SEMICONDUCTORES, 3

Autor: RODRÍGUEZ MARTÍNEZ ROSANA.
Año: 1999.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA.
Centro de realización: ESCUELA DE DOCTORADO.

Resumen: La progresiva reducción del agrosor del óxido de puerta en dispositivos MOS ha dado lugar a la aparición de mecanismo de fallo como son la ruptura fuerte MBD la ruptura suave SBD o la corriente de fujas SILC, que están asociados a una pérdida de las propeidades aislantes del óxido. Actualmente es comúnmente aceptado que los mecanismos de fallo del óxido son consecuencia de un proceso de degradación de su estructura. Por ello, en esta tesis se ha analizado la degradación de óxidos de 10 mm de grosor en condiciones de estrés estático, que nos ha servido como base para un análisis posterior en condiciones de estrés dinámico, más cercano a las condiciones de operación normales de los dispositivos en los circuitos. Durante este análisis de la degradación se han encontrado distintos problemas y para solventarlos se ha desarrollado un nuevo método de test; el método de test de dos etapas, que consiste en someter al óxido. La principal hipótesis del método es considerar que la degradaciónes un proceso acumulativo y presenta como ventaja que no necesita basarse en ningún modelo de degradación. El método de test de dos etapas han sido utilizado para analizar la degradación de óxidos de 8 mm y 4,3 mm de espesor y los resultados se han comparado con los obtenidos mediante técnicas convencionales. A diferencia del método tradicional, el método de test de dos etapas permite la comporación de óxidos de diferentes características (diferente grosor) y la degradación producida por diferentes tipos de estreses (estéticos y dinámicos) lo que lo convierte en una herramienta potente para el análisis de los mecanismos de fallo del SiO2.

Autor: NAKHLI ABDERRAHMAN.
Año: 1999.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: FACULTAT DE CIENCIES.

Resumen: Se ha realizado un estudio de la dinámica de red de los semiconductores GaInZ2 ordenados tipo Cupt a partir del modelo BCM, sin parámetros ajsutables. Los parámetros se han tomado directamente de los compuestos binarios, se han escalado de acuerdo con la variación de la longitud de los enlaces en los ternarios ordenados.En el centro de zona de la estructura CuPt, distinguimos dos tipos de modos de vibración: A- Modos que muestran una gran rotura LO-TO y poca dipsersión causada por el campo cristalino. Estos modos están relacionados con aquellos del centro de zona de los constituyentes binarios zincblenda y dan lugar a una fuerte respuesta en el infrarrojo aunque débilmente anisotrópica. B- Modos mostrando grandes efectos debidos al campo cristalino y débil dispersión angular causada por las fuerzas electrostáticas. Estan asociados con los modos del borde de zona de los constituyentes binarios y dan lugar a una respuesta infrarroja débil aunque fuertemente anisotrópica. El cálculo permite asignar lso tres modos que aprecen en el espectro Raman con modos del tipo (b). Los modos a 208 cm-1 y 354 cm-1 corresponden al doblamiento de los modos L-acústicos y L-ópticos respectivametne y poseen un desplazamiento paralelo a la dirección de orden independiente de la dirección de q. El modo a 62 cm-1 corresponde al doblamiento del modo transversal acústico y posee un desplazamiento en el plano de orden. El modelo permite explicar y predecir los efectos de anisotropía en la respuesta ifrarroja de estos materiales.

Autor: CIRERA HERNÁNDEZ ALBERT.
Año: 1999.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FÍSICA.
Centro de realización: UNVIERSITAT DE BARCELONA.

Resumen: La presente tesis se ha centrado en el desarrollo de nuevas tecnologías para el desarrollo de sensores de gas semiconductores. Por tal motivo se ha desarrollado dos técnicas para el desarrollo de nanopartículas de SnO2. Paralelamente se ha diseñado y realizado diversos tipos de substratos basados en alúmina y silicio micromecanizados. Con el objetivo de implementar las nanopartículas en estos substratos se han desarrollado dos nuevas técnicas para dicha implementación, llamadas micropinting y recubrimientos por pulverización. Finalmente, con los dispositivos obtenidos se ha concebido un algortimo para la cuantificación de CO y CH4 en mezclas binarias. Desde un punto de vista científico, se ha realizado una caracterización de SnO2 atendiendo a la temperatura de estabilización del material y hallando la evolución nanostructural de dicho óxido de estaño.

Autor: GOROSTIZA LANGA PAU.
Año: 1999.
Universidad: BARCELONA .
Centro de lectura: FÍSICA.
Centro de realización: UNIVERSITAT DE BARCELONA.

Resumen: Estudio del depósito de metales sobre monocristales de Silicio, a partir de soluciones fluoradas. En la primera parte se desarrolla un mecanismo general para estos procesos, basado en medidas electroquímicas "in situ" bajo control potenciostático. El mecanismo tiene en cuenta los conceptos clásicos de la electroquímica de semi-conductores, así como los avances recientes en la comprensión de la química del silicio. En la segunda parte se discuten las consecuencias del estudio y sus aplicaciones tecnológicas, a partir de la caracterización "exsitu" de las muestras con técnicas microscópicas y espectroscópicas. Manuscrito disponible en internet: http=/www.qf.ub.es/area4c/publications.html

Autor: MANJON HERRERA FRANCISCO JAVIER.
Año: 1998.
Universidad: VALENCIA.
Centro de lectura: FISICA .

Resumen: El objetivo de este trabajo ha sido el estudio de propiedades ópticas del semiconductor laminar seleniuro de indio (InSe), perteneciente a la familia de los semiconductores III-VI, en función de la presión. El estudio de las propiedades ópticas de transmitancia, absorción, y luminiscencia en función de la presión mediante la utilización de una celda de yunques de diamante nos ha permitido obtener una imagen relativamente completa de la estructura de bandas electrónicas en este material y una mejor comprensión de las interacciones que tienen lugar en los semiconductores laminares de la familia III-VI. Adicionalmente, el estudio de las simetrías de las bandas electrónicas y su evolución con la presión nos ha permitido establecer las posibles transiciones electrónicas responsables de la evolución de las constantes dieléctricas y de las masas efectivas de electrones y huecos en este material y sus evoluciones con la presión. Finalmente, hemos analizado un cálculo teórico de las masas efectivas de electrones y huecos en los laminares III-VI mediante el modelo kp que nos ha permitido estimar la evolución de las masas efectivas con la presión en el seleniuro de indio.

Autor: HADJ ARAB AMAR.
Año: 1998.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .

Resumen: El objetivo de esta tesis es estudiar la optimización de sistemas de bombeo fotovoltaico para aprovechar al máximo los recursos económicos, generalmente escasos, adaptándose a las condiciones específicas de cada zona climática, especialmente de Argelia. Se han definido cuatro diferentes zonas climáticas en Argelia y se han generado series de radiación solar horaria para diferentes localidades que no disponen de estos datos experimentales. Se han comparado tres modelos de curvas características I-V del generador fotovoltaico y dos métodos para trasladar estas curvas de unas condiciones de irradiancia y temperatura a otras distintas. Basándose en resultados experimentales obtenidos en Laboratorio de varias bombas típicas de uso fotovoltaico, se proponen dos nuevos modelos teóricos generales del conjunto motor-bomba válidos para bombas centrífugas y de desplazamiento positivo. Se propone un método experimental simplificado para la obtención de los parámetros de los modelos. A través de un programa de simulación desarrollado específicamente, se analizan los efectos de diferentes parámetros del sistema de bombeo, principalmente el perfil del consumo, la capacidad de depósito, el umbral de irradiancia, la configuración serie/paralelo del generador, situación geográfica y probabilidad de pérdida de carga.

Autor: BLANCO PESTAÑA NIEVES.
Año: 1998.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.

Resumen: Este trabajo de Tesis Doctoral tiene como objetivo la realización y caracterización de determinadas estructuras semiconductoras basadas en la aleación ternaria In0.53Ga0.47As., con la finalidad de aplicarlas satisfactoriamente en el desarrollo de futuros transistores de unión y efecto de campo (JFET y MISFET) en dicho material. En esta dirección, se ha obtenido un preciso y adecuado control del proceso de implantación de impurezas donoras, y de su posterior activación eléctrica, haciéndose especial hincapié en el fenómeno particular de las activaciones eléctricas mayores del 100%. Estas capas implantadas han sido aplicadas satisfactoriamente en el desarrollo de uniones PN, en IN0.53Ga0.47As., que han demostrado presentar un adecuado poder rectificante, y de las cuales se ha realizado un riguroso estudio sobre los mecanismos responsables de su conducción. Por otro lado, se han desarrollado y caracterizado estructuras metal-aislante-semiconductor (A1/SiNx:H/In0.53Ga0.47As) con excelentes propiedad eléctricas, comparables a las obtenidas por otros procedimientos de depósito comparativamente mucho más complejos y costosos. Del estudio realizado en este trabajo se deduce la aplicabilidad de estas estructuras a dispositivos MISFET en In0.53Ga0.47As.

Autor: DIAZ PANIAGUA CARLOS.
Año: 1998.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.

Resumen: Se ha diseñado y montado una técnica experimental para estudiar las propiedades de magnetotransporte en estructuras pseudomóficas de GaAs/InxGa1-xAs/A1yGa-yAs. En estas estructuras se forma un pozo cuántico en el InxGa1-xAs, que contiene un gas de electrones bidimensional. El estudio de este tipo de muestras tiene un interés fundamental y tecnológico; debido a su alta densidad electrónica y gran movilidad, se pueden emplear en dispositivos de potencia y electrónica rápida, por otra parte permiten estudiar propiedades básicas de un gas bidimensional de electrones, en cierto modo, mejor que en las más tradicionales de GaAs. Al aplicar un campo magnético perpendicular a dicho gas, se establece una estructura de niveles de energía, denominados niveles de Landau, mas o menos ensanchados por la presencia de impurezas y defectos; dicho ancho está relacionado con un tiempo de vida cuántico. Se pueden producir en el canal bidimensional de estas muestras dos efectos cuánticos macroscópicos a partir de un cierto valor del campo magnético: Oscilaciones en la componente diagonal de la magnetorresistencia transversal denominado efecto Shubnikov-de Haas y mesetas en la componente no-diagonal de la misma magnetorresistencia denominado efecto Hall cuántico. Con el estudio de estas dos componentes hemos obtenido por una parte la densidad electrónica y el tiempo de vida clásico y por otra hemos determinado la masa efectiva de los electrones en el gas, el tiempo de vida cuántico y la contribución de los estados de borde a la magnetoconductividad. Se ha determinado la masa efectiva a partir de la variación con la temperatura de la amplitud de las oscilaciones Shubnikov-de Haas, en las regiones de campo magnético bajo y medio, empleando la relación cuadrática entre la magnetorresistencia y la densidad de estado al nivel de Fermi. El tiempo de vida cuántico se ha determinado de la variación de la amplitud de las oscilaciones Shubnikov-de Haas con el campo magnético en un amplio margen de dicho campo. La contribución de los estados de borde a la magnetoconductividad se ha determinado a partir del termino no-clásico de la ecuación de Streda, combinando resultados experimentales de las dos componentes de la magnetoconductividad con un modelo basado en dicha ecuación.

Autor: RAMOS MAS ANTONIO .
Año: 1998.
Universidad: LA LAGUNA.
Centro de lectura: FISICA.

Resumen: En este trabajo se resuelve analíticamente la ecuación de Schrodinger para una heteroestructura semiconductora sometida a campos eléctrico y magnético, comparando la solución anlítica con la que se obtiene por el método clásico de la matriz de transferencia. Con ete nuevo método se realiza un cálculo de las características corriente-voltaje, mediante un procedimiento que se puede utilizar en cualquier tipo de estructura bajo campos eléctrico y magnético. Se incluyen procesos dispersivos elácticos (inhomogeneidades en las superficies de los materiales) e inelásticos (fonones ópticos longitudinales) lo que permite comparar directamente los resultados teóricos obtenidos con las medidas experimentales de la literatura, desmostrando un buen acuerdo. Además se estudian propiedades dinámicas incluyendo, por un lado, la posible hibridación de estados de huevo y sus consecuencias sobre la emisión de radiación por parte de la muestra; y por otro, el efecto de la densidad de portadores (electrones y huecos) sobre dicha emisión. El interés de estos estudios está en la posibilidad de modular la emisión de radiación en THz, atenuarla o deformarla.

Autor: MIRANDA ENRIQUE ALBERTO.
Año: 1998.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.

Autor: WILDT DANIEL.
Año: 1998.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.

Resumen: Se ha estudiado el crecimiento epitaxial de GaAs1-xPx utilizando como precursores organometalicos los compuestos TBAs, TBP y TEGa. Mediante difracción de rayos X y fotoluminiscencia se ha estudiado la incorporación de fósforo, resultando una baja competencia entre las especies de arsénico y fósforo. Los crecimientos se han realizado mediante CBE, ALE y crecimiento controlado por los elementos V. Las medidas de fotoluminiscencia en emisión y excitación revelan el efecto de la tensión biaxial, que elimina la degeneración de la banda de valencia. Por último, se ha aplicado esta técnica para el crecimiento de pozos cuánticos y para el crecimiento selectivo sobre sustratos enmascarados, haniéndose obtenido resultados prometedores.

Autor: LUIS GONZALEZ DOMINGO MANUEL.
Año: 1998.
Universidad: LA LAGUNA.
Centro de lectura: FISICA.

Resumen: En esta memoria se han planteado nuevos modelos numéricos para estudiar la dinámica electrónica en el Silicio Poroso y en nanoestructuras de GaAs/A1GaAs. En lo dos primeros capítulos dedicados a las nanoestructuras de GaAs se plantea una ecuación de masa efectiva con un potencial Hartree dependiente del tiempo. Este modelo se integra numéricamente obteniendo información dinámica de la densidad de carga confinada en el doble pozo cuántico. En el capítulo 3, se propone un modelo de enlace fuerte para poder estudiar el efecto túnel entre los nanocristales de silicio, teniendo en cuenta distintos acoples geométricos. En el capítulo 4 se trata de estudiar el efecto túnel entre dos nanocristales teniendo en cuenta los efectos de la interacción electrón-electrón. Para ello se aplica el modelo del capítulo 1 al silicio poroso. En el caso del GaAs se ha estudiado la posibilidad de suprimir la corriente de efecto túnel debido a la no linealidad de la ecuación de Schrodinger. En el silicio poroso se ha estudiado la dependencia de la conductividad con la corriente alterna y la supresión de la fotoluminiscencia con el campo eléctrico aplicado.

Autor: FERNANDEZ ROSSIER JOAQUIN.
Año: 1998.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.

Resumen: En esta memoria de tesis se presentan resultados originales relativos a la teoría de las propiedades ópticas de pozos cuánticos excitados por pulsos laser. Los capítulos 1 y 2 de esta memoria de tesis contienen una adecuada introducción al problema y a las técnicas teóricas empleadas. En el capítulo 3 se estudia el problema de los gases de excitones interactuantes, haciendo énfasis en el grado de libertad de spin. Los resultados teóricos se comparan con resultados experimentales, obteniéndose un buen acuerdo. En el capítulo 4 se estudian las propiedades de un eventual condensado de Bose de excitones. Se predice que la luz espontaneamente emitida por dicho sistema sería coherente. En el capítulo 5 se estudian las propiedades del pozo cuántico semiconductor inmediatamente después de ser excitado por uno o varios pulsos laser, cuando la función de onda del semiconductor está determinada completamente por el laser. El modelo teórico presentado describe adecuadamente los experimentos existentes..

Autor: ORIOLS PLADEVALL XAVIER.
Año: 1998.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: ESCOLA TÉCNICA SUPERIOR D'ENGINYERIA.

Resumen: La reducción de dimensiones en los dispositivos electrónicos esta haciendo imprescindible la consideración de efectos cuánticos para entender el trasnporte electrónico. En esta tesis se presenta un nuevo formalismo para estudiar el transporte electróncio en dispositvos nanométricos. Nuestra propuesta se basa en entender la técnica de Monte Carlo Clásica a estos neuvos dipsotivos. Para ello desarrollaremos un nuevo formulismo basado en trayectorias de Bohn asociadas a paquetes de ondas dependientes del tiempo. En particular se han estudiado los diodos tunel resoante (DTR), unos dipositivos electrónicos con una rica Fenomenologia cuantica. El trabajo de la tesis se ha desdoblado en dos partes diferenciadas. Por un lado las simulaicones de las características I-V de varios RTD muestranla viabilidad numérica de neustra propuesta. El trabajo también demuestra que neustra porpuesta permite obtener soluciones de la -- de Liouville con un método muy intuitivo (i.e. En clara analogía con el Monte Carlo Clasico y la ecuación de Boltzman.) En nuestro propuesto los mecanismo de "scotering" pueden introducirse con el mismo vigor que otras formulaciones, e incluso introduciendo aspectos locales.

Autor: HERNANDEZ FENOLLOSA M. ANGELES.
Año: 1998.
Universidad: POLITECNICA DE VALENCIA.
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES .

Resumen: El trabajo se centra principalmente en el estudio de defectos generados por irradiación de neutrones térmicos y de los mecanismos de transición, que aparecen como resultado de la irradiación, en muestras de InP:Fe dopadas por transmutación de neutrones. Las técnicas utilizadas para el estudio han sido: espectroscopia óptica de absorción y fotoluminiscencia, espectroscopia de aniquilación de positrones y recocido térmico de las muestras. La aplicación de estas técnicas a lo largo del trabajo ha permitido concluir que la presencia del Fe en la red cristalina del InP origina grandes cambios tanto en los espectros opticos como de positrones, respecto de las característicos estudiados en el InP sin Fe. La sensibilidad que han mostrado estas técnicas a la presencia del Fe, y el analisis realizado a partir de los espectros confirma que: 1-la concentración del defectos disminuye de forma notoria después del recocido. 2-la concentración del dador principal aumenta de forma proporcional a la dosis de irradiación, confirmando la eficacia de la técnica del DTN en el dopado del InP. 3-un nuevo tipo de defecto, distinto de las vacantes de In, parece en las muestras de InP:Fe cuando son irradiadas con neutrones térmicos. Se trata de un complejo formado por un átomo u otro defecto asociado a la vacante de In. 4-las partículas energeticas generadas después del proceso de transmutación intervienen en la disociación de los agregados de hierro. Esto aumenta la concentración de átomos de hierro que pueden asociarse a vacantes de In.

Autor: AGUADO SOLA RAMON.
Año: 1997.
Universidad: CARLOS III DE MADRID.
Centro de lectura: ESCUELA POLITECNICA SUPERIOR.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: MATEMATICAS PROGRAMA DE DOCTORADO: INGENIERIA MATEMATICA.

Resumen: Analiza el transporte en presencia de potenciales dependientes del tiempo en diferentes sistemas y completado con el estudio de otros problemas, relativos siempre al transporte, como los efectos debidos a la interacción electrón-eletrón o los debidos a campos magnéticos externos. Estudia las propiedades del transporte asistido por fotones de un diodo de doble barrera, desarrolla un modelo teórico que permite estudiar el transporte coherente en presencia de potenciales dependientes del tiempo. Estudia también las propiedades de transporte de dobles pozos cuánticos en presencia de potenciales AC y desarrolla un modelo para el transporte secuencial. Analiza experimentos de efecto tunel asistido por fotones en superredes en el régimen lineal, desarrolla un modelo autoconsistente para el transporte no lineal en superredes y defiende la aparición de dominios del campo eléctrico y multiestabilidad. Finalmente analiza el transporte en puntos cuánticos utilizando el modelo de Anderson y el formalismo de Keldysh. Consta de Apéndices explicativos de los modelos utilizados.

Autor: ERRANDONEA DANIEL JORGE HUGO.
Año: 1997.
Universidad: VALENCIA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA (175 A).

Resumen: En la presente tesis se ha estudiado sistematicamente las propiedades de transporte, dieléctricas y ópticas en diferentes semiconductores III-VI. En la misma se ha determinado la dependencia con la presión de la constante dieléctrica estática perpendicular hasta 3 GPa para el GaS, el GaSe y el InSe. Por otro lado, en muestras de GaSe tipo p se ha observado un aumento de la concentración de huecos con la presión. Este aumento ha sido relacionado con el descenso de la energía de ionización de los aceptores. En muestras de InSe tipo n, se ha observado que aquellas dopadas con Sn y Si presentan comportamientos diferentes en sus parámetros de transporte. Estas diferencias han sido explicadas considerando la presencia de electrones 2D y 3D. En las muestras dopadas con Sn se ha observado una rápida disminución de la concentración de portadores por encima de 1 GPa. Este fenómeno fue relacionado con la presencia de un nivel profundo asociado a un mínimo subsidiario de la banda de conducción que se desplaza hacia menores energías con la presión. La presencia de este nivel se verifico mediante medidas de presión y temperatura. Finalmente, a partir de los espectros de absorción de muestrasde InGaSe, con distintas proporciones de Ga, se determinó la dependencia en presiónde los gaps directo e indirecto.

Autor: FRANCO CERAME NICOLAS.
Año: 1997.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA.

Resumen: Se presentan diferentes estudios, tanto teóricos como experimentales, de varios sistemas adsorbidos por difracción de fotoelectrones (PhD). Se incluye un estudio teórico de los métodos directos y de sus posibilidades para el análisis de los datos por PhD. Los sistemas experimentalmente analizados son, por un lado, la adsorción de Sb sobre GaAs (110) - p (1 x 1), por otro la adsorción de agua y amoniaco sobre Si (100) (2 x 1), y finalmente la adsorción de amoniaco sobre el Si (111) (7 x 7). Estos estudios incluyen la cuantificación de los parámetros estructurales en el entorno del emisor, por via de los métodos directos, así como por el método de prueba y error.

Autor: LOPEZ SAENZ MONICA.
Año: 1997.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: OPTICA PROGRAMA DE DOCTORADO: OPTICA AVANZADA.

Resumen: Al irradiar uniones semiconductoras con haces procedentes de láseres pulsados de CO2, se observa la aparición de potenciales del mismo signo que los obtenidos con el efecto fotovoltaico usual (positivos) y otros de signo contrario (negativos). El estudio realizado comprende la separación e identificación de los diferentes fotopotenciales. Se han realizado estudios experimentales sobre uniones de Si y muestras de InP sometidas a la irradiación procedente de diferentes láseres pulsados de CO2. Se han identificado dos señales positivas a temperatura ambiente y otras dos a 80 K, habiéndose propuesto un modelo teórico para una de ellas: el llamado Efecto de Ionización por Impacto Estimulado por Luz (LSIIE). Los potenciales negativos han sido el objeto principal del estudio presentado, se han conseguido identificar dos efectos propiamente negativos, causados por los portadores calientes mayoritarios: el Efecto de Fotoemisión Interna (IPE) y el Efecto Fotodinámico de Barrera (BPE), y un tercer efecto, cuyo signo depende del tipo de portador que proporcione la contribución dominante: el Efecto Fotodinámico de Gradiente (GPE). Para todos ellos se han propuesto modelos teóricos que expliquen los mecanismos físicos que los generan, los cuales han sido satisfactoriamente ajustados a los resultados experimentales obtenidos.

Autor: MERINO ALVAREZ JOSE MANUEL.
Año: 1997.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA.

Resumen: En una primera parte, se han estudiado los compuestos en volumen. En primer lugar se han caracterizado los compuestos CuGa1-YInYTe2, analizando sus propiedades estructurales y de transporte y se han calculado las ionicidades y constantes de fuerza del enlace III-Te. En segundo lugar, se ha estudiado el efecto de las desviaciones estaquiométricas en las propiedades estructurales, eléctricas y ópticas del CuInSe2, determinándose algunos niveles de defectos que aparecen en el gap. En una segunda parte, los compuestos se han estudiado en forma de lámina delgada. Se han depositado, por evaporación térmica, láminas delgadas de compuestos cuaternarios de CuGa1-yInyTe2 con diferentes temperaturas de sustrato analizando su composición y sus propiedades estructurales, de transporte y ópticas, así como el efecto de diversos tratamientos térmicos. Igualmente con láminas de CuGa1-zInzSe2 depositadas por evaporación "flash" determinándose las mejores condiciones de crecimiento. Por último, se han fabricado y caracterizado células solares en lámina delgada del tipo Mo/Cu (In,Ga)Se2/CdS/ZnO.