SEMICONDUCTORES, 4

Autor: NOYA ESCUDEIRO JOSE CARLOS.
Año: 1997.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: Mediante simulaciones de monte carlo usando las integrales de camino estudiamos propiedades de equilibrio que dependen del caracter cuántico de los núcleos; tales como el parámetro de celda; la capacidad calorífica; etc. usando la aproximación de la teoría cuántica del estado de transición se ha calculado la constante de reorientación del complejo B-H en silicio; poniendo de manifiesto la transición a 60 k de un régimen de difusión clásico a uno mediante tunel activado por fonones.

Autor: PEREZ NUÑEZ ESTHER.
Año: 1997.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.

Resumen: Mediante espectroscopía óptica resuelta en tiempo, se ha estudiado la dinámica de portadores en pozos cuánticos semiconductores. En concreto, se han investigado los tiempos de enfriamiento y recombinación de los excitones en pozos de GaasP sometidos a tensión de estiramiento, así como la mezcla en la banda de Valencia. Además, se ha analizado la ruptura de la degeneración de spin de los excitones en pozos intrínsecos de gaas. En pozos dopados-P, se han estudiado los tiempos de enfriamiento y recombinación de los portadores libres, así como la relajación de spin de los electrones. Además, se ha encontrado que la diferencia en la población de electrones +1/2 y -1/2 se refleja en un desdoblamiento energético de los máximos de sus respectivos espectros de luminiscencia. Por último, se ha observado la coexistencia de huecos libres y localizados en pozos cuánticos dopados-N.

Autor: QUIROGA ALONSO MANUEL IGNACIO.
Año: 1997.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: BIENIO 88-90.

Resumen: Se ha determinado la estructura de tres aleaciones del sistema Ge-Sb-Se utilizando técnicas de espectroscopía infrarroja y de difracción de rayos-X. De la primera se obtienen los espectros de transmisión cuyo análisis nos proporciona información de las unidades estructurales que pueden conformar el material. La medida de las intensidades de difracción de rayos-X permite generar modelos de estructura a partir de la información de la RDF utilizando el método de Montecarlo. Las unidades estructurales que aparecen en los modelos generados nos permite hacer un cálculo teórico, basado en el modelo de Campo, de Fuerza de Valencia, de las frecuencias normales de vibración de dichas estructuras y su posterior comparación con las frecuencias experimentales obtenidas por espectroscopía infrarroja.

Autor: RUIZ PEREZ JUAN JOSE.
Año: 1997.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: CIENCIA DE MATERIALES.

Resumen: La Tesis Doctoral que se presenta, introduce un conjunto de métodos originales para la caracterización óptica de láminas delgadas de semiconductores, depositados sobre un substrato de vidrio grueso y transparante. Estos métodos permiten obtener las partes real e imaginaria del índice de refracción complejo, el coeficiente de absorción, el espesor de la película y el gap óptico del material analizado. Se estudia, también, el efecto producido en los espectros por la falta de uniformidad de la lámina de semiconductor. Se propone un modelo geométrico con un gradiente de espesor constante que se aplica con éxito sobre películas reales de distintas composiciones. Se presentan expresiones nuevas para la reflectancia y transmitancia que responden al modelo geométrico anterior. Asimismo, se han derivado, también, nuevas expresiones para las envolventes superior e inferior de los espectros de teóricos de reflexión y de transmisión. Se presenta la justificación teórica de un nuevo fenómeno físico que puede aparecer bajo unas condiciones geométricas muy específicas; se le ha denominado Inversión de Envolventes. Se ha comprobado experimentalmente la aparición de este fenómeno sobre muestras de la composición calcogenura vítrea As25S75. Se presenta una generalización de las expresiones analíticas para la reflexión, transmisión y envolventes superior e inferior de ambas que incluyen el efecto de este fenómeno. También se introduce una nueva expresión analítica que relaciona las envolventes respectivas de espectros de reflexión de películas de espesor uniforme con los correspondientes a películas de espesor variable, y otra expresión para la envolvente de compresión máxima. Todas estas expresiones anteriores se han aplicado en los métodos propuestos sobre películas de distintas composiciones, obteniéndose las constantes ópticas del material analizado y unas cotas de los errores cometidos.

Autor: SANCHEZ ROYO JUAN FRANCISCO.
Año: 1997.
Universidad: VALENCIA.
Centro de lectura: FISICA .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA.

Resumen: En este trabajo hemos analizado las propiedades de las capas de InSe depositadas por epitaxia van der Waals sobre substratos de GaSe, centrándonos en sus propiedades estructurales, ópticas y fotovoltaicas. Hemos analizado las propiedades estructurales de las capas de InSe a partir de medidas de fotoemisión, LEED y XRD, permitiéndonos detectar la presencia de fases ajenas al InSe, aunque con una concentración muy inferior a la observada encapas preparadas por otros métodos. La presencia de defectos en las capas explica que no se haya observado ninguna seÑal del excitón, ni a las temperaturas más bajas alcanzadas, en las medidas de electroabsorción que hemos realizado. El análisis de dichas medidas nos ha permitido la dependencia con la temperatura del gap y de la anchura de la transición, que resulta ser muy similar al que se observa en el material monocristalino. Medidas del frente del espectro fotovoltaico nos permiten analizar, de forma indirecta, el frente del coeficiente de absorción de las capas de InSe. Los espectros resultantes son muy similares al que se observa en el material monocristalino, con un coeficiente de variación lineal semejante en el rango de temperaturas abarcado. Aunque la presencia de los defectos impide la observación del excitón, los espectros obtenidos indican una notable mejoría de la calidad de las capas preparadas, en comparación con los que se obtienen en capas preparadas por otros métodos. Hemos analizado la característica I (V) de los dispositivos creados a partir de las capas de InSe. La eficiencia máxima que se alcanza es del 0.6%. La presencia de los defectos en las capas provoca una disminución de la longitud de difusión de los huecos que explica estos valores de la eficiencia. Sin embargo, son aceptables si tenemos en cuenta que el espesor máximo de las capas preparadas es de una micra.

Autor: GOMILA LLUCH GABRIEL.
Año: 1997.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA .

Resumen: En la presente tesis se ha propuesto un marco teórico general para estudiar de manera unificada las propiedades de transporte de las interfases semiconductoras así como las fluctuaciones generadas en las mismas. A fin de verificar algunas de las predicciones que se derivan de la teoría presentada, se han estudiado algunas aplicaciones concretas que invulcran la presencia de uniones metal-semiconductor.

Autor: ALVAREZ CASTILLO ANGEL LUIS.
Año: 1996.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: CIRCUITOS Y SISTEMAS ELECTRONICOS INTEGRADOS.

Resumen: LA PRESENTE TESIS DOCTORAL AFRONTA EL ESTUDIO DE DOS PROBLEMAS QUE SE ENMARCAN EN LAS FASES INICIALES DE CRECIMIENTO Y DESARROLLO DE DISPOSITIVOS INTEGRADOS BASADOS EN HETEROESTRUCTURAS DE INGAAS/GAAS: LA RUGOSIDAD SUPERFICIAL QUE APARECE DURANTE EL CRECIMIENTO EPITAXIAL, Y LA PROBLEMATICA DE OBTENER ALTAS CONCENTRACIONES DE PORTADORES LIBRES MEDIANTE DOPAJE CON SI, BE Y C EN INGAAS.EN EL PRIMER CASO, SE HA ANALIZADO LA FENOMENOLOGIA DEL PROCESO DE ARRUGAMIENTO, LOS DISTINTOS FACTORES QUE LO PROPICIAN -CON ESPECIAL ATENCION A LOS QUE OPERAN EN CONDICIONES DE CRECIMIENTO ESTANDAR- Y SE HAN DETERMINADO CONDICIONES DE CRECIMIENTO OPTIMIZADAS PARA MINIMIZAR EL RELIEVE RUGOSO.EN EL SEGUNDO CASO, SE HA ESTUDIADO LA INFLUENCIA DEL CONTENIDO DE IN EN LA INCORPORACION DE LOS DISTINTOS DOPANTES. PARA ELLO SE HAN ANALIZADO LOS MODOS LOCALES DE VIBRACION DE LOS PRINCIPALES SUSTITUCIONALES MEDIANTE DISTINTAS TECNICAS DE ESPECTROSCOPIA (RAMAN Y ABSORCION DE INFRARROJOS POR T DE FOURIER). COMO RESULTADO SE HAN DADO LAS RAZONES A ESCALA MICROSCOPICA DE LOS DIVERSOS COMPORTAMIENTOS DE ESTOS DOPANTES EN LA RED CRISTALINA INGAAS.

Autor: DIEZ FERNANDEZ ENRIQUE.
Año: 1996.
Universidad: CARLOS III DE MADRID.
Centro de lectura: ESCUELA POLITECNICA SUPERIOR.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: MATEMATICAS PROGRAMA DE DOCTORADO: INGENIERIA MATEMATICA.

Resumen: EL TRABAJO SE ENMARCA EN EL ESTUDIO DE LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DE LOS DISPOSITIVOS DE LAS SUPERREDES Y LAS HETEROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS CUANDO PRESENTAN IMPERFECCIONES ESTRUCTURALES A NIVEL MICROSCOPICO.EL OBJETIVO ES REALIZAR UN ESTUDIO SISTEMATICO DE LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS DE SISTEMAS DE BAJA DIMENSIONALIDAD CON AUSENCIA DE PERIODICIDAD. EL AUTOR ESTUDIA TANTO EL REGIMEN ESTACIONARIO COMO EL DINAMICO, POR UNA PARTE, LOS EFECTOS NO-LINEALES EN HETEROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS, POR OTRA, Y FINALMENTE, LAS POSIBLES APLICACIONES TECNOLOGICAS DE HETEROESTRUCTURAS CON DESORDEN INTENCIONADO. DESPUES DE INTRODUCIR EL TEMA CON LA EXPLICACION DE CONCEPTOS Y DE LAS HERRAMIENTAS MATEMATICAS QUE EL AUTOR VA A UTILIZAR, SE PASA A ESTUDIAR EL MODELO RDM CONTINUO. POSTERIORMENTE SE CENTRA EN LAS PROPIEDADES DE LAS SUPERREDES CON DESORDEN INTENCIONADO Y SUS POSIBLES APLICACIONES PRACTICAS. EL AUTOR LLEGA A DOS CONCLUSIONES PRINCIPALES. POR UN LADO, EL MODELO "RANDOM DIMER CONTINUO" (RDMC) DEMUESTRA QUE EN SISTEMAS REALISTAS CON DESORDEN CORRELACIONADO CABE ESPERAR LA PRESENCIA DE UN NUMERO DE ESTADOS DESLOCALIZADOS. EL AUTOR DEMUESTRA QUE EN SUPERREDES SEMICONDUCTORAS ESTOS ESTADOS SE MANIFIESTAN PRODUCIENDO UN INCREMENTO DE LA CONDUCTANCIA CUANDO EL POTENCIAL QUIMICO TOMA VALORES CERCANOS A LOS DE LA RESONANCIA. EN SEGUNDO LUGAR, SE DEMUESTRA QUE EN LA RAPIDA DESTRUCCION DE LAS OSCILACIONES DE BLOCH INTERVIENEN LOS DEFECTOS INTERFACIALES QUE APARECEN DURANTE EL CRECIMIENTO DE LA MUESTRA. SE PRESENTAN TRES METODOS. UNO PARA DETERMINAR EL TIEMPO DE TRANSMISION DE UNA HETEROESTRUCTURA, Y DOS MODELOS NO LINEALES PARA EL ESTUDIO DE CONTINUOS DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS. EL TRABAJO SE ACOMPAÑA DE BIBLIOGRAFIA Y GRAFICOS QUE ILUSTRAN LOS ESTUDIOS EXPERIMENTALES.

Autor: MARTIN PEREZ M. PILAR.
Año: 1996.
Universidad: VALLADOLID.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA; CRISTALOGRAFIA Y MINERALOG. .

Resumen: SE HAN ESTUDIADO DIVERSOS MATERIALES (ASGA PIN CON DIFERENTES DOPANTES Y CAPAS EPITAXIALES CON TRES TECNICAS EXPERIMENTALES: ESPECTROSCOPIA RAMAN, ATAQUE QUIMICO Y MICROSCOPIA POR SALTO DE FASE (PSM). EL PIN PRESENTA UNA FUERTE FOTOGENERACION DE PORTADORES CUANDO SE LA EXCITA CON LUZ LASER, ESTA GENERACION ES DEBIDA A LA BAJA VELOCIDAD DE RECOMBINACION EN SUPERFICIE Y ESTA LIMITADA POR LA PRESENCIA DE DISLOCACIONES Y DAÑO EN SUPERFICIE, ADEMAS ESTE MATERIAL PRESENTA UNA GRAN TENDENCIA A LA OXIDACION EN CONTACTOS CON LA ATMOSFERA. PRESENTA DISTINTOS GRADOS DE HOMOGENEIDAD DEPENDIENDO DEL DOPANTE. SE HAN ESTUDIADO LAS DIFERENTES MORFOLOGIAS DE DEFECTOS EN ASGA: SI PARA FUNDIDOS RICOS EN AS Y RICOS EN GA. EL PRIMERO PRESENTA ELEVACIONES DESPUES DEL ATAQUE QUIMICO Y EL SEGUNDO DEPRESIONES. ESTOS DATOS FUERON CORRELACIONADOS CON LOS RESULTADOS RAMAN. CUANDO EL DOPANTE ES TE SE PRODUCE UNA DISTORSION RETICULAR MUCHO MAYOR. LOS DEFECTOS TIPICOS DE LAS CAPAS EPITAXIALES SON LOS OVALES; LES HAY SIN NUCLEO O CON EL. SON ZONAS DE CRECIMIENTO TRIDIMENSIONAL IRREGULAR, QUE PRESENTAN VIOLACIONES DE LAS REGLAS DE SELECCION RAMAN EN SUS CENTROS.

Autor: POSTIGO RESA PABLO AITOR .
Año: 1996.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: "MATERIALES Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS".

Resumen: LAS CONCLUSIONES FINALES DE ESTE TRABAJO PUEDEN RESUMIRSE EN LOS SIGUIENTES PUNTOS: 1) SE HA PUESTO A PUNTO Y APLICADO CON EXITO LA TECNICA DE REFLECTANCIA DIFERENCIAL A LA CARACTERIZACION IN-SITU DE DIVERSOS PROCESOS DE CRECIMIENTO POR MBE DE SISTEMAS EPITAXIALES III-V. 2) HEMOS DESARROLLADO UNA NUEVA TECNICA DE CARACTERIZACION OPTICA IN-SITU, QUE HEMOS DENOMINADO ESPECTROSCOPIA DE MODULACION QUIMICA SUPERFICIAL, QUE PERMITE REALIZAR MEDIDAS ESPECTROSCOPICAS SOBRE LAS SUPERFICIES RECONSTRUIDAS DE LOS COMPUESTOS III-V. 3) SE HA EMPLEADO ESTA NUEVA TECNICA PARA OBSERVAR, POR PRIMERA VEZ, LAS TRANSICIONES OPTICAS CARACTERISTICAS DE LAS SUPERFICIES (001) DE DOS CONJUNTOS DE COMPUESTOS SEMICONDUCTORES III-V. 4) CON EL FIN DE INTERPRETAR LOS ESPECTROS OBSERVADOS, HEMOS MODELIZADO LA ABSORCION OPTICA ASOCIADA A LOS DIMEROS DE LAS SUPERFICIES (001) DE LOS COMPUESTOS III-V. LOS VALORES TEORICOS DE LAS POSICIONES ENERGETICAS DE LAS TRANSICIONES OPTICAS Y LA EVOLUCION DE LAS MISMAS EN FUNCION DE LOS DISTINTOS COMPUESTOS ESTAN EN BUEN ACUERDO CON LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES. 5) POR ULTIMO, LA APLICACION DE LA TECNICA A DIFERENTES SISTEMAS HETEROEPITAXIALES (GAINP/GAAS, INAS/ALAS, GAAS/GAP Y PUNTOS CUANTICOS INP/GAP), DEMUESTRAN LA EXTRAORDINARIA SENSIBILIDAD DE LA MISMA PARA LA DETERMINACION IN-SITU DE LAS ESPECIES QUIMICAS PRESENTES EN LA SUPERFICIE.

Autor: RAMIRO BARGUEÑO JULIO.
Año: 1996.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA.

Resumen: SE HA DEPOSITADO EL SEMICONDUCTOR TERNARIO CDXHG1-XTE CON BAJO CONTENIDO EN MERCURIO, EN FORMA DE LAMINA DELGADA, SOBRE SUBSTRATOS DE TI E ITO MEDIANTE LA TECNICA DE ELECTRODEPOSICION CATODICA. EN ESTE PROCESO DE CRECIMIENTO SE HA PRESTADO ESPECIAL ATENCION A DOS VARIABLES: A) POTENCIAL DE DEPOSICION B) CONCENTRACION DE IONES MERCURIO EN EL BAÑO ELECTROLITICO. EL RANGO DE POTENCIAL ESTUDIADO ES (-550 MV, -650 MV) Y PARA LA CONCENTRACION DE IONES MERCURIO DE 0.02 A 0.3 VECES LA CONCENTRACION DE IONES (HTEO2+) EN EL ELECTROLITO. LAS MUESTRAS HAN SIDO CARACTERIZADAS UTILIZANDO LAS TECNICAS DE: XRD, EDX, ESPECTROSCOPIA EN EL VISIBLE Y NIR, XPS, ESPECTROSCOPIA DE FOTOCORRIENTES Y EFICIENCIA CUANTICA. LOS RESULTADOS MAS INTERESANTES REVELAN QUE DETERMINADAS ESTRUCTURAS MULTICAPAS-MULTIPOTENCIALES FORMADAS MEDIANTE VARIACION ADECUADA DE ESTAS DOS VARIABLES DE CRECIMIENTO PRESENTAN EFICIENCIAS CUANTICAS DE CONVERSION MUY UTILES EN EL FENOMENO FOTOVOLTAICO, MUY SUPERIORES A ESTRUCTURAS DE LAMINAS SIMPLES.

Autor: ALSINA SUREDA FRANCESC.
Año: 1995.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: CIENCIAS FISICAS.

Resumen: EL CRECIMIENTO EN FASE VAPOR DE LA ALEACION GAINP SOBRE SUBSTRATOS DE GAAS (001) DA LUGAR AL ORDENAMIENTO ESPONTANEO DE ESTA EN UNA ESTRUCTURA CUPT. LA INVESTIGACION DE LOS EFECTOS DE REDUCCION DE SIMETRIA EN LOS ESTADOS ELECTRONICOS SE HABIA CENTRADO ANTERIORMENTE EN LOS ESTADOS PROXIMOS AL GAP FUNDAMENTAL. HEMOS OBSERVADO EFECTOS SIMILARES EN LA TRANSICION E1 Y LOS HEMOS INTERPRETADO A PARTIR DE LA ROTURA DE LA EQUIVALENCIA DE LA DIRECCIONES (111) DEBIDO AL ORDENAMIENTO. LA DISMINUCION Y DESDOBLAMIENTO DE LA TRANSICION SE HAN RELACIONADO CON EL GRADO DE ORDEN PRESENTE EN LA MUESTRA. REALIZANDO MEDIDAS DE DISPERSION RAMAN SE HA OBSERVADO LA APARICION DE NUEVOS MODOS DE VIBRACION NO PRESENTES EN EL MATERIAL DESORDENADO Y CON UNAS REGLAS DE SELECCION BIEN DEFINIDAS.

Autor: BEN RAKKAD MOHAMED SAID.
Año: 1995.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA I ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: MICRO Y OPTOELECTRONICA FISICA.

Resumen: EL SILICIO POLICRISTALINO, MATERIAL BASICO EN EL DESARROLLO DE MEMS (MICRO-ELECTRO-MECHANICAL-SYSTEMS), HA SIDO ESTUDIADO DESDE PUNTO DE VISTA ESTRUCTURAL Y MECANICO MEDIANTE ESPECTROSCOPIA RAMAN, UTILIZANDO SIMULACIONES BASADAS EN EL MODELO DE CORRELACION ESPACIAL Y PRESENCIA DE ESFUERZOS. SE HA UTILIZADO TAMBIEN OTRAS TECNICAS COMPLEMENTARIAS (MEDIDAS DE CURVATURA, XRD, TEM, AFM) CON EL FIN DE CORROBORAR LOS RESULTADOS DE ESPECTROSCOPIA RAMAN. SEGUN LA MORFOLOGIA DE LAS CAPAS DE POLISILICIO, BASICAMENTE EL TAMAÑO DE GRANO Y LOS DEFECTOS EN EL MATERIAL, SE PRESENTAN DIFERENTES SITUACIONES QUE SE HAN MODELIZADO: A) POLISILICIO CON ESFUERZO UNIFORME B) POLISILICIO CON ESFUERZO MECANICO UNIFORME Y CON CONFINAMIENTO ESPACIAL C) POLISILICIO CON DISTRIBUCION DEL ESFUERZO Y CONFINAMIENTO ESPACIAL. EL CONOCIMIENTO ADQUIRIDO NOS PERMITE PREDECIR EL COMPORTAMIENTO DE ESTRUCTURAS MICROMECANICAS CONSTRUIDAS EN POLISILICIO Y EL GRADIENTE DEL ESFUERZO HA SIDO VALIDADO MEDIANTE LA DIFRACCION DE RAYOS-X. LA INFLUENCIA DE PARAMETROS TECNOLOGICOS DE DOPAJE Y POST PROCESO SOBRE LAS CARACTERISTICAS MECANICAS DE LAS CAPAS HA SIDO ESTUDIADO.

Autor: CAMPO RUIZ J. JAVIER.
Año: 1995.
Universidad: ZARAGOZA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA.

Resumen: EL TRABAJO DESARROLLADO EN ESTA TESIS TRATA SOBRE LAS PROPIEDADES MAGNETICAS DE SISTEMAS DESORDENADOS. SE PUEDE DIVIDIR EN DOS PARTES ATENDIENDO AL TIPO DE MATERIALES ESTUDIADOS EN CADA UNA DE ELLAS. EN LA PRIMERA SE ESTUDIAN LOS DIAGRAMAS DE FASE MAGNETICOS DE SISTEMAS ANTIFERROMAGNETICOS DE BAJA ANISOTROPIA Y EL EFECTO QUE SOBRE ELLOS TIENE LA SUBSTITUCION DE PARTE DE LOS CATIONES PARAMAGNETICOS POR IMPUREZAS DIAMAGNETICAS. CONCRETAMENTE SE PONE DE MANIFIESTO NUEVA FENOMENOLOGIA TANTO EN LAS REGIONES DE ALTO COMO DE BAJO CAMPO DE LOS DIAGRAMAS DE FASE. ASIMISMO, PARA DETERMINAR EL ORIGEN DE LAS NUEVAS PROPIEDADES OBSERVADAS SE PROPONEN Y REALIZAN EXPERIMENTOS DE DIFRACCION DE NEUTRONES BAJO CAMPO MAGNETICO EN MONOCRISTALES DE TALES MUESTRAS. EL ANALISIS DE TALES EXPERIMENTOS PARECE INDICAR COMO ORIGEN MAS PROBABLE DE LAS ANOMALIAS OBSERVADAS LA PRESENCIA DE UNA FASE INTERMEDIA PREDICHA TEORICAMENTE POR AHARONY EN 1978 Y OBSERVADA HASTA LA FECHA EN UN SOLO TRABAJO EXPERIMENTAL. LA SEGUNDA PARTE DE LA TESIS ESTA DEDICADA AL ESTUDIO MAGNETICO DE LAS NUEVAS FAMILIAS DE SEMICONDUCTORES SEMIMAGNETICOS CON ESTRUCTURA DE CALCOPIRITA DEFECTIVA CD1-XMNXIN2TE4 Y ZN1-XMNXGA2SE4. DE TAL ESTUDIO SE DETERMINAN LAS CONSTANTES DE INTERCAMBIO ENTRE LOS IONES MAGNETICOS, OBTENIENDOSE VALORES UN ORDEN DE MAGNITUD INFERIORES A LOS ENCONTRADOS EN LOS ANALOGOS IIMN-VI. TAMBIEN SE CARACTERIZAN COMPLETAMENTE LAS FASES DE VIDRIO DE ESPIN QUE MUESTRAN LOS COMPUESTOS CON MAYOR CONTENIDO EN MN. DEL ESCALADO DE LAS CURVAS DE SUSCEPTIBILIDAD NO LINEAL FRENTE A TEMPERATURA MEDIDAS EN TALES COMPUESTOS OBTENEMOS UN CONJUNTO DE EXPONENTES CRITICOS COMPATIBLES CON LOS PREDICHOS TEORICAMENTE PARA VIDRIOS DE ESPIN HEISENBERG-3D. POR OTRA PARTE SE HAN DETERMINADO LOS COEFICIENTES DE PROBABILIDAD DE PRESENCIA DE DIFERENTES TIPOS DE CLUSTERS PI(X) ASOCIADOS CON VARIOS ESQUEMAS DE ORDENAMIENTO DE CATIONES EN LA ESTRUCTURA CALCOPIRITA DEFECTIVA. EN LA SEGUNDA PARTE, ASIMISMO, SE HA REALIZADO UN ESTUDIO DE LAS CONSTANTES DE INTERCAMBIO SP-D EN LOS COMPUESTOS DE LA SERIE CD1-XCOXSE. TAL ESTUDIO HA SIDO LLEVADO A CABO A PARTIR DE MEDIDAS DE IMANACION Y FOTOCONDUCTIVIDAD.

Autor: CATURLA TEROL M. JOSE.
Año: 1995.
Universidad: VALENCIA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA TEORICA.

Resumen: EL OBJETIVO FUNDAMENTAL DE ESTA TESIS ES EL ESTUDIO TEORICO, A NIVEL MICROSCOPICO, DEL DAÑO PRODUCIDO EN UN SEMICONDUCTOR DEBIDO A LA IRRADIACION CON IONES DE BAJA ENERGIA. SE HA ESTUDIADO LA AMORFIZACION DEL SILICIO DEBIDA AL BOMBARDEO IONICO, ASI COMO LA RECRISTALIZACION DEL DAÑO PRODUCIDO, UTILIZANDO TECNICAS DE SIMULACION POR ORDENADOR COMO DINAMICA MOLECULAR Y METODOS MONTE CARLO. LA PRINCIPAL APLICACION DE ESTOS ESTUDIOS ESTA EN LA TECNOLOGIA DE DOPADO DE SEMICONDUCTORES. EN ESTE TRABAJO DEMOSTRAMOS LA DIFERENTE MORFOLOGIA DEL DAÑO PRODUCIDO POR IONES LIGEROS Y PESADOS AL IRRADIAR SILICIO. IONES PESADOS PRODUCEN ZONAS AMORFAS EN LA RED, MIENTRAS QUE IONES LIGEROS FORMAN PEQUEÑOS GRUPOS DE DEFECTOS. HEMOS ESTUDIADO EL PROCESO DE RECRISTALIZACION DE LAS ZONAS AMORFAS Y DERIVADO CONSECUENCIAS PARA LA AMORFIZACION COMPLETA DEL MATERIAL. TAMBIEN SIMULAMOS LA RECRISTALIZACION DE UNA INTERFASE PLANA AMORFOCRISTAL INDUCIDA POR IONES DE BAJA ENERGIA. PARA PODER ESTUDIAR FENOMENOS QUE SUCEDEN A TIEMPOS LARGOS, DEL ORDEN DEL SEGUNDO O MINUTOS, HEMOS ACOPLADO DOS METODOS DE SIMULACION: DINAMICA MOLECULAR Y SIMULACION DE DIFUSION DE DEFECTOS POR MONTE CARLO.

Autor: GARCIA CRISTOBAL ALBERTO.
Año: 1995.
Universidad: VALENCIA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: 175A.

Resumen: EN ESTA MEMORIA SE INVESTIGAN TEORICAMENTE DIVERSOS EFECTOS DE RESONANCIA EN LA DISPERSION DE LUZ EN SEMICONDUCTORES. SE HA ESPECIAL ENFASIS EN LA DESCRIPCION MAS ADECUADA PARA CADA CASO DE LAS EXCITACIONES ELECTRONICAS QUE ACTUAN DE MEDIADORAS EN EL PROCESO DE DISPERSION. EN PRIMER LUGAR SE DESARROLLA UN TRATAMIENTO DE LA DISPERSION RAMAN RESONANTE POR DOS FONONES OPTICOS, INCLUYENDO EXCITONES DE WANNIER COMO ESTADOS INTERMEDIOS. LOS RESULTADOS OBTENIDOS PERMITEN INTERPRETAR LOS PERFILES DE RESONANCIA MEDIDOS EN VALOR ABSOLUTO EN DIVERSOS SEMICONDUCTORES III-V Y II-VI. A CONTINUACION SE ELABORA UN MODELO EXCITONICO DE LA DISPERSION HIPER-RAMAN VALIDO PARA FRECUENCIAS DE EXCITACION ALREDEDOR DE UNA TRANSICION OPTICA DIRECTA PERMITIDA. LOS CALCULOS REALIZADOS SON COMPATIBLES CON LOS ESCASOS RESULTADOS EXPERIMENTALES EXISTENTES Y PERMITEN PREDECIR LA APARICION DE ESTRUCTURA ADICIONAL EN EL PERFIL DE RESONANCIA, PARA ENERGIAS POR ENCIMA DEL GAP. FINALMENTE SE ESTUDIA LA INFLUENCIA DE UN CAMPO ELECTRICO EXTERNO SOBRE LA INTENSIDAD RAMAN. MEDIANTE LOS RESULTADOS OBTENIDOS SE EXPLICAN MEDIDAS REALIZADAS RECIENTEMENTE EN MUESTRAS DE ARSENIURO DE GALIO.

Autor: MACIA SANTAMARIA JAVIER.
Año: 1995.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA I ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: OPTO I MICROELECTRONICA. BIENNI 91-93.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE PRESENTA UN ANALISIS POR ESPECTROSCOPIA RAMAN, COMPLEMENTADA MEDIANTE TEM, FTIR Y MICROSCOPIA DE SALTO DE FASE. SE HAN CARACTERIZADO DIVERSAS ESTRUCTURAS SIMOX, OBTENIDAS BAJO DISTINTOS PARAMETROS TECNOLOGICOS, A FIN DE DETERMINAR LA POSIBLE INFLUENCIA DE LOS PARAMETROS TECNOLOGICOS EN LA CALIDAD FINAL DE LAS ESTRUCTURAS. PARA UNA CORRECTA INTERPRETACION DE LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES HA SIDO NECESARIO MODELIZAR DISTINTOS ASPECTOS, COMO SON EFECTOS DE DESORDEN, LO QUE SE HA MODELIZADO MEDIANTE UN MODELO DE LONGITUD DE CORRELACION ASI COMO HA SIDO NECESARIO DESARROLLAR UN MODELO DE DESCONVOLUCION DE LAS CONTRIBUCIONES DE LAS DISTINTAS PARTES DE LAS ESTRUCTURAS, A LOS ESPECTROS RAMAN. SE HA DETERMINADO LA EXISTENCIA DE UNA CLARA CORRELACION DE LAS CARACTERISTICAS DE LOS ESPECTROS EXPERIMENTALES EN LAS MUESTRAS NO RECOCIDAS CON LA DENSID FINAL DE DISLOCACIONES EN LAS MUESTRAS RECOCIDAS, EN FUNCION DEL ESTADO DE LA SUPERFICIE DURANTE LA IMPLANTACION. SE HA CONCLUIDO QUE EL ESTADO DE LA SUPERFICIE, LA DOSIS IMPLANTADA, EL METODO DE IMPLANTACION Y LA PROXIMIDAD DE LA INTERFICIE SI/BOX SON DETERMINANTES.

Autor: PORTO ORTEGA JUAN ANTONIO.
Año: 1995.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA TEORICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA TEORICA DE LA MATERIA CONDENSADA.

Resumen: EN ESTA TESIS SE ESTUDIAN TEORICAMENTE LAS PROPIEDADES DE ALGUNOS TIPOS DE ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS DE BAJA DIMENSIONALIDAD. EN LA PRIMERA PARTE SE ESTUDIAN LOS TIEMPOS DE TUNNELING EN ESTRUCTURAS DE DOBLE BARRERA. PARA ESTE FIN SE HACE USO DEL METODO DE ESTABILIZACION. ASIMISMO, SE ESTUDIA EL EFECTO DEL PERFIL DE DOPAJE EN LOS TIEMPOS DE TUNNELING ASI COMO FENOMENOS DE ACUMULACION DE CARGA. EN LA SEGUNDA PARTE SE ESTUDIAN LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS DE POZOS CUANTICOS CRECIDOS SOBRE SUPERFICIES VECINALES. CONCRETAMENTE, SE ESTUDIAN DE FORMA EXHAUSTIVA LAS DIVERSAS CAUSAS QUE PUEDEN ESTAR EN EL ORIGEN DEL CORRIMIENTO A ALTAS ENERGIAS DE LAS TRANSICIONES ELECTRONICAS EN LOS POZOS CUANTICOS VICINALES. EN LA TERCERA PARTE SE ESTUDIAN LAS PROPIEDADES ESTRUCTURALES DE AGREGADOS DE SEMICONDUCTORES SINTETIZADOS EN LAS CAVIDADES DE LA ZEOLITA Y. PARA DICHO ESTUDIO SE HACE USO DE UN METODO DE "TIGHT-BINDING" NO ORTOGONAL Y DINAMICA MOLECULAR, CON EL FIN DE OBTENER LAS ESTRUCTURAS DE EQUILIBRIO DE LOS AGREGADOS DE SEMICONDUCTORES.

Autor: SENDRA SENDRA JOSE RAMON .
Año: 1995.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: TECNOLOGIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: MATERIALES Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

Resumen: LA TECNOLOGIA DE ATAQUE SECO A TEMPERATURA AMBIENTE DE ALEACIONES III-V BASADAS EN IN ESTA FUNDAMENTADA EN ATAQUES MEDIANTE PLASMAS DE CH4/H2. LA TRANSFERENCIA DE ESTA TECNOLOGIA DESDE LOS CONVENCIONALES REACTORES DE RADIOFRECUENCIA A REACTORES ECR REQUIERE LA MODIFICACION DE LA QUIMICA DEL PLASMA PARA EVITAR DOS PROBLEMAS FUNDAMENTALES: LA INESTABILIDAD DEL PLASMA Y LA DEPOSICION DE HIDROCARBUROS SOBRE LAS PAREDES. AMBOS PROBLEMAS SE RESUELVEN MEDIANTE LA INNOVADORA ADICION DE N2 AL PLASMA, PERMITIENDO LA MEZCLA DE GASES FINAL DOS OBJETIVOS BASICOS: LA CONTROLABILIDAD Y REPRODUCIBILIDAD DEL PROCESO Y LA EXTREMA SUAVIDAD DE LAS SUPERFICIES FINALES. ESTE PLASMA ES APLICADO AL ATAQUE DE ALEACIONES III-V BASADAS EN IN CON INMEJORABLES RESULTADOS. EL ATAQUE DE ALEACIONES QUE CONTENGAN AL EXIGE AÑADIR AL PLASMA DE CH4/H2/N2 UN GAS QUE CONTENGA C1, EL COMPUESTO ELEGIDO ES SIC14. SE CONSIGUE ASI UN PLASMA QUE PERMITE EL PROCESADO DE HETEROESTRUCTURAS QUE CONTENGAN A SU VEZ A1 E IN CUANDO LA RELACION DE FLUJOS ENTRE GASES ES LA ADECUADA. SE REALIZA UNA EXHAUSTIVA CARACTERIZACION DEL DAÑADO EN FUNCION DE LA ENERGIA IONICA, QUE COMO RESULTADO GLOBAL PERMITE INTRODUCIR UN MODELO DE EVOLUCION DEL DAÑADO EN FUNCION DE LA ENERGIA IONICA, QUE RESULTA TENER LA FORMA FUNCIONAL DE UNA CONVOLUCION ENTRE EL PERFIL DE DAÑADO INSTANTANEO Y LA VELOCIDAD DE ATAQUE.

Autor: AIT LHOUSS MOHAMED.
Año: 1994.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.

Resumen: SE HA DESARROLLADO Y PUESTO A PUNTO UN SISTEMA DE CRECIMIENTO EPITAXIAL DE CAPAS SEMICONDUCTORAS EN CONDICIONES DE ULTRA ALTO VACIO A PARTIR DE ORGANOMETALICOS (CBE). SE HAN ESTUDIADO LAS CONDICIONES Y PRODUCTOS DE DESCOMPOSICION DEL TBAS EN UNA CELULA DE INYECCION DE NITRURO DE BORO, ENCONTRANDOSE LAS MEJORES CONDICIONES PARA LA UTILIZACION DE TBAS COMO FUENTE DE AS. SE HAN CRECIDO CAPAS DE ASGA A PARTIR DE FLUJOS CONTINUOS DE TEGA Y TBAS Y SE HA ESTUDIADO LA CALIDAD DE ESTAS CAPAS EN FUNCION DE LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO (TEMPERATURA DEL SUSTRATO, VELOCIDAD DE CRECIMIENTO, RELACION DE FLUJOS Y TEMPERATURA DE DESCOMPOSICION DE TBA). EL ESTUDIO DE LA CALIDAD DE LAS CAPAS HA INCLUIDO CARACTERIZACION ELECTRICA, OPTICA Y MORFOLOGICA. SE HAN CRECIDO ASI MISMO CAPAS DE ASGA A PARTIR DE FLUJOS ALTERNADOS DE TBAS Y TEGA. EN ESTAS CONDICIONES SE HAN OBTENIDO CRECIMIENTOS PARA TEMPERATURAS DEL SUSTRATO POR ENCIMA DE 380 GRADOS C.