ESTADOS ELECTRONICOS EN LOS SOLIDOS

Autor: MARCANO AGUADO NOELIA.
Año: 2004.
Universidad: CANTABRIA.
Centro de lectura: FACULTAD DE CIENCIAS.
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS.

Resumen: El sistema de electrones fuertemente correlacionados CeNi(1-x)Cu(x) presenta un marco ideal para el estudio de la evolución del estado fundamental desde un estado magnético localizado (CeCu) a uno deslocalizado (CeNi) como consecuencia de la competición entre las interacciones de caje magnéticas tipo RKKY, los efectos de hibridación y la anisotropía de campo cristalino. La dilución sólida (Ni/Cu) introduce presión química que modifica la competición de estas interacciones. La variación de este parámetro lleva implícito además la introducción de desorden dada la sustitución aleatoria entre átomos de distintas especies. En este esquema de competición de interacciones, el sistema se presentaba en un principio como un candidato claro para definir un punto crítico cuántico y por tanto de presentar un comportamiento de Líquido no-de Fermi a muy bajas temperaturas. Estudios previos realizados por Dr. García Soldevilla mostraban la estabilización de una fase vidrio de Espín por encima del estado Ferromagnético, comportamiento poco habitual para este tipo de compuestos. Estos resultados sugerían que esta fase vidrio de Espín actuaba como precursora del orden ferromagnético que tiende a establecerse a bajas temperaturas. El presente trabajo se ha centrado en la comprensión de los diferentes fenómenos derivados del trabajo realizado por García Soldevilla. Para ello se ha llevado a cabo el estudio de las propiedades magnéticas de esta serie a muy bajas temperaturas mediante la utilización de diferentes técnicas tanto macroscópicas (susceptibilidad ac-dc, calor específico) como microscópicas (difracción neutrones, SANS y espectroscopía de muones). Considerando el conjunto de los resultados experimentales y teniendo en cuenta la diferente escala de tiempos a la cual permite acceder cada técnica para el estudio de los procesos dinámicos de espín,se propone un modelo fenomenológico que representa el complejo comportamiento de este sistema. Así, este comportamiento magnético puede ser descrito mediante la existencia de clusters magnéticos que procolan dando lugar a un estado de orden magnético a largo alcance a muy bajas temperaturas. Los resultados de SANS muestran directamente la presencia de agregados magnéticos del orden de decenas del A en las composiciones ferromagnéticas analizadas. Asimismo, la forma escalonada que presentaban los ciclos de histéresis para algunos de ellos a muy bajas temperaturas sugerían el desarrollo de avalanchas térmicas, que de una manera indirecta, evidencia la presencia de agregados magnéticos en estos compuestos. Los resultados obtenidos en este trabajo ponen de relevancia el importante papel que juegan las inhomogeneidades en las propiedades magnéticas del sistema. De esta manera, dentro de la gran variedad de ejemplos de sistemas que presentan inhomogeneidades intrínsecas (semiconductores, manganitas, superconductores de alta temperatura, etc) se puede incluir a los sistemas sustitucionales con fuertes correlaciones electrónicas, donde los efectos de desorden y las inhomogeneidades a que dan lugar se consideran intrínsecos ya que aparecen como consecuencia de la sustitución.

Autor: ROCA PEREDA LYDIA.
Año: 2002.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS.

Resumen: Los materiales de baja dimensionalidad son sistemas 3D formados por capas o cadenas dentro de las cuales existen fuertes enlaces iónicos o covalentes y entre las que se dan débiles interacciones de Van der Waals. El confinamiento electrónico producido este motivo origina, a temperaturas inferiores a un cierto valor crítico, la aparición de inestabilidades electrónicas como la superconductividad en el caso del cuprato superconductor de alta temperatura crítica Bi2Sr2CaCu208+d y ondas de densidad de carga en los bronces de monofosfato de tungsteno Kx(PO4)2(WO3)8. En este trabajo se han estudiado las propiedades electrónicas asociada, centrando especial atención a la determinación con suma precisión de la superficie de Fermi y la relación de ésta con las propiedades electrónicas de los materiales en estudio.

Autor: MACHADO GARCÍA MAIDER.
Año: 2002.
Universidad: PAIS VASCO.
Centro de lectura: QUÍMICA.
Centro de realización: FACULTAD DE QUÍMICA. SAN SEBASTIÁN.

Resumen: Esta tesis está dedicada al estudio de la dinámica de electrones y huecos en estados de superficie y estados imagen. Se estudia el formalismo teórico empleado en los cálculos y se analizan los principales factores que influyen en los procesos de decaimiento. Este formalismo se aplica al caso de estados imagen en superficies con absorbatos. Posteriormente se desarrolla un formalismo para tratar los procesos de pérdida de energía de átomos neutrones en interacción con superficies metálicas. Puesto que una buena comprensión de los estados excitados requiere un buen conocimiento del estado fundamental, se presentan además cálculos de estructura electrónica de la molécula de ADN.

Autor: FORES BOSCH MARTA.
Año: 1999.
Universidad: GIRONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: INSTITUTO DE QUÍMICA COMPUTACIONAL.

Resumen: Esta tesis consta de tres partes: La primera parte incluye una evaluación de la fiabilidad de diferentes métodos en el estudio de las transferencias protónicas. La comparación de diferentes parámetros geométricos y energéticos obtenida, por diferentes métodos nos permite llegar a la conclusión de que no hay un método comportacionalmente económico y cuantitativamente preciso y que es necesario el uso de correlación dinámica para obtener una buena descripción de este tipo de reacción. La segunda parte consta de la modelización del compuesto 2-12'-hidroxifenil benz imidayol. El estudio de las transferencias protónicas intra moleculares de cuatro modelos distintos del HPBI (1-amino-3-propenal, 2-12'-hidroxifenil imidayoe, 2-12'-hidroxi--, benyimidazol, saliciladimina nos permite concluir que la saliculaldimia es el modelo molecular más pequeño que describe cualitativamente bién las transferencias protónicas del HPBI en el estado fundamental, en el --- estado ---. La tercera parte comprende el estudio del efecto sel sustituyente y del solvente en las transferencias protónicas. Por una parte, se -- que hay determinadas sustituyentes (NO, CN, COH) que modifica considerablemente las propiedades de la soliculaldinmina, Por otra parte, se observa que nuestro estudio teórico reproduce los resultados experimentales del efecto del solvente en las propiedades del HPBI y determina que es el -- el que se encuentra en equilibrio con el enol --- HPBI es el estado fundamental.

Autor: FUENTES CABRERA MIGUEL ANGEL .
Año: 1997.
Universidad: LA LAGUNA.
Centro de lectura: FISICA.

Resumen: Usando un método de ligaduras fuertes (tight-binding) de primeros principios y dinámica molecular, se estudiaron las propiedades electrónicas de los clatratos de Germanio, Ge(46) y Ge(34). Se encontró que estas fases tienen una estabilidad comparable a la fase zincblenda siendo el Ge(34) más estable que el Ge(46). Ambos pueden tener propiedades ópticas: el Ge(46) tiene un band gap amplio pero indirecto, el clatrato Ge(34) tiene un amplio band gap directo. Se estudió la estabilidad grafítica de la monocapa aislada de C, BN, SiC, Si, y GaAs. Se obtuvo que C, BN y SiC prefieren mantener su monocapa en un plano (simetría D6h) mientras que Si, y GaAs se corrugan (simetría D3d). La estabilidad de la fase corrugada del Si es crítica. Las energías de Si y GaAs se predicen correctamente por un simple modelo energético. Se sugiere la estabilidad de la fase grafítica de SiC: hasta ahora no existen resultados previos en este sentido.

Autor: GAGGERO SAGER LUIS MANUEL.
Año: 1996.
Universidad: NACIONAL DE EDUCACION A DISTANCIA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LOS MATERIALES. FACULTAD DE CIENCIAS. UNED PROGRAMA DE DOCTORADO: MATERIALES.

Resumen: LA TESIS PROPORCIONA UNA BUENA HERRAMIENTA DE CALCULO PARA DISEÑAR SISTEMAS ELECTRONICOS CONSTITUIDOS POR UNA MATRIZ DE SEMICONDUCTOR CON UNO DE LOS PLANOS CRISTALOGRAFICOS FUERTEMENTE DOPADO CON UNA IMPUREZA ATOMICA.LOS SISTEMAS ESTUDIADOS SON LOS SIGUIENTES: ARSENIURO DE GALIO CON UNA CAPA ATOMICA DE SILICIO (GAAS: SI-DELTA DOPADO) Y DE BERILIO (GAAS: BE-DELTA DOPADO), SILICIO DOPADO CON UNA CAPA ATOMICA DE BORO (SI: B-DELTA DOPADO) EN FUNCION DE LA TEMPERATURA, Y TRANSITOR DE EFECTO DE CAMPO DOPADO CON UN POZO DELTA (-FET'S). EL PROBLEMA GENERAL QUE SE PLANTEA ES EL DE DETERMINAR LOS NIVELES ENERGETICOS DEL POZO DELTA EN CADA CASO, PARA PODER PREDECIR LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS DEL SISTEMA. PARA ELLO SE HACEN DIFERENTES APROXIMACIONES SOBRE EL POTENCIAL DEL MISMO Y SE UTILIZAN DISTINTAS FUNCIONES DE ONDA DE PRUEBA PARA DETERMINAR EL NIVEL DE FERMI Y LOS NIVELES ENERGETICOS DE LOS ELECTRONES (O DE LOS HUECOS) DEL DEFECTO Y SE COMPARAN CON LOS RESULTADOS DE UN CALCULO AUTOCONSISTENTE. LA COMPARACION CON LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES QUE APARECEN EN LA LITERATURA BASTANTE BUENA, POR LO QUE LOS RESULTADOS HAN SIDO PUBLICADOS EN LAS REVISTAS ESPECIALIZADAS.

Autor: GUTIERREZ DELGADO FRANCISCO ALEJANDRO.
Año: 1993.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: EN LA TESIS SE DESCRIBE UN ESTUDIO EXPERIMENTAL DETALLADO DE LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DE C60, LA TERCERA FORMA DE CARBONO SOLIDO JUNTO CON EL GRAFITO Y EL DIAMANTE, ASI COMO DEL SISTEMA DOPADO KX C60 (Q MAYOR O IGUAL X MAYOR O IGUAL 3), DE PARTICULAR IMPORTANCIA POR LAS PROPIEDADES SUPERCONDUCTORAS PARA X=3. DEBIDO A QUE ESTOS MATERIALES SE DESCUBRIERON RECIENTEMENTE, EL ESTUDIO DE SUS PROPIEDADES ES DE ESPECIAL INTERES. MEDIANTE LAS TECNICAS DE FOTOEMISION, ABSORCION DE RAYOS X Y FOTOEMISION RESONANTE PARA LAS QUE SE UTILIZO RADIACION DE SINCROTON, SE HA OBTENIDO INFORMACION ACERCA DE LA SIMETRIA, LOCALIZACION ESPACIAL Y PARIDAD DE LOS DIFERENTES ESTADOS MOLECULARES, ASI COMO DE LOS CAMBIOS PRODUCIDOS EN ESTOS AL DOPAR CON K.

Autor: LOPEZ FAGUNDEZ M. FRANCISCA.
Año: 1993.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA.

Resumen: LA TESIS DESCRIBE UN ESTUDIO EXPERIMENTAL DE ALGUNOS ASPECTOS DE LA CORRELACION ELECTRONICA EN SOLIDOS DONDE LOS ELECTRONES ESTAN LOCALIZADOS ESPACIALMENTE. MEDIANTE EL USO DE LA TECNICA DE FOTOEMISION RESONANTE, EMPLEANDO RADIACION SINCROTON, SE DEMUESTRA COMO INTERPRETAR DE MANERA CORRECTA LOS ESPECTROS DE FOTOEMISION DE MUESTRAS ALTAMENTE CORRELACIONADAS. LA CONCLUSION MAS IMPORTANTE ES QUE EL ALTO GRADO DE LOCALIZACION DE LOS ELECTRONES 4F EN TIERRAS RARAS PERMITE QUE OCURRA EL FENOMENO DE FOTOEMISION RESONANTE, MIENTRAS QUE EL ESTADO INTERMEDIO DE LOS METALES DE TRANSICION, 2P53D10 (ENNI), NO ESTA LO SUFICIENTEMENTE LOCALIZADO Y DICHO PROCESO NO PUEDE TENER LUGAR.

Autor: CASERO ESCAMILLA RAFAEL.
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: ESTUDIO TEORICO DE LA ESTABILIDAD Y CINETICA DE SISTEMAS DE REDUCIDAS DIMENSIONES Y POCA SIMETRIA. UTILIZANDO METODOS DE CALCULO "AB INITIO" SE OBTIENEN LAS PROPIEDADES DEL HIDROGENO DISUELTO EN METALES (ALUMINIO Y MAGNESIO): CALOR DE SOLUCION POSICIONES DE EQUILIBRIO Y BARRERAS DE MIGRACION. EN ALUMINIO SE OBTIENEN LAS BARRERAS DE MIGRACION PARA DISTINTOS MECANISMOS DE DIFUSION, TANTO CLASICOS COMO CUANTICOS, A PARTIR DE PRIMEROS PRINCIPIOS. EN MAGNESIO SE ESTUDIA, ADEMAS, LA TRANSICION ENTRE LAS FASES DEL HIDRURO DE MAGNESIO Y SE EXPLICA LA PASIVACION DEL MATERIAL A MEDIDA QUE ESTE ABSORBE HIDROGENO. SE ESTUDIA TAMBIEN LA ESTABILIDAD Y REACTIVIDAD DE PEQUEÑOS AGREGADOS ATOMICOS Y SE SIMULA LA EVOLUCION DE LOS MISMOS EN UN EXPERIMENTO DE EXPANSION ADIABATICA. SE OBTIENE QUE SE REQUIERE DE UN TIEMPO MINIMO PARA QUE LOS ESPECTROS DE MASAS REPRESENTEN A LA ESTABILIDAD DE LOS AGREGADOS (NUMEROS MAGICOS). POR ULTIMO, SE ESTUDIA TAMBIEN LOS MECANISMOS DE DESEXCITACION DE AGREGADOS MULTIPLEMENTE IONIZADOS EXPLICANDO LOS NUMEROS CRITICOS DE ESTABILIDAD QUE SE OBSERVAN EXPERIMENTALMENTE. TANTO EN LA PRIMERA, COMO EN LA SEGUNDA PARTE DE LAS SIMULACIONES REALIZADAS, LOS RESULTADOS OBTENIDOS ESTAN EN MUY BUEN ACUERDO CON LOS VALORES EXPERIMENTALES.

Autor: DIOS HERNANDEZ AGUSTIN DE.
Año: 1990.
Universidad: VALLADOLID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ELECTRONICA Y TECNOLOGIA ELECTRONICA.

Resumen: EL ANALISIS DE LA CONDUCTANCIA ESTIMULADA TERMICAMENTE EN UNA ESTRUCTURA MOS CONSTITUYE UN METODO PARA MEDIR LA DENSIDAD DE ESTADOS DE INTERFACE PRESENTE EN LA MISMA. SE BASA EN LA MEDIDA DE LA CONDUCTANCIA, DE UNA ESTRUCTURA MOS POLARIZADA EN VACIAMIENTO, EN FUNCION DE LA TEMPERATURA. LAS CURVAS ASI OBTENIDAS PRESENTAN UN MAXIMO A PARTIR DE CUYO ESTUDIO ES POSIBLE EXTRAER LA DENSIDAD DE ESTADOS DE INTERFACE PRESENTE EN DICHA ESTRUCTURA. ES UN METODO SENCILLO DE IMPLEMENTAR Y QUE PRESENTA UNA ELEVADA SENSIBILIDAD. DICHO METODO SE HA APLICADO AL ESTUDIO DEL DAÑADO GENERADO POR ACCION DE RIE SOBRE ESTRUCTURAS MOS SOMETIDAS A DICHO PROCESO TECNOLOGICO. SE HA COMPROBADO LA EXISTENCIA DE DAÑADO, CONSISTENTE EN EL INCREMENTO DE LA DENSIDAD DE ESTADOS DE INTERFACE PARA EL CASO DE UN ATAQUE DE ELIMINACION DE ALUMINIO.

Autor: COSTA QUINTANA JUAN.
Año: 1981.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BARCELONA.

Autor: LOPEZ AGUILAR FERNANDO M..
Año: 1977.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA DE LA FACULTAD DE CIENCIAS DE LA U.A.B. .

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HACE UN ESTUDIO DE LOS ESTADOS ELECTRONICOS EN CRISTALES SEMICONDUCTORES CON COMPORTAMIENTO MAGNETICO. SE REALIZA EL ESTUDIO MEDIANTE UNA APROXIMACION DEL POTENCIAL CRISTAL A UN POTENCIAL MU//IN-TIN ; POSTERIORMENTE SE REALIZO EL ANALISIS MEDIANTE UN HAMILTONIANO EFECTIVO DEPENDIENTE DEL SPIN. POR ULTIMO SE REALIZA UN ESTUDIO RELATIVISTA EN EL FORMALISMO DE DIRAC; HACIENDO COMPARACIONES CON LOS RESULTADOS NO-RELATIVISTAS MEDIANTE METODOS INTERMEDIOS.