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DESARROLLO DE UN MODELO PARA LA CARACTERIZACION PREDICTIVA DE PROCESOS DE TRATAMIENTO SUPERFICIAL
DE MATERIALES METALICOS CON ONDAS DE CHOQUE GENERADAS POR LASER . Autor: MORALES FURIO MIGUEL
. Año: 2003. Universidad: POLITECNICA DE MADRID. Centro de lectura: E.T.S.I. INDUSTRIALES. Centro de realización: E.T.S.I INDUSRIALES.
Resumen: El tratamiento superficial por ondas de choque generadas por láser es considerado en el momento presente como una tecnología emergente para la
mejora de propiedades de resistencia mecánica de materiales metálicos de interés estratégico cuyo desarrollo con vistas a su implantación a nivel industrial es objeto de estudio en importantes laboratorios y centros de investigación de todo el
mundo, de manera que la misma está, sin duda, llamada a constituir una tecnología básica de tratamiento sobre la que se han de apoyar importantes mejoras en la capacidad de servicio de componentes mecánicos de importancia crítica.
El resultado característico del tratamiento superficial de materiales por ondas de choque generadas por láser consiste en el endurecimiento de una delgada capa de material bajo la superficie del mismo y en la inducción de un campo de tensiones
residuales de compresión. Estas modificaciones propician una mejora significativa de las propiedades de dicho material afectadas por el inicio o propagación de grietas superficiales.
El desarrollo de la presente Tesis se ha enfocado específicamente a la predicción de algunos de los efectos más importantes que tienen lugar durante los tratamientos mediante ondas de choque generadas por láser. En concreto se ha desarrollado un
modelo para el estudio de la interacción láser-materia para determinar el pulso de presión generado en el blanco, se ha desarrollado un modelo para la determinación del umbral de ruptura dieléctrica del medio confinante y el efecto que ésta tiene
sobre el pulso de presión finalmente aplicado sobre el material y se han estudiado los efectos mecánicos producidos por el tratamiento en aleaciones típicas analizando la influencia de la variación de los distintos parámetros del proceso.
El modelo presentado permite reproducir las condiciones en las que se realizan los tratamientos superficiales mediante ondas de choque generadas por láser, es decir, tiene en cuenta la ruptura dieléctrica del medio confinante, determina el pulso
de presión y obtiene el campo de tensiones residuales resultante en el material tratado bajo distintas condiciones espaciales y temporales de aplicación. Sus predicciones se han validado reproduciendo resultados experimentales publicados.
En resumen, el sistema propuesto se considera como el único capaz de simular los tratamientos superficiales mediante ondas de choque generadas por láser teniendo en cuenta las condiciones reales. Su empleo permitirá conocer el tratamiento
adecuado para alcanzar los requerimientos industriales deseados y reducir, de esta forma, la amplitud de las baterías experimentales y sus posteriores medidas con un consiguiente ahorro de tiempo y recursos. PÉRDIDA DE ENERGÍA Y ESTADOS DE CARGA DE PROYECTILES ATÓMICOS Y MOLECULARES CUANDO ATRAVIESAN
LÁMINAS DELGADAS . Autor: HEREDIA AVALOS SANTIAGO. Año: 2002. Universidad: MURCIA. Centro de lectura: QUÍMICA
. Centro de realización: UNIVERSIDAD DE MURCIA.
Resumen: En este trabajo estudiamos algunos de los fenómenos que tienen lugar cuando un proyectil de naturaleza atómica o molecular atraviesa una lámina delgada. Haciendo uso del formalismo dieléctrico
hemos calculado la pérdida de energía de proyectiles atómicos considerando su estructura electrónica y caracterizando el medio frenante mediante su función de pérdida de energía. Por otra parte, hemos presentado un modelo que permite cuantificar de
una forma sencilla cómo la polarización de un proyectil atómico, debida al campo eléctrico que induce en el medio, afecta a su pérdida de energía.
Respecto a proyectiles moleculares, hemos analizado cómo la estructura geométrica, la energía y la orientación del proyectil molecular afectan a su pérdida de energía cuando viaja a través de un sólido.
También hemos estudiado los efectos de vecinidad en la pérdida de energía, es decir, las diferencias entre la pérdida de energía de los iones atómicos que constituyen el proyectil molecular y la pérdida de energía de estos iones atómicos
considerados aisladamente. Por otra parte, hemos desarrollado un modelo que nos permite evaluar los efectos de vecindad en los estados de carga de los iones atómicos que constituyen un proyectil molecular. Otro fenómeno que hemos analizado, con
relación al estado de carga de los iones atómicos que constituyen un proyectil molecular, es el tiempo necesario para que cualquiera de estos iones atómicos adquiera su estado de carga de equilibrio. En este contexto, hemos propuesto un modelo que
nos permite cuantificar la importancia del estado de carga transitorio en la pérdida de energía de un proyectil molecular.
Por último, hemos mejorado un programa de simulación, previamente desarrollado por nuestro grupo de investigación para estudiar la interacción de proyectiles atómicos y moleculares de hidrógeno con sólidos, de tal manera que ahora nos permite
calcular la distribución de pérdida de energía y la distribución espacial de los iones atómicos resultantes de la disociación de cualquier proyectil molecular Nuestro programa nos permite conocer la posición y velocidad de cada uno de los iones
atómicos que componen el proyectil molecular haciendo uso de la dinámica molecular y de la técnica de Monte Carlo. Incluye las fuerzas de frenado o stopping power con sus fluctuaciones (debidas al straggling), las fuerzas del potencial estela o
wake, la explosión colombiana y las colisiones nucleares. INNOVACIONES TECNOLOGICAS EN LOS SISTEMAS DE POTENCIA, CONTROL Y DETECCION DE LUZ, EN LAS
INSTALACIONES DE RADIACION SINCROTRON . Autor: BELTRAN CHIVA DAVID. Año: 2000. Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA. Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Resumen: En esta Tesis se han presentado las especificaciones de las fuentes de potencia de los sistemas de imanes, radiofrecuencia y vacio, para la primera
instalacion de luz sincrotron española. Se ha especificado y encargado a una empresa española la fabricacion de una fuente de potencia DC de intensidad maxima 1500 A y 100 ppm de estabilidad a 850 A, la estabilidad de la cual ha sido medida,
obteniendo una precision de 81 ppm.
Dentro de la parte de control se ha diseñado y construido el sistema de control y de adquisicion de datos del Banco de medidas Magneticas(BMM) de LLs. Este sistema presenta una arquitectura distribuida y modular, emplea el toolkit EPICS para el
desarrollo del software y ha servido para evaluar el sistema de control general del acelerador propuesto para el LLS. Tras un proceso de optimizacion de software y hardware, hemos conseguido unas excelentes prestaciones: un punto experimental cada
2,5 segundos con un error relativo pico a pico del campo magnetico medido de +-2.10 -4.
La excelencia del BMM se ha utilizado para caracterizar el prototipo de iman combinado del LLS, y ha merecido el encargo de las medidas de caracterizacion de los imanes dipolares principales de los sincrotrones aleman (Anka) y canadiense (CLS).
Evidenciadas las limitaciones de la herramienta Sequencer de EPICS, hemos resuelto estos problemas y aumentado sustancialmente sus prestaciones mediante el desarrollo e implantacion de una nueva herramienta, FSQT. Esta herramienta facilita su
empleo en otros sistemas de control diferentes a EPICS.
Con el paquete FSQT ha sido mejorada en un factor 10 la velocidad de transiciones entre estados con respecto al Sequencer. Se ha aplicado FSQT en un diseño alternativo para el sistema de control del BMM. La mejora de las prestaciones respecto
del Sequencer fue notable: se suprimieron las perdidas de eventos y las incetidumbres de procesamiento de registros, aumento la rapidez de respuesta del sistema, y mejoro la coordinacion entre aplicaciones, a lo que cabria añadir una mayor facilidad
de programacion, al reducir hasta en un 50% el numero de estados y hasta en un 75% el numero de transiciones. Las inherentes ventajas de FSQT en el diseño de aplicaciones basadas en maquinas de estados para sistemas de tiempo real lo confirman como
candidato para una futura herramienta de la colaboracion.
Dentro de la electronica analogica de un detector de rayos X, hemos elaborado un diseño completamente novedoso para las lineas de retardo discretas con distancias entre catodos de 1 mm, con una dispersion temporal inferior a +-5% para un retardo
de la linea de 130 ns.
Se ha elaborado un nuevo diseño para un preamplificador de carga empleando circuitos integrados comerciales, nunca antes utilizados con contadores proporcionales basados en lineas de retardo. El circuito resultante, presenta una relacion señal a
ruido superior a los 40 dB, una ganancia de 0.42 uV/e, una impedancia de entrada de 50 , un tiempo de subida de un pulso de 9.4 ns y una duracion de este inferior a los 120 ns.
La correcta funcionalidad del circuito ha sido comprobada experimentalmente en el EMBL de Grenoble (Francia), con detectores MWPC basados en lineas de retardo.
EXCITACIONES PLASMONICAS EN LA PLATA Y NEUTRALIZACION DE IONES DE HE+ EN LA SUPERFICIE DE UN
METAL. Autor: CAZALILLA GUTIERREZ MIGUEL ANGEL. Año: 1999. Universidad: PAIS VASCO. Centro de lectura: QUIMICA
. Centro de realización:
FACULTAD DE QUIMICA.
Resumen: En la presenta memoria se ha aplicado la
teoría de respuesta y el modelo de Fano-Anderson a dos problemas diferentes. En el primer capítulo estudiamos las excitaciones plasmónicas de la plata y, en general, de los metales nobles. Estos metales presentan un espectro de pérdida de energía en
el límite de largas longitudes de onda realmente atípico, y que no puede ser entendido con los modelos sencillos empleados para otros metales. Mostramos que una la parte de baja energía del espectro puede ser entendida en términos de un
sencillomodelo similar al de Fano-Anderson. Las conclusiones extraidas del analisis con este modelo son comprobadas posteriormente realizando cálculos de primeros principios del espectro de la plata, empleando la función respuesta y el teorema de
fluctuación-dispación.
En el segundo capítulo nos ocupamos de la neutralización de iones de He+ en la superficie de un metal. Realizamos un cálculo de la probabilidad de neutralización de los iones por unidad de tiempo, teniendo en cuenta el efecto del potencial del
ion sobre los estados de la superficie del metal, para la que elegimos aluminio. Mostamos la importancia de considerar los estados atómicos excitados, que se convierten en resonancias por su interaccion con la banda de conducción. La respuesta de la
superficie del metal esmodelizada en la RPA y la ALDA, obteniendo resultados similares para el rate de neutralización. Adicionalmente, mostramos que este tratamiento similares para el rate de neutralización. Adicionalmente, mostramos que este
tratamiento es capaz de dar cuenta de la probabilidad de desexcitación de átomos de helio excitados frente a una superficie metálica. EFECTOS DINAMICOS EN LA INTERACCION DE CARGAS CON LA MATERIA: PERDIDAS DE ENERGIA EN AISLANTES Y
VIDAS MEDIAS DE ELECTRONES LENTOS . Autor: ZARATE LARRINAGA ENRIQUE. Año: 1999. Universidad: PAIS VASCO. Centro de lectura: QUIMICA. Centro de realización: FACULTAD DE QUIMICA.
Resumen: La
presente tesis se encuentra dividida en 5 capítulos:
El primero de ellos presenta el formalismo y las aproximaciones que serán utilizados en los capítulos siguientes. Se muestra cómo los cálculos de las pérdidas de energia y de las vidas medias son realmente muy semejantes si exceptuamos las
diferencias en las propiedades dinámicas de electrones e iones.
El capítulo 2 presenta los resultados de nuestro estudio de las pérdidas de energía de iones en aislante.
Los tres capítulos restantes se ocupan de las vidas medias de electrones lentos en sólidos. El capitulo 3 estudia el efecto que sobre las vidas medias tiene la gran densidad de estados asociada a las bandas d en metales nobles y ferromagnéticos
y que es responsable de la dependencia con el espín de las vidas medias en éstos ultimos.
El capitulo 4 estudia el apantallamiento adicional que proporcionan los electrones d en metales nobles y que produce vidas medias más largas que las obtenidas para un gas de electrones libres debido al debilitamiento de la interacción.
Finalmente el capitulo 5 se ocupa del efecto que la localización del estado inicial tiene sobre las vidas medias obteniendo que un electrón vive tanto más cuanto más localizado se encuentre. DESARROLLO DE TECNICAS DOSIMETRICAS PARA SU APLICACION EN DOSIMETRIA "IN VIVO" EN TERAPIA DE ALTA
ENERGIA. Autor: DUCH GUILLEN M. AMOR. Año: 1998. Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA. Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES.
Resumen: El objetivo de este trabajo ha consistido en el desarrollo y puesta a punto de diversas técnicas dosimétricas para la verificación de sistemas de dosimetría "in vivo" y su aplicación a las condiciones de los
tratamientos radioterapéuticos de irradiación corporal total (ICT). En particular, se han desarrollado técnicas de dosimetría termoluminiscente (TL) y se ha llevado a cabo la implementación de técnicas de Monte Carlo para la simulación del
transporte de la radiación para la resolución de problemas de interés.
Los tratamientos de ICT forman parte del protocolo terapéutico utilizado en la cura de la leucemia y consisten en la administración de altas dosis de radiación a todo el cuerpo previamente al trasplante de médula ósea. En este tipo de
tratamientos está especialmente recomendada la utilización de sistemas de dosimetría "in vivo", en los que las determinaciones dosimétricas se efectúan directamente en uno o varios puntos del paciente durante el proceso de irradiación. Para llevar a
cabo este tipo de estudios las técnicas habituales son la dosimetría por termoluminiscencia y la dosimetría por medio de semiconductores. En este sentido, en este trabajo se han implementado técnicas de dosimetría TL basadas en detectores de LiF:Mg,
Ti y LiF:Mg, Cu, P. Hasta el momento el material termoluminiscente más frecuentemente utilizado ha sido el LiF:Mg, Ti, no obstante, el LiF:Mg, Cu, P, recientemente comercializado, por su gran sensibilidad a las radiaciones parece sumamente apropiado
para su uso en dosimetría, aunque algunos investigadores han manifestado sus reservas respecto a las limitaciones en su reutilización. En este trabajo se han investigado las posibilidades que tiene dicho material en el campo médico. Los resultados
obtenidos muestran que el LiF:Mg, Cu, P una buena respuesta en energía, y posee un amplio rango de linealidad en función de la dosis. Mediante los procedimientos de reutilización descritos en este trabajo el nuevo material no ha presentado los
inconvenientes descritos por otros autores en cuanto al grado de reproducibilidad de la respuesta termoluminiscente en sucesivos usos.
Una vez establecido el método de utilización de los detectores termoluminiscentes, estos han sido aplicados en la implementación de un sistema de medida de dosis interna y la presentación de un sistema de dosimetría "in vivo" que, empleado
conjuntamente con el algoritmo de cálculo de dosis interna propuesto, permite estimar la dosis a plano medio del paciente a partir de las lecturas "in vivo". El sistema presentado ha sido validado mediante la medida de dosis en un maniquí
antropomórfico y la comparación con otro sistema de dosimetría "in vivo".
Como complemento a las técnicas experimentales en este trabajo se han utilizado métodos de Monte Carlo para la simulación de los haces de radiación generados en condiciones de ICT. Las técnicas de Monte Carlo han ayudado a interpretar mejor los
resultados obtenidos, y han resultado necesarias para la justificación de la influencia de los materiales de protección para los órganos críticos del paciente, empleados durante algunas irradiaciones, en la calidad del haz.
De los resultados obtenidos se desprende que la utilización de nuevos materiales de detección, como es el caso del material LiF:Mg, Cu, P y el desarrollo de técnicas de simulación Monte Carlo pueden contribuir a la optimización de los
tratamientos radioterapéuticos. Durante la elaboración de esta tesis se han realizado 11 comunicaciones a congresos (5 internacionales) y 3 artículos en revistas internacionales.
ESTUDIO DE LA PLUMA DE ABLACION DE HIDROXIAPATITA CON LASER MEDIANTE ADQUISICION RAPIDA DE IMAGENES
CON RESOLUCION ESPECTRAL Y TEMPORAL. Autor: SERRA COROMINA PEDRO. Año: 1996. Universidad: BARCELONA. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA Y ELECTRONICA PROGRAMA DE
DOCTORADO: FISICA Y TECNOLOGIA DE MATERIALES.
Resumen: EL DEPOSITO DE CAPAS FINAS DE HIDROXIAPATITA (HA)
CON LASER PULSADO SE HA REVELADO COMO UNA TECNICA MUY ADECUADA PARA LA OBTENCION DE RECUBRIMIENTOS BIOACTIVOS PARA IMPLANTES DE TI EN APLICACIONES MEDICAS. DADO QUE NO EXISTE UN BUEN CONOCIMIENTO DE LOS MECANISMOS FUNDAMENTALES INVOLUCRADOS EN ESTE
PROCESO, ES NECESARIO REALIZAR UN ESTUDIO DONDE SE ANALICE LA DINAMICA Y COMPOSICION DE LA PLUMA GENERADA POR ABLACION DE HA CON LASER. ESTE ES, PUES, EL OBJETIVO DEL PRESENTE TRABAJO.
LAS TECNICAS DESARROLLADAS EN ESTE ESTUDIO PARA EL ANALISIS DE LA PLUMA GENERADA POR ABLACION DE HA CON LASER DE KRF HAN SIDO LA ADQUISICION DE IMAGENES CON CAMARA CCD RAPIDA E INTENSIFICADA Y LA ESPECTROSCOPIA OPTICA DE EMISION LAS CUALES
PERMITEN OBTENER LAS RESOLUCIONES ESPACIAL Y TEMPORAL REQUERIDAS A TAL EFECTO.
LAS IMAGENES OBTENIDAS EN VACIO MUESTRAN LA EXISTENCIA DE TRES DIFERENTES COMPONENTES EMISIVAS EN LA PLUMA. LA PRIMERA, DE FORMA ALARGADA, SE EXPANDE A VELOCIDADES DEL ORDEN DE 10 4 M/S PARA LAS FLUENCIAS DE LASER HABITUALES DE LOS EXPERIMENTOS
DE DEPOSITO. LA SEGUNDA PRESENTA VELOCIDADES DE EXPANSION DEL ORDEN DE 10 3 M/S Y, FINALMENTE, LA TERCERA SE EXPANDE A VELOCIDADES DEL ORDEN DE 10 2 M/S.
LAS MEDIDAS ESPECTROSCOPICAS HAN PERMITIDO IDENTIFICAR LA PRESENCIA DE CAI, CAII, PI, OI Y OXIDO DE CALCIO EN LA PLUMA, COMO PRINCIPALES ESPECIES EMISIVAS. LAS IMAGENES MEDIANTE FILTROS INTERFERENCIALES HAN RELACIONADO ESTAS ESPECIES CON LAS DOS
PRIMERAS COMPONENTES DE LA PLUMA. LA PRIMERA, DE NATURALEZA EMINENTEMENTE ATOMICA Y LA SEGUNDA, MOLECULAR. TAMBIEN SE HA IDENTIFICADO LA TERCERA COMPONENTE COMO FORMADA POR GOTAS INCANDESCENTES EMITIDAS DIRECTAMENTE DE LA SUPERFICIE FUNDIDA DEL
BLANCO.
EXPERIMENTOS LLEVADOS A CABO EN UNA ATMOSFERA DE 0.1 MBAR DE AGUA HAN MOSTRADO LA FORMACION DE UNA ONDA DE CHOQUE EN EL FRENTE DE EXPANSION DE LA PLUMA, DEBIDO AL CONFINAMIENTO DE LAS ESPECIES POR PARTE DEL GAS AMBIENTE.
LOS RESULTADOS DE LAS MEDIDAS ESPECTRALES MUESTRAN LA FORMACION DE OXIDOS DE CALCIO TAMBIEN EN EL FRENTE, DEBIDOS A LA PRESENCIA DE REACCIONES QUIMICAS EN EL PLASMA. INTERACCION DE IONES LENTOS CON SOLIDOS: EXCITACIONES ELECTRONICAS, PODER DE FRENADO Y EMISION
CINETICA DE ELECTRONES. Autor: CALERA RUBIO JORGE. Año: 1995. Universidad: VALENCIA. Centro de lectura: FISICA
. Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA.
Resumen: EN EL PRIMER CAPITULO SE PRESENTAN CALCULOS AB
INITIO DE LA DISTRIBUCION ENERGETICA Y ANGULAR DE ELECTRONES EXICITADOS POR UN ION LENTO QUE ATRAVIESA UN GAS DE ELECTRONES HOMOGENEO; LA INTERACCION SE DESCRIBE EN TERMINOS DE LOS CORRIMIENTOS DE FASE SUFRIDOS POR LOS ELECTRONES OBTENIDOS POR EL
FORMALISMO DENSIDAD FUNCIONAL, SE COMPARAN LOS RESULTADOS CON LOS OBTENIDOS A PARTIR DEL FORMALISMO DIELECTRICOS (FUNCION DIELECTRICA DE LINHARD). EN EL SEGUNDO CAPITULO SE CALCULA LA PERDIDA DE ENERGIA DE ION A PARTIR DE LA DISTRIBUCION OBTENIDA
ANTERIORMENTE, CALCULO EQUILVALENTE AL REALIZADO MENDIANTE LA APROXIMACION DE LA SECCION EFICAZ DE TRANSPORTE (TCSA), PROPONIENDOSE UN MODELO BASADO EN LA APROXIMACION DE DENSIDAD LOCAL (LDA) QUE EXPLICA LAS DISCREPANCIAS ENCONTRADAS CON LOS
EXPERIMENTOS EN CONDICIONES DE INCIDENCIA ALEATORIA. ASIMISMO SE REALIZA UN ESTUDIO DE LA DEPENDENCIA DEL STOPPING POWER CON LA DENSIDAD ELECTRONICA DEL GAS DE ELECTRONES Y CON EL PARAMETRO DE IMPACTO EN CONDICIONES DE CHANNELING.
FINALMENTE, EN EL TERCER CAPITULO, SE HACE EVOLUCIONAR LA CASCADA DE ELECTRONES SECUNDARIOS A LA SUPERFICIE DEL SOLIDO Y SE OBTIENE, PARA UN MODELO MUY SIMPLIFICADO, EL YIELD DE ELECTRONES SECUNDARIOS EMITIDOS, COMPARANDOSE CON DIVERSOS
EXPERIMENTOS REALIZADOS. SIMULACION DEL SPUTTERING Y DE LA CRISTALIZACION PRODUCIDOS POR BOMBARDEO IONICO EN SILICIO.
Autor: MARQUES CUESTA LUIS ALBERTO. Año: 1995. Universidad: VALLADOLID. Centro de lectura: CIENCIAS. Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA
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Resumen: HEMOS
ESTUDIADO MEDIANTE SIMULACION EL SPUTTERING Y LA CRISTALIZACION DE LA FASE AMORFA PRODUCIDOS POR BOMBARDEO IONICO EN SILICIO. PARA ELLO HEMOS DESARROLLADO UN CODIGO DE DINAMICA MOLECULAR Y UN ALGORITMO QUE PERMITE REDUCIR SUSTANCIALMENTE EL TIEMPO
DE CALCULO NECESARIO EN ESTE TIPO DE SIMULACIONES.
EN CUANTO AL SPUTTERING, HEMOS JUSTIFICADO POR QUE EXPERIMENTALMENTE SE OBSERVA UN AUMENTO EN EL RENDIMIENTO CON LA DOSIS IMPLANTADA. PARA ELLO HEMOS TENIDO EN CUENTA LA AMORFIZACION DEL BLANCO Y LA ACUMULACION DE IONES EN SU INTERIOR. HEMOS
VISTO QUE DICHO AUMENTO ESTA CAUSADO POR EL DEBILITAMIENTO DE LOS ENLACES ENTRE LOS ATOMOS DE SILICIO DEBIDO A LOS IONES IMPLANTADOS.
POR OTRO LADO, HEMOS ESTUDIADO EN QUE CONDICIONES LA IRRADIACION IONICA PUEDE FAVORECER EL PROCESO DE CRISTALIZACION DEL SILICIO AMORFO. PARA ELLO HEMOS VISTO LA INFLUENCIA DEL SOBRECALENTAMIENTO Y EL DAÑADO PRODUCIDOS EN EL BOMBARDEO SOBRE EL
CRECIMIENTO DE PEQUEÑAS SEMILLAS CRISTALINAS. ASIMISMO, HEMOS ANALIZADO LA EVOLUCION MICROESTRUCTURAL DEL MATERIAL DURANTE LA TRANSFORMACION, ENCONTRANDO BUEN ACUERDO CON RESULTADOS EXPERIMENTALES. SIMULACION DE LA IMPLANTACION IONICA EN CRISTALES, INCLUYENDO BAJA ENERGIA Y ACUMULACION DE
DAÑADO. Autor: ARIAS ALVAREZ JESUS. Año: 1994. Universidad: VALLADOLID. Centro de lectura: CIENCIAS. Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA
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Resumen: LA
IMPLANTACION IONICA ES UNA TECNICA AMPLIAMENTE UTILIZADA EN LA INDUSTRIA MICROELECTRONICA PARA LA INTRODUCCION CONTROLADA DE IMPUREZAS EN SEMICONDUCTORES.
EN LA MEMORIA DE ESTA TESIS SE DESCRIBE EL MODELO NUMERICO QUE HEMOS DESARROLLADO PARA LA SIMULACION DE LA IMPLANTACION IONICA. ESTE MODELO ES DEL TIPO DE COLISIONES BINARIAS, EN EL QUE SE UTILIZA EL METODO DE MONTE CARLO, Y HA SIDO DESARROLLADO
A PARTIR DEL CODIGO DEL PROGRAMA MARLOWE, DE ROBINSON Y TORRENS.
ESTE MODELO PERMITE MEJORAR LAS PREDICCIONES DEL PROGRAMA PARA IMPLANTACIONES EN MATERIALES CRISTALINOS, CON BAJA ENERGIA O CON DOSIS ALTAS. SE PRESENTAN LOS RESULTADOS DE LA SIMULACION DE VARIAS IMPLANTACIONES DE BORO Y FOSFORO EN SILICIO,
JUNTO CON PERFILES EXPERIMENTALES. ESTUDIO DE LA FOTODESORCION INDUCIDA EN METALES POR RADIACION DE SINCROTRON: APLICACION AL "LARGE
HADRON COLLIDER". Autor: GOMEZ GOÑI JESUS M.. Año: 1993. Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO:
FISICA DE MATERIALES.
Resumen: EN EL MARCO DEL DISEÑO DEL PROXIMO COLISIONADOR
DE PARTICULAS DEL LABORATORIO EUROPEO DE FISICA DE PARTICULAS (CERN), EL DENOMINADO "LARGE HADRON COLLIDER" (LHC), ESTE TRABAJO ESTUDIA LA DESORCION INDUCIDA POR RADIACION DE SINCROTRON, EN EL RANGO DE ENERGIAS CRITICAS DEL COLISIONADOR PARA
DISTINTOS METALES (ACERO, CU Y AL).
SE ENCUENTRA UNA DEPENDENCIA PRACTICAMENTE LINEAL DE LOS COEFICIENTES DE FOTODESORCION CON LA ENERGIA CRITICA Y QUE EL HORNEADO PREVIO DEL SISTEMA REDUCE LOS COEFICIENTES DE FOTODESORCION, ESPECIALMENTE EL CORRESPONDIENTE AL AGUA. EXISTE UNA
RELACION LINEAL ENTRE EL AUMENTO OBSERVADO DE PRESION Y EL NUMERO DE FOTOELECTRONES PRODUCIDOS POR LA RADIACION INCIDENTE, LO QUE SUGIERE QUE LA DESORCION OCURRE EN DOS ETAPAS: LA PRIMERA EN LA QUE EL FOTON INCIDENTE ARRANCA UN ELECTRON, QUE
POSTERIORMENTE DESORBE UNA MOLECULA. EL ESTUDIO EN EL LABORATORIO DE LA DESORCION INDUCIDA POR ELECTRONES REVELA UN COMPORTAMIENTO PARECIDO DE LOS COEFICIENTES DE ELECTRODESORCION. LA DEPENDENCIA DEL COEFICIENTE DE DESORCION DE H2 CON LA DOSIS SE
AJUSTA CON UN MODELO DE DIFUSION, CON UNA CONCENTRACION DE H2 QUE DISMINUYE CON LA PENETRACION EN EL MATERIAL. EL COEFICIENTE DE DIFUSION ES INDEPENDIENTE DE LA TEMPERATURA, LO QUE INDICA BIEN UNA DIFUSION INDUCIDA POR LOS FOTOELECTRONES EMITIDOS
POR LA RADIACION DE SINCROTRON, BIEN UNA PRODUCCION DE H2 EN LA SUPERFICIE PROVINIENTES DE LA CAPA DE OXIDO. POR ULTIMO, SE EXTRAPOLAN LAS MEDIDAS REALIZADAS AL SISTEMA DE VACIO DEL LHC, ENCONTRANDOSE QUE ES NECESARIO PERFORAR LA PANTALLA DEL HAZ,
PARA EVITAR QUE SE ALCANCE LA PRESION DE VAPOR DEL H2, SUPERIOR EN TRES ORDENES DE MAGNITUD A LA PRESION NOMINAL DE DISEÑO. MODIFICACIONES ESTRUCTURALES EN EL OXIDO DE SILICIO TERMICO INDUCIDAS POR LOS PROCESOS TECNOLOGICOS
EN MICROELECTRONICA: APLICACION DE LA ESPECTROSCOPIA INFRARROJA . Autor: GARRIDO FERNANDEZ
BLAS. Año: 1992. Universidad: BARCELONA. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: DEPARTAMENTO: CATEDRA DE
ELECTRONICA DEL DEPT. DE FISICA APLICADA Y ELECTRONICA DE LA FACULTAD DE FISICA DE LA UNIVERSIDAD DE BARCELONA.
Resumen: A LO LARGO DE
ESTE TRABAJO SE HAN ESTUDIADO LA ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DEL SIO2 Y DE SU INTERFICIE CON EL SILICIO.
LA ESTRUCTURA DEL SISTEMA DEPENDE DE LA TECNOLOGIA EMPLEADA EN EL CRECIMIENTO DEL OXIDO Y DE LOS TRATAMIENTOS ANTERIORES Y POSTERIORES AL PROCESO DE OXIDACION. SE HA REALIZADO UN ANALISIS COMPARATIVO ENTRE LOS OXIDOS CRECIDOS EN HORNO
CONVENCIONAL Y RTO. SE HA ESTUDIADO EL INFLUJO DE LOS TRATAMIENTOS TERMICOS DE RECOCIDO.
SE HA ANALIZADO LA INFLUENCIA DE LAS LIMPIEZAS DE LA SUPERFICIE DEL SILICIO ANTERIORES AL PROCESO DE OXIDACION. POR EJEMPLO, UN ANALISIS COMPARATIVO DEL ESTADO DE LA SUPERFICIE DEL SILICIO DESPUES DE UN TRATAMIENTO DE LA SUPERFICIE CON LIMPIEZAS
RCA CON ETAPA FINAL DE HF DILUIDO EN AGUA Y HF DILUIDO EN ETANOL. LOS ANALISIS CONFLUYEN EN LA PRESENCIA DE UNA CAPA DE OXIDO NATIVO DE MAYOR ESPESOR EN EL PRIMER CASO. LA MICROSCOPIA DE FUERZAS ATOMICAS REVELA MAYOR RUGOSIDAD DE LA SUPERFICIE
TRATADA CON HF DILUIDO EN AGUA. SE HA VERIFICADO QUE LA LEY DE EVOLUCION DEL ESTRES EN EL OXIDO CON RESPECTO AL TIEMPO DE RECOCIDO SIGUE UNA LEY EXPONENCIAL CON UN TIEMPO DE RELAJACION CARACTERISTICO.
SE HAN ESTUDIADO LOS EFECTOS DE DEGRADACION Y DAÑADO DE CAPAS GRUESAS DE OXIDO DE SILICIO AMORFO IRRADIADAS CON AR. SE HAN CRECIDO CAPAS DE OXIDO Y DESPUES SE HA PROCEDIDO A SU IMPLANTACION CON DOSIS DE IONES DE ARGON CON ENERGIAS ENTRE 130 Y
150 KEV. SE HA ESTUDIADO TAMBIEN LA RECUPERACION DE LAS ESTRUCTURAS DESPUES DE UN PROCESO DE RECOCIDO.
SON MUCHAS LAS TECNICAS DE ANALISIS QUE SE HAN UTILIZADO: XPS, TEM, SEM, AFM, ELIPSOMETRIA, MEDIDAS ELECTRICAS, ETC. SIN EMBARGO, NUESTRO TRABAJO HA ESTADO EN GRAN PARTE DEDICADO AL DESARROLLO Y APLICACION DE NUEVAS TECNICAS EXPERIMENTALES Y
TECNICAS DE MANIPULACION Y DE ANALISIS RELACIONADAS CON LA ESPECTROSCOPIA INFRARROJA POR TRANSFORMADA DE FOURIER, PARA LA CUAL SE HAN DESARROLLADO PROGRAMAS DE SIMULACION Y DE OBTENCION DE LA FUNCION DIELECTRICA DE LAS CAPAS.
EMPLEO DEL YODURO DE MERCURIO COMO DETECTOR DE RADIACION GAMMA. Autor: PEREZ MORALES JOSE MANUEL. Año: 1992. Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA ATOMICA, MOLECULAR Y NUCLEAR PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA ATOMICA, NUCLEAR Y
ASTROFISICA..
Resumen: EL HGI2 ES
UN MATERIAL SEMICONDUCTOR MUY ATRACTIVO PARA LA DETECCION DE RADIACION GAMMA A TEMPERATURA AMBIENTE.
ACTUALMENTE, ESTE MATERIAL CONSTITUYE UN CAMPO DE INVESTIGACION BASICA, A CAUSA DE SU APLICABILIDAD Y ESTADO TECNOLOGICO. EL PRESENTE TRABAJO DE INVESTIGACION ESTA FOCALIZADO SOBRE EL ESTUDIO TEORICO Y EXPERIMENTAL DE ESTE MATERIAL COMO DETECTOR
DE RADIACION GAMMA. SE DESCRIBEN DIFERENTES METODOS NO CONVENCIONALES DE ESPECTROSCOPIA APLICADOS A ESTOS DETECTORES. SE DESARROLLA TEORICA Y EXPERIMENTALMENTE UNA TECNICA DIGITAL DE ANALISIS DE LOS IMPULSOS PRODUCIDOS POR LA RADIACION EN EL
DETECTOR. ESTA TECNICA AYUDA A ENTENDER TEORICAMENTE LOS RESULTADOS DE LA APLICACION DEL METODO DE "RECOLECCION PARCIAL DE CARGA", SIRVIENDO EN EL PLANO EXPERIMENTAL PARA ESTUDIAR EL FENOMENO DE TRANSPORTE DE CARGA EN EL SENO DE DETECTORES DE HGI2.
SE ANALIZA EL COMPORTAMIENTO REAL DE DIVERSOS TIPOS DE DETECTORES DE HGI2, PRESENTANDOSE LAS PROPIEDADES DE LOS PRIMEROS ESPECTROMETROS CONSTRUIDOS EN EL CIEMAT CON ESTE MATERIAL. MODELOS TEORICOS DEL TRANSPORTE, EROSION Y DEPOSITO EN SISTEMAS DE DESCARGA. Autor: MORENO MARIN JUAN CARLOS. Año: 1990. Universidad: VALENCIA. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: DEPARTAMENTO: FACULTAD DE CIENCIAS. UNIVERSIDAD DE ALICANTE..
Resumen: LOS SISTEMAS DE DESCARGAS LUMINISCENTES SON MUY
UTILIZADOS TECNOLOGICAMENTE EN LOS PROCESOS DE DEPOSITO DE PELICULAS DELGADAS Y GRABADO DE SUPERFICIES. EN ESTE TRABAJO SE HAN DESARROLLADO LAS HERRAMIENTAS TEORICAS NECESARIAS PARA EL ESTUDIO DE LOS FENOMENOS FUNDAMENTALES QUE ALLI SE PRODUCEN:
- SIMULACIONES MONTE CARLO DEL TRANSPORTE DE IONES ENERGETICOS EN SOLIDOS.
- SIMULACIONES MONTE CARLO DEL TRANSPORTE DE ATOMOS PULVERIZADOS EN PLASMAS.
- MODELO ANALITICO DEL GRABADO IONICO CON LA INCORPORACION DE EFECTOS SECUNDARIOS.
- SIMULACIONES MONTE CARLO DEL DEPOSITO ATOMICO REPRODUCIENDO EL CRECIMIENTO EPITAXIAL E INCORPORANDO LA INCIDENCIA DE IONES ENERGETICOS.
- ESTUDIO DE LA GENERACION DE DIFERENTES ESPECIES EN LA DESCARGA.
CON ESTOS MODELOS SE HAN REALIZADO NUMEROSAS APLICACIONES. OPTICA DE RAYOS X PARA LINEAS DE RADIACION DE SINCROTRON Y APLICACION DE LA ESPECTROSCOPIA DE
ABSORCION DE RAYOS X AL ESTUDIO DE MATERIALES ORDENADOS Y DESORDENADOS DE METALES DE TRANSICION. Autor: SANCHEZ DEL RIO MANUEL. Año: 1990. Universidad: ZARAGOZA. Centro de lectura: CIENCIAS. Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: 241 FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA.
Resumen: PRESENTAMOS UN ESTUDIO DE OPTICA DE RAYOS X DUROS PARA RADIACION DE SINCROTRON. SE DESARROLLARON MODELOS TEORICOS PARA LA DIFRACCION DE RAYOS X Y SE IMPLEMENTARON EN UN PROGRAMA DE TRAZADO DE RAYOS X "SHADOW". EN PARTICULAR SE
CONSIDERARON, CRISTALES TALLADOS ASIMETRICAMENTE, CURVADOS Y CRISTALES MOSAICO. SE DISEÑO LA OPTICA DE UN MONOCROMADOR FOCALIZANTE PARA EL LABORATORIO SCOW DE FRASCATI.
EN UNA SEGUNDA PARTE SE ESTUDIAN DOS TIPOS DE MATERIALES MEDIANTE LA ESPECTROSCOPIA DE ABSORCION DE RAYOS X.
I) SOLUCIONES DILUIDAS DE METALES DE TRANSICION.
II) IMPUREZAS DILUIDAS DE METALES DE TRANSICION EN CRISTALES DE MGO.
EL ANALISIS DE LOS DATOS SE REALIZARA POR COMPARACION DIRECTA DE LOS DATOS EXPERIMENTALES CON CALCULOS TECNICOS "AB INITIO", BASADOS EN EL FORMALISMO MULTIPLE SCATTERING.
SE AISLARON CONTRIBUCIONES DE MULTIPLE SCATTERING EN LOS ESPECTROS EXAFS DE LAS SOLUCIONES.
SE DETERMINO EL LUGAR DE LOCALIZACION DE LAS IMPUREZAS EN LA MATRIZ MGO Y LA EVOLUCION DE ESTAS IMPUREZAS AL TRATAR EL MATERIAL TERMOQUIMICAMENTE. EFECTO DE LA RADIACION IONIZANTE EN EL MG AL2 O4 . Autor: IBARRA SANCHEZ ANGEL. Año: 1989. Universidad: AUTONOMA DE
MADRID. Centro de lectura: CIENCIAS. Centro de realización: CENTRO DE INVESTIGACIONES ENERGETICAS, MEDIOAMBIENTALES Y TECNOLOGICAS (CIEMAT).
Resumen: SE HA ESTUDIADO EL EFECTO DE LA
RADIACION IONIZANTE EN EL MG AL2 O4 HACIENDO ESPECIAL HINCAPIE EN LA INFLUENCIA DE LA GRAN CONCENTRACION DE DEFECTOS INTRINSECOS PRESENTES EN ESTE MATERIAL. SE HAN UTILIZADO TECNICAS COMO LA ABSORCION OPTICA, RESONANCIA PARAMAGNETICA ELECTRONICA,
FOTOLUMINISCENCIA, RADIOLUMINISCENCIA Y TERMOLUMINISCENCIA.
LA RADIACION IONIZANTE INDUCE LA FORMACION DE CENTROS V, CUYAS CARACTERISTICAS PRINCIPALES (ESTRUCTURA, ESTABILIDAD TERMICA, BANDAS DE ABSORCION, ETC.) SE HAN DETERMINADO.
SE HAN DETECTADO VARIOS PROCESOS DE TERMOLUMINISCENCIA ENTRE 85 Y 650 K, TODOS ELLOS ASOCIADOS A LA LIBERACION DE ELECTRONES Y EN LOS QUE ACTUAN COMO CENTROS DE RECOMBINACION LOS CENTROS V, CITADOS ANTERIORMENTE, Y DISTINTAS IMPUREZAS (CR, MN,
...).
LOS RESULTADOS OBTENIDOS DEMUESTRAN QUE LAS CINETICAS DE LOS PROCESOS DE RECOMBINACION SE VEN REGULADOS POR LA PRESENCIA DE UN DEFECTO, EN MUY ALTA CONCENTRACION, CONSISTENTE EN UN AL SITUADO EN UNA POSICION DE SIMETRIA TETRAEDRIGA. ESTE DEFECTO
ACTUA COMO TRAMPA DE ELECTRONES. FENOMENOS DE MEZCLADO E IMPLANTACION EN MATERIALES COMPUESTOS POR BOMBARDEO IONICO.
Autor: PEINADOR AGUILAR JOSE ANGEL. Año: 1989. Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: DEPARTAMENTO: DPTO. DE FISICA APLICADA III, U.C.M..
Resumen: SE ANALIZAN LOS PROCESOS DE
MEZCLADO ATOMICO EN MATERIALES COMPUESTOS POR BOMBARDEO IONICO ASI COMO LA IMPLANTACION DEL PROPIO ION BOMBARDEANTE EN FUNCION DE LAS CONCENTRACIONES DE LOS ELEMENTOS CONSTITUYENTES, QUE ESTAN CAMBIANDO PERMANENTEMENTE TANTO EN MAGNITUD COMO EN
DISTRIBUCION, EN FUNCION DE LA DOSIS DE BOMBARDEO. SE DESARROLLA UN SISTEMA DE ECUACIONES INTEGRODIFERENCIALES CUYA RESOLUCION NOS DA LA EVOLUCION CON LA DOSIS DE LAS CONCENTRACIONES ATOMICAS. DE ESTE MODO SE RELACIONAN LOS PROCESOS DE IMPLANTACION,
MEZCLADO Y SPUTTERING EN UN SOLO ESQUEMA TEORICO. ESTE ULTIMO EFECTO, EL SPUTTERING HA SIDO POSIBLE INCLUIRLO GRACIAS A UNA MODELIZACION DEL EFECTO DE LA BARRERA SUPERFICIAL SOBRE LA RECOLOCACION DE LOS ATOMOS PUESTOS EN MOVIMIENTO.
ESTE ESQUEMA HA SIDO APLICADO A DISTINTAS SITUACIONES EXPERIMENTALES, DESDE EL ANALISIS EN PROFUNDIDAD POR BOMBARDEO IONICO, HASTA EL MEZCLADO A ALTA ENERGIA. ASIMISMO SE HA ESTUDIADO EL EFECTO DE ACORTAMIENTO (SHORTENING) EN LA IMPLANTACION DE
ELEMENTOS PESADOS EN BLANCOS LIGEROS Y SU DEPENDENCIA NO-LINEAL CON LA DOSIS DE BOMBARDEO. ESTUDIO DE LA GELIFICACION DEL SISTEMA VERMICULITA-ORNITINA EN SOLUCION SALINA MEDIANTE ANALISIS DE
LA DIFUSION DE RAYOS-X A PEQUEÑOS ANGULOS . Autor: SAEZ AUÑON JESUS. Año: 1989. Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: DEPARTAMENTO: INSTITUTO
DE CIENCIAS DE MATERIALES, C.S.I.C..
Resumen: EN EL
PRESENTE TRABAJO SE HA ABORDADO EL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES DE GELIFICACION DE LOS FILOSILICATOS EXISTENTES EN LA FRACCION ARCILLA DE LOS SUELOS, DE LOS QUE DEPENDEN EN GRAN MANERA LAS PROPIEDADES MECANICAS DE ESTOS, TOMANDO COMO SISTEMA MODELO EL
FORMADO POR EL CONJUNTO VERMICULITA-ORNITINA-AGUA Y UTILIZANDO TECNICAS DE DIFRACCION DE RAYOS-X A PEQUEÑOS ANGULOS PARA LA REALIZACION DE LA PARTE EXPERIMENTAL. PARA EL ANALISIS DE LOS DIAGRAMAS DE DIFRACCION SE HA DESARROLLADO UN MODELO EN EL QUE
SE PREFIJAN LA DISTRIBUCION DE DISTANCIAS INTERLAMINARES, LAS PROBABILIDADES CON QUE VIENEN AFECTADAS Y EL NUMERO M DE LAMINAS QUE EN PROMEDIO CONSTITUYEN LA PARTICULA, CALCULANDOSE SEGUIDAMENTE LA FUNCION DE INTERFERENCIA CORRESPONDIENTE AL MODELO,
QUE SE COMPARA CON LA EXPERIMENTAL.
ESTE METODO SE HA APLICADO AL ESTUDIO DE LA GELIFICACION DE CINCO VERMICULITAS DE CARACTERISTICAS CRISTALOQUIMICAS DIFERENTES (COMPOSICION QUIMICA Y CARGA NEGATIVA ESTRUCTURAL), EN DISOLUCIONES ACUOSAS DE CLORURO DE ORNITINA, EN FUNCION DE LA
CONCENTRACION Y DE LA SOBRECARGA APLICADA.
LA INTERPRETACION DE LOS RESULTADOS SE HA REALIZADO POR MEDIO DE LA TEORIA DE LA "DOBLE CAPA DIFUSA, CON MODIFICACIONES CORRESPONDIENTES AL MODELO DE STERN.
POR ULTIMO SE HA ESTUDIADO LA EVOLUCION DEL ORDEN INTERNO DE LA MUESTRA POR MEDIO DE LOS PARAMETROS DE TEXTURA Y ESTRUCTURA, DEDUCIDOS DE LA INTERPRETACION, MEDIANTE EL MODELO, DE LOS RESULTADOS. PROCESOS DE EXTRACCION DE ATOMOS DE UN BLANCO SOLIDO. DEPENDENCIA ANGULAR Y ENERGETICA.
Autor: PEREZ MARTIN M. CARMEN. Año: 1988. Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID. Centro de lectura: FISICA. Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS FISICAS, UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID..
Resumen: SE DESARROLLA UN MODELO PARA EL ESTUDIO DE LOS
PROCESOS RELACIONADOS CON LA EXTRACCION DE ATOMOS DE UN BLANCO QUE ES SOMETIDO A BOMBARDEO IONICO (SPUTTERING), EN EL QUE LA SUPERFICIE SE TRATA ESPECIFICAMENTE COMO DISCONTINUIDAD ENTRE DOS MEDIOS. SE ESTUDIA LA PENETRACION Y RETRODISPERSION DEL
HAZ INCIDENTE EN LA PRIMERA MONOCAPA, MEDIANTE UNA SIMULACION EN LA QUE LAS POSICIONES DE LOS ATOMOS SON PREFIJADAS. SE DESARROLLA TAMBIEN UNA SIMULACION MONTE CARLO, MODIFICADA PARA TENER EN CUENTA EL EFECTO SUPERFICIAL; ESTO IMPLICA LA
CONSIDERACION DE ASIMETRIA AZIMUTAL CERCA DE LA SUPERFICIE, Y LA MODIFICACION DEL RECORRIDO LIBRE MEDIO, QUE SE OBTIENE ANALITICAMENTE EN FUNCION DE LA PROFUNDIDAD Y LA DIRECCION DE LA PARTICULA QUE SE DESPLAZA. SE OBTIENEN ASI RESULTADOS DE
PROBABILIDAD DE ESCAPE Y ESPECTROS ANGULARES Y ENERGETICOS DE LOS ATOMOS EXTRAIDOS.
FINALMENTE, A PARTIR DE UNA SIMULACION, QUE TIENE COMO CONDICION INICIAL LA PENETRACION EN LA PRIMERA MONOCAPA Y QUE TRAS CALCULAR EL NUMERO DE ATOMOS DESPLAZADOS EN FUNCION DE LA PROFUNDIDAD, Y CONOCIDA LA PROBABILIDAD DE ESCAPE DE ESTOS,
CALCULA EL RENDIMIENTO DE SPUTTERING. SE ANALIZAN RESULTADOS DE RENDIMIENTO DE SPUTTERING EN FUNCION DEL ANGULO INCIDENTE, ESTUDIANDO LA INFLUENCIA DE ESTE EN LAS DISTRIBUCIONES EN PROFUNDIDAD Y EN LOS ESPECTROS ANGULARES Y ENERGETICOS DE ATOMOS
EXTRAIDOS. EFECTOS DE PRESION EN TRANSICIONES DE FASE FERRO Y ANTIFERROELECTRICAS. Autor: RAMIREZ JIMENEZ RAFAEL. Año: 1988. Universidad: AUTONOMA DE MADRID. Centro de lectura: CIENCIAS. Centro de realización: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID..
Resumen: EL TRABAJO
CONSISTE EN UN ESTUDIO DE LOS EFECTOS DE LA PRESION EN LA TRANSICION DE FASE DE CRISTALES FERRO Y ANTIFERROELECTRICOS. SE HAN ESTUDIADO TRES MATERIALES DISTINTOS CON TRES TECNICAS DISTINTAS:
-EL ACIDO ESCUARICO; QUE PRESENTA UNA TRANSCION DE FASE DEL TIPO ORDEN-DESORDEN PASANDO DE UNA FASE ANTIFERROELECTRICA A UNA PARAELECTRICA. HA SIDO ESTUDIADA SU ESTRUCTURA EN FUNCION DE LA PRESION HIDROSTATICA Y DE LA TEMPERATURA, POR LA TECNICA
DE LA DIFRACCION DE NEUTRONES.
-EL TITANATO DE PLOMO, QUE PRESENTA UNA PARAELECTRICA SE HA ESTUDIADO SU ESTRUCTURA EN FUNCION DE LA PRESION, CON LA TECNICA DE DIFRACCION DE RAYOS X.
-EL SULFATO DE TRIGLICINA, MATERIAL QUE PRESENTA UNA TRANSICION DE FASE DE TIPO ORDEN-DESORDEN, PASANDO DE UNA FASE FERROELECTRICA A UNA FASE PARAELECTRICA. SE HA ESTUDIADO LA DEPENDENCIA DE LOS MODOS ACUSTICOS CON LA TENSION UNIAXIAL Y LA
TEMPERATURA, POR MEDIO DE LA ESPECTROSCOPIA BRILLOVIN.
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