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IONIZACIÓN Y EXCITACIÓN DISOCIATIVAS PRODUCIDAS POR IMPACTO ELECTRONICO SOBRE FLUOROMETANOS (CF4,
CHF3, CH2F2 Y CH3 F). Autor: TORRES NOVALBOS INMACULADA. Año: 2000. Universidad: PAIS VASCO. Centro de lectura: CIENCIAS. Centro de realización: DPTO. QUÍMICA FÍSICA FACULTAD DE CIENCIAS UPV/EHU LEIOA.
Resumen: El estudio de los procesos colisionales en los que
intervienen halometanos es de creciente actividad y constituye un formidable desafío en la investigación tanto téorica como experimental ya que la importancia de los plasmas de baja temepratura queda patente en sus mútliples aplicaciones; alumbrado
de alto rendimiento, grabado de semiconductores en procesadores y circuitos integrados en elelctrónica, esterilización de material médico y alimentos, tratamiento de gases contaminantes y potabilización de agua, etc.
El estudio llevado a cabo aporta información sobre las características del plasma generado por bombardeo electrónico de media y alta energía fluorometanos (CF1, CHF3, CH2, F2 y CH3F). En una primera parte se centra el estudio en los fragmentos
iónicos. La técnica empleada, EI-TOF-MS, permiten , además de la determinación de SEI parciales, la obtención de otros parámetros relevantes, como las DEC de los fragmentos iónicos y sus umbrales de aparición, que, junto con cálculos termodinámicos,
forman las bases para la identificación de los caminos de reacción. El estudio sobre la ionización de fluorometanos se completa con el cálculo teórico de secciones eficaces de ionización totales para todos los gases utilizando tanto métodos ab-inito
(Deutsch-Märk, Kim-BEB y Khare-BEB) como semi-empíricos (regla de actvidad modificada y método de polarizabilidad).
En un segundo apartado se analiza la emisión de los fragmentos excitados, esencialmente átomos de flúor, en la región espectral de 500-900 nm. Se ha demostrado que las especies activas en el grabado de semiconductores de silicio son átamos de
halógenos exctiados en ciertos niveles. El conocimiento de las energías implicadas en los plasmas grabado y el rendimiento de producción de las especies (factores estrechamente relacionados con la sección eficaz de emisión) son cruciales para el
modelado de plasmas. El estudio de la dependencia de la sección efica de emisión con la energía de impacto de electrón se puede utilizar para caracterizar el proceso que tiene lugar en la colisión electrón-molécula, es decir, la probabilidad
(independiente del tiempo) de que se produzca una determinada excitación. RESPUESTA DINAMICA DE ELECTRONES EN SOLIDOS: EFECTOS NO LINEALES Y DE ESTRUCTURA DE BANDAS.
Autor: CAMPILLO SANTOS IGOR. Año: 1998. Universidad: PAIS VASCO. Centro de lectura: CIENCIAS.
Resumen: El estudio del comportamiento de las excitaciones individuales
y colectivas de los constituyentes de la materia es uno de los grandes retos de la Física.
El presente trabajo consta de dos partes diferenciadas. La primera parte se dedica al estudio de fenómenos no lineales en la interacción de cargas con el gas de electrones homogéneo. Haciendo uso de técnicas diagramáticas se ha investigado la
excitación de plasmones dobles que acompaña al paso de electrones rápidos a través de metales, se analizan las contribuciones de plasmones y excitaciones individuales electrón-hueco en el término Z3 del poder de frenado, y se evalua de forma
rigurosa la distribución espacial del potencial y la densidad inducidos cuadráticos.
La segunda parte se centra en el estudio de la función de respuesta dinámica de sólidos reales. Con el desarrollo de las técnicas ab initio es posible abordar el estudio de la dinámica electrónica desde un punto de vista más realista, asumiendo
el hecho de que el sólido es un medio anisótropo, que los electrones se mueven en una red de iones, y teniendo en cuenta, en los metales de transición, el papel de los electrones de tipo d de una manera consistente. Así, se presenta inicialmente el
formalismo básico de la función de respuesta lineal y de su construcción ab initio. Se reproducen los cálculos realizados hasta la fecha de la función de respuesta de aluminio y silicio y se presenta, por primera vez, la evaluación y discusión de la
respuesta dinámica del cobre. Posteriormente, se aplican las técnicas ab initio al estudio del poder de frenado de sólidos reales y, en particular, de aluminio y de silicio. Finalmente, se investiga el tiempo de vida de electrones excitados cerca
del nivel de Fermi en cobre y aluminio. PERDIDA DE ENERGIA Y DAÑADO EN LA INTERACCION DE HACES DE ELECTRONES CON LA MATERIA.
Autor: GARCIA MOLINA RAFAEL. Año: 1986. Universidad: VALENCIA. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: DTO. F. TEORICA V. VALENCIA.
Resumen: EN ESTA
MEMORIA SE HA ESTUDIADO TEORICAMENTE ALGUNOS ASPECTOS DE LA INTERACCION DE HACES DE ELECTRONES CON MEDIOS SOLIDOS QUE NO HABIAN SIDO TRATADOS PREVIAMENTE EN LA LITERATURA CIENTIFICA TALES COMO: EFECTOS DERIVADOS DE LA GEOMETRIA NO PLANA DE LA
MUESTRA Y EL TRATAMIENTO RETARDADO O NO RETARDADO EN LA DESCRIPCION UTILIZADA PARA ESTUDIAR LOS ESPECTROS DE PERDIDAS ENERGETICAS DE LOS ELECTRONES. TAMBIEN SE HA ESTUDIADO COMO AFECTA ESTA PERDIDA ENERGETICA DEL HAZ A UNA MUESTRA ORGANICA
ELABORANDO UN MODELO TEORICO QUE PERMITE DESCRIBIR EL DAÑADO PRODUCIDO EN EL MATERIAL EN FUNCION DEL NUMERO DE IONIZACIONES DE LA CAPA INTERNA DE LOS ATOMOS DE CARBONO DE LA MUESTRA.
PROPIEDADES ELECTRONICAS DE SUPERFICIES E INTERFASES EFECTOS DE LA INTERACCION ELECTRON-ELECTRON Y
ELECTRON-FONON. Autor: MUÑOZ GONZALEZ ALFONSO. Año: 1985. Universidad: AUTONOMA DE MADRID. Centro de lectura: CIENCIAS. Centro de realización: DPTO. FISICA DEL ESTADO SOLIDO - UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
MADRID.
Resumen: ESTUDIO DE LOS EFECTOS DE CORRELACION
CON HAMILTORIANOS HUBBARDEN SUPERFICIES -EFECTO DE ACOPLO ELECTRON-FONON EN SUPERFICIES Y ANALISIS DE SUPERFICIES IV III-V Y II-VI JUNTO CON EL ESTUDIO DE LAS PRIMERAS ETAPAS DE LA FORMACION DE INTERFASES.
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