SEMICONDUCTORES, 5

Autor: BLASCO MARTINEZ EMILIO.
Año: 1994.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ESCUELA TECNICA SUPERIOR DE INGENIERIA DE TELECOMUNICACION DE LA UNIVERSIDAD POLITECNICA DE CATALUÑA.

Resumen: EL OBJETIVO DE ESTA TESIS CONSISTE EN UN ANALISIS TEORICO EXPERIMENTAL DE LOS FENOMENOS DE ALTO DOPADO QUE TIENEN LUGAR EN EL EMISOR DE UNA CELULA SOLAR FOTOVOLTAICA DE SILICIO TIPO N DOPADO CON FOSFORO. EN EL ASPECTO TEORICO SE DESARROLLA UNA EXPRESION EXACTA PARA LA CORRIENTE DE MINORITARIOS EN FUNCION DEL COCIENTE ENTRE CORRIENTE DE RECOMBINACION VOLUMETRICA Y SUPERFICIAL. ESTA EXPRESION ADMITE COMO CASOS PARTICULARES LOS MODELOS TRANSPARENTE Y QUASITRANSPARENTE. ASIMISMO TAMBIEN PERMITE LA EXTRACCION DE COTAS DE ERROR QUE CUANTIFICAN LA CONDICION DE TRANSPARENCIA DE UN EMISOR ARBITRARIO. UTILIZANDO EL MODELO TRANSPARENTE SE PROPONE UNA ESTRUCTURA DE MEDIDA QUE PERMITE LA ESTIMACION DEL COCIENTE ENTRE DOPADO EFECTIVO Y MOVILIDAD DE MINORITARIOS A TRAVES DE LOS PARAMETROS ELECTRICOS EN OSCURIDAD E ILUMINACION. ESTA ESTRUCTURA ESTA CONSTITUIDA POR UN CONJUNTO DE CELULAS SOLARES IDENTICAS A EXCEPCION DEL EMISOR. LOS DISTINTOS EMISORES SE OBTIENEN MEDIANTE SUCESIVAS ELIMINACIONES DE CAPAS SUPERFICIALES DE UN EMISOR INICIAL IDENTICO PARA TODAS LAS CELULAS. EN EL ASPECTO TECNOLOGICO SE HAN DEFINIDO, Y REALIZADO, UN CONJUNTO DE PROCESOS PARA LA FABRICACION DE LA ESTRUCTURA DE MEDIDA. LOS RESULTADOS DE LA CARACTERIZACION ELECTRICA DE LOS DISPOSITIVOS FABRICADOS SE HAN PROCESADO PARA PROPORCIONAR ESTIMACIONES EXPERIMENTALES PARA EL ESTRECHAMIENTO DEL GAP PARA VALORES DE DOPADO HASTA 2 10 ELEVADO A 20 CM ELEVADO A -3 QUE SE MUESTRAN EN CONCORDANCIA CON LOS VALORES MAS CONOCIDOS EN LA LITERATURA.

Autor: BRU ESPINO ANTONIO.
Año: 1994.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA ATOMICA, MOLECULAR Y NUCLEAR PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA ATOMICA Y NUCLEAR.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE ESTUDIAN LOS EFECTOS QUE PRODUCE UNA RADIACION IONIZANTE AL INCIDIR SOBRE UN DISPOSITIVO MOS (METAL-OXIDO- SEMICONDUCTOR). DICHO ESTUDIO SE SEPARA EN DOS PARTES: LA GENERACION Y RECOMBINACION INICIAL DE LOS PARES ELECTRON -HUECO Y EL PROCESO DE TRANSPORTE Y ATRAPAMIENTO DE LOS HUECOS QUE ESCAPAN A LA RECOMBINACION INICIAL. EL TRANSPORTE DE LOS ELECTRONES NO SE ESTUDIA DEBIDO A QUE SON "BARRIDOS" INMEDIATAMENTE POR LA ACCION DEL CAMPO ELECTRICO EXISTENTE EN EL DISPOSITIVO. EN LA PRIMERA PARTE SE ESTUDIA LA INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA, CAMPO ELECTRICO EXTERNO APLICADO Y CAMPO ELECTRICO CREADO POR LAS DISTRIBUCIONES DE PORTADORES. SE ESTUDIAN TAMBIEN EFECTOS DE SEGREGACION DE PORTADORES. PARA ESTUDIAR EL TRANSPORTE ESTOCASTICO DE LOS HUECOS DESDE SUS LUGARES DE GENERACION HASTA LA INTERFASE SI-SIO2. SE PRESENTA EL DESARROLLO DE UN TRATAMIENTO ANALITICO, CUYOS RESULTADOS SE COMPARAN CON SIMULACIONES DE MONTECARLO. SE CONSIDERA EL ATRAPAMIENTO DE LOS HUECOS POR TRAMPAS.

Autor: DOÑA RODRIGUEZ JOSE MIGUEL.
Año: 1994.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: QUIMICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ASPECTOS TEORICOS Y EXPERIMENTALES DE LA QUIMICA..

Resumen: - SE HA LLEVADO A CABO EL ESTUDIO DEL PROCESO DE DEPOSITO QUIMICO DE PELICULAS DELGADAS DE CDS, ZNS, ZNSE Y ALEACIONES DE CDS-ZNS, ASI COMO LA CARACTERIZACION ESTRUCTURAL, OPTICA Y ELECTRICA DE LOS MATERIALES OBTENIDOS Y SU APLICACION COMO CAPAS VENTANA EN DISPOSITIVOS DEL TIPO: CIS/VENTANA/ZNO.SE HA ENCONTRADO QUE EL DEPOSITO QUIMICO DE CDS SE PRODUCE MEDIANTE UN PROCESO DEL TIPO "ATOMO POR ATOMO" Y SE HA PROPUESTO UN MECANISMO DE DEPOSITO QUE JUSTIFICA LA ECUACION DE VELOCIDAD DETERMINADA EXPERIMENTALMENTE. - SE HA COMPROBADO QUE LAS PELICULAS DE CDS ASI OBTENIDAS PRESENTAN MUY BUENA CRISTALINIDAD, CON UNA ESTRUCTURA TIPO WURTZITA Y UNA ORIENTACION PREFERENCIAL. - SE HA ENCONTRADO QUE ESTAS PELICULAS PRESENTAN CARACTERISTICAS OPTICAS SIMILARES A LAS DE MONOCRISTALES DEL MISMO MATERIAL. LA CONDUCTIVIDAD MEDIDA EN ESTE MATERIAL ES BAJA, EN TORNO A 10-7 SCM-1 Y SE OBSERVA UN COMPORTAMIENTO PRACTICAMENTE INTRINSECO. - SE HA ENCONTRADO QUE EL DEPOSITO QUIMICO DE PELICULAS DELGADAS DE ZNS Y ZNSE SE PRODUCE MEDIANTE LA AGREGACION DE PARTICULAS COLOIDALES FORMADAS EN EL BAÑO DE REACCION. - SE HA DETERMINADO QUE LOS DEPOSITOS DE ZNS Y ZNSE PRESENTAN UNA BAJA CRISTALINIDAD NO OBSERVANDOSE NINGUNA ORIENTACION CRISTALINA PREFERENCIAL. - SE HA COMPROBADO QUE ESTOS MATERIALES PRESENTAN UNA ALTA TRANSPARENCIA Y MUY BAJA CONDUCTIVIDAD, EN TORNO A 10-8 SCM-1. - SE HA ENCONTRADO QUE EL DEPOSITO DE ESTAS MEZCLAS SE PRODUCE MEDIANTE LA COMBINACION DE LOS MECANISMOS QUE PRODUCEN EL DEPOSITO DE CDS Y ZNS LO QUE DA LUGAR A UNA MEZCLA HETEROGENEA DE CDS, ZNS Y CD03ZN07S. - SE HA DEMOSTRADO QUE LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS DE ESTOS DEPOSITOS SE EXPLICAN ATENDIENDO A LA PRESENCIA DE ESA MEZCLA DE FASES, ASI COMO A SU DISTRIBUCION EN LA PELICULA. - SE HA COMPROBADO QUE LA UTILIZACION EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS DE CDS Y MEZCLAS DE CDS-ZNS, PREPARADOS POR ESTE METODO, DA LUGAR A BUENAS EFICIENCIAS DE CONVERSION. SIN EMBARGO, LA UTILIZACION DE ZNS Y ZNSE DA LUGAR POBRES RESULTADOS, QUE INDICAN LA NECESIDAD DE TRATAMIENTOS POSTERIORES AL DEPOSITO DE DICHOS MATERIALES QUE PRODUZCAN UNA MEJORA DE SUS CARACTERISTICAS ELECTRICAS.

Autor: IÑARREA LAS HERAS JESUS.
Año: 1994.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: ESTA TESIS DESARROLLA UN NUEVO FORMALISMO PARA ESTUDIAR EL PROBLEMA DEL TUNEL COHERENTE- SECUENCIAL ASISTIDO POR LUZ A TRAVES DE UNA ESTRUCTURA DE DOBLE BARRERA SEMICONDUCTORA. LA CONTRIBUCION COHERENTE RESULTA UN ORDEN DE MAGNITUD MAS GRANDE QUE LA SECUENCIAL. EXISTIENDO UN BUEN ACUERDO ENTRE TEORIA Y EXPERIMENTOS. TAMBIEN SE HA ESTUDIADO EL TUNEL FOTOASISTIDO CUANDO SE APLICA UN CAMPO MAGNETICO PARALELO A LA CORRIENTE. EL EFECTO DE LA LUZ SE PUEDE CONTROLAR CONVENIENTEMENTE AJUSTANDO LA RELACION ENTRE LAS DOS FRECUENCIAS: CICLOTRON Y LUZ. SE HA ESTUDIADO TAMBIEN EL EFECTO DE LA LUZ CUANDO LA POLARIZACION ES CIRCULAR. EL RESULTADO ES UNA DISMINUCION DEL EFECTO DE LA LUZ TRANSVERSAL. TAMBIEN SE HA ESTUDIADO EL EFECTO DE LA LUZ SOBRE LA BIESTABILIDAD DE UNA DOBLE BARRERA RESULTANDO EN UNA DISMINUCION DE LA PRINCIPAL ZONA DE BIESTABILIDAD Y EN LA APARICION DE NUEVAS ZONAS DE BIESTABILIDAD. TAMBIEN SE HA ESTUDIADO EL EFECTO DE UN CAMPO ALTERNO SOBRE LA CORRIENTE TUNEL EN UNA SUPERRED. EL EFECTO CONSISTE EN LA APARICION DE FOTOSATELITES INDUCIDOS QUE DAN LUGAR A ESTRUCTURAS ADICIONALES A LA CORRIENTE. LOS RESULTADOS TEORICOS ESTAN EN BUEN ACUERDO CON LOS EXPERIMENTALES.

Autor: JIMENEZ GUERRERO IGNACIO.
Año: 1994.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES .

Resumen: ESTA TESIS TRATA DEL ESTUDIO EXPERIMENTAL MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE FOTOEMISION, UTILIZANDO PREFERENTEMENTE RADIACION SINCROTRON, DE LA REACCION DE OXIDACION-REDUCCION SI + GAAS-OXIDADO SIO2 + GAAS DESDE EL PUNTO DE VISTA QUIMICO, ESTRUCTURAL Y ELECTRONICO. ALGUNOS RESULTADOS DE DICHO ESTUDIO SE EXPONEN A CONTINUACION. DESDE EL PUNTO DE VISTA QUIMICO SE ENCUENTRA QUE ES POSIBLE SUSTITUIR CAPAS DE OXIDOS DE GAAS POR SIO2, QUE FORMA CAPAS CONTINUAS Y ESTEQUIOMETRICAS, SE ESTUDIA EL MECANISMO DE AUTOLIMITACION DE LA REACCION, Y SE DEMUESTRA A PARTIR DE UN ANALISIS CUANTITATIVO DE LAS INTENSIDADES DE FOTOEMISION QUE LOS ATOMOS DE AS Y GA REDUCIDOS SE RECOMBINAN FORMANDO GAAS ESTEQUIMETRICO. LA MORFOLOGIA DE LA MUESTRA DURANTE LOS CAMBIOS QUIMICOS SE DESCRIBE EN BUENA APROXIMACION POR UNA ESTRUCTURA LAMINAR SI/SIO2/GAAS-OXIDOS/AS-ELEMENTAL/GAAS. DESDE EL PUNTO DE VISTA ELECTRONICO, SE DEMUESTRA QUE LOS ESTADOS INTERFACIALES EN LA INTERCARA SIO2/GAAS NO SON UNICAMENTE DEBIDOS A LA OXIDACION SUBCUTANEA DEL SUSTRATO, YA QUE EL METODO DESARROLLADO EN ESTA TESIS PRODUCE INTERCARAS ABRUPTAS, EN LAS QUE, SIN EMBARGO, SIGUE HABIENDO ESTADOS INTERFACIALES. SE DEMUESTRA QUE DURANTE LA FORMACION DE LA INTERCARA SIO2/GAAS TIENE LUGAR UNA VARIACION IMPORTANTE DEL ALINEAMIENTO DE BANDAS, QUE PUEDE RELACIONARSE CON LA PRESENCIA DE AS-ELEMENTAL EN LA INTERCARA DURANTE EL PROCESO DE REDUCCION. CUANDO LA REACCION SE INTERRUMPE, EL SI DEPOSITADO NUCLEA EN LA SUPERFICIE EN FORMA DE ISLAS TRIDIMENSIONALES, QUE MUESTRAN EFECTOS DE CONFINAMIENTO CUANTICO IMPORTANTES, COMO SON UN AUMENTO DEL GAP AL DISMINUIR EL DIAMETRO DE LOS AGREGADOS Y UNA VARIACION DE LA PERMITIVIDAD ASOCIADA A DICHA VARIACION DEL GAP.

Autor: MARTIN GARCIA ESTHER.
Año: 1994.
Universidad: VALLADOLID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA, CRISTALOGRAFIA Y MINERALOGI PROGRAMA DE DOCTORADO: MATERIALES DE INTERES TECNOLOGICO.

Resumen: LAS ESTRUCTURAS SOI-SIMOX SON DE GRAN INTERES PARA LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE GRAN VELOCIDAD, CIRCTUITOS CMOS, APLICACIONES BIPOLARES, ETC. EN CAMPOS QUE HASTA AHORA PERTENECIAN AL SILICIO. SUS VENTAJAS FRENTE AL SILICIO SON MAYORES VELOCIDADES DE CONMUTACION, MAYOR RESISTENCIA A LA RADIACION Y PROCEDIMIENTOS MAS SENCILLOS DE PROCESADO. SU PRINCIPAL INCONVENIENTE SON LAS ELEVADAS DENSIDADES DE DEFECTOS QUE HASTA AHORA PRESENTA. EL OBJETIVO DE ESTE TRABAJO ES POR TANTO EL ESTUDIO TANTO DE ESTAS ESTRUCTURAS COMO DE LOS DEFECTOS QUE CONTIENEN. LAS ESTRUCTURAS SOI-SIMOX SON ESTRUCTURAS EN TRES CAPAS, UNA CAPA SUPERIOR DE SILICIO DE 100-300 NM DE ESPESOR, UNA CAPA DE OXIDO ENTERRADO DE 200-400 NM DE ESPESOR Y UN SUBSTRATO DE SILICIO. LA TECNICA MAS IMPORTANTE DE FABRICACION ES LA IMPLANTACION SOBRE UN SUBSTRATO DE SILICIO DE IONES OXIGENO A ALTA ENERGIA. LA TECNICA DE CARACTERIZACION QUE SE ELIGIO FUE LA ESPECTROSCOPIA RAMAN, POR SER UN METODO RAPIDO, NO DESTRUCTIVO Y ESPECIALMENTE UTIL, TANTO PARA EL ESTUDIO DE SEMICONDUCTORES COMO PARA EL ESTUDIO DE ESTUCTURAS EN MULTICAPAS. JUNTO A LA ESPECTROSCOPIA RAMAN SE UTILIZARON MEDIDAS DE MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION. POR SER EL MATERIAL SIMOX ALTAMENTE DEFECTUOSO, LO PRIMERO QUE SE HIZO FUE VER EL EFECTO QUE TENIAN LOS DEFECTOS EN SILICIO SOBRE LAS BANDAS RAMAN. PARA ELLO SE REALIZO EL ESTUDIO DE UNA OBLEA DE SILICIO SOBRE LA CUAL SE HABIA REALIZADO UNA INDENTACION VICKERS. DE ESTE MODO SE CREARON FRACTURAS, CRISTALES DE PEQUEÑO TAMAÑO Y DISLOCACIONES, QUE PERMITIERON ESTUDIAR LOS DEFECTOS EN UNA ESTRUCTURAS DE SILICIO. A CONTINUACION SE ESTUDIO LA FORMA GENERAL DE LAS BANDAS RAMAN EN ESTRUCTURAS SOI-SIMOX Y SE VIO LA INFLUENCIA DEL RECOCIDO SOBRE LA ESTRUCTURA FINAL. UNA VEZ VISTO ESTO SE REALIZO UN ESTUDIO SISTEMATICO DE MUESTRAS REALIZADAS A TRAVES DE DISTINTOS PROCESOS DE IMPLANTACION. SE ESTUDIARON LAS MUESTRAS SS Y SIA, LAS TRIMOX, LAS DVAR, LAS SERIE DE MUESTRAS P Y UN OXIDO TERMICO.

Autor: MARTINEZ CHAPARRO ANTONIO ALFONSO.
Año: 1994.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: QUIMICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: QUIMICA INORGANICA PROGRAMA DE DOCTORADO: QUIMICA INORGANICA.

Resumen: EL PROYECTO DE TESIS QUE PRESENTO CONSISTE EN EL DESARROLLO Y APLICACION DE UN SISTEMA EXPERIMENTAL PARA LA OBTENCION DE IMAGENES DIGITALES MICROSCOPICAS DE LA RESPUESTA FOTOINDUCIDA EN UN SEMICONDUCTOR QUE ACTUA COMO FOTOELECTRODO DE UNA CELULA FOTOELECTROQUIMICA. LOS CONTRASTES DE LAS IMAGENES RESULTANTES DE FOTOCORRIENTE, FOTOVOLTAJE Y ELECTRORREFLECTANCIA DE ELECTROLITO, SE INTERPRETAN EN BASE A LAS ECUACIONES MATEMATICAS BASICAS QUE DESCRIBEN DICHOS FOTOEFECTOS, Y REFLEJAN CAMBIOS EN LAS PROPIEDADES DEL SEMICONDUCTOR Y DE SU INTERFASE CON EL ELECTROLITO. MEDIANTE LOS RESULTADOS OBTENIDOS, SE PONE DE MANIFIESTO LA DEPENDENCIA CON LA MORFOLOGIA SUPERFICIAL DEL FOTOELECTRODO, DE LA CINETICA DE LA REACCION DE FOTOOXIDACION DEL IODURO SOBRE CALCOGENUROS LAMINARES SEMICONDUCTORES (N-WSE2 Y N-MOSE2). TAMBIEN SE MUESTRA QUE LA PRESENCIA DE FRONTERAS DE ANTIFASES EN LA RED CRISTALINA DEL GAAS, CRECIDO EPITAXIALMENTE SOBRE SI, PRODUCE UNA DISMINUCION DE LA VELOCIDAD DE FOTOGENERACION DE PORTADORES DE CARGA.

Autor: PELAZ MONTES M. LOURDES.
Año: 1994.
Universidad: VALLADOLID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA.

Resumen: EL CARBURO DE SILICIO POSEE PROPIEDADES (ANCHO GAP, ELEVADO CAMPO DE RUPTURA Y CONDUCTIVIDAD TERMICA ALTA) QUE PERMITEN PRESENTARLO COMO UN MATERIAL ADECUADO PARA DISPOSITIVOS DE POTENCIA. MEDIANTE EL PROGRAMA DE SIMULACION DE DISPOSITIVOS MEDICI ADAPTADO PARA EL SIC SE HAN SIMULADO ALGUNOS DISPOSITIVOS DE ESTE MATERIAL. SE HA INCLUIDO EL EFECTO POOLE-FRENKEL PARA JUSTIFICAR LAS CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS P-N DE 6H-SIC. TAMBIEN HEMOS ESTABLECIDO EL LIMITE DE LAS CORRIENTES DE GENERACION-RECOMBINACION CUANDO LOS TIEMPOS DE RECOMBINACION TIENDEN A CERO Y HEMOS ATRIBUIDO EL CARACTER ANOMALO DE LOS DIODOS P-N DE 3C-SIC A LA ELEVADA DENSIDAD DE DEFECTOS DE ESTE POLITIPO. ASIMISMO CONSIDERAMOS RESPONSABLES DEL COMPORTAMIENTO ANOMALO DE LOS MOSFETS DE SIC A LA ELEVADA DENSIDAD DE ESTADOS EN LA INTERFASE OXIDO/SIC. HEMOS PUESTO DE MANIFIESTO QUE LOS DIODOS P-N DE SIC SE MUESTRAN CONVENIENTES COMO DIODOS RAPIDOS PARA EL CONTROL DE ALTAS CORRIENTES Y TENSIONES. LOS TRANSISTORES VDMOS TAMBIEN SON VENTAJOSOS FRENTE A LOS DE SI PARA TENSIONES ELEVADAS: MENOR RESISTENCIA DE CONDUCCION, ESPACIADO OPTIMO ENTRE LOS POZOS-P MAS PEQUEÑO Y APARICION DEL REGIMEN DE CUASI-SATURACION PARA CORRIENTES EXTREMADAMENTE ELEVADAS.

Autor: RINCON CARLAVILLA RAFAEL.
Año: 1994.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: MEDIANTE UNA APROXIMACION LCAO (COMBINACION LINEAL DE ORBITALES ATOMICOS) SE ANALIZAN DISTINTAS ESPECIES DE ADSORBATOS (A1, IN, H, C1, O, H2O, OH...) SOBRE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR GAAS, ARSENURO DE GALIO. LOS TERMINOS DE MUCHOS CUERPOS DEL HAMILTONIANO SE APROXIMAN LOCALMENTE EN UN ESQUEMA DE NUMEROS DE OCUPACION. LAS TRANSICIONES METAL-AISLANTE SE PUEDEN ESTUDIAR FACILMENTE EN ESTE METODO, ASI, LA DEPOSICION DE POTASIO SOBRE LA SUPERFICIE GAAS (100) ES ANALIZADA, OBTENIENDOSE UNA TRANSICION METALICA PARA UNA DEPOSICION DE 6-7 POTASIOS SOBRE LA CELDA UNIDAD.

Autor: ALAY RODRIGUEZ JOSEP LLUIS.
Año: 1993.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INTER-UNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM (IMEC) BELGICA.

Resumen: UN ESTUDIO DETALLADO DE LAS TRANSICIONES DE LA ESTEQUIOMETRIA DE LA SUPERFICIE DURANTE Y TRAS LA ELIMINACION, ASI COMO DURANTE LA FORMACION DE OXIDOS DELGADOS HA SIDO LLEVADO A CABO MEDIANTE XPS. LA OXIDACION MEDIANTE HAZ IONICO DE MUESTRAS SEMICONDUCTORAS RESULTA SER UN FENOMENO FISICO EXTREMAMENTE COMPLEJO. PARA EL CASO DE SILICIO, EL MECANISMO DE OXIDACION CONOCIDO COMO SUSTITUCION SECUENCIAL DE SUBOXIDOS, BASADO EN EL ANALISIS DEL PICO SI 2P, HA SIDO ESTABLECIDO PARA EXPLICAR EL CRECIMIENTO DEL OXIDO INDUCIDO, INDEPENDIENTEMENTE DE LA ENERGIA DE LOS IONES. A PARTIR DE UN ESTUDIO DETALLADO DE LA BANDA DE VALENCIA, LA SUBDANDA 3P-3P DEL SILICIO MUESTRA SER DECISIVA PARA CONSEGUIR UNA INTERPRETACION CORRECTA DE LA EMISION DE SI+ DURANTE ANALISIS SIMS. SE HA PROPUESTO UN MODELO ATOMICO PARA LA EMISION DE ESOS IONES DURANTE EL BOMBARDEO DE OXIGENO. EL MODELO SE BASA EN LA NEUTRALIZACION DE IONES EMITIDOS MEDIANTE EFECTO TUNEL RESONANTE DESDE LOS NIVELES ELECTRONICOS DE LAS BANDAS DE VALENCIA ALTERADAS POR EL BOMBARDEO (SUBBANDA SI 3P-3P) Y EN LA INDUCCION DE EMISION IONICA A PARTIR DE LA ROTURA DE EN LACES SI-O. LA OXIDACION IONICA DE GAAS Y ALGAAS ESTA CONDICIONADA POR EL SPUTTERING PREFERENCIAL DE AS Y LA OXIDACION PREFERENTE DE AL. LA DIFUSION INDUCIDA POR RADIACION DE OXIGENO Y ALUMINIO EN LA CAPA MODIFICADA EXPLICA EL ESPESOR DE ESTAS CAPAS Y LA FORMACION DE OXIDO DE ALUMINIO EN LA SUPERFICIE DE LA MUESTRA BOMBARDEADA. UN PROGRAMA DE SIMULACION (CISRD) HA SIDO DESARROLLADO PARA DESCRIBIR LOS DISTINTOS MECANISMOS DE CRECIMIENTO PROPUESTOS EN ESTA TESIS.

Autor: CALVENTUS SOLE YOLANDA.
Año: 1993.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA .

Resumen: SE HA ESTUDIADO LA CINETICA DE CRISTALIZACION DE LAS ALEACIONES AMORFAS DEL SISTEMA SE-TE: SE85 TE15 Y SE90 TE10. LOS ESTUDIOS REALIZADOS POR CALORIMETRIA DIFERENCIAL DE BARRIDO, DIFRACCION DE RAYOS X Y MICROSCOPIA (SEM Y MICROSCOPIA OPTICA DE LUZ REFLEJADA) NOS PERMITEN DECIR QUE SE TRATA DE UNA CRISTALIZACION COMPLEJA INTEGRADA POR UN MECANISMO DE CRISTALIZACION QUE DENOMINAREMOS SUPERFICIAL (QUE PROCEDE POR NUCLEOS PREEXISTENTES) Y UN MECANISMO DE CRISTALIZACION QUE LLAMAREMOS EN VOLUMEN (QUE SERIAN LOS NUCLEOS QUE APARECEN POR ACTIVACION TERMICA DE LA MUESTRA). AMBOS MECANISMOS SE ACTIVAN DE FORMA DIFERENTE, ES DECIR, JUEGAN PAPELES DISTINTOS EN FUNCION DE LA TEMPERATURA DE ISOTERMA O DE LA VELOCIDAD DE CALENTAMIENTO QUE SE UTILICE. AL AÑADIR DIFERENTES CANTIDADES DE GE A LA ALEACION SE85 TE15 SE ENCUENTRA QUE HASTA, APROXIMADAMENTE, UN 5% AT GE SE PRODUCE UN AUMENTO DE LA TEMPERATURA DE TRANSICION VITREA QUE SE TRADUCIRIA EN UN ENTRECRUZAMIENTO DE LAS CADENAS INICIALES DEL SISTEMA SE-TE. PARA COMPOSICIONES SUPERIORES A ESTA SE PRODUCE UNA DISMINUCION DE LA TEMPERATURA DE TRANSICION VITREA DEBIDO A LA ROTURA DE LAS CADENAS. EN CUANTO A LA ESTABILIDAD TERMICA DE LOS VIDRIOS SE OBSERVA QUE ES MENOR EN ALEACIONES MAS RICAS EN TE Y AL AÑADIR GE, HASTA UN 5% AT, AUMENTA MUCHO DICHA ESTABILIDAD PERO DISMINUYE AL AÑADIR CANTIDADES SUPERIORES.

Autor: CASTRILLO ROMON PEDRO.
Año: 1993.
Universidad: VALLADOLID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA.

Resumen: SE HAN UTILIZADO LAS TECNICAS DE ESPECTROSCOPIA DE MODULACION PARA ESTUDIAR LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS DE HETEROESTRUCTURAS FORMADAS POR SEMICONDUCTORES III-V. SE HA CENTRADO LA ATENCION EN SISTEMAS ORIENTADOS A LO LARGO DE DIRECCIONES DE BAJA SIMETRIA Y EN SISTEMAS CON GRAN DESAJUSTE DE PARAMETRO DE RED. ASI MISMO, SE HA UTILIZADO LA ESPECTROSCOPIA RAMAN PARA EL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES VIBRACIONES DE ESTOS SISTEMAS. LOS RESULTADOS PRESENTADOS EN ESTA MEMORIA PONEN DE MANIFIESTO LA RICA FENOMENOLOGIA QUE TIENE LUGAR EN LOS SISTEMAS INVESTIGADOS. QUEDA PATENTE, ADEMAS, LAS GRANDES POSIBILIDADES DE LAS ESPECTROSCOPIAS OPTICAS COMO TECNICAS DE CARACTERIZACION DE NUEVAS HETEROESTRUCTURAS CON INTERES TECNOLOGICO. PARA OBTENER TODA LA INFORMACION POSIBLE A PARTIR DE LOS DATOS EXPERIMENTALES HA SIDO NECESARIA LA COMPARACION CON MODELOS TEORICOS ADECUADOS Y LA UTILIZACION COMPLEMENTARIA DE DIVERSAS TECNICAS ESPECTROSCOPICAS.

Autor: CORRALES ALBA CARLOS.
Año: 1993.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES.

Resumen: EN LA PRESENTE MEMORIA, SE ABORDA EL ESTUDIO DE PELICULAS DELGADAS DE A-SE Y DEL SISTEMA CALCOGENURO AMORFO AS-SE, PREPARADAS UTILIZANDO LA TECNICA DE EVAPORACION TERMICA EN VACIO. EL OBJETIVO FINAL ES LA DETERMINACION DE LAS CONSTANTES OPTICAS DE ESTAS PELICULAS Y EL ESTUDIO DE LA VARIACION QUE EXPERIMENTAN DICHAS CONSTANTES CUANDO SON SOMETIDAS A TRATAMIENTOS OPTICOS Y TERMICOS. EL CONTENIDO GLOBAL DEL TRABAJO ESTA ESTRUCTURADO EN SEIS CAPITULOS. EL PRIMERO, SE DEDICA A UNA INTRODUCCION GENERAL SOBRE EL ESTADO AMORFO, CON ESPECIAL REFERENCIA A LOS CALCOGENUROS AMORFOS Y SUS APLICACIONES. EN LOS CAPITULOS 2 Y 3 SE DESARROLLAN DOS METODOS DE CARACTERIZACION OPTICA A PARTIR DE LOS ESPECTROS DE TRANSMISION DE LAS PELICULAS. EL PRIMERO ESTA BASADO EN LAS TRANSMITANCIAS DE LOS MAXIMOS Y MINIMOS DE INTERFERENCIA A INCIDENCIA NORMAL, MIENTRAS QUE EL SEGUNDO SE FUNDAMENTA, EXCLUSIVAMENTE, EN LAS LONGITUDES DE ONDA DE DICHOS EXTREMOS A INCIDENCIA NORMAL Y OBLICUA. EL CAPITULO 4 SE DEDICA A LA DESCRIPCION DE LAS DIVERSAS TECNICAS EMPLEADAS EN LA PREPARACION Y CARACTERIZACION DE LAS PELICULAS. EN EL CAPITULO 5 SE DETERMINAN LAS CONSTANTES OPTICAS Y SE ESTUDIA LA DEPENDENCIA DE LAS MISMAS CON LA COMPOSICION. FINALMENTE, EL CAPITULO 6 SE DEDICA AL ESTUDIO DE LOS FENOMENOS FOTO- Y TERMO-INDUCIDOS, EN PELICULAS DELGADAS DEL SISTEMA CALCOGENURO AMORFO AS-SE, ANALIZANDO LAS VARIACIONES QUE EXPERIMENTAN LAS CONSTANTES OPTICAS ANTE ESTOS TRATAMIENTOS OPTICOS Y TERMICOS.

Autor: CROS STOTTER ANA.
Año: 1993.
Universidad: VALENCIA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: 175 A, FISICA APLICADA.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HAN DESARROLLADO VARIOS MODELOS TEORICOS DE DISPERSION RAMAN BAJO CAMPOS MAGNETICOS INTENSOS. EN PRIMER LUGAR SE HA ABORDADO EL ESTUDIO DE MATERIALES MASICOS, INCLUYENDO LA COMPLEJIDAD DE LAS BANDAS DE UN SEMICONDUCTOR REAL. DEL RESULTADO OBTENIDO SE OBSERVAN FUERTES RESONANCIAS DE SALIDA DEBIDAS EXCLUSIVAMENTE AL CARACTER DE MEZCLA QUE COMPONEN LAS BANDAS DE HUECOS EN SEMICONDUCTORES. POSTERIORMENTE SE HA ESTUDIADO CON DETALLE EL CAMBIO PRODUCIDO EN LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE UN POZO CUANTICO DE TIPO I DEBIDO AL CONFINAMIENTO ESPACIAL. DESPUES DE OBTENER DE FORMA PRECISA LOS NIVELES DE ENERGIA DE DICHOS SISTEMAS, SE HA INCLUIDO EL EFECTO DEL CAMPO MAGNETICO Y GENERALIZADO EL MODELO ANTERIOR PARA EL CASO DE HETEROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS. COMO CONSECUENCIA DEL CONFINAMIENTO, LA MEZCLA ENTRE BANDAS AUMENTA CONSIDERABLEMENTE. SE HA REALIZADO UN ESTUDIO EXPERIMENTAL DE DOS POZOS CUANTICOS MULTIPLES DE A1AS/GAAS/A1AS DE 44 Y 99 A. LA COMPARACION CON LOS NIVELES DE ENERGIA CALCULADOS ES ALTAMENTE SATISFACTORIA. UN ULTIMO MODELO DESARROLLADO, INCLUYENDO LA INTERACCION CULOMBIANA ENTRE EL ELECTRON Y EL HUECO, HA PERMITIDO COMPRENDER LA RUPTURA DE LAS REGLAS DE SELECCION CUANDO LOS EXPERIMENTOS SE REALIZAN EN CONDICIONES DE DOBLE RESONANCIA.

Autor: DKIOUAK RACHID.
Año: 1993.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: DEPT. FISICA APLICADA Y ELECTRONICA, FACULTAD DE FISICA, UNIVERSIDAD DE BARCELONA.

Resumen: SE HA ESTUDIADO LAS MODIFICACIONES ESTRUCTURALES EN LA SUPERFICIE DEL GAAS SI PRODUCIDAS POR LAS APLICACIONES DE LAS DIFERENTES ETAPAS DEL PROCESOS DE PASIVACION, MEDIANTE MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION, TEM. LOS RESULTADOS OBTENIDOS HAN SIDO CORRELACIONADOS CON LOS DATOS OBTENIDOS MEDIANTE LA APLICACION DE OTRAS TECNICAS TAL COMO LA ESPECTROSCOPIA DE INFRARROJOS, FTIR; LA ELIPSOMETRIA, ES; Y LA ESPECTROSCOPIA RAMAN, RS. DE ELLO SE HA CONCLUIDO QUE, EN LA METODOLOGIA PROPUESTA, LA CAPA DE OXIDO NATIVO PUEDE SER REDUCIDA PERO NO ELIMINADA TOTALMENTE YA QUE DESPUES DEL CICLO TERMICO PERMANECE DEL ORDEN DE UNA MONOCAPA. POR OTRA PARTE, EL BOMBARDEO IONICO DE LA SUPERFICIE POR PARTE DE ESPECIMENES DEL PLASMA DA LUGAR AL DAÑADO DE LA REGION SUPERFICIAL SI BIEN LA ELIMINACION DE LA CAPA DE OXIDO ES PRACTICAMENTE TOTAL. SE HA ESTUDIADO EL COMPORTAMIENTO DE LAS CORRIENTES DE FUGAS ENTRE CONTACTOS PLANARES LOCALIZADOS A DISTINTAS DISTANCIAS EN LAS SUPERFICIES PASIVADAS. LA PRACTICAMENTE TOTAL ELIMINACION DE LA CAPA DE OXIDO NATIVO PERMITE AUMENTAR LA TENSION UMBRAL DE LAS CORRIENTES DE FUGAS PERO LA GENERACION DE DAÑADO SUPERFICIAL POR LA AGRESION DEL TRATAMIENTO POR PLASMA HACE DISMINUIR ESTE AUMENTO. DE LA MISMA MANERA SE HIZO UN ANALISIS DE LOS TRANSITORIOS DE CORRIENTE ISOTERMICOS INDUCIDOS MEDIANTE EXCITACION OPTICA, PICTS. LOS RESULTADOS OBTENIDOS HAN MOSTRADO QUE LOS PROCESOS DE PASIVACION MODIFICAN FUERTEMENTE LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE LOS CENTROS PROFUNDOS LOCALIZADOS EN LA REGION SUPERFICIAL DEL SUBSTRATO ASI COMO DE LOS ESTADOS SUPERFICIALES. MIENTRAS QUE EN LAS MUESTRAS CON OXIDO NATIVO SE HAN DETERMINADO LA EXISTENCIA DE CUATRO CENTROS PROFUNDOS, DOS DE ELLOS LOCALIZADOS EN LA MITAD DEL GAP, EN LAS MUESTRAS SOMETIDAS AL TRATAMIENTO DE PASIVACION SOLAMENTE SE HAN CARACTERIZADO DOS NIVELES. UNO DE ELLOS, CON TRANSITORIOS QUASIEXPONENCIALES, ESTA DIRECTAMENTE RELACIONADO CON LOS NIVELES LOCALIZADOS EN LA MITAD DEL GAP, PROBABLEMENTE EL CROMO, MIENTRAS QUE EL OTRO NIVEL CON CARACTERISTICAS NO-EXPONENCIALES ESTA DIRECTAMENTE RELACIONADO CON LA EMISION DE CARGA, PRESUMIBLEMENTE ELECTRONES ATRAPADOS EN EL EL2, POR MECANISMOS DE INTERACCION ENTRE DEFECTOS TANTO DE VOLUMEN COMO DE SUPERFICIE. SE HA ESTUDIADO LA INFLUENCIA DE LOS PROCESOS DE PASIVACION SOBRE LOS EFECTOS PARASITOS OBSERVADOS SOBRE LAS CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES MESFET'S INTEGRADOS, HABIENDOSE OBSERVADO UNA CORRELACION DIRECTA ENTRE EL COMPORTAMIENTO DE HISTERISIS Y EL EFECTO CODO DE LAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR Y LA MODIFICACION DE CARGA SUPERFICIAL INDUCIDA POR EL PROCESO DE PASIVACION. AMBOS ASPECTOS MODIFICAN LA DISTRIBUCION DE CAMPO ELECTRICO TOTAL EN AL CANAL. MIENTRAS, EL COMPORTAMIENTO DE HISTERISIS PARECE ESENCIALMENTE DEPENDIENTE DE LOS ESTADOS SUPERFICIALES, EL EFECTO CODO ESTA RELACIONADO CON AMBOS. LAS CARACTERISTICAS DE BACKGATING PARA LOS DISTINTOS PROCESOS DE PASIVACION ESTUDIADOS NO HAN MOSTRADO UNA RELACION DIRECTA ENTRE AMBOS. LAS DEPENDENCIAS MEDIDAS PARECEN INDICAR MAS BIEN UNA ACCION INDIRECTA DE LOS EFECTOS DE LOS ESTADOS SUPERFICIALES Y DEFECTOS EN LA CAPA SUPERFICIAL, QUE CONDICIONAN LAS CARACTERISTICAS DEL CANAL, SOBRE EL BACKGATING EL CUAL DEPENDE DE LAS CORRIENTES EN EL SUBSTRATO Y POR TANTO DE LA INTERFICIE SUBSTRATO-CANAL.

Autor: DOMINGUEZ LORENZO PABLO SOCRATES.
Año: 1993.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA.

Resumen: SE EXPONEN LAS PECULIARIDADES DEL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE COMPUESTOS III-V SOBRE MESETAS O CANALES, HACIENDO ENFASIS EN LA MIGRACION SUPERFICIAL DEL CATION A RESULTAS DEL GRADIENTE DE POTENCIAL QUIMICO ENTRE FACETAS VECINAS. EL DESARROLLO DE UN SENCILLO MODELO MATEMATICO PERMITE DISEÑAR UN PROGRAMA DE SIMULACION DEL CRECIMIENTO, QUE SE EMPLEA COMO HERRAMIENTA DE ANALISIS DE LOS EXPERIMENTOS DE DEPOSITO EPITAXIAL. AJUSTANDO LA SALIDA DEL PROGRAMA A LAS IMAGENES DE MICROSCOPIA ELECTRONICA DE LAS MUESTRAS ES POSIBLE DETERMINAR PARAMETROS RELATIVOS A LA CINETICA DEL CRECIMIENTO (MBE O ALMBE) DE GAAS, ALAS O IMAS. EN PARTICULAR, SE DEMUESTRA QUE LA TECNICA ALMBE INCENTIVA LA MIGRACION SUPERFICIAL DEL CATION Y REDUCE LAS DIFERENCIAS EN REACTIVIDAD QUIMICA ENTRE FACETAS CON DIFERENTES ORIENTACIONES CRISTALGRAFICAS, EN COMPARACION CON LA TECNICA MBE.

Autor: GILPEREZ AGUILAR JOSE MANUEL.
Año: 1993.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA.

Resumen: EL TRABAJO VERSA ACERCA DE LA CARACTERIZACION DE ESTRUCTURAS PSEUDOMORFICAS CON MODULACION DE DOPADO EN EL SISTEMA ALGAAS/INGAAS/GAAS EMPLEANDO TECNICAS OPTICAS Y DE TRANSPORTE. HACE UN ANALISIS EXHAUSTIVO DE LAS PROPIEDADES EN ESTOS MATERIALES, APORTANDO NUEVOS DATOS ACERCA DE LOS FENOMENOS RELACIONADOS CON LA PRESENCIA DE UN GAS DE ELECTRONES DE ALTA DENSIDAD CONFINADO EN UN POZO CUANTICO Y EL HECHO DE TRATARSE DE UNA ESTRUCTURA SOMETIDA A LA DEFORMACION DE SU RED CRISTALINA. LAS TECNICAS EMPLEADAS FUERON LOS EFECTOS SHUBNIKOV-DE HAAS Y HALL CUANTICO ASI COMO DE FOTOLUMINISCENCIA Y ESPECTROSCOPIA RAMAN. LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES SON ESTUDIADOS A LA LUZ DE UN MODELO DE LA ESTRUCTURA DE BANDAS QUE RESUELVE DE FORMA ACOPLADA LAS ECUACIONES DE POISSON Y SCHRODINGER.

Autor: HERNANDEZ FERNANDEZ DE ROJAS JOSE LUIS.
Año: 1993.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA III (ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA) PROGRAMA DE DOCTORADO: TECNICAS AVANZADAS EN ELECTRONICA.

Resumen: EL TRABAJO REALIZADO HA CONSISTIDO EN EL CRECIMIENTO Y CARACTERIZACION DE COMPUESTOS DE LA FAMILIA DE LAS CALCOPIRITAS. EN CONCRETO, SE HAN SINTETIZADO Y CARACTERIZADO COMPUESTOS CUGA1 X INXSE2 (X=0.25,0.5 Y 0.75) Y CUIN3SE5. SE HA DESARROLLADO UN NUEVO METODO DE DETERMINACION DE CONSTANTES OPTICAS DE LAMINAS DELGADAS DE TALES COMPUESTOS. SE HA ESTUDIADO EXHAUSTIVAMENTE EL PROCESO DE CRECIMIENTO DE LAMINAS DELGADAS MEDIANTE LA TECNICA DE PULVERIZACION R.F., PONIENDOSE DE MANIFIESTO EL PAPEL QUE JUEGAN LOS BINARIOS CU X SE Y (GA,IN)2 SE3 EN TAL PROCESO. SE HAN CRECIDO, POR PRIMERA VEZ, LAMINAS DELGADAS DE CUIN3SE5 MEDIANTE LA TECNICA MENCIONADA, IDENTIFICANDOSE LA PRESENCIA DE INSE EN ALGUNOS ESTADIOS DEL PROCESO DE FORMACION. FINALMENTE, SE HA DESARROLLADO UNA TECNOLOGIA DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS DE HETEROUNION, DEL TIPO CO SIIN/CU S/CUGA1-XINX SE2, Y SE HAN CARACTERIZADO COMBINANDO MEDIDAS I-V, C-F Y C-V REALIZADAS EN OSCURIDAD E ILUMINACION (LAS PRIMERAS), DEDUCIENDOSE DE ELLAS, LOS MECANISMOS DE CONDUCCION DE TALES DISPOSITIVOS, EFICIENCIA FOTOVOLTAICA Y PARAMETROS RELACIONADOS CON LA ESTRUCTURA DE LA INTERFASE.

Autor: HUERTAS GALLARDO PEDRO.
Año: 1993.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.

Resumen: EL TRABAJO QUE COMPRENDE ESTA MEMORIA SE ENCUADRA DENTRO DE LAS TECNOLOGIAS DE LOS SEMICONDUCTORES III-V. DURANTE LA MISMA SE HA ESTUDIADO EL CRECIMIENTO Y CARACTERIZACION DE DIFERENTES CONVINACIONES DE MATERIALES III-V, PARA APLICARLOS EN DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS. LOS SUSTRATOS UTILIZADOS HAN SIDO SI, GA AS E INP. HAY QUE DESTACAR EL ESFUERZO QUE SE HA REALIZADO EN ESTE ULTIMO PARA CONSEGUIR EPITEXIAS DE ALTA CALIDAD, A BAJA TEMPERATURA DE SUSTRATO 250 GRADOS-340 GRADOS CENTIGRADOS (MEDIANTE LA TECNICA DE EPITEXIA POR HACES MOLECULARES DE CAPAS ATOMICAS; UTILIZANDO FUENTES SOLIDAS PARA TODOS LOS ELEMENTOS. ESTOS TRABAJOS NOS HAN PERMITIDO CONSEGUIR EMISORES DE LUZ ENTORNO A 1.55 M QUE PODRAN SER UTILIZADAS EN UN FUTURO EN SENSORES INTEGRADOS MONOLITICAMENTE EN SUSTRATOS SI.

Autor: LIZON NORDSTROM ARTURO.
Año: 1993.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: EN ESTA TESIS DOCTORAL PRESENTO UN METODO EN ESPACIO REAL PARA CALCULAR, DESDE PRIMEROS PRINCIPIOS, LA ENERGIA DE CORRELACION ASI COMO EL ESPECTRO DE LAS CUASI PARTICULAS CERCA DE DEFECTOS EN SEMICONDUCTORES. EL METODO COMPRENDE EL CALCULO DE CORRECCIONES DE 2 ORDEN A LOS RESULTADOS OBTENIDOS DENTRO DE LA APROXIMACION HARTREEFOCK. EL ESPECTRO DE LAS CUASIPARTICULAS SE OBTIENE A PARTIR DE UN CALCULO DE LA AUTOENERGIA COMPLEJA Y QUE SUPONE LA CORRECCION A LOS RESULTADOS QUE IMPLICA EL TEOREMA DE KOOPMANS. EL METODO AUNQUE CONCEPTUALMENTE ES UN PROCEDIMIENTO REALIZADO EN ESPACIO REAL, PERMITE EL CALCULO DEL ESPECTRO DE LAS CUASIPARTICULAS EN SISTEMAS INFINITOS. LAS BANDAS DE VALENCIA, LAS BANDAS DE CONDUCCION DE ENERGIAS MAS BAJAS, ASI COMO EL GAP EN SISTEMAS COMO GERMANIO Y SILICIO CRISTALINOS, ESTAN BUEN ACUERDO CON LOS DATOS ESPECTROSCOPICOS. EL METODO TAMBIEN SE APLICA AL ESTUDIO DEL OXIGENO INTERSTICIAL EN SILICIO.