PROPIEDADES OPTICAS DE LOS SOLIDOS, 4

Autor: EZCURRA GUISASOLA M. AMAYA.
Año: 1986.
Universidad: PAIS VASCO.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS.

Resumen: SE PRESENTA UN TRABAJO SOBRE PROPIEDADES FISICAS DE CRISTALES LIQUIDOS CON UNA DOBLE VERTIENTE: LA PUESTA EN MARCHA DE TECNICAS EXPERIMENTALES Y EL ESTUDIODE NUEVOS MATERIALES CON MESOFASES FERROELECTRICAS. EN EL PRIMER ASPECTO SE HAN ADAPTO TECNICAS EXPERIMENTALES YA EXISTENTES Y SE HAN DESARROLLADO DOS NUEVAS TECNICAS DE MEDIDA DE PARAMETROS CARACTERISTICOS DE CRISTALES LIQUIDOS FERROELECTRICOS. EN ESTE SENTIDO SE HA ESTUDIADO UN CRISTAL LIQUIDO FERROELECTRICO ONOCIDO QUE HA PERMITIDO EL AVANCE EN EL CONOCIMIENTO DE PROPIEDADES FERROELECTRICAS Y ELECTRO-OPTICAS. EN LO QUE SE REFIERE A NUEVOS MATERIALES SE HAN ESTUDIADO DOS CONJUNTOS UNO DE ELLOS FORMADO POR MATERIALES PUROS CON EL INTERES DE QUE LA FASE FERROELECTRICA ESTA PRECEDIDA POR UNA COLESTERICA Y EL OTRO CONSISTENTE EN UN SISTEMA BINARIO EN EL QUE LA FASE FERROELECTRICA HA SIDO INDUCIDA POR MEDIO DE MEZCLAS.

Autor: SANJUAN ALVAREZ M. LUISA.
Año: 1986.
Universidad: ZARAGOZA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE OPTICA-FACULTAD DE CIENCIAS.

Resumen: SE ESTUDIAN PROCESOS DINAMICOS (REORIENTACION POR SAETAS) DE DIVERSOS DEFECTOS PUNTUALES QUE APARECEN EN CRISTALES DE MGO Y CAO. LA TECNICA EXPERIMENTAL EMPLEADA A LA RESONANCIA PARAMAGNETICA ELECTRONICA (EPR); EL METODO DE ANALISIS CONSISTE EN LA SIMULACION DEL ESPECTRO UTILIZANDO EL FORMALISMO ESTOCASTICO DE LIOUVILLE QUE SE BASA EN EL CALCULO DE LA MATRIZ DENSIDAD DE SPIN. LOS RESULTADOS SE DISCUTEN MEDIANTE DIFERENTES MODELOS TEORICOS.

Autor: VALDES NAVARRO JOSE LUIS .
Año: 1984.
Universidad: VALENCIA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: FACULTAD DE FISICAS DPTO DE ELECTRICIDAD Y MAGNETISMO.

Resumen: SE HAN PREPARADO CAPAS CONDUCTORAS TRANSPARENTES DE IN2O3 DOPADO CON SU POR PULVERIZACION CATODICA REACTIVA Y SE HAN ESTUDIADO SUS PROPIEDADES OPTICAS Y DE TRANSPORTE EN FUNCION DE LAS CONDICIONES DE PREPARACION (TEMPERATURA DE DEPOSICION Y TENSION DE CATODO) OBSERVANDOSE UNA NOTABLE MEJORA DE LA CONDUCTIVIDAD PARA TENSIONES DE CATODO ELEVADAS (2500 VOLTIOS).

Autor: BAYO ORTONOVES LUIS.
Año: 1980.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: CENTRE D'ETUDES D'ELECTRONIQUE DES SOLIDES UNIVERSITE DES SCIENCES ET TECHNIQUES DU LANGUEDOL MONT PELLIER FRANCIA.

Resumen: HEMOS MEDIDO LOS POTENCIALES DE DEFORMACION DEL GAP INP Y HEMOS CARACTERIZADO LA IMPUREZA ISOELECTRONICA DEL N EN EL GAP EFECTUANDO MEDIDAS OPTICAS SOBRE MUESTRAS SOMETIDAS A PRESSION UNIAXIAL. HEMOS PODIDO ASI CONOCER Y REALIZAR PREDICCIONES SOBRE EL COMPORTAMIENTO DE DICHA IMPUREZA DE GRAN INTERES TECNOLOGICO Y COMO CONCLUSION MAS IMPORTANTE LA LOCALIZACION EN EL ESPACIO DE K DE LA IMPUREZA EN EL ENTORNO DEL PUNTO X.

Autor: SEGURA GARCIA DEL RIO ALFREDO.
Año: 1979.
Universidad: VALENCIA.
Centro de lectura: FISICA .
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA DE LA FACULTAD DE CIENCIAS FISICAS DE LA UNIVERSIDAD DE VALENCIA.

Resumen: EVALUACION DE LAS POSIBILIDADES DEL SELENIURO DE INDIO PARA LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES MEDIANTE ESTUDIO DE SUS PROPIEDADES OPTICAS (COEFICIENTE DE ABSORCION Y DE TRASPORTE (MOVILIDAD Y CONCENTRACION DE LOS PONTADORES MAYORITARIOS Y TIEMPO DE VIDA Y LONGITUD DE DIFUSION DE LOS MINORITARIOS) PREPARACION Y CARACTERIZACION DE CELULAS SOLARES (PN BI/INSE-P PT/INSE-N). MEDIDAS DEL RENDIMIENTO DE DICHAS CELULAS (5 5%)

Autor: PASCUAL GAINZA JORDI.
Año: 1977.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: UNIVERSIDAD DE MONTPELLIER (U.S.T.L.) - FRANCIA .

Resumen: HEMOS RESUELTO LOS NIVELES FUNDAMENTALES DEL RUTILO (TIO2): 1-UNA PRIMERA TRANSICION EXCITONICA DIRECTA PROHIBIDA T3V T1C 2- UNA TRANSICION INDIRECTA EXCITONICA PERMITIDA A4V T1C 3- UNA NUEVA TRANSICION INDIRECTA EXCITONICA PERMITIDA T. HEMMOS MEDIDO LOS POTENCIALES DE DEFORMACION LINEALES DE LAS TRANSICIONES 1 Y 2. HEMOS MEDIDO LOS PETENCIALES DE DEFORMACION NO LINEAL CORRESPONDIENTE A UNA PRESION SEGUN XII A (1 0 0).

Autor: LOPEZ BARRIO CARLOS ANTONIO.
Año: 1976.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: E.T.S.I. TELECOMUNICACION.

Resumen: SE HAN PUESTO A PUNTO LAS TECNICAS EXPERIMENTALES DE CARACTERIZACION DE NIVELES NATIVOS EN DIODOS P0 4 AS0 6 GA Y ESTUDIO DE LA DEGRADACION DE LOS MISMOS BAJO CONDICIONES FORZADAS EL RESULTADO DE LA INVESTIGACION HA SIDO: 1 DETERMINACION DE VARIOS NIVELES PROFUNDOS POR EXCITACION TERMICA CON POSIBILIDAD DE ACOPLAMIENTO ENTRE LOS MISMOS. 2 SE DAN DATOS DE LAVELOCIDAD DE DEGRADACION ESTABLECIENDO UNA CORRELACION ENTRE LA DISMINUCION DE LA EFICIENCIA CUANTICA EXTERNA LA DISMINUCION DEL TIEMPO DE VIDA Y AUMENTO DE LA CORRIENTE DE RECOMBINACION.