IMPERFECCIONES

Autor: CUEVAS MARAVER JESÚS.
Año: 2002.
Universidad: SEVILLA.
Centro de lectura: FÍSICA.
Centro de realización: FACULTAD DE FÍSICA.

Resumen: La presente tesis considera el estudio de ciertas propiedades delas redes de osciladores acopladas. En concreto, si las interaciones entre dichos osciladores son anarsómicas, puden aparecer modos de vibración localizados, que reciben el nombre de "breathers". Si, en cambio, la red fuera no homogénea, podrían aparecer también modos localizados, que reciben elnombre de "modos locales" en el caso de impurezas o "modos Anderson" si existe desorden espacial. En el caso de redes anarmónicas, los breathers pueden desplazarse por la vez, constituyendo un mecanismo de transferencia de energía, y reciben el nombre de "breathers" en ciertas situaciones, así como la existencia de las mismas cuando se tiene en cuenta amornicidad y desorden. Asimismo, se considera la influencia de la introducción de impurezas en el movimiento de breathers. Finalmente, se estudian las propiedades de las soluciones localizadas en un modelo de ADN el cual puede estar afectado por la geometría.

Autor: AGUADO RODRIGUEZ ANDRES.
Año: 1999.
Universidad: VALLADOLID.
Centro de lectura: CIENCIAS.

Resumen: En primer lugar se estudiaron las estructuras de agregados haluro alcalinos neutros y también con carga. Las conclusiones principales fueron: (a) los agregados que contienen litio muestran una pauta de crecimiento diferente; (b) los resultados son capaces de explicar con precisión los detalles de experimentos de movilidad, espectroscopía de masas y espectroscopía fotoelectrónica. En segundo lugar se estudiaron los saltos de banda sólidos iónicos y las distorsiones inducidas en ellos por una impureza de talio. Los saltos de banda mostraron un acuerdo excelente con los experimentos. El estudio de las distorsiones demostró que éstas son menores de lo esperado pero de mayor alcance. Por último, se estudió la transición de fusión enagregados de soio. Estos agregados no funden a una temperatura bien definida, sino en un rango de temperaturas de hasta 100 K de anchura. Los resultados están en muy buen acuerdo con recientes determinaciones calorimétricas del punto de fusión.

Autor: GONZALEZ ROBLEDO DAVID.
Año: 1996.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERIA METALURGICA Y QUIM. I PROGRAMA DE DOCTORADO: QUIMICA INORGANICA.

Resumen: EL PRINCIPAL OBJETIVO DE LA PRESENTE MEMORIA DE TESIS DOCTORAL ES EXPLICAR LA EVOLUCION DE LA RELAJACION Y LA CONFIGURACION DE DEFECTOS RESULTANTE EN ESTRUCTURAS MULTICAPAS DE INXGA1-XAS DONDE LA VARIACION DE COMPOSICION DE IN SE REALIZA DE MODO ESCALONADO EN EL INTERIOR DE LAS CAPAS DE LA HETEROESTRUCTURA. EL DISEÑO DE ESTAS ESTRUCTURAS MULTICAPAS ESCALONADAS PERSIGUE QUE LA INTEGRACION MONOLITICA DE UN DISPOSITIVO OPTO/MICRO-ELECTRONICO SOBRE UN SUSTRATO SEA: PRIMERO, CON EL MENOR DESAJUSTE RETICULAR POSIBLE Y, SEGUNDO, CON EL MAYOR EFECTO DE FILTRO SOBRE LAS DISLOCACIONES DE PROPAGACION. PARA LLEGAR A ESTABLECER UNAS REGLAS QUE AYUDEN AL DISEÑO RACIONAL DE ESTRUCTURAS MULTICAPAS COMO CAPAS AMORTIGUADORAS ENTRE EL DISPOSITIVO Y EL SUSTRATO, ES NECESARIO CONOCER LOS MECANISMOS DE RELAJACION Y DE PROPAGACION DE DISLOCACIONES EN MULTICAPAS. LA HIPOTESIS DE PARTIDA ES QUE LA REPULSION ENTRE LAS DISLOCACIONES DE DESAJUSTE LIMITA LA INTRODUCCION DE NUEVAS DISLOCACIONES EN LAS INTERCARAS DE LA ESTRUCTURA MULTICAPA. ESTA NUNCA ALCANZA LA RELAJACION COMPLETA MEDIANTE EL ACOMODO DE DISLOCACIONES DE DESAJUSTE EN SUS INTERCARAS. ESTA SATURACION DE LA RELAJACION IMPLICA QUE LA DEFORMACION RESIDUAL SE ACUMULA EN LAS CAPAS SUPERIORES DE LAS HETEROESTRUCTURA. ESTE RESULTADO ES IMPORTANTE PARA ESTABLECER REGLAS DE DISEÑO PARA ESTRUCTURAS MULTICAPAS COMO CAPAS AMORTIGUADORAS. CON EL OBJETO DE DAR FUNDAMENTO A UNAS REGLAS DE DISEÑO PARA CRECER CAPAS AMORTIGUADORAS, SE PROCEDE A LA REALIZACION DE UN ANALISIS TEORICO SOBRE LA RELAJACION Y PROPAGACION DE DISLOCACIONES EN ESTRUCTURAS MULTICAPAS BASADO EN LA INTERACCION ENTRE LAS DISLOCACIONES DE DESAJUSTE. ESTE ANALISIS LLEVA A ELABORAR UN MODELO DE RELAJACION PARA DICHAS ESTRUCTURAS QUE PERMITE PREDECIR LA DEFORMACION RESIDUAL Y LA PROPAGACION DE DISLOCACIONES EN ESTRUCTURAS MULTICAPAS ESCALONADAS. CON EL FIN DE CONTRASTAR LAS REGLAS DE DISEÑO, SE ESTUDIA POR MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION UN CONJUNTO DE MULTICAPAS ESCALONADAS, VARIANDO EL NUMERO DE CAPAS, EL ESPESOR DE LAS CAPAS, LOS SALTOS DE COMPOSICION DE IN Y LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO. EL ACUERDO ENTRE LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES Y LOS TEORICOS DEL MODELO CONFIRMA, POR UN LADO, LA HIPOTESIS DE UNA RELAJACION SATURADA DEBIDA A LA REPULSION ENTRE LAS DISLOCACIONES DE DESAJUSTE EN ESTRUCTURAS ESCALONADAS Y PERMITE, POR OTRO LADO, ESTABLECER UNAS REGLAS DE DISEÑO PARA CAPAS AMORTIGUADORAS DE INXGA1-XAS. A TRAVES DE DICHAS REGLAS, SE PROPONE UNA ESTRUCTURA ESCALONADA INXGA1-XAS COMO CAPA AMORTIGUADORA DE IN0.53GA0.47AS SOBRE SUSTRATODE GAAS. LA APARICION DE MODULACION DE COMPOSICION EN LAS CAPAS DE INXGA1-XAS CON COMPOSICION DE IN MAYOR DEL 30% DE LA ESTRUCTURA ESCALONADA PROPUESTA MODIFICA PARCIALMENTE LOS RESULTADOS DEL ANALISIS TEORICO DE RELAJACION. SE OBSERVA UNA MAYOR RELAJACION DE LA ESPERADA SI SE TIENE EN CUENTA SOLO A LA DEBIDA A DISLOCACIONES DE DESAJUSTE. LA MODULACION DE COMPOSICION INTRODUCE UNA MODULACION DE LOS PLANOS RETICULARES QUE CONTRIBUYE A LA RELAJACION DEL MISMO MODO QUE LO HACEN LAS DISLOCACIONES DE DESAJUSTE. A PESAR DE AUMENTAR LA RELAJACION EN LA ESTRUCTURA ESCALONADA PROPUESTA, LA DENSIDAD DE DEFECTOS QUE SE PROPAGAN POR LA MISMA ES DE IGUAL MODO ALTA. EL CRECIMIENTO DE UNA ESTRUCTURA ESCALONADA DE INXGA1-XAS A BAJA TEMPERATURA SUPRIME LA MODULACION DE COMPOSICION, CONSIGUIENDOSE AL FINAL UNA CAPA AMORTIGUADORA PARA IN0.53GA0.47AS SOBRE SUSTRATO DE GAAS CON UNA DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA Y UNA DEFORMACION RESIDUAL REDUCIDA. ESTE HECHO REVALIDA LAS REGLAS DE DISEÑO PROPUESTAS PARA CAPAS AMORTIGUADORAS BASADAS EN ESTRUCTURAS MULTICAPAS ESCALONADAS QUE, ADEMAS, PUEDEN EXTENDERSE A OTROS SISTEMAS HETEROEPITAXIALES III-V DISTINTOS AL INGAAS SOBRE GAAS.

Autor: PEREZ ENCISO ELOY.
Año: 1996.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: DEPARTAMENTO DE FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA.

Resumen: EN ESTA MEMORIA SE PRESENTA UN ESTUDIO SOBRE LA INFLUENCIA DEL DESORDEN INTRINSECO DE LOS MATERIALES FERROELECTRICOS EN SUS PROPIEDADES A BAJAS TEMPERATURAS, 0.3 KELVIN

Autor: PASCUAL ROBLEDO JOSE LUIS.
Año: 1995.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: QUIMICA FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: ESTRUCTURA MOLECULAR Y ESPECTROSCOPIA.

Resumen: A LO LARGO DE ESTA TESIS SE HAN TRATADO ASPECTOS METODOLOGICOS DEL METODO AIMP DE RED, INTENTANDO ENCONTRAR LAS CONDICIONES OPTIMAS DE TRABAJO DENTRO DEL METODO. SE HA FORMULADO Y PROGRAMADO UNA EXTENSION DEL METODO AIMP DE RED (DENOMINADA AIMP/SM) CAPAZ DE INCLUIR EFECTOS RESIDUALES DE POLARIZACION Y RELAJACION DE LA RED DEBIDOS A LA PRESENCIA DE LA IMPUREZA, USANDO UN METODO EMPIRICO PARA REPRESENTAR LA RED. ASIMISMO, SE HA CONTRIBUIDO A LA OBTENCION DE UNA MASA CRITICA DE APLICACIONES DEL METODO AIMP DE RED A LA DETERMINACION DE PROPIEDADES DE CRISTALES IONICOS CON IMPUREZAS DE METALES DE TRANSICION (GEOMETRIAS, ESPECTROS ELECTRONICOS, EFECTOS DIFERENCIALES DE RED), QUE AYUDA A DETERMINAR, POR CONTRASTE CON EL EXPERIMENTO, LA FIABILIDAD DEL METODO AIMP DE RED.

Autor: ARAGON HERRANZ GUILLERMO.
Año: 1994.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERIA METALURGICA Y... PROGRAMA DE DOCTORADO: QUIMICA INORGANICA.

Resumen: EN LA PRESENTE MEMORIA DE TESIS DOCTORAL, SE ESTUDIA POR MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS EN CAPAS EPITAXIALES DE GAAS CRECIDAS POR ATOMIC LAYER MOLECULAR BEAM EPITAXY (ALMBE) A 350 GRADOS C. SOBRE SUSTRATOS DE SI(001). EL EFECTO DEL DOPADO SE INVESTIGA EN CAPAS EPITAXIALES DE GAAS DOPADAS TIPO N Y TIPO P Y EL DE LA TEMPERATURA EN CAPAS EPITAXIALES DE GAAS CRECIDAS CON TRATAMIENTOS TERMICOS. SE ENCUENTRA QUE LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS CARACTERISTICA EN CAPAS EPITAXIALES DE GAAS CONSISTE EN DEFECTOS PLANARES (FALLOS DE APILAMIENTO Y MICROMACLAS) QUE PRESENTAN UNA DISTRIBUCION ASIMETRICA. ESTA ESTRUCTURA DE DEFECTOS SE PUEDE EXPLICAR DESARROLLANDO UN MODELO QUE TIENE EN CUENTA LA SECUENCIA Y LAS MOVILIDADES DE LAS DISLOCACIONES PARCIALES DE POLARIDAD ALFA Y BETA EN FUNCION DEL SIGNO DE LA TENSION RETICULAR. ASI, LOS DEFECTOS PLANARES PROVIENEN DE LA DISOCIACION DE DISLOCACIONES THREADING BETA Y DISLOCACIONES THREADING ALFA PARA CAPAS EPITAXIALES DE GAAS DOPADAS TIPO N Y DOPADAS TIPO P, RESPECTIVAMENTE. POR EL CONTRARIO, LA DISOCIACION DE DISLOCACIONES THREADING ALFA Y BETA NO OCURRE PARA CAPAS EPITAXIALES DE GAAS CRECIDAS CON TRATAMIENTOS TERMICOS. DEL ESTUDIO LLEVADO A CABO SE ENCUENTRA QUE LA DIFERENCIA ENTRE LAS MOVILIDADES DE LAS DISLOCACIONES PARCIALES ES UN FACTOR QUE ESTA RELACIONADO CON LA APARICION DE LOS DEFECTOS PLANARES Y LLEGA A SER MAS IMPORTANTE CUANDO LA TEMPERATURA DE CRECIMIENTO DISMINUYE.

Autor: ENRIQUEZ GIRAUDO M. LOURDES.
Año: 1994.
Universidad: VALLADOLID .
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: BIENIO 89-91.

Resumen: EN ESTE TRABAJO HEMOS HECHO UNA REVISION DE LOS PROCESOS DE EMISION DE ELECTRONES DE LOS CENTROS DX EN ALGAAS. HEMOS ESTUDIADO LA ADMITANCIA TERMICA, DLTS Y CC-DLTS COMO TECNICAS PARA MEDIR ENERGIAS DE ACTIVACION DE LA EMISION TECNICA Y CC-DLOS PARA LA EMISION OPTICA. TAMBIEN HEMOS ANALIZADO LA INFLUENCIA DEL CAMPO ELECTRICO SOBRE ESTAS MEDIDAS. POR OTRA PARTE, HEMOS REALIZADO UNA CARACTERIZACION ELECTRICA DE LOS CENTROS DX ASOCIADOS AL SILICIO EN ALGAAS. HEMOS MEDIDO LAS 4 ENERGIAS CARACTERISTICAS (EMISION TERMICA Y OPTICA, IONIZACION Y CAPTURA) EN MUESTRAS CON COMPOSICIONES DE AL ENTRE EL 25% Y EL 70%. LOS RESULTADOS NOS PERMITEN LLEGAR A UN DIAGRAMA DE CONFIGURACION AUTOCONSISTENTE.

Autor: NAVARRO GARCIA FRANCISCO JAVIER.
Año: 1994.
Universidad: VALENCIA.
Centro de lectura: FISICA .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: DE FISICA ATOMICA, NUCLEAR Y MOLECULAR PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA NUCLEAR Y DE PARTICULAS. N. 180-A..

Resumen: * MEDIANTE LAS TECNICAS DE ANIQUILACION DE POSITRONES (PAS) SE HAN ESTUDIADO MONOCRISTALES DE NACL SOMETIDOS A DIFERENTES TRATAMIENTOS: IRRADIACION CON GAMMAS (7.5 GRAD), TEMPLADOS SUCESIVOS, DEFORMACION PLASTICA (7, 9, 15, 24 %) Y RECOCIDOS POSTERIORMENTE. * EN LOS TRES TRATAMIENTOS SE HA ENCONTRADO UN COMPORTAMIENTO SIMILAR EN LOS ESPECTROS DE VIDAS MEDIAS, LO QUE SUGIERE QUE ESTOS MECANISMOS DE FORMACION DE DEFECTOS INDUCEN EL MISMO TIPO DE DAÑO MAYORITARIO EN LA RED DE NACL. * DE ESTE MODO, EL DAÑO SOBRE LA SUBRED CATIONICA EN MUESTRAS INTENSAMENTE IRRADIADAS CON GAMMAS PARECE CONFIRMARSE TRAS LOS EXPERIMENTOS. LAS VACANTES CATIONICAS, QUE TRAS LA IRRADIACION QUEDARON ATRAPADAS EN DIVACANTES Y CUMULOS DE ESTAS, SE LIBERAN A PARTIR DE LOS 500 C POR EFECTO DEL RECOCIDO TERMICO. LOS POSITRONES EN ESTAS TRAMPAS SE ANIQUILAN EN UN TIEMPO DE 500 PS. LA SECCION EFICAZ DE CAPTURA EN ESTOS CENTROS PARA POSITRONES ES DEL ORDEN DE 10 ELEVADO A -12 CM2, PARA UNA CONCENTRACION DE VACANTES CATIONICAS ESTIMADA DE 2 POR 10 ELEVADO A 16 - DIEZ ELEVADO A 17 CM-3.

Autor: MARTINEZ ARIAS ARTURO.
Año: 1993.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: QUIMICA FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: APLICACIONES DE LA QUIMICA CUANTICA Y LA ESPECTROSCOPIA.

Resumen: POR MEDIO DE LA ADSORCION DE PEQUEÑAS MOLECULAS (O2, NO, N2O, CO) Y UTILIZANDO LAS TECNICAS DE ESR Y FTIR SE REALIZA UN ESTUDIO DETALLADO SOBRE LA GENERACION DE DEFECTOS (VACANTES DE OXIGENO) EN LA SUPERFICIE DEL OXIDO DE CERIO Y SOBRE LA INFLUENCIA DE LA PRESENCIA DE RODIO EN LAS PROPIEDADES DE DICHOS DEFECTOS. SE DETERMINA LA PRESENCIA, A GRANDES RASGOS, DE TRES TIPOS DE DEFECTOS: CENTROS REDUCIDOS UNIDOS A VACANTES AISLADAS, CENTROS REDUCIDOS UNIDOS A VACANTES ASOCIADAS Y CENTROS OXIDADOS INSATURADOS EN SU COORDINACION. LOS CENTROS DE VACANTES ASOCIADAS SON MAS FACILMENTE OXIDABLES Y PRESENTAN CAPACIDAD DE FORMACION DE HIPONITRITOS TRAS ADSORCION DE NO. LOS CENTROS OXIDADOS GENERAN ESPECIES NITRITO TRAS ADSORCION DE NO. LA PRESENCIA DE CLORO GENERA CENTROS REDUCIDOS UNIDOS A VACANTES AISLADAS QUE SON MAS ESTABLES FRENTE A LA OXIDACION QUE EN AUSENCIA DE CLORO. LA PRESENCIA DE RODIO FAVORECE LA DISOCIACION DEL N2O Y PRODUCE UNA MAYOR CANTIDAD DE CENTROS OXIDADOS SOBRE EL OXIDO DE CERIO, LO QUE SUGIERE QUE ESTE ACTUA COMO PROMOTOR EN LA REDUCCION DEL RODIO.

Autor: CASTAN LANASPA M. ELENA.
Año: 1991.
Universidad: VALLADOLID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ELECTRONICA Y TECNOLOGIA ELECTRONICA (BIENIO 87-89).

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HA LLEVADO A CABO EL ESTUDIO DEL DAÑADO ELECTRICAMENTE ACTIVO GENERADO EN ESTRUCTURAS MOS POR PROCESOS DE GRABADO IONICO REACTIVO (RIE) DE SILICIO Y POLISILICIO CON PLASMAS BASADOS EN SF6. LAS TECNICAS DE CARACTERIZACION ELECTRICA UTILIZADAS HAN SIDO C-V, DLTS Y ANALISIS DE LA ADMITANCIA, DE LA ULTIMA DE LAS CUALES HEMOS PUESTO A PUNTO POR PRIMERA VEZ LA VARIANTE TERMICA PARA LA DETECCION DE CENTROS PROFUNDOS EN EL VOLUMEN DEL SILICIO. NUESTROS RESULTADOS INDICAN QUE EL GRABADO MEDIANTE LA TECNICA RIE DE UNA CAPA DE POLISILICIO DEPOSITABLE SOBRE EL OXIDO DE PUERTA NO GENERA UN DAÑADO ELECTRICO APRECIABLE EN LAS CAPACIDADES MOS CONSTRUIDAS POSTERIORMENTE. SIN EMBARGO, LA APLICACION DIRECTA DE RIE SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO SI DA LUGAR A EFECTOS DE DAÑADO EN LAS CAPACIDADES MOS CONSTRUIDAS SOBRE DICHOS SUSTRATOS. TAL DAÑADO SE MANIFIESTA A TRAVES DE LA PRESENCIA DE CARGA POSITIVA EN EL OXIDO, DE ESTADOS SUPERFICIALES EN LA INTERFACE SI-SIO2 Y DE 2 CENTROS PROFUNDOS CON ENERGIAS DE ACTIVACION DE EV+300 Y EV+335 MEV Y PROBABLEMENTE RELACIONADOS CON ATOMOS DE FLUOR. HEMOS ESTUDIADO EL EFECTO DE LA PRESION EN LA CAMARA DE REACCION Y DE LA COMPOSICION DEL PLASMA EN EL DAÑADO RESULTANTE. EL DAÑADO RESULTA SER MAS IMPORTANTE PARA VALORES BAJOS DE LA PRESION, DEBIDO A QUE EL RECORRIDO MEDIO DE LOS IONES ES MAYOR. EN EL CASO DE PLASMAS DE SF6+CL2, AL AUMENTAR LA CONCENTRACION DE CLORO LA DENSIDAD DE ESTADOS SUPERFICIALES Y DE CENTROS PROFUNDOS DISMINUYE, EN TANTO QUE LA DENSIDAD DE CARGA POSITIVA EN EL OXIDO AUMENTA. EN EL CASO DE PLASMAS DE SF6+C2CLF5, AL AUMENTAR EL PORCENTAJE DE C2CLF5, AUMENTA LA DENSIDAD DE CARGA POSITIVA EN EL OXIDO Y DE ESTADOS SUPERFICIALES, PERO LA DE CENTROS PROFUNDOS DISMINUYE. POR OTRA PARTE, EL PERFIL DE ESTADOS SUPERFICIALES EXHIBE UN MAXIMO LOCALIZADO EN LA MITAD DEL GAP DEL SILICIO, QUE ESTA PROBABLEMENTE RELACIONADO CON LOS ATOMOS DE CARBONO. FINALMENTE, HEMOS COMPROBADO QUE LA APLICACION DE TRATAMIENTOS TERMICOS PREVIOS A LA ETAPA DE OXIDACION CONTRIBUYE A ELIMINAR PARCIALMENTE LOS EFECTOS DE DAÑADO.

Autor: NO SANCHEZ M. LUISA.
Año: 1990.
Universidad: PAIS VASCO.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO - FACULTAD DE CIENCIAS I.N.S.A. DE LYON.

Resumen: SE HAN REVISADO LOS MECANISMOS DE MOVILIDAD INTRINSECA DE LAS DISLOCACIONES Y SU INTERACCION CON LOS DEFECTOS PUNTUALES EN LOS METALES CUBICOS CENTRADOS EN LAS CARAS Y HEXAGONALES COMPACTOS. IGUALMENTE SE HAN REVISADO LOS PROCESOS DE RELAJACION ANELASTICA PROPIOS DE AMBOS GRUPOS DE METALES EN EL RANGO DE BAJAS Y MEDIAS TEMPERATURAS. DESDE EL PUNTO DE VISTA EXPERIMENTAL, SE HAN ESTUDIADO LOS ESPECTROS DE FRICCION INTERNA ENTRE 100K Y 700K EN EL ALUMINIO 99.999% Y 99.999% ASI COMO EN EL MAGNESIO 99.999%. PARALELAMENTE SE HA REALIZADO UN AMPLIO ESTUDIO DE CARACTERIZACION MICROESTRUCTURAL MEDIANTE MICROSCOPIA ELECTRONICA Y OTRAS TECNICAS COMPLEMENTARIAS. ESTOS ESTUDIOS NOS HAN PERMITIDO ESTABLECER UNA CLARA RELACION ENTRE LA MICROESTRUCTURA Y EL COMPORTAMIENTO ANELASTICO DE LOS MATERIALES ESTUDIADOS, PRECISANDO LOS MECANISMOS MICROSCOPICOS QUE CONTROLAN LA MOVILIDAD DE LAS DISLOCACIONES EN EL RANGO DE TEMPERATURAS MEDIAS. ESTO NOS HA PERMITIDO IGUALMENTE ESTABLECER LA COMPARACION ENTRE EL COMPORTAMIENTO DEL ALUMINIO Y EL MAGNESIO.

Autor: DUEÑAS CARAZO SALVADOR.
Año: 1989.
Universidad: VALLADOLID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS DE LA UNIVERSIDAD DE VALLADOLID.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HA PUESTO A PUNTO UNA NUEVA TECNICA DE CARACTERIZACION OPTICA DE CENTROS PROFUNDOS EN SEMICONDUCTORES, DENOMINADA ESPECTROSCOPIA OPTICA DE LA ADMITANCIA. ESTA TECNICA CONSISTE EN LA MEDIDA, A BAJA TEMPERATURA, DE LA CAPACIDAD Y DE LA CONDUCTANCIA DE UNA UNION P-N O DE UNA BARRERA SCHOTTKY QUE CONTIENE UN CENTRO PROFUNDO CUANDO ES ILUMINADA CON UNA LUZ MONOCROMATICA. LAS CURVAS DE CONDUCTANCIA PRESENTAN UN MAXIMO CUANDO SE HACE VARIAS LA ENERGIA DE LOS FOTONES DE LA LUZ, PARA CADA UNO DE LOS CENTROS PROFUNDOS LOCALIZADOS EN LA BANDA PROHIBIDA DEL SEMICONDUCTOR. SE HA APLICADO LA ESPECTROSCOPIA OPTICA DE LA ADMITANCIA PARA MEDIR LAS SECCIONES EFICACES DE CAPTURA OPTICA CORRESPONDIENTES A LA EMISION DE PORTADORES DESDE EL NIVEL ACEPTADOR DEL ORO EN EL SILICIO A CADA UNA DE LAS BANDAS, OBTENIENDOSE UN BUEN ACUERDO CON LOS RESULTADOS OBTENIDOS POR OTROS AUTORES Y CON EL MODELO TEORICO DE LUCOVSKI. SE HAN OBTENIDO LOS ESPECTROS DE LA SECCION EFICAZ DE CAPTURA OPTICA CORRESPONDIENTE A LA EMISION DE ELECTRONES DESDE EL CENTRO EL2 A LA BANDA DE CONDUCCION DEL GAAS, A TRES TEMPERATURAS (150, 200 Y 270 K), COMPRENDIDAS DENTRO DE UN RANGO LIMITADO A ALTA TEMPERATURA POR LA EMISION TERMICA Y A BAJA TEMPERATURA POR EL FENOMENO DE FOTOQUENCHING CARACTERISTICO DEL EL2. FINALMENTE SE HACE UNA DISCUSION DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS, Y SE PROPONE PARA EL EL2 UNA NATURALEZA EN LA FORMA DE AGREGADOS DE ARSENICO, ASI COMO LA EXISTENCIA DE UN NIVEL ACEPTADOR SUPERFICIAL PROXIMO A LA BANDA DE VALENCIA PARA EXPLICAR EL ESPECTRO OBTENIDO A ENERGIAS DE LOS FOTONES PROXIMAS AL GAP DEL GAAS.

Autor: GONZALEZ MAÑAS MARINA.
Año: 1989.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPTO. DE ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES. FACULTAD DE CIENCIAS. UNIVERSIDAD DE CADIZ.

Resumen: LA MACLA DEL BRASIL FUE DEFINIDA POR BREWSTER (1823) COMO UN INTERCRECIMIENTO ENTRE CUARZO DERECHO E IZQUIERDO. A PARTIR DE ESE MOMENTO SON MUCHOS LOS AUTORES QUE LA ESTUDIAN EN CRISTALES NATURALES ASOCIANDO LOS CONTRASTES DE DIFRACCION QUE EXHIBEN SUS FRONTERAS A UN DESPLAZAMIENTO RELATIVO, DEFINIDO POR UN VECTOR DESPLAZAMIENTO R, DE LAS ESTRUCTURAS A AMBOS LADOS DEL DEFECTO QUE INTRODUCE UN DESFASE, 0, EN LOS FHK1 DE AMBOS INDIVIDUOS. ESTE TRABAJO DEMUESTRA, A PARTIR DEL ANALISIS DE LOS PATRONES DE DIFRACCION Y DE SU SIMULACION POR ORDENADOR QUE, AL MENOS EN LOS CRISTALES SINTETICOS DE CUARZO, ESTE MODELO DEL VECTOR R NO ES EL MAS ADECUADO. LAS MACLAS DEL BRASIL Y LOS DEFECTOS ASOCIADOS A ELLAS SE PRESENTAN SOBRE LAS CARAS X, (2110), COMO UNOS POLIEDROS QUE PRESENTAN SIMETRIA BINARIA Y QUE SE CORRESPONDEN EN VOLUMEN CON UNA SERIE DE NUEVOS SUBSECTORES DE CRECIMIENTO DENTRO DEL SECTOR X. EL DOMINIO MACLADO DENTRO DE X ESTA CONSTITUIDO POR DOS REGIONES DE DIFERENTE CRECIMIENTO, PARALELAS A (6151) Y (6511), TRAPEZOEDRO TRIGONAL NEGATIVO DERECHO, SEPARADAS DE LAS (6511) Y (6151) TRAPEZOEDRO TRIGONAL NEGATIVO IZQUIERDO RESPECTIVAMENTE POR DOS FRONTERAS PARALELAS A (0111). ACOMPAÑANDO A ESTOS APARECEN TAMBIEN LOS ROMBOEDRICOS (3031) Y (3301). EL DOMINIO MACLADO SE PROLONGA AL SECTOR Z', EN DONDE LA MORFOLOGIA EVOLUCIONA CON EL CRECIMIENTO DESDE UNAS MICROMACLAS TRIANGULARES HASTA LAS FORMAS EN "BOTA" EN LAS ETAPAS FINALES. LAS MACLAS DEL BRASIL SE ORIGINAN EN LA SUBFRONTERA Z'/Z (REGION DE ALTA DENSIDAD DE DISLOCACIONES). LAS FRONTERAS DE MACLA SE CORRESPONDEN CON LAMINAS DE CRISTAL MUY DISTORSIONADO DE ESPESORES DEL ORDEN DE 15 M.

Autor: FERNANDEZ SANCHEZ PALOMA.
Año: 1988.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS FISICAS DE LA UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID.

Resumen: EN ESTE TRABAJO HEMOS ESTUDIADO LA EVOLUCION DEL PROCESO DE SINTERIZADO CON EL FIN DE DETERMINAR LAS CONDICIONES OPTIMAS PARA OBTENER OXIDO DE CINC CERAMICO. PARA ELLO HEMOS UTILIZADO LA TECNICA DE ESPECTROSCOPIA DE ANIQUILACION DE POSITRONES SIGUIENDO TANTO LA EVOLUCION CON LA TEMPERATURA (TRATAMIENTOS ISOCRONOS), COMO LA CINETICA DEL PROCESO (TRATAMIENTOS ISOTERMOS) A TRAVES DE LOS CAMBIOS EN EL PARAMETRO E, TIEMPO DE VIDA MEDIA DE LOS POSITRONES EN EL SOLIDO. LA CARACTERIZACION DE LAS MUESTRAS SINTERIZADAS SE HA LLEVADO A CABO MEDIANTE DIVERSAS TECNICAS DE MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO. EN PRIMER LUGAR HEMOS UTILIZADO UNA TECNICA BIEN CONOCIDA, LA CATODOLUMINISCENCIA, PARA ESTUDIAR LA INFLUENCIA DE LOS DIFERENTES DOPANTES EN LAS PROPIEDADES DEL MATERIAL. TIENE ESPECIAL INTERES EL ESTUDIO DE LA EMISION CATODOLUMINISCENTE CENTRADA EN 530 NM CARACTERISTICA DE ESTE MATERIAL, POR SU RELACION CON LAS PROPIEDADES CONDUCTORAS DEL MISMO. POR OTRA PARTE, SE HA PUESTO A PUNTO EL EQUIPO EXPERIMENTAL NECESARIO PARA EL DESARROLLO DE LA MICROSCOPIA ELECTROACUSTICA Y SE HA UTILIZADO ESTA TECNICA PARA ESTUDIAR LAS FRONTERAS DE GRANO, LAS CUALES PARECEN SER LAS RESPONSABLES DEL ESTABLECIMIENTO DEL COMPORTAMIENTO NO OHMICO.

Autor: GARCIA TIJERO JOSE MANUEL.
Año: 1988.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID -INSTITUTO DE CIENCIA DE MATERIALES DE MADRID (CSIC)..

Resumen: UTILIZANDO LAS TECNICAS EXPERIMENTALES: ESPECTROSCOPIA DE ABSORCION OPTICA, LUMINISCENCIA FOTOESTIMULADA, TERMOLUMINISCENCIA Y RADIOLUMINISCENCIA, R.P.E Y MEDIDAS DE CORRIENTES ELECTRICAS, SE HAN INVESTIGADO LOS MECANISMOS DE FORMACION DE CENTROS F EN CAF2:NA, TANTO EN CRISTALES IRRADIADOS CON RAYOS X COMO EN CRISTALES ADITIVAMENTE COLOREADOS. .LOS CENTROS FA(2) SE FORMAN POR ATRAPAMIENTO DE ELECTRONES EN BIPOLOS SUS CENTROS DE HUECO COMPLEMENTARIOS SON VK. .LA DESTRUCCION DE CENTROS FA SE PRODUCE EN DOS ETAPAS: I) EN CRISTALES IRRADIADOS CON RAYOS X LA PRIMERA ETAPA ES TERMOLUMINISCENTE TENIENDO LUGAR UNA RECOMBINACION ELECTRON-HUECO, EN CRISTALES COLOREADOS ADITIVAMENTE NO HAY TERMOLUMINISCENCIA Y EL PROCESO ES UNA DIFUSION DE CORTO ALCANCE QUE DA LUGAR A LA FORMACION DE CENTROS A PARTIR DE CENTROS FA(1) SEGUN UN MODELO QUE SE PROPONE PARA ESTOS CENTROS. II) EN LA SEGUNDA ETAPA TANTO EN CRISTALES IRRADIADOS COMO COLOREADOS ADITIVAMENTE, EL PROCESO CONSISTE EN UN ATRAPAMIENTO DE VACANTES POR CENTROS FA(2). TAMBIEN SE HA ESTUDIADO EL BLANQUEO OPTICO DE CENTROS POR ILUMINACION EN SU BANDA DE ABSORCION DE MENOR ENERGIA ATRIBUYENDOSE A UNA ABSORCION SECUENCIAL DE 2 FOTONES SEGUIDA DE UNA DISOCIACION DESDE EL ESTADO EXCITADO.

Autor: LIFANTE PEDROLA GINES.
Año: 1988.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID .
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA UAM..

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HA ABORDADO EL ESTUDIO DEL CENTRO LASER F2+ Y (F2+)H EN HALUROS ALCALINOS, QUE COMPRENDE LA PRODUCCION, CARACTERIZACION Y MECANISMOS DE TRANSFORMACION, ASI COMO SU ESTABILIZACION CON IMPUREZAS. LA PRODUCCION DE CENTROS DE COLOR SE HA LLEVADO A CABO POR MEDIO DE IRRADIACION X Y FUNDAMENTALMENTE POR COLORACION ADITIVA. SE HAN UTILIZADO TECNICAS DE ABSORCION, FOTOLUMINISCENCIA Y ESPECTROSCOPIA FOTOACUSTICA PARA LAS CARACTERIZACIONES DE LOS CENTROS LASER. SE HAN OBTENIDO CENTROS F2+ Y (F2+)H EN CRISTALES DE NACL:OH Y KCL:CO3=, VERIFICANDO QUE ESTOS CENTROS SOLO SE FORMAN EN AQUELLOS CRISTALES QUE TRAS COLORACION ADITIVA DESARROLLAN DEFECTOS DE OXIGENO-VACANTE. SE HA ESTUDIADO LOS MECANISMOS DE TRANSFORMACION DE CENTROS F2+ Y (F2+)H EN NACL:OH, ASI COMO SUS PROPIEDADES BAJO LA TRANSICION 1STG--2PTTU. POR ULTIMO, SE HA MEDIDO LA EFICIENCIA CUANTICA DE ESTOS CENTROS, ENCONTRANDOSE QUE ES MUY PROXIMA AL 100%.

Autor: SANZ GARCIA JUAN ANTONIO.
Año: 1988.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA DE LA UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID..

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HAN ABORDADO LOS SIGUIENTES PUNTOS: -SE HAN INVESTIGADO LAS PROPIEDADES OPTICAS DE CRISTALES DE LINBO3 CON ESTEQUIOMETRIA. LOS TRABAJOS DE REDUCCION HAN PUESTO DE MANIFIESTO LA DIFERENTE REDUCTIBILIDAD EN FUNCION DE LA DISTINTA RELACION LI-NB PRESENTE EN LOS CRISTALES INVESTIGADOS. ASI MISMO, SE HAN ESTABLECIDO LAS CONDICIONES OPTIMAS PARA LA REDUCCION DE TI4+ A TI3+ A TRAVES DEL ESTUDIO DE LOS ESPECTROS OPTICO Y DE EPR DE LAS MUESTRAS TRATADAS, Y LA INFLUENCIA SOBRE DICHO PROCESO DE LA PRESENCIA DE FE. SE HAN ANALIZADO CRISTALES DE LINBO3 DOPADOS CON EU Y HF MEDIANTE TECNICAS DE RBS Y CANALIZACION IONICA, DETERMINANDOSE LAS POSICIONES RETICULARES DE AMBAS IMPUREZAS: NB Y LI EN EL CASO DEL EU Y LI EN EL DEL HF. SE HA PROFUNDIZADO EN EL ESTUDIO DE ASPECTOS BASICOS DEL CRECIMIENTO CRISTALINO DEL LINB03 Y CONTROLADO ALGUNOS DE LOS PARAMETROS QUE CONTRIBUYEN A LA MEJORA DE LA PERFECCION CRISTALINA. SE HA PUESTO A PUNTO UN METODO DE ANALISIS QUIMICO QUE PERMITE CONOCER EL CONTENIDO EN LI20 CON UNA PRECISION DE +-0,4% MEDIANTE EL ANALISIS CONJUNTO DE NB Y LI.

Autor: RODRIGUEZ CARVAJAL JUAN JOSE.
Año: 1983.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: FACULTAD DE FISICA. UNIVERSIDAD DE BARCELONA..

Resumen: SE ESTUDIA LA DISTRIBUCION ESPACIAL DE VACANTES ANIONICAS EN OXIDOS DE FORMULA A B O SUB 3-Y UTILIZANDO TECNICAS EXPERIMENTALES TALES COMO LA DIFRACCION DE RAYOS X (METODO DE RIETVELD) LA DIFRACCION DE ELECTRONES Y LA MINOSCOPIA ELECTRONICA DE ALTA RESOLUCION Y LA ESPECTROSCOPIA MOSSBANER. LOS SISTEMAS ESTUDIADOS SON: SR CO O SUB 3-Y CA SUB 2 LA FE SUB 3 O SUB 8 SR TI SUB 1-X FE SUB X O SUB 3-Y Y ER SUB 1-X SR SUB X FE O SUB 3-Y. SE HA PUESTO DE MANIFIESTO DIVERSOS TIPOS DE ESTRUCTURAS DERIVADAS DE LA PEROVSKITA Y RESULTANTES DEL ORDEN PERIODICO DE LOS DEFECTOS (VACANTES ANIONICOS) EN LOS SISTEMAS SEÑALADOS; SALVO EN EL SR TI SUB 1-X FE SUB X O SUB 3-Y EN DONDE LAS VACANTES NO SE ORDENAN PERIODICAMENTE.

Autor: DIEGUEZ DELGADO ERNESTO.
Año: 1982.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID .
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE OPTICA Y ESTRUCTURA DE LA MATERIA. FACULTAD DE CIENCIAS. UNIVERSIDAD AUTONOMA. MADRID.

Resumen: SE ESTUDIAN LOS DEFECTOS EN KDP EMPIFANDOSE TECNICAS DE CONDUCTIVIDAD ELECTRICA Y TECNICAS DE LUMINISCENCIA. LOS CRISTALES PUROS Y DOPADOS SE PREPARAN A PARTIR DE METODOS DE CRECIMIENTO EN SOLUCION EN MEDIO ACUOSO Y EN MEDIO GEL. SE ESTUDIAN LOS DEFECTOS GENERADOS EN EL DOPAJE DE LOS CRISTALES APLICANDO UN CAMPO ELECTRICO ESTUDIANDOSE TAMBIEN EL COMPORTAMIENTO NO-OHMICO ANTE CAMPOS ELEVADOS. SE ESTUDIAN LOS DEFECTOS CREADOS POR RADIACION X DESDE 10 K HASTA 430 K POR TECNICAS DE ABSORCION OPTICA BLANQUEO TERMICO RADIOLUMINISCENCIA Y TERMOLUMINISCENCIA.

Autor: CUSSO PEREZ FERNANDO.
Año: 1979.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID..

Resumen: SE HAN ESTUDIADO LAS PROPIEDADES DE RELAJACION DIELECTRICA DE HALUROS ALCALINOS (LIF NACL KCL KBR KI) CON IMPUREZAS CATIONICAS DIVALENTES (X ELEVADO A 2+) POR MEDIO DE LA TECNICA DE ITC. SE HAN ESTUDIADO LAS VARIACIONES SISTEMATICAS DE LOS PARAMETROS DE ACTIVACION CON EL RADIO IONICO DESARROLLANDOSE UN MODELO QUE EXPLICA SATISFACTORIAMENTE LAS MISMAS. SE HAN ESTUDIADO TAMBIEN LAS PROPIEDADES DE AGREGACION EN ESTOS SISTEMAS.