPORTANTE AVANCE.