SEMICONDUCTORES, 7

Autor: VAZQUEZ LOPEZ MANUEL.
Año: 1991.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO:.

Resumen: EN ESTE MEMORIA SE PRESENTA LA OBTENCION Y CARACTERIZACION DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DE MOVILIDAD ELECTRONICA Y SU APLICACION A TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO. PARA ELLO SE HA UTILIZADO LA TECNICA EPITAXIAL ALMBE (EPITAXIA POR HACES MOLECULARES DE CAPAS ATOMICAS PARA OBTENER EPITAXIAS DE ALTA CALIDAD A BAJAS TEMPERATURAS DE SUBSTRATO EN DOS CAMPOS PARALELOS. POR UN LADO EN HETEROUNIONES INVERTIDAS DE ALTA MOVILIDAD Y POR OTRO LADO, EN UNAS NUEVAS HETEROESTRUCTURAS DE ALTA MOVILIDAD ELECTRONICA EN LAS QUE LOS MATERIALES CONSTITUYENTES TIENEN DIFERENTE PARAMETRO DE RED. A LO LARGO DE LA MEMORIA SE DESCRIBEN LAS VENTAJAS DE ESTAS ESTRUCTURAS SOBRE LAS CONVENCIONALES. EL TRABAJO SE COMPLEMENTA CON LA FABRICACION DE UN TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE ALTA MOVILIDAD ELECTRONICA (HEMT) A PARTIR DE LAS EPITAXIAS OBTENIDAS.

Autor: CALLE GOMEZ FERNANDO.
Año: 1990.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO FISICA APLICADA FACULTAD DE CIENCIAS (U.A.M.).

Resumen: SE UTILIZA EL EFECTO RAMAN PARA ESTUDIAR LA DINAMICA VIBRACIONAL Y LOS EFECTOS DE CONFINAMIENTO ELECTRONICO EN SISTEMAS CON DISTINTOS MATERIALES, GEOMETRIAS Y ORIENTACIONES DE CRECIMIENTO. EN PARTICULAR, SE HA INVESTIGADO: - MODOS OPTICOS CONFINADOS, EXTENDIDOS Y DE INTERCARA EN SUPERREDES CDTE-CDMNTE (111), DEMOSTRANDOSE LA FORMACION DE MINIBANDAS AL REDUCIR LAS BARRERAS. - MODOS CONFINADOS EN SUPERREDES DE PERIODO CORTO GAAS-ALAS (111), HABIENDOSE OBSERVADO TRANSICIONES L- , Y OBTENIENDOSE POR VEZ PRIMERA LAS CURVAS DE DISPERSION OPTICAS DE LOS MATERIALES EN LA DIRECCION -L DE LA ZONA DE BRILLOUIN. - MODOS DE INTERCARA EN SUPERREDES DE POZOS DOBLES ACOPLADOS DE GAAS-ALAS (001), Y TRANSICIONES X- PSEUDODIRECTAS. SE ANALIZA MEDIANTE RAMAN RESONANTE Y LUMINISCENCIA DE EMISION Y EXCITACION LA ACCION DE CAMPOS MAGNETICOS INTENSOS SOBRE LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DE ESTOS NUEVOS MATERIALES, CON LOS SIGUIENTES RESULTADOS ORIGINALES: - OBSERVACION DE LUMINISCENCIA CALIENTE DE MAGNETOEXCITONES Y ESTUDIO DE LAS REGLAS DE SELECCION DE SU EXCITACION. - OBSERVACION DE DOBLE RESONANCIA RAMAN INDUCIDA POR EL CAMPO MAGNETICO. - DETERMINACION DE ENERGIAS DE LIGADURA DE EXCITONES EN POZOS GAAS (111). - INVESTIGACION DE LA INTERACCION DE INTERCAMBIO EXCITON-ION MN, EN SUPERREDES CDTE-CDMNTE. POR ULTIMO, SE ESTUDIA LOS MECANISMOS DE RESONANCIA RAMAN EN LOS SISTEMAS MENCIONADOS, SUS REGLAS DE SELECCION CON LUZ POL-RIZADA LINEAL Y CIRCULARMENTE, Y SUS POSIBLES DEPENDENCIAS CON EL CAMPO MAGNETICO.

Autor: CARABE LOPEZ JULIO.
Año: 1990.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA III. (ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA) PROGRAMA DE DOCTORADO:.

Resumen: EL PRESENTE TRABAJO ES UN ESTUDIO CENTRADO EN LA OBTENCION DE LAMINAS DELGADAS DE ALEACIONES DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO PARA SU APLICACION COMO CAPAS VENTANA DE TIPO P EN CELULAS SOLARES DE ESTRUCTURA P-I-N. EL METODO DE PREPARACION ES LA DESCARGA LUMINISCENTE DE RADIOFRECUENCIA. LAS LAMINAS SE HAN CARACTERIZADO OPTICA Y ELECTRICAMENTE. SE HA ESTUDIADO SISTEMATICAMENTE LA INFLUENCIA DE CADA UNO DE LOS PARAMETROS DE PREPARACION SOBRE LAS PROPIEDADES DE LAS PELICULAS, Y SE HAN CORRELACIONADO LOS RESULTADOS TENIENDO EN CUENTA LOS MODELOS EXISTENTES. EL PRIMER CAPITULO ES UNA INTRODUCCION, EL SEGUNDO DESCRIBE EL PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL, EL TERCERO MUESTRA Y SILICIO-CARBONO DE TIPO P) Y EL CUARTO ES UN CONJUNTO DE CONCLUSIONES.

Autor: DIAZ PALACIOS RAQUEL.
Año: 1990.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID.

Resumen: LA MEMORIA MUESTRA EL ESTUDIO DE LA FORMACION, ESTRUCTURA CRISTALINA Y PROPIEDADES DE TRANSPORTE DE LOS COMPUESTOS PERTENECIENTES AL SISTEMA CUIN(SEX TE1-X)2 EN MATERIAL SINTETIZADO. TAMBIEN SE HAN ESTUDIADO DIVERSAS PROPIEDADES DE COMPUESTOS CUATERNARIOS PERTENECIENTES AL SISTEMA CU-IN-SE-TE Y DE CUGASE2 Y CUGATE2 CRECIDOS EN LAMINA DELGADA. LA FINALIDAD DE ESTE ESTUDIO SE DEBE A QUE TODOS ESTOS COMPUESTOS TIENEN PROPIEDADES FOTOVOLTAICAS. EL ANALISIS DE LOS RESULTADOS DE LAS LAMINAS DEL SISTEMA CU-IN-SE-TE MUESTRA QUE LAS PROPIEDADES DE ESTOS MATERIALES SON ANALOGAS A LAS QUE POSEEN LOS COMPUESTOS TERNARIOS CUINSE2 Y CUINTE2 EXCEPTO EN: 1 EL PARAMETRO DE RED, DEPENDE LINEALMENTE CON LA COMPOSICION. 2- LOS VALORES ENCONTRADOS EN LAS ENERGIAS DE LOS GAP SON MENORES A LOS QUE PRESENTAN LOS COMPUESTOS TERNARIOS. EL ESTUDIO DE LAS LAMINAS DELGADAS DE CUGASE2 Y CUGATE2 HAN MOSTRADO QUE EXISTE UN RANGO EN LA TEMPERATURA DEL SUSTRATO 210 C Y 200-250 C RESPECTIVAMENTE PARA LAS CUALES EL MATERIAL PRESENTA FASE UNICA. LAS PROPIEDADES DE ESTAS LAMINAS SON TAMBIEN CARACTERISTICAS DE UN SEMICONDUCTOR FOTOVOLTAICO PRESENTANDO UNOS VALORES DEL 1ER GAP DIRECTO DE 1.59 EV Y 1.23 EV RESPECTIVAMENTE.

Autor: DOMINGUEZ ADAME ACOSTA FRANCISCO.
Año: 1990.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO:.

Resumen: SE ESTUDIA LA NATURALEZA Y DISTRIBUCION DE DEFECTOS PUNTUALES Y DISLOCACIONES EN CRISTALES SEMICONDUCTORES DE GAP Y DE INP, MEDIANTE VARIAS TECNICAS DE ANALISIS, EN SU MAYORIA BASADAS EN LA MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO. SE HA ENCONTRADO QUE LA EMISION DE CATODOLUMINISCENCIA (CL) EN OBLEAS DE GAP NO ES OBLEAS DE GAP NO ES HOMOGENEA DEBIDO A LA DISTRIBUCION NO UNIFORME DE DEFECTOS PUNTUALES Y DISLOCACIONES. LAS MEDIDAS CONCUERDAN CON LAS OBTENIDAS MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE ANIQUILACION DE POSITRONES, UTILIZADA TAMBIEN EN ESTE TRABAJO. DESDE EL PUNTO DE VISTA DE LA DISTRIBUCION LOCAL DE DEFECTOS, SE HA COMPROBADO QUE TAMPOCO ES UNIFORME ALREDEDOR DE LAS DISLOCACIONES, EXISTIENDO DIFUSION DE VACANTES Y DE DEFECTOS DE ANTIESTRUCTURA HACIA LAS DISLOCACIONES. LOS RESULTADOS EN GAP Y EN INP POLICRISTALINAS MUESTRAN QUE TAMBIEN EXISTE SEGREGACION DE DEFECTOS PUNTUALES HACIA LAS FRONTERAS DE GRANO. POR OTRAS PARTE, EL CONTRASTE EN LAS IMAGENES DE MICROSCOPIA ELECTROACUSTICA DE BARRIDO EN LOS POLICRISTALES, ES MUY INTENSO EN LAS MACLAS Y NO SIEMPRE ES INTENSO EN LAS FRONTERAS DE GRANO.

Autor: DOTOR CASTILLA M. LUISA.
Año: 1990.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LOS MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.

Resumen: EN LA TESIS SE HA ESTUDIADO LA FISICA DE LOS LASERES DE SEMICONDUCTOR. SE HA ELABORADO UN PROGRAMA PARA EL CALCULO DE LA GANANCIA, EL FACTOR DE CONFINAMIENTO Y CORRIENTE RADIATIVA, QUE PERMITE EL DISEÑO DE ESTRUCTURAS CON LOS PARAMETROS OPTIMIZADOS. SE HAN FABRICADO LAS ESTRUCTURAS DISEÑADAS, POZOS DE GAAS CONFINADOS POR SUPERREDES ALAS/GAAS, MEDIANTE LA TECNICA DE EPITAXIA POR HACES MOLECULARES Y POSTERIORMENTE SE HAN FABRICADO LOS DIODOS LASER, INDIVIDUALIZANDOLOS MEDIANTE EXFOLIACION SEGUN DIRECCIONES PREFERENTES Y MONTANDOLOS SOBRE DISIPADORES DE CALOR PARA SU POSTERIOR CARACTERIZACION. SE HAN ESTUDIADO LAS CARACTERISTICAS FUNDAMENTALES DE FUNCIONAMIENTO COMO SON CORRIENTE UMBRAL, EMISION ESPECTRAL Y DIVERGENCIA. LAS CARACTERISTICAS OBTENIDAS SON DE BAJO UMBRAL (=300 A/CM2) Y EXCELENTE ESTABILIDAD CON LA TEMPERATURA (T0=350 K).

Autor: GOMEZ VELA DIEGO.
Año: 1990.
Universidad: CADIZ.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FACULTAD DE CIENCIAS UNIVERSIDAD DE CADIZ.

Resumen: SE ESTUDIA EL ORDEN DE CORTO ALCANCE, EN DOS SEMICONDUCTORES AMORFOS DE COMPOSICION CU26 AS37 SE37 Y CU8 AS26 SE66. MEDIANTE LAS TECNICAS EXPERIMENTALES DE DIFRACCION DE R-X Y ESPECTROSCOPIA EXAFS Y FINALMENTE SE SIMULAN MODELOS ESPACIALES MEDIANTE LA TECNICA DE METROPOLIS MONTECARLO. LA DIFRACCION DE RAYOS X, PERMITE CONOCER PARAMETROS MEDIOS ESTRUCTURALES, DE COORDINACION Y DISTANCIA DE ENLACE DE LA MUESTRA. MIENTRAS QUE LA ESPECTROSCOPIA EXAFS PERMITE DEDUCIR INFORMACION ESTRUCTURAL PROMEDIO ALREDEDOR DE CADA ESPECIE ATOMICA EN LOS TERNARIOS ESTUDIADOS. LAS COORDINACIONES MEDIAS RESULTANTES SON CUATRO PARA EL COBRE Y TRES PARA EL ARSENICO EN AMBAS MUESTRAS, MIENTRAS QUE EL SELENIO PASA DE 2.25 A 3.83. ESTO REFUERZA LA HIPOTESIS DE LA HIBRIDACION TETRAEDRICA SP DEL CU, ACEPTANDO PARES ELECTRONICOS DE SE, Y ESTE AUMENTA SU COORDINACION AL SUBIR EL CONTENIDO DE COBRE. LOS MODELOS ESPACIALES FINALES INCORPORAN LA INFORMACION DE DIFRACCION DE RAYOS X Y EXAFS. Y SE AJUSTAN A LAS COORDINACIONES Y DISTANCIAS DEDUCIDAS DE EXAFS Y AL AREA BAJO EL PRIMER PICO DE DIFRACCION. SE OBTUVO LA TRANSFORMADA DE FOURIER DE LA FUNCION DE DISTRIBUCION RADIAL DEL MODELO Y SE AJUSTABA CORRECTAMENTE A LA FUNCION DE INTERFERENCIA EXPERIMENTAL. QUE EN EL CASO DE LA MUESTRA DE BAJO CONTENIDO DE COBRE REPRODUCE EL RASGO TOPOLOGICO DE MEDIO ALCANCE DENOMINADO PREPICO DE DIFRACCION.

Autor: GONZALEZ DIEZ M. YOLANDA.
Año: 1990.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LOS MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES .

Resumen: EN ESTE TRABAJO DE TESIS SE ESTUDIAN Y APORTAN SOLUCIONES A LOS PROBLEMAS INTRINSECAMENTE LIGADOS AL SISTEMA EPITAXIAL GAAS SOBRE SI.SE HA ESTUDIADO EL PROCESO DE NUCLEACION, LA DISTRIBUCION DE TENSIONES QUE APARECE DEBIDO A LA DIFERENCIA DE PARAMETROS DE RED Y DE COEFICIENTE DE EXPANSION TERMICA QUE EXISTE ENTRE ESTOS MATERIALES, EL PROCESO DE ANIQUILACION DE DOMINIOS DE ANTIFASE QUE APARECEN POR EL HECHO DE CRECER UN MATERIAL POLAR SOBRE UNO NO POLAR Y SE HAN REALIZADO CRECIMIENTOS A BAJA TEMPERATURA SOBRE SUSTRATOS DE SI TAMBIEN TRATADOS A BAJA TEMPERATURA.

Autor: MENDEZ MARTIN BIANCHI.
Año: 1990.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.

Resumen: LOS ESTUDIOS REALIZADOS SOBRE EL GA AS PRESENTADOS EN ESTA MEMORIA APORTAN INFORMACION ACERCA DE LA NATURALEZA DE DEFECTOS (DISLOCACIONES Y DEFECTOS PUNTUALES) EN OBLEAS DE GA AS SEMICONDUCTOR Y GA AS SEMIAISLANTE. EL EMPLEO DE LA CATODOLUMINISCENCIA (CL) Y LA MICROSCOPIA ELECTROACUSTICA DE BARRIDO (MEAB) DE FORMA COMBINADA NOS HA PERMITIDO OBTENER RESULTADOS NUEVOS TANTO ACERCA DE LAS POSIBILIDADES DE APLICACION DE ESTAS TECNICAS A SEMICONDUCTORES III-V COMO SOBRE LA CARACTERIZACION DE LAS OBLEAS MENCIONADAS DE GA AS. ASIMISMO SE HA ABORDADO EL PROBLEMA DE LA HOMOGENEIDAD DE LAS OBLEAS DE GA AS MONOCRISTALINAS DESDE NUEVOS PUNTOS DE VISTA, AL EMPLEAR LA MICROSCOPIA ELECTROACUSTICA DE BARRIDO.

Autor: ORTEGA MATEO JOSE.
Año: 1990.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO:.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HA ANALIZADO TEORICAMENTE LA FORMACION DE LA BARRERA SCHOTTKY EN LAS INTERFASES IDEALES METAL ALCALINO-ASGA (110). ESTE ANALISIS HA SIDO POSIBLE GRACIAS AL DESARROLLO DE UN METODO TEORICO DE PRIMEROS PRINCIPIOS QUE PERMITE CALCULAR LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS Y ESTRUCTURALES DE LAS DIFERENTES INTERFASES. EN PARTICULAR, SE HAN ESTUDIADO LAS ENERGIAS DE QUIMISORCION, LA DENSIDAD LOCAL DE ESTADOS Y EL NIVEL DE FERMI PARA LAS INTERFASES ENTRE LI, NA Y K CON ASGA (110) PARA LOS RECUBRIMIENTOS DE O=1, O=1/2 Y O 1. ADEMAS, SE HAN ANALIZADO LOS EFECTOS DE CORRELACION EN LA BANDA DE SUPERFICIE INDUCIDA POR LOS ATOMOS ALCALINOS EN EL GAP DEL SEMICONDUCTOR. LOS RESULTADOS OBTENIDOS SE COMPARAN CON LA INFORMACION EXPERIMENTAL DISPONIBLE.

Autor: RECIO SEGOVIANO MIGUEL.
Año: 1990.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES .

Resumen: SE ABORDA EL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS Y DE LA DINAMICA DE LA RED EN SUPERREDES SEMICONDUCTORAS CON DIFERENTES GRADOS DE DESAJUSTE DE RED ENTRE CONSTITUYENTES (3% EN GAAS/ALAS, 3.7% EN GAAS/GAP, 7% EN ALAS/INAS). LAS PROPIEDADES OPTICAS SE ESTUDIAN COMBINANDO ESPECTROSCOPIAS DE ABSORCION Y EMISION. LOS ESPECTROS SE INTERPRETAN CON MODELOS TEORICOS DE ESTRUCTURA DE BANDAS TIPO K.P Y KRONIG-PENNEY. SE OBSERVAN POR VEZ PRIMERA TRANSICIONES TIPO I Y TIPO II (CON SEPARACION ESPACIAL DE PORTADORES). TANTO EN SUPERREDES CON AJUSTE DE RED COMO EN LAS QUE NO LO TIENEN SE ESTABLECEN LOS PARAMETROS NECESARIOS PARA DISEÑAR ESTRUCTURAS COMPLEJAS BASADAS EN ELLAS MEDIANTE ESPECTROSCOPIA RAMAN SE ESTUDIA LA DINAMICA DE LA RED DE LAS SUPERREDES, OBTENIENDO INFORMACION DE LOS DISTINTOS MODOS (CONFINADOS Y PROPAGATIVOS) DE VIBRACION, CERCA Y LEJOS DE RESONANCIA CON TRANSICIONES INTERBANDA FUERTES. ASIMISMO SE ESTABLECEN LA VALIDEZ DEL RAMAN COMO HERRAMIENTA DE CARACTERIZACION ESTRUCTURAL.

Autor: RODRIGUEZ MARTIN JOSE M..
Año: 1990.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE REALIZA EL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DE DOS CONJUNTOS DE SEMICONDUCTORES III-V: ALEACIONES Y SUPERREDES. PARA ELLO LAS TECNICAS UTILIZADAS SON AQUELLAS SENSIBLES A LOS DIFERENTES PROCESOS DE ABSORCION O TRANSICIONES OPTICAS DIRECTAS EN EL ESPACIO DE MOMENTOS, ESTAS TECNICAS FUERON LA ELIPSOMETRIA ESPECTRAL Y UN CONJUNTO DE ESPECTROSCOPIAS DE MODULACION: PIEZORREFLECTANCIA, ELECTRORREFLECTANCIA Y FOTORREFLECTANCIA. EL ESTUDIO REALIZADO EN LAS ALEACIONES ESTA ENFOCADO EN LA VARIACION CON LA COMPOSICION DE AL DE LAS TRANSICIONES EO Y ES EN DOS TIPOS DE ALEACIONES: ARINAS Y ALGAP. POR OTRA PARTE SE EFECTUA UN ESTUDIO SIMILAR, EN VARIOS CONJUNTOS DE SUPERREDES SEMICONDUCTORAS. LAS SUPERREDES ESTUDIADAS ABARCAN DESDE SUPERREDES GAAS/ALAS CON PRACTICAMENTE NULO DESAJUSTE EN SU PARAMETRO DE RED. HASTA LAS SUPERREDES INAS/ALAS DE CAPAS ALTAMENTE TENSIONADAS DEBIDO AL FUERTE DESAJUSTE DE RED ENTRE SUS CONSTITUYENTES, PASANDO POR EL CASO INTERMEDIO DE LAS SUPERREDES GAAS/GAP. LOS DATOS EXPERIMENTALES RELATIVOS A LA TRANSICION E1 SE EXPLICAN TENIENDO EN CUENTA LA IMPORTANCIA RELATIVA DE EFECTOS DE CONFINAMIENTO Y EFECTOS DE LAS TENSIONES. POR ULTIMO, EN SUPERREDES INAS/APAS SE ESTABLECE EL VALOR DEL BAND-OFFSET EN ESTE TIPO DE HETEROUNIONES.

Autor: ARTACHO CORTES EMILIO.
Año: 1989.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA, FACULTAD DE CIENCIAS, UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID .

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE PRESENTAN EN PRIMER LUGAR APORTACIONES DE TIPO METODOLOGICO UTILES PARA EL ESTUDIO DE DEFECTOS EN SEMICONDUCTORES MONOPOLARES, CONCRETAMENTE UN FORMALISMO DE BASES NO ORTOGONALES PARA PRIMERA Y SEGUNDA CUANTIZACION, Y UN METODO CONCRETO DE CALCULO EN SISTEMAS INFINITOS SIN SIMETRIA TRASLACIONAL COMPLETA, BASADO EN LA COMBINACION LINEAL DE ORBITALES ATOMICOS, Y EN EL USO DE FUNCIONES DE GREEN. TAMBIEN SE PRESENTAN APORTACIONES CONCRETAS A TEMAS DE MUCHO INTERES Y ACTUALIDAD. EN UN ESTUDIO DE LA GEOMETRIA Y EL ESTADO FUNDAMENTAL DE COMPLEJOS HIDROGENADOS EN EL INTERIOR DE SILICIO CRISTALINO, SE OBTIENEN UNOS RESULTADOS QUE REPLANTEAN EL PROBLEMA ASOCIADO A DICHOS SISTEMAS, DESDE UN PUNTO DE VISTA DISTINTO AL TENIDO EN CUENTA HASTA AHORA. FINALMENTE, SE PROPONE UNA GEOMETRIA DE DIMEROS SIMETRICOS PARA LA SUPERFICIE (100) DEL SILICIO, EN SURECONSTRUCCION 2X1 BASADA EN LA INCORPORACION DE LA POLARIZACION DE SPIN A LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DEL ESTADO FUNDAMIENTAL. ESTO ES IMPORTANTE A LA HORA DE CONSIDERAR LA GEOMETRIA DE ESTA SUPERFICIE, ASI COMO LOS PROCESOS DE ADSORCION SOBRE ELLA, SIENDO COMO ES UNA DE LAS SUPERFICIES SEMICONDUCTORAS DE MAYOR INTERES BASCIO Y APLICADO.

Autor: CRUZ FERNANDEZ ROSA M. DE LA.
Año: 1989.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA DE MATERIALES..

Resumen: LOS EXPERIMENTOS REALIZADOS TANTO EN CRISTALES "AS-GROWN" COMO IRRADIADOS CON ELECTRONES, HAN PERMITIDO OBTENER LOS VALORES DE LA VIDA DEL POSITRON EN ESTADO LIBRE Y EN ESTADO ATRAPADO EN LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES III-VI, II-VI Y CU2O. EN EL CASO DEL SEMICONDUCTOR LAMINAR INSE, LAS MEDIDAS A BAJAS TEMPERATURAS REALIZADAS EN MATERIAL "AS-GROWN" Y EN MATERIAL IRRADIADO HAN PERMITIDO IDENTIFICAR LOS DEFECTOS INTRINSECOS DE CARACTER DONANTE RESPONSABLES DE LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE Y LOS DEFECTOS RESPONSABLES DEL ATRAPAMIENTO DEL POSITRON. EL RECOGIDO DE LOS DEFECTOS INDUCIDOS POR LA IRRADIACION CON ELECTRONES SE HA ESTUDIADO EN ALGUNOS DE LOS MATERIALES INVESTIGADOS. LOS EXPERIMENTOS HAN PERMITIDO IDENTIFICAR Y DETERMINAR LAS CARACTERISTICAS DE RECOGIDO DE LOS DEFECTOS DE TIPO ACEPTOR INDUCIDOS POR LA IRRADIACION. EN EL CASO DEL CU2O, LA NATURALEZA DE LOS DEFECTOS RESPONSABLES DEL ATRAPAMIENTO DEL POSITRON SE HA DETERMINADO EN CONJUNCION CON MEDIDAS DE FOTOLUMINISCENCIA Y ABSORCION. POR ULTIMO, LOS RESULTADOS OBTENIDOS SE HAN CONTRASTADO CON LAS CORRELACIONES PERDICHAS POR LOS MODELOS DEL POSITRON EN SEMICONDUCTORES Y EN AISLANTES.

Autor: GARCIA VICENTE DE VERA ENRIQUE.
Año: 1989.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: DEPARTAMENTO DE OPTICA, UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID.

Resumen: ESTE TRABAJO TIENE COMO OBJETIVO FUNDAMENTAL EL DESARROLLO DE METODOS DE CARACTERIZACION DE LAS PROPIEDADES ESPECTRALES DE LOS LASERES DE SEMICONDUCTOR MAS INTERESANTES PARA LAS APLICACIONES EN COMUNICACION COTERENTES, EN CONCRETO LAS CARACTERISTICAS DE MODULACION EN FRECUENCIA Y LA ANCHURA ESPECTRAL MONOMODO. PARA AQUELLAS SE ESTA DESARROLLADO UN NUEVO METODO DE MEDIDA, BASADO EN UN EFECTO DEBIDO A LA PRESENCIA DE UNA CAVIDAD EXTERNA PASIVA. TAMBIEN SE HA DESARROLLADO UN MODELO TEORICO CAPAZ DE DESCRIBIR ESTE EFECTO.

Autor: ROMAN VIÑAS RAMÓN WIFREDO.
Año: 1989.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS.

Resumen: El objetivo del trabajo es definir una metodología tight-binding suficientemente completa como para determinar las propiedades dinámicas de los semiconductores tipo diamante y la estructura electrónica de las zincblendas: calcopiritas y pnictides. Esta metodología debe proporcionar también unos resultados acordes con las experiencias y, al mismo tiempo, tiene que permitir realizar un análisis suficiente del impacto de los parámetros y hipótesis del modelo en los resultados obtendios. A este efecto, en primer lugar se realiza un estudio crítico de los diferentes tight-binding existentes. El resultado de este estudio nos induce a determinar un nuevo modelo que se utilizará, posteriormente, para determinar las propiedades más importantes de semiconductores diamente y zinc blenda. El modelo se basa en: * Preservar la química de los enlaces sp3 en los semiconductores. * Relacionar los términos de autoenergía en el hamiltoniano con las energías atómicas de los átomos aislados y. * Una ley de escala universal para modelizar las interacciones entre los elementos no diagonales del hamiltoniano. A fin de limitar el número de parámetros libres se consideran, inicialmente, interacciones entre primeros vecinos aun conociendo de antemano que algunas de las características de las bandas electrónicas no se resolverán correctamente. Posteriormente se extiende el modelo introduciendo algunos parámetros para las interacciones entre segundos vecinos. Una vez confrontados los resultados para las bandas electrónicas de los semiconductores tipo IV, III-V y II-VI se aplica el modelo a compuestos más complejos y de interés tecnológico como son las zincblendas: pnictides y calcopiritas. Los resultados tienen un buen acuerdo con la experiencia confirmando las posibilidades de estos modelos semiempíricos para un espectro amplio de sistemas cristalinos. En este estudio no se han realizado cálculos para calcopiritas Ag i Cu dado que harían necesario un calculo con mayor número de parámetros debido a la hibridación de los estados tipo p superiores de la banda de valencia sin aportar novedades cualitativas. Una vez obtenido un modelo suficiente para reproducir las bandas electrónicas se utilizará para determinar algunas propiedades estructurales previo calculo de la energía total del cristal. Con este objetivo, se revisa la metodología del cálculo de funciones totales en la Zona de Brillouin utilizando la técnica de los puntos especiales iniciada por Baldereschi. De esta forma se analizan diferentes conjuntos de puntos especiales para las diferentes simetrías de cristal en ausencia de deformaciones elásticas y en las deformaciones asociadas a los diferentes modos de fonón. La segunda línea de trabajo se ha orientado a la descripción de propiedades dinámicas, concretamente modos de fonón y constantes elásticas para semiconductores tipo diamante. Se estudia también la influencia de los parámetros del modelo en la evolución de las distorsiones estructurales. La energía de las diferentes excitaciones elementales se ha obtenido como la diferencia entre la energía total del sistema distorsionado y en su estado fundamental. Tal y como se comprueba confrontando con diferentes resultados experimentales se ha obtenido un cálculo preciso en la energía de los principales modos de fonón y una buena estructura de la dispersiones de las bandas de fonón en toda la Zona de Brillouin. A pesar de estos resultados el modelo semi-empírico desarrollado tienen algunas limitaciones. Por ejemplo la descripción defectuosa de la banda de conducción condiciona la obtención de buenos resultados para el calculo de la función dieléctrica electrónica. Para resolver estas limitaciones seria necesario introducir en el modelo las interacciones hasta terceros vecinos pero al mismo tiempo, se pierde parte del interés del modelo, a saber, un reducido número de parámetros de entrada. La progresiva complejidad del modelo representaría acercarlo a otros modelos basados en aproximaciones ab-initio.

Autor: DIAZ ORUETA GABRIEL.
Año: 1988.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DPTO. FISICA MATERIA CONDENSADA..

Autor: TAFALLA GARCIA DAVID .
Año: 1988.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: INSTITUTO DE CATALISIS Y PETROLEOQUIMICA (C.S.I.C.)..

Resumen: DENTRO DEL CAMPO DE LA FOTOELECTROQUIMICA, EL ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE TRANSFERENCIA DE CARGA EN LA INTERFASE SEMICONDUCTOR-ELECTROLITO CON EL FIN DE OPTIMIZAR LOS DISPOSITIVOS FOTOELECTROQUIMICOS. EN ESTA TESIS SE ESTUDIAN DICHOS PROCESOS EN ELECTRODOS DE TIO2 DURANTE LA FOTOOXIDACION DEL AGUA CON DIVERSAS TECNICAS ELECTROQUIMICAS Y ELECTROOPTICAS. MEDIANTE FOTOCORRIENTES TRANSITORIAS Y ELECTRODO ROTATORIO DE ANILLO-DISCO, SE ESTIMO EN 10% LA EFICIENCIA MAXIMA DE SINTESIS DE H2O2 EN UNA CELDA FOTOELECTROQUIMICA POR REDUCCION DE O2 FOTOGENERADO. EL EMPLEO DE LA ELECTRORREFLECTANCIA DE ELECTROLITO, TECNICA DESARROLLADA EN NUESTRO LABORATORIO, NOS PERMITIO TENER EVIDENCIA DE LOS DESPLAZAMIENTOS DE LAS BANDAS DEL SEMICONDUCTOR DURANTE LA FOTOOXIDACION DEL AGUA Y ATRIBUIRLOS A CAMBIOS LOCALES DEL PH Y-O ACUMULACION DE CARGA EN LA SUPERFICIE. FINALMENTE, UN ANALISIS DETALLADO DE LA CAIDA DE LAS FOTOCORRIENTES TRANSITORIAS PROPONER UN MODELO CINETICO PARA LA FOTOOXIDACION DEL AGUA SOBRE TIO2 BASADO EN LA FORMACION DE OH Y H2O2 COMO ESPECIES INTERMEDIAS.

Autor: BREY ABALO LUIS.
Año: 1987.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO FISICA MATERIA CONDENSADA-FACULTAD DE CIENCIAS UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID. .

Resumen: EN ESTA TESIS SE HAN ESTUDIADO DIFERENTES PROPIEDADES DE SEMICONDUCTORES Y SUPERREDES SEMICONDUCTORAS. SE HA DESARROLLADO UN METODO TEORICO QUE NOS DA LA ESTRUCTURA DE BANDAS EN SUPERREDES SEMICONDUCTORAS, ESTE METODO LO HEMOS APLICADO AL CALCULO DE LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DE SUPERREDES SI-GE Y GAAS-AL.AS. TAMBIEN SE HAN ESTUDIADO LOS EFECTOS QUE UN CAMPO ELECTRICO TIENE SOBRE LOS ESTADOS ELECTRONICOS DE UN POZO CUANTICO Y LAS PROBABILIDADES TUNNELING ENTRE DOS POZOS CUANTICOS SEPARADOS POR UNA BARRERA SEMICONDUCTORA DE GAP INDIRECTO. OTRAS PROPIEDADES ELECTRONICAS DE SEMICONDUCTORES ESTUDIADAS EN ESTA TESIS SON: EFECTOS DE LA INTERACCION E-E SOBRE LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES, ESCALAMIENTO DE LOS ELEMENTOS DE MATRIZ DEL HAMITONIANO Y DEL OPERADOR MOMENTO EN SEMICONDUCTORES, CALCULO DE POTENCIALES DE DEFORMACION, FLUCTUACIONES DE CARGA EN SI-AMORFO, ENERGIAS DE FONONES OPTICOS EN SEMICONDUCTORES Y PROPIEDADES DE LA CONSTANTE DIELECTRICA EN SEMICONDUCTORES.

Autor: DURAN JULIO CESAR.
Año: 1987.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA.

Resumen: LAS INTERFASES DE SEMICONDUCTORES REPRESENTAN EL CORAZON DE PRACTICAMENTE TODOS LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS. POR TAL MOTIVO, ES FUNDAMENTAL REALIZAR UN ESTUDIO TEORICO DETALLADO DE LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS DE DICHAS INTERFASES, LO CUAL SE HA REALIZADO UTILIZANDO LA APROXIMACION DE LIGADURA FUERTE AUTOCONSISTENTE DENTRO DEL MODELO DE LA DENSIDAD INDUCIDA DE ESTADOS EN LA INTERFASE. EN UN PRIMER PASO, SE PRESENTA UNA DISCUSION GENERAL SOBRE LA APROXIMACION DE LIGADURA FUERTE Y SUS POSIBLES PARAMETRIZACIONES. POSTERIOMENTE SE APLICA EL METODO MENCIONADO AL CALCULO DE ALTURAS DE BARRERA EN INTERFASES METAL-SEMICONDUCTOR Y DE DISCONTINUIDADES DE BANDAS EN HETEROUNIONES, OBTENIENDOSE RESULTADOS EN BUEN ACUERDO CON LA EVIDENCIA EXPERIMENTAL. ASIMISMO, SE ANALIZA LA CONSTANTE DIELECTRICA Y EL APANTALLAMIENTO EN INTERFASES. SE CONCLUYE QUE EL METODO DE LIGADURA FUERTE AUTOCONSISTENTE CONSTITUYE UNA APROXIMACION RELATIVAMENTE SENCILLA Y CONFIABLE PARA EL ESTUDIO DE INTERFASES DE SEMICONDUCTORES.