SEMICONDUCTORES, 6

Autor: ROJAS OJEDA JUAN LUIS.
Año: 1993.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: CIENCIA DE MATERIALES .

Resumen: SE HAN PREPARADO SEIS ALEACIONES AMORFAS EN FORMA MASICA, CUYO CONTENIDO RELATIVO DE LOS DIFERENTES ELEMENTOS ESTA DADO POR LA FORMULA GEX/2SEX/2TE1X. LOS ESTUDIOS MEDIANTE DIFRACCION DE RAYOS-X Y CALORIMETRIA DIFERENCIAL DE BARRIDO (DSC) HAN SERVIDO PARA CONFIRMAR SU ESTADO AMORFO. EL ANALISIS EN C.C. SE HA REALIZADO BAJO CONFIGURACIONES DE DOBLE CONTACTO PUNTUAL Y SANDWICH, ESTUDIANDOSE LAS CARACTERISTICAS I-V, ASI COMO LA RELACION DE LA CONDUCTIVIDAD CON LA TEMPERATURA. ESTE ESTUDIO INCLUYE LOS EFECTOS DE ENVEJECIMIENTO DE LAS MUESTRAS ORIGINADO POR RECOCIDO Y POR PROCESOS DE CONMUTACION, CON LIMITACION DE POTENCIA, PREVIOS. SE VERIFICAN Y ANALIZAN, IGUALMENTE, LOS FENOMENOS DE CONMUTACION OBSERVADOS EN OTRAS ALEACIONES CON ELEMENTOS CACOGENOS. EN C.A. SE HAN ESTUDIADO LOS PARAMETROS DEL CIRCUITO EQUIVALENTE DE LAS MUESTRAS, ASI COMO LA CONDUCTIVIDAD EN ALTERNA Y SU RELACION CON LA TEMPERATURA Y FRECUENCIA DE ACUERDO CON LOS DIFERENTES MODELOS PROPUESTOS. FINALMENTE, SE ANALIZAN LOS PROCESOS DE RELAJACION DIELECTRICA QUE TIENEN LUGAR EN LOS DIFERENTES COMPUESTOS Y LA REPERCUSION, EN DICHA CARACTERIZACION, DE LA CONDUCTIVIDAD A FRECUENCIA NULA SOBRE LA PERMITIVIDAD.

Autor: SERRANO HERNANDEZ M. DOLORES.
Año: 1993.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES .

Resumen: EN LA MEMORIA SE HAN PRESENTADO LOS RESULTADOS EN EL DISEÑO Y PREPARACION DE EQUIPOS DE CRECIMIENTO, ASI COMO EN EL CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES DE LOS MATERIALES CDTE Y HSI2. ESTOS MATERIALES PRESENTAN EL INTERES DE PODER SER UTILIZADOS COMO DETECTORES DE RADIACION X Y GAMMA. LOS CRISTALES OBTENIDOS SUFREN UN PROCESADO POSTERIOR AL CRECIMIENTO Y SON CARACTERIZADOS POR DISTINTAS TECNICAS PARA ESTUDIAR LA CALIDAD Y LAS CARACTERISTICAS MAS RELEVANTES.

Autor: ALONSO ALONSO ALONSO.
Año: 1992.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: TECNOLOGIA ELECTRONICA Y BIOINGENIERIA PROGRAMA DE DOCTORADO: MATERIALES Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

Resumen: PARA PODER ESTUDIAR Y SISTEMATIZAR FENOMENOS TAN COMPLEJOS COMO LOS DE CRECIMIENTO EPITAXIAL DE SEMICONDUCTORES A PARTIR DE FASE GASEOSA (VPE), LOS PROCESOS FUNDAMENTALES QUE PARTICIPAN EN EL CRECIMIENTO DEL SEMICONDUCTOR SE HAN DIVIDIDO EN: HIDRODINAMICA, CINETICA DE LAS REACCIONES QUIMICAS, QUE OCURREN EN LA FASE GASEOSA O EN LA SUPERFICIE DEL SOLIDO Y LA TERMODINAMICA. SE HAN RECOGIDO Y ADAPTADO LAS PROPIEDADES TERMODINAMICAS DE LAS ESPECIES QUIMICAS QUE, CON ALGUNA PROBABILIDAD, PUEDEN TOMAR PARTE EN LOS CRECIMIENTOS MOVPE, PARA VARIOS SISTEMAS III-V. ESTOS VALORES SE HAN UTILIZADO EN LOS CALCULOS TERMODINAMICOS CON OBJETO DE ESTABLECER LA ESTABILIDAD RELATIVA DE LAS ESPECIES EN UN MARGEN AMPLIO DE CONDICIONES DE OPERACION. EL CONOCIMIENTO DE LOS MECANISMOS QUE DETERMINAN LA INCORPORACION DE LOS ELEMENTOS III-V EN LOS MATERIALES CRECIDOS MEDIANTE MOVPE ES AUN LIMITADO. EN ESTE TRABAJO SE DESCRIBE UN MODELO DE COMPOSICION DERIVADO DE CONSIDERACIONES TERMODINAMICAS QUE SE APLICA AL GAAS1-YPY Y AL INAS1-YPY. SE HAN ESTUDIADO LAS VELOCIDADES DE CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES III-V BINARIOS Y TERNARIOS EN LOS PROCESOS MOVPE, EN FUNCION DE LA POSICION AXIAL, PARA LOS REACTORES HORIZONTALES CON SECCION RECTA TRIANGULAR, SE HA CONSTRUIDO UN MODELO QUE CALCULA LA VELOCIDAD DE CRECIMIENTO EN SISTEMAS QUE TRABAJAN CON FLUJO LAMINAR. EL CRECIMIENTO DE PELICULAS EPITAXIALES DELGADAS MEDIANTE MOVPE REQUIERE UN BUEN CONOCIMIENTO DEL COMPORTAMIENTO DE LOS FLUJOS DENTRO DEL REACTOR. SE HA DESARROLLADO UN MODELO ACADEMICO BASADO EN LA RESOLUCION DE LAS ECUACIONES DIFERENCIALES DE CONSERVACION DE LA MASA, ENERGIA Y MOMENTO, EMPLEANDO UN PROCEDIMIENTO DE DIFERENCIAS FINITAS PARA DOS DIMENSIONES.

Autor: BELLIDO LEANDRO FRANCISCO DE ASIS.
Año: 1992.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES.

Resumen: A PARTIR DE DATOS OBTENIDOS DE EXPERIMENTOS DE DIFRACCION DE RAYO X SOBRE MUESTRAS DE TRES ALEACIONES DEL SISTEMA AG-AS-SE, SE HA OBTENIDO INFORMACION SOBRE EL ORDEN DE CORTO ALCANCE QUE DICHAS ALEACIONES PRESENTAN. UTILIZANDO DICHA INFORMACION SE HAN REALIZADO HIPOTESIS ACERCA DEL ORDEN DE CORTO ALCANCE Y SE HAN ELABORADO MODELOS DE ESTRUCTURA MEDIANTE LA TECNICA DE METROPOLISMONTECARLO. ANALIZANDO DICHOS MODELOS SE HA COMPROBADO QUE PROPORCIONAN INFORMACION FIABLE SOBRE LA COORDINACION, LONGITUDES DE ENLACES Y ANGULO ENTRE LOS MISMOS. ASIMISMO SE PONE DE MANIFIESTO EN ELLOS, LOS CARACTERISTICOS DEFECTOS DE COORDINACION EN LOS ATOMOS DE AS Y SE. MEDIANTE DIVERSAS TECNICAS DE ANALISIS DE LOS MODELOS SE HAN PUESTO DE MANIFIESTO LAS UNIDADES CARACTERISTICAS DE MEDIO ALCANCE QUE DOS DE LAS ALEACIONES ESTUDIADAS PRESENTA.

Autor: BERTOMEU BALAGUERO JOAN.
Año: 1992.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA Y ELECTRONICA - UNIVERSIDAD DE BARCELONA.

Resumen: EL OBJETO DE ESTA TESIS ES EL ESTUDIO DE LAS ESTRUCTURAS MULTICAPA DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO Y SUS ALEACIONES CON CARBONO DESDE DIVERSOS PUNTOS DE VISTA. EN PRIMER LUGAR, SE ABORDAN LA PREPARACION DE LAS ESTRUCTURAS MEDIANTE DEPOSITO QUIMICO EN FASE VAPOR ASISTIDO POR PLASMA Y ALGUNOS ASPECTOS TECNOLOGICOS SOBRE ESTA TECNICA APLICADA AL DEPOSITO DE MULTICAPAS DE SEMICONDUCTORES AMORFOS. EL SISTEMA EXPERIMENTAL DE DEPOSITO UTILIZADO ES UN SISTEMA MONOCAMARA CONVENCIONAL, PERO DOTADO DE UN SISTEMA DE PORTASUSTRATOS GIRATORIO QUE PERMITE OCULTAR LOS SUSTRATOS DE LA INFLUENCIA DEL PLASMA MIENTRAS DURA EL INTERCAMBIO DE GASES. LA ESTRUCTURA DE LAS MULTICAPAS SE ESTUDIA MEDIANTE UN ESPECTRO AMPLIO DE TECNICAS DE CARACTERIZACION. NO PARECE EXISTIR HIDROGENO ADICIONAL EN LAS INTERFICIES, ASI COMO TAMPOCO SE DETECTAN ASIMETRIAS ENTRE LAS INTERFICIES. LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ELECTRICAS DE LAS MULTICAPAS SE ESTUDIAN MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE TRANSMISION OPTICA, ESPECTROSCOPIA DE DEFLEXION FOTOTERMICA, CONDUCTIVIDAD Y FOTOCONDUCTIVIDAD EN LA DIRECCION PARALELA Y CONDUCTIVIDAD A TRAVES DE ESTRUCTURAS DOBLE BARRERA. SE PONEN DE MANIFIESTO ALGUNOS DE LOS EFECTOS INTERESANTES QUE APARECEN EN ESTOS NUEVOS MATERIALES, COMO EL AUMENTO DE GAP Y DE LA ENERGIA DE ACTIVACION DE LA CONDUCTIVIDAD EN OSCURIDAD, LA FOTOCONDUCTIVIDAD PERSISTENTE Y ALGUNAS ANOMALIAS EN LA CARACTERISTICA INTENSIDAD-VOLTAJE DE ESTRUCTURAS DOBLE BARRERA. ALGUNOS DE ESTOS RESULTADOS PUEDEN INTERPRETARSE COMO RESULTADO DE EFECTOS CUANTICOS, AUNQUE SE PROPONEN OTRAS POSIBLES EXPLICACIONES EN TERMINOS DE LAS PROPIEDADES ESTRUCTURALES. FINALMENTE, SE PRESENTAN ALGUNAS POSIBLES APLICACIONES DE LAS MULTICAPAS A CELULAS SOLARES Y A FOTODETECTORES DE CAMPO ELEVADO.

Autor: BOSCH ESTRADA JOSE.
Año: 1992.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: LCMM. DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA Y ELECTRONICA UNIVERSIDAD DE BARCELONA.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HAN PUESTO A PUNTO TECNICAS EXPERIMENTALES COMO LA FOTOLUMINISCENCIA (PL); ABSORCION OPTICA (AO); FOTOEXCITACION DE LA LUMINISCENCIA (PLE) Y ADMITANCIA, PARA REALIZAR LA CARACTERIZACION DE CAPAS EPITAXIALES DEFORMADAS DE INGAAS CRECIDAS SOBRE INP O GAAS, Y POZOS CUANTICOS DE INALAS/INGAAS/INALAS. PARA LLEVAR A CABO LA CARACTERIZACION DE LAS CAPAS SE HA DESARROLLADO UN METODO DE ANALISIS BASADO EN EL ESTUDIO DE LAS TRANSICIONES OPTICAS BANDA-BANDA. AJUSTANDO LOS ESPECTROS, MEDIDOS POR AO O PL, OBTENEMOS LOS PARAMETROS QUE DESCRIBEN EL ESTADO DE LA CAPA: ENERGIA DEL GAP; DESDOBLAMIENTO DE LA BANDA DE VALENCIA; DEFORMACION MEDIA; COMPOSICION MOLAR; DEFORMACION MAXIMA; GRADO DE DEFORMACION REMANENTE; TIPO DE DEFORMACION (COMPRESION O TENSION) Y DISPERSION ENERGETICA DE LAS DOS SUBBANDAS. UNA DE LAS CONTRIBUCIONES MAS IMPORTANTES ES EL ANALISIS DE DICHAS DISPERSIONES, CUYA RELACION HEMOS DEMOSTRADO QUE NOS DA INFORMACION DEL ORIGEN DE LAS INHOMOGENEIDADES MICROSCOPICAS DE LA CAPA (VARIACIONES DE COMPOSICION O CAMPO DE DEFORMACIONES). EL ANALISIS SE HA APLICADO A UN CONJUNTO EXTENSO DE MUESTRAS OBTENIENDO RESULTADOS MUY INTERESANTES SOBRE LA MODULACION DE CONTRASTE GRUESA OBSERVADA MEDIANTE TEM, LA CALIDAD CRISTALINA DEL INGAAS CRECIDO SOBRE GAAS EN FUNCION DE LA FRACCION MOLAR DE IN Y EL ORIGEN DE LA DEFORMACION EN CAPAS DE INGAAS CRECIDAS SOBRE INP. ADEMAS, SE HA REALIZADO UN AJUSTE DE LA EVOLUCION DE LA ENERGIA DEL GAP CON LA TEMPERATURA, QUE MEJORA LOS EXISTENTES EN LA LITERATURA. PARA LA CARACTERIZACION DE POZOS CUANTICOS PRIMERO HEMOS REALIZADO UN ANALISIS TEORICO DEL CALCULO DE NIVELES EN DICHAS ESTRUCTURAS, DONDE SE HA TENIDO EN CUENTA LA NO PARABOLICIDAD DE LAS BANDAS. A CONTINUACION SE REALIZAN MEDIDAS OPTICAS DE PLE PARA DETERMINAR EL BAND-OFFSET. EN EL MISMO SENTIDO SE DESARROLLA UNA TECNICA DE ANALISIS POR ADMITANCIA QUE EVITA LOS PROBLEMAS PRESENTES EN LAS TRANSICIONES OPTICAS, TALES COMO EL DESCONOCIMIENTO DE LA ENERGIA DE LIGADURA DEL EXCITON O LA ENERGIA DEL GAP.

Autor: CUEVAS RODRIGUEZ EMILIO.
Año: 1992.
Universidad: MURCIA .
Centro de lectura: QUIMICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA.

Resumen: EN ESTA MEMORIA SE ESTUDIA EL ESTADO FUNDAMENTAL DE LOS METALES GRANULARES, SU DENSIDAD DE ESTADOS (DE) Y SU CONDUCTANCIA TUNEL G. SE HAN OBTENIDO, ENTRE OTROS, LOS SIGUIENTES RESULTADOS: . LAS FUERTES FLUCTUACIONES EN LAS ENERGIAS DE LOS ULTIMOS NIVELES OCUPADOS EN LOS GRANOS SON EL PRINCIPAL MECANISMO QUE PRODUCE LA IONIZACION DE LOS MISMOS. . LA DE PRESENTA UN GAP DE COULOMB (GC) CUYA FORMA CERCA DEL NIVEL DE FERMI ES SIMILAR A LA DEL MODELO ESTANDAR, PERO CON UNA CURVATURA DISTINTA. . LA PRESENCIA DEL ELECTRODO METALICO EN LA DETERMINACION DE G REDUCE EL GC A CAUSA DEL APANTALLAMIENTO Y LO HACE CASI LINEAL. . EXPLICAMOS LAS MEDIDAS EXPERIMENTALES DE EFECTO TUNEL EN SISTEMAS 1D Y 2D EN TERMINOS DE GC. . EN SISTEMAS 2D LOS ELECTRONES Y HUECOS DE BAJA ENERGIA TIENDEN A AGRUPARSE FUERTEMENTE.

Autor: DOMINGUEZ DE LA VEGA MANUEL.
Año: 1992.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES.

Resumen: SE HA EFECTUADO LA CARACTERIZACION ELECTRICA DE TRES ALEACIONES DEL SISTEMA VITREO CU-AS-SE: EN CONCRETO, CUO,05 ASO,45 SEO,50, CUO,10 ASO,40 SEO,50 Y CUO,20 ASO,30 SEO,50 (MI,MII Y MIII, RESPECTIVAMENTE). EN CORRIENTE CONTINUA, CON CONFIGURACION ELECTRODICA DE TIPO "SANDWICH", SE HA ESTUDIADO LA VARIACION DE LA CONDUCTIVIDAD CON LA TEMPERATURA, DEDUCIENDOSE EL MECANISMO DE CONDUCCION MAS PROBABLE. CON ELECTRODOS PUNTUALES, SE HA ESTUDIADO LA CONMUTACION ELECTRICA EN LA ALEACION MII, DE ORIGEN FUNDAMENTALMENTE TERMICO. POR OTRO LADO, LAS ALEACIONES MUESTRAN UN INCREMENTO DE LA RESISTENCIA, AL SOMETERLAS A VOLTAJE CONSTANTE, LO QUE INDICA LA EXISTENCIA DE UN PROCESO DE POLARIZACION. POR ELLO, SE HA ESTUDIADO SU COMPORTAMIENTO EN CORRIENTE ALTERNA (ENTRE 0,5 Y 1,25.105H2), MOSTRANDO TODAS UN FENOMENO DE RELAJACION DIETECTRICA, REFLEJADO EN LAS CURVAS DE IMPEDANCIA COMPLEJA, ASI COMO EN LA VARIACION DE LA CONDUCTIVIDAD Y DE LA CONSTANTE Y PERDIDA DIETECTRICAS CON LA FRECUENCIA. LAS ALEACIONES MI Y MII SE ADAPTAN BIEN AL MODELO DE DEBYE, DEL QUE SE APARTA LA ALEACION MIII.

Autor: LOPEZ FERNANDEZ FRANCISCO.
Año: 1992.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: DEPT. DE FISICA APLICADA Y ELECTRONICA DE LA FACULTAD DE FISICA DE LA UNIVERSIDAD DE BARCELONA..

Resumen: EL TRABAJO SE BASA EN LA UTILIZACION DE LA TECNICA INSTRUMENTAL DE ANALISIS ESPECTROMETRIA DE MASAS DE IONES SECUNDARIOS (SIMS), Y ESTA ESTRUCTURADO EN CUATRO CAPITULOS: EL PRIMER CAPITULO CONSISTE EN UNA INTRODUCCION BREVE AL SIMS. EN EL SEGUNDO SE DESCRIBEN DOS APORTACIONES A LA TECNICA QUE REPRESENTAN MEJORAS EN SU APLICACION. LA PRIMERA DE ELLAS CONSISTE EN UN METODO PARA AJUSTAR DINAMICAMENTE EL VOLTAJE APLICADO A LA MUESTRA DURANTE EL ANALISIS. EN LA OTRA APORTACION SE DESCRIBE UN METODO PARA DETERMINAR EL RITMO DE EROSION EN LOS ANALISIS EN PROFUNDIDAD POR EROSION ATOMICA. EN EL TERCER CAPITULO SE PRESENTAN LOS RESULTADOS DE LA CARACTERIZACION DE CAPAS FINAS DE CARBONO AMORFO HIDROGENADO (A-C:H) OBTENIDAS POR DESCOMPOSICION DE METANO EN PLASMA DE R.F. EL ANALISIS DE TRES SERIES DE MUESTRAS HA PERMITIDO OBTENER INFORMACION SOBRE LA INFLUENCIA QUE PRODUCE LA TENSION DE AUTOPOLARIZACION Y LA TEMPERATURA DE SUBSTRATO SOBRE EL CRECIMIENTO Y PROPIEDADES DE LAS CAPAS. EL CUARTO CAPITULO ABORDA LA CARACTERIZACION DE CAPAS FINAS DE SILICIO AMORFOHIDROGENADO (A-SI:H) BASADA FUNDAMENTALMENTE EN LA DETECCION DEL HIDROGENO CONTENIDO EN LAS MISMAS. SE INCLUYE UN ESTUDIO SOBRE EL FONDO Y LAS CONDICIONES DE ANALISIS PARA EL H. A CONTINUACION SE ESTUDIA LA DISTRIBUCION DEL HIDROGENO EN EL INTERIOR DE DIFERENTES SERIES DE CAPAS, Y UN EFECTO DE ACUMULACION DEL HIDROGENO EN LA INTERCARA CAPA/SUBSTRATO. SEGUIDAMENTE, SE REALIZA UN ESTUDIO DE LA DIFUSION Y EFUSION DEL HIDROGENO BAJO TRATAMIENTOS TERMICOS A DIFERENTES TEMPERATURAS, Y SE SIMULA EL ESPECTRO DE EFUSION TERMICA DEL H.

Autor: MAZUELAS ESTEBAN ANGEL .
Año: 1992.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.

Resumen: ESTA TESIS DOCTORAL PRESENTA RESULTADOS EXPERIMENTALES DE CARACTERIZACION DE HETEROESTRUCTURAS DE SEMICONDUCTORES III-V CRECIDOS SOBRE SUBSTRATOS DE GAAS POR MBE. SE PRESENTA UNA DESCRIPCION COMPLETA DE LA DIFRACCION DE RAYOS X COMO HERRAMIENTA DE CARACTERIZACION DE MATERIALES. SE HA APLICADO A DIVERSAS ESTRUCTURAS TANTO SIN TENSIONES COMO TENSIONADAS. SE HAN DETERMINADO LOS ESPESORES CRITICOS DE DIVERSOS SEMICONDUCTORES III-V. SE HAN ESTUDIADO DIVERSOS TIPOS DE SUPERREDES TENSADAS. POR ULTIMO, LOS ESTUDIOS ANTERIORES SE SINTETIZAN EN UNA PROPUESTA DE SUPERRED TENSADA PARA EPITAXIAS DE GAAS/SI.

Autor: MOLINA RUBIO SERGIO IGNACIO.
Año: 1992.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: QUIMICA INORGANICA PROGRAMA DE DOCTORADO: QUIMICA INORGANICA.

Resumen: SE HA LLEVADO A CABO LA CARACTERIZACION ESTRUCTURAL Y COMPOSICIONAL, CON RESOLUCIONES ESPACIALES SUB Y NANOMETRICAS, DE HETEROEPITAXIAS SEMICONDUCTORAS III-V/III-V Y III-V/SI CRECIDAS MEDIANTE EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE), HACIENDO USO DE TECNICAS DE MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION. LA MAYOR PARTE DE LAS HETEROESTRUCTURAS ESTUDIADAS HAN SIDO CRECIDAS MEDIANTE LA TECNICA DE MBE MODIFICADA "EPITAXIA DE HACES MOLECULARES EN CAPAS ATOMICAS (ALMBE)". EN LAS HETEROEPITAXIAS CONSIDERADAS, EL DESAJUSTE RETICULAR (F=(A EPICAPA -A SUBSTRATO)/A SUBSTRATO) VARIA DENTRO DE UN AMPLIO INTERVALO, DESDE AIAS/GAAS(F=0.16%) HASTA INAS/GAAS (F=7.17%). LAS TECNICAS BASICAS UTILIZADAS HAN SIDO MICROSCOPIA ELECTRONICA DE ALTA RESOLUCION (HREM), MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION EN MODO DE CONTRASTE DE DIFRACCION, DIFRACCION ELECTRONICA DE AREA SELECTA (SAED) Y DIFRACCION ELECTRONICA DE HACES CONVERGENTES (CBED), HABIENDOSE PREPARADO LAS MUESTRAS ESTUDIADAS EN SECCION TRANSVERSAL (XTEM), VISION PLANAR (PVTEM) Y EN CUÑAS DE 90O (WTEM). EN RELACION A ESTA ULTIMA TECNICA, SE HA DESARROLLADO UNA METODOLOGIA PARA LA DETERMINACION DE PARAMETROS RETICULARES A PARTIR DE LA POSICION DE LAS LINEAS DE LAS ZONAS DE LAUE DE ALTO ORDEN. SE HAN REALIZADO DETERMINACIONES COMPOSICIONALES EN CAPAS DE AIXGA1-XAS Y EN SUPERREDES AIAS/GAAS QUE CORRESPONDEN, RESPECTIVAMENTE, A LAS CAPAS CONFINADORAS Y LA CAVIDAD OPTICA DE UNA ESTRUCTURA LASER DE POZO CUANTICO, A LA VEZ QUE SE HAN ANALIZADO SISTEMATICAMENTE LAS POSIBILIDADES QUE LA HREM OFRECE PARA LA CARACTERIZACION COMPOSICIONAL A NIVEL DE MONOCAPA EN INTERCARAS AIAS/GAAS. EL ESPESOR CRITICO CORRESPONDIENTE A LA RELAJACION DEL DESAJUSTE RETICULAR Y LA DISTRIBUCION DE IN HAN SIDO INVESTIGADAS EN HETEROESTRUCTURAS DE POZO CUANTICO CONSTITUIDAS POR GAAS Y MONOCAPAS DE IN EN SUS ZONAS ACTIVAS. EL ESTUDIO DE CAPAS DOBLES Y DE COMPOSICION GRADUAL DE INXGA1-XAS/GAAS HA PERMITIDO DISEÑAR UNA ESTRUCTURA QUE POSEE UNA CAPA DEFORMADA DE INXGA1-XAS EN LA QUE NO SE DETECTAN DISLOCACIONES MEDIANTE XTEM. SE HA ESTABLECIDO LA INFLUENCIA DEL SIGNO DEL DESAJUSTE RETICULAR SOBRE LA CALIDAD ESTRUCTURAL Y EL PROCESO DE RELAJACION EN HETEROEPITAXIAS INAS-GAAS. POR ULTIMO, SE HA CARACTERIZADO EL PROCESO DE RELAJACION EN INTERCARAS GAAS1-XPX(X:0.02,0.07)/SI, Y SE HA ESTUDIADO EL PROCESO DE CIERRE DE FRONTERAS DE ANTIFASE EN HETEROEPITAXIAS GAAS/SI Y RELACIONADAS.

Autor: OLIVA SORIANO MANUEL.
Año: 1992.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES.

Resumen: SE HAN REALIZADO MEDIDAS ELECTRICAS EN CORRIENTE CONTINUA Y EN CORRIENTE ALTERNA. LAS MEDIDAS EN C.C. HAN PUESTO DE MANIFIESTO EL COMPORTAMIENTO IONICO DE LAS ALEACIONES DEL SISTEMA AS-SE-AG; OBTENIENDOSE LA CONDUCTIVIDAD ELECTRONICA DEBIDA A LOS HUECOS, MEDIANTE EL METODO DE POLARIZACION DE WAGNER. DE LAS MEDIDAS EN C.A. SE HAN DETERMINADO LAS IMPEDANCIAS, ASI COMO EL CIRCUITO ELECTRICO EQUIVALENTE. SE HA ANALIZADO LA CONDUCTIVIDAD TOTAL DE LAS ALEACIONES, QUE SE AJUSTAN A LA LEY EMPIRICA DE IONSCHER; OBTENIENDO LA COMPONENTE CONTINUA DE LA CONDUCTIVIDAD Y LA COMPONENTE ALTERNA, DE CUYOS VALORES SE DEDUCE EL MECANISMO DE CONDUCCION MAS PROBABLE. SE HA ANALIZADO LA PERDIDA DIELECTRICA Y SE HAN DETERMINADO LOS TIEMPOS DE RELAJACION, OBSERVANDOSE QUE OBEDECEN A UN COMPORTAMIENTO DE TIPO ASRHENICES, ESTANDO ACTIVADOS TERMICAMENTE.

Autor: POZO PAEZ JUAN MANUEL DEL.
Año: 1992.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES .

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HA DESARROLLADO UN METODO PARA LA OBTENCION DE LAS CONSTANTES OPTICAS DE LAMINAS DELGADAS QUE PERMITE ADEMAS CALCULAR EL ESPESOR DE LAS MISMAS. ESTE METODO ESTA BASADO EN MEDIDAS DE REFLECTANCIA Y TRANSMITANCIA A INCIDENCIA NORMAL, Y RESUELVE LOS PROBLEMAS ASOCIADOS A LA RESOLUCION DE LAS ECUACIONES NO LINEALES QUE SE UTILIZAN. ASI MISMO, SE HA ESTUDIADO LA DEPENDENCIA CON EL ESPESOR, DEL GAP OPTICO Y LAS COLAS DE ABSORCION EN LAMINAS DE GE AMORFO, RELACIONANDOLO CON EL CONTENIDO DE VOIDS. POR ULTIMO, SE HA ESTUDIADO LA CINETICA DE CRISTALIZACION DE LAMINAS DE GE(1-X)SBX, CALCULANDOSE LAS ENERGIAS DE ACTIVACION Y LAS TEMPERATURAS DE CRISTALIZACION, ASI COMO LA EVOLUCION DE LAS PROPIEDADES OPTICAS, DURANTE PROCESO. SE PROPONE UN MODELO FENOMENOLOGICO PARA LA CRISTALIZACION DE ESTE MATERIAL.

Autor: VEGA LERIN FIDEL.
Año: 1992.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.

Resumen: EL TRABAJO PRESENTA UN ESTUDIO DE LA CINETICA DE OBTENCION DE OXIDOS DE SEMICONDUCTOR Y SEMIMETAL EN LAMINA DELGADA.SE UTILIZAN DOS PROCEDIMIENTOS EXPERIMENTALES, LA DEPOSICION DE LAMINAS POR ABLACION LASER Y LA IRRADIACION DE MATERIALES CON LASER, AMBOS EN ATMOSFERA REACTIVA DE OXIGENO. EL TRABAJO ESTABLECE UNA UNION ENTRE LA CINETICA DEL PROCESO DE OBTENCION DE LOS OXIDOS Y SUS PROPIEDADES OPTICAS Y DE ESTEGNIOMETRIA. SE HAN UTILIZADO MEDIDAS OPTICAS EN TIEMPO REAL PARA SEGUIR "DINAMICAMENTE" EL PROCESO DE FORMACION Y CRECIMIENTO DEL OXIDO Y MEDIDAS OPTICAS Y DE HACES DE IONES (RBS,NRA) PARA CARACTERIZAR SUS PROPIEDADES. LOS RESULTADOS MUESTRAN LOS MECANISMOS RESPONSABLES DE LAS PROPIEDADES OBSERVADAS EN LOS PROCESOS DE OBTENCION Y EN LOS OXIDOS: PRESENCIA DE ESPECIES ENERGETICAS, RELACION DE FLUJOS DE ATOMOS EN EL SUBSTRATO, ACTIVACION EN FASE LIQUIDA Y CAMBIO DINAMICO DE PROPIEDADES OPTICAS.

Autor: CASAS RUIZ MELQUIADES.
Año: 1991.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES.

Resumen: A PARTIR DE DATOS DE DIFRACCION DE RAYOS X SE ESTABLECEN LAS HIPOTESIS SOBRE EL ORDEN DE CORTO ALCANCE DE ALEACIONES DEL SISTEMA TERNARIO CUCANCE DE ALEACIONES DEL SISTEMA CU-GE-TE. POSTERIORMENTE SE HAN GENERADO MODELOS ESTRUCTURALES MEDIANTE LA TECNICA DE MONTE CARLO BASADOS EN LAS CITADAS HIPOTESIS. SE REALIZA UN ESTUDIO DE LAS CRISTALIZACIONES DE MUESTRAS DE LAS ALEACIONES ANTERIORES, MEDIANTE CALENTAMIENTO CONTINUO, EN UN CALORIMETRO DE BARRIDO DIFERENCIAL. PARA EVALUAR LOS PARAMETROS CINETICOS QUE DESCRIBEN LOS MECANISMO QUE GOBIERNAN LAS REACIONES DE CRISTALIZACION ASI COMO LA VARIACION QUE SUFREN DICHOS PARAMETROS CUANDO LAS MUESTRAS SE SOMETEN A UN RECOCIDO PREVIO. POR ULTIMO SE EVALUA LA FACILIDAD DE VITRIFICACION DE LAS DIFERENTES ALEACIONES.

Autor: GUILLEN ARQUEROS M. CECILIA.
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA.

Resumen: SE HAN PREPARADO LAMINAS DELGADAS DE CUINSE2 POR ELECTROSINTESIS DIRECTA EN MODO POTENCIOSTATICO, A PARTIR DE UN BAÑO CITRICO DE SUS COMPONENTES. EL MATERIAL ELECTRODEPOSITADO SE HA CARACTERIZADO DETERMIANDO SU COMPOSICION, ESTRUCTURA, PROPIEDADES ELECTRICAS, OPTICAS Y FOTOELECTROQUIMICAS, RELACIONANDO ESTAS CARACTERISTICAS CON LOS PARAMETROS DE PREPARACION Y A LA VEZ ESTUDIANDO EL EFECTO DE DISTITNTOS TRATAMIENTOS TERMICOS Y QUIMICOS DE LAS MUESTRAS. LOS RESULTADOS OBTENIDOS INDICAN QUE SON NECESARIOS CIERTOS TRATAMIENTOS PARA OPTIMIZAR LAS LAMNAS ELECTRODEPOSITADAS PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS: PRIMERO, UN RECOCIDO EN ATMOSFERA INERTE A TEMPERATURAS SUPERIORES A 400 C. PARA OBTENER UNA RECRISTALIZACION DEL CUINSE2 EN LA ESTRUCTURA CALCOPIRITA, Y DESPUES UN ATAQUE QUIMICO EN UNA DISOLUCION DE KCN PARA ELIMINAR FASES SECUNDARIAS DE CUXSE Y SE QUE SE SUELEN DEPOSITAR JUNTO AL CUINSE2. LAS LAMINAS ASI TRATADAS HAN MOSTRADO YA UNA ADECUADA ACTIVIDAD FOTOVOLTAICA EN UNA UNION LIQUIDA SEMICONDUCTOR-ELECTROLITO.

Autor: HARO CASADO MANUEL.
Año: 1991.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES.

Resumen: SE HAN ESTUDIADO LAS PROPIEDADES ELECTRICAS (CONDUCTIVIDAD EN D.C., FENOMENO DE LA CONMUTACION ELECTRICA), TERMOELECTRICAS (EFECTOS SEEBECK Y RELTIER), GALVANOMETRICAS (CONSTANTE Y MOVILIDAD HALL) DE LAS COMPOSICIONES AMORFAS AS 0.20 SE 0.30 TE 0.50, AS 0.20 SE 0.40 TE 0.40, AS 0.45 SE 0.05 TE 0.50, OBTENIDAS MEDIANTE ENFRIAMIENTO RAPIDO DE LA FASE FUNDIDA.

Autor: ORDEJON RONTOME PABLO JESUS.
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: EL ESTUDIO DE LAS ALEACIONES AMORFAS DE SLILCIO ES UN PROBLEMA MUY COMPLEJO DESDE EL PUNTO DE VISTA TEORICO, DEBIDO A LA FALTA DE PERIODICIDAD Y AL DESRODEN ESTRUCTURAL Y QUIMICO QUE PRESENTAN ESTOS MATERIALES. POR ELLO, HASTA HACE MUY POCO SOLO SE HAN PRESENTADO TRABAJOS PARAMETRIZADOS. EN ESTA TESIS SE PRESENTA UN METODO DE CALCULO NO PARAMETRIZADO QUE, A PARTIR DE PRIMEROS PRINCIPIOS, PERMITE EL ESTUDIO DE LA ESTRUCTURA (DISTANCIAS Y ANGULOS DE ENLACE) Y LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS Y VIBRACIONALES DE ESTAS ALEACIONES. EL METODO DESARROLLADO SE HA APLICADO CON EXITO AL ESTUDIO DE LAS ALEACIONES A-SI:H, A-SIOX, Y A-SIOXNY. SE PRESENTA UNA COMPARACION DETALLADA CON LA INFORMACION EXPERIMENTAL DISPONIBLE DE DIVERSAS TECNICAS COMO DISPERSION DE NEUTRONES Y RAYOS X, EXAFS, FOTOEMISION, EMISION DE RAYOS X, ESPECTROSOPIA INFRARROJA Y RAMAN, ETC.

Autor: ROCH CUNILL CARLES.
Año: 1991.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA I ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: TECNOLOGIA I CARACTERITZACIO DE MATERIALS.

Resumen: EL SILICIO AMORFO HIDROGENADO ES UNA MATERIAL SEMICONDUCTOR SINTETICO, EN EL QUE EL HIDROGENO JUEGA UN PAPEL MUY IMPORTANTE CARA A LA DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES, TANTO ELECTRONICAS COMO ESTRUCTURALES. PARA ESTUDIARLO SE HAN EMPLEADO DOS TECNICAS QUE SON LA ESPECTROSCOPIA DE TRANSMISION INFRARROJA (EIR) Y LA ESPECTROSCOPIA DE EFUSION TERMICA (EET). EN LINEAS GENERALES SE PUEDE DECIR QUE LA PRIMERA MIDE LA CANTIDAD DE HIDROGENO ENLAZADO MIENTRAS QUE LA SEGUNDA LO HACE CON EL HIDROGENO TOTAL. LA DIFERENCIA SE PUEDE ATRIBUIR EN PRIMERA APROXIMACION AL HIDROGENO MOLECULAR O INCORPORADO EN GRUPOS DEL TIPO SI-H-SI. LA DECONVOLUCION DE LOS ESPECTROS DE EIR Y DE EET PERMITE OBTENER RESPECTIVAMENTE EL LLAMADO FACTOR R DE MICROESTRUCTURA (RELACIONADO CON LAS PROPIEDADES ESTRUCTURALES Y CON LA DENSIDAD DEL MATERIAL) Y LAS PROPORCIONES DEL HIDROGENO QUE EFUNDEN A BAJA Y ALTA TEMPERATURA. SE HA ENCONTRADO UNA CORRELACION IMPORTANTE DE DIVERSOS PARAMETROS TECNOLOGICOS CON EL CONTENIDO DE HIDROGENO ENLAZADO Y CON EL PARAMETRO R, Y EN CIRCUNSTANCIAS ESPECIALES CON EL CONTENIDO DE HIDROGENO PARCIAL QUE EFUNDE A BAJA TEMPERATURA. LAS CONCLUSIONES DEL TRABAJO INDICAN QUE EL MECANISMO DE SALIDA DEL HIDROGENO DEL MATERIAL NO SE PUEDE DESCRIBIR MEDIANTE UN MECANISMO DIFUSIVO Y/O DESORCIVO, SIENDO PARCIALMENTE COMPATIBLE LOS RESULTADOS CON LOS DE UNA DIFUSION DISPERSIVA. ASIMISMO ESTOS INDICAN QUE NO EXISTE CORRELACION ENTRE EL CONTENIDO DE HIDROGENO MEDIDO POR EIR Y POR EET, DESCARTANDOSE LAS RELACIONES QUE SE HABIAN ESTABLECIDO ENTRE EL MODO DE ENLACE DEL HIDROGENO CON LA MATRIZ DE SILICIO Y LA TEMPERATURA DE EFUSION DE AQUEL. POR ULTIMO LA TECNICA DE LA EIR APARECE COMO UNA HERRAMIENTA MUY PODEROSA PARA ANALIZAR LA MICROESTRUCTURA DEL MATERIAL.

Autor: RODRIGUEZ MARTINEZ ANGEL.
Año: 1991.
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
Centro de realización: ESCUELA TECNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION DE BARCELONA .

Resumen: SE HAN DISEÑADO Y FABRICADO TRANSISTORES DE CAPA FINA (TFT) DE POLISILICIO DE CANAL N, CON EL FIN DE UTILIZARLOS EN LA CONSTRUCCION DE PANTALLAS PLANAS DE CRISTAL LIQUIDO (LCD). EL SUBSTRATO AISLANTE DEBE SER TRANSPARENTE Y DE GRAN AREA, POR LO QUE EL MATERIAL EMPLEADO ES VIDRIO. ESTE MATERIAL LIMITA LA MAXIMA TEMPERATURA DE LOS PROCESOS DE FABRICACION A 630 GRADOS C. SE HAN DISEÑADO LOS PROCESOS DE FABRICACION COMPATIBLES CON ESA TEMPERATURA Y CON LA PRODUCCION INDUSTRIAL: OBTENCION DE LA CAPA ACTIVA DE POLISILICIO, OBTENCION DE AISLANTE DE PUERTA POR DEPOSICION QUIMICA A PARTIR DE PRECURSORES ORGANICOS, PASIVACION DE LAS FRONTERAS DE GRANO DEL POLISILICIO CON HIDROGENO Y POSTERIOR SINTERIZACION, OBTENCION DE LOS CONTACTOS DE FUENTE Y DRENADOR POR DEPOSICION QUIMICA. LOS PROCESOS Y DISPOSITIVOS HAN SIDO CARACTERIZADOS, TANTO FISICA COMO ELECTRICAMENTE, Y COMO RESULTADO MAS INTERESANTE CABE RESALTAR QUE SE HAN OBTENIDO MOVILIDADES EFECTIVAS EN EL CANAL DE HASTA 72 CM CUADRADOS/VS. SE HA ESTUDIADO CON PROFUNDIDAD LA CORRIENTE DE CORTE DE ESTOS TRANSISTORES CON EL FIN DE REDUCIRLA. ESTA CORRIENTE LIMITA EL MAXIMO NUMERO DE PUNTOS (PIXELA) QUE PUEDE LLEVAR UN PANEL. LOS MECANISMOS DE GENERACION BASICOS MENCIONADOS EN LA LITERATURA NO PUEDEN POR SI SOLOS, EXPLICAR ESTA CORRIENTE. SE HAN CONSTRUIDO DOS TEORIAS ORIGINALES PARA EXPLICARLA: LA PRIMERA ES LA ACTUACION SIMULTANEA DE LA GENERACION TERMICA Y TUNEL Y LA SEGUNDA LA GENERACION POR SALTOS DE ELECTRONES ENTRE DEFECTOS EN LAS FRONTERAS DE GRANO DE POLISICIO (HOPING) QUE ESTAN MUY PROXIMOS.