SEMICONDUCTORES, 8

Autor: PEREZ RODRIGUEZ ALEJANDRO.
Año: 1987.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA .
Centro de realización: CATEDRA DE ELECTRONICA. FACULTAD DE FISICA. UNIVERSIDAD DE BARCELONA. .

Resumen: SE HA REALIZADO UN ESTUDIO SISTEMATICO DE LOS DEFECTOS CREADOS EN EL PROCESO DE IMPLANTACION IONICA DE BORO EN GAAS TIPO N CRECIDO POR EL METODO DE BRIDMAN IMPLANTADO CON DOSIS ENTRE 10 ELEVADO A 10 Y 10 ELEVADO A 14 CM-2 Y RECOCIDO A DIFERENTES TEMPERATURAS ENTRE 300 Y 800 GRADOS C. LA APLICACION DE UNA TECNICA BASADA EN EL ANALISIS DE LOS TRANSITORIOS ISOTERMICOS DE CAPACIDAD EN OBSCURIDAD Y BAJO CONDICIONES DE ILUMINACION (LAS TECNICAS ITS Y OITS) NOS HA PERMITIDO DEDUCIR LA CREACION ARTIFICIAL DEL NIVEL EL2 COMO CONSECUENCIA DEL PROCESO DE IMPLANTACION ASI COMO LA EXISTENCIA DE UNA INTERACCION ENTRE DEFECTOS QUE INVOLUCRA EL EL2 DE FORMA QUE LA EMISION DE LA CARGA TOTAL ATRAPADA EN EL NIVEL PUEDE OCURRIR A TRAVES DE DOS CAMINOS DIFERENTES DANDO LUGAR A LA BANDA U Y A LA SEÑAL ASOCIADA AL EL2. ADEMAS LA VARIACION DE CAPACIDAD TOTAL ES CONSTANTE PERO SU DISTRIBUCION ENTRE LA BANDA U Y EL NIVEL EL2 DEPENDE DE LA TEMPERATURA DE MEDIDA. ESTOS RESULTADOS CONFIRMAN LA EXISTENCIA DE UNA REORGANIZACION DE LOS DEFECTOS INVOLUCRADOS EN LA INTERACCION.TAMBIEN HEMOS DETECTADO LA PRESENCIA DE DOS NIVELES MAS QUE A PARTIR DE LAS DEPENDENCIAS OBSERVADAS DE SUS COEFICIENTES DE EMISION CON EL CAMPO ELECTRICO Y DE LOS DATOS OPTICOS HEMOS IDENTIFICADO COMO LOS NIVELES EL6 Y EL5. OPTICAMENTE SE HA COMPROBADO LA INTERACCION ENTRE ESTOS NIVELES Y EL EL2 DE MANERA QUE LA FOTOIONIZACION DEL EL6 Y DEL EL5 SE PRODUCE A TRAVES DEL EL2 PREVIAMENTE IONIZADO.

Autor: ABRIL DOMINGO EVARISTO JOSE.
Año: 1986.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: DPTO. DE INSTRUMENTACION ELECTRONICA. E.T.S.I. DE TELECOMUNICACION..

Resumen: EL CRECIMIENTO DE CAPAS EPITAXIADAS DE ALEACIONES TERNARIAS SOBRE COMPUESTOS SEMICONDUCTORES BINARIOS III-V TIENE SU INTERES PRINCIPALMENTE CENTRADO EN LA REALIZACION DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS ASI COMO DE ALTA VELOCIDAD Y FRECUENCIA. ALGUNAS APLICACIONES TALES COMO HEMT Y CIRCUITOS INTEGRADOS OPTICOS NECESITAN SUSTRATOS Y CAPAS ACTIVAS CON UNA ALTA CALIDAD CRISTALINA. EL USO DE LA ALEACION DE IN1-XGAXAS ESTA JUSTIFICADO POR LAS NECESIDADES OPTOELECTRONICAS EN EL RANGO DE 0.90 A 3.56 MICROM. EN ESTE MARGEN DE LONGITUDESDE ONDA ESTAN INCLUIDAS LA SEGUNDA Y TERCERA VENTANA DE TRANSMISION POR FIBRA OPTICA. ADEMAS EN EL CASO DE REALIZAR EL CRECIMIENTO DE ESTA ALEACION SOBRE UN SUSTRATO DE INP SE OBTENDRA UN MAXIMO AJUSTE DE RED CON UNA X DE 0.47. SI SE TRABAJA CON ESTEQUIOMETRIAS SUPERIORES AL 99% SE PUEDE HABLAR DE CAPAS DE GAAS DOPADAS ISOELECTRONICAMENTE CON IN. COMO SE SABE EL USO DE UN DOPANTE ISOELECTRONICO ADECUADO PUEDE REDUCIR Y HOMOGENEIZAR LA DENSIDAD DE DEFECTOS OBTENIENDO CAPAS SEPARADORAS DE UNA ALTA CALIDAD CRISTALINA PERMITIENDONOS REALIZAR SOBRE ELLAS CIERTAS APLICACIONES CON UN RENDIMIENTO MUCHO MAYOR. PARA FIJAR LA CANTIDAD DE PARAMETROS VARIABLES EN UN PROCESO DE CRECIMIENTO DE ESTAS CARACTERISTICAS SE HA DESARROLLADO UN MODELO DE CRECIMIENTO TEORICO QUE FIJE A PRIORI LOS VALORES OPTIMOS DE CRECIMIENTO. ESTE MODELO INCLUYE TANTO FACTORES TERMODINAMICOS COMO CINETICOS. EL SISTEMA EPITAXIAL TIENE UN GRAN POTENCIAL INDUSTRIAL Y ECONOMICO. UTILIZANDO EN ESTE SISTEMA COMO FUENTE DEL ELEMENTO DEL GRUPO V ASCL3 Y UNA FUENTE ALEADADE GA/IN PARA LOS ELEMENTOS DEL GRUPO III POR PRIMERA VEZ SE HAN CRECIDO CAPAS SEPARADORAS DE GAAS DOPADAS CON 4.5X10ELEVADO 19 AT. IN CM ELEVADO -3 Y ESPESORES DE 8 MUM REDUCIENDOSE LA DENSIDAD DE DEFECTOS EN 50 VECES. TAMBIEN SE HAN CRECIDO CAPAS DE IN1-XGAXAS SOBRE SUSTRATOS DE INP Y GAAS CON ESTEQUIOMETRIAS DESDE 8 A 85%.

Autor: CANTARERO SAEZ ANDRES.
Año: 1986.
Universidad: VALENCIA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: FACULTAT DE FISICA VALENCIA.

Resumen: EL TRABAJO CORRESPONDIENTE A ESTA TESIS DOCTORAL TIENE DOS PARTES BIEN DIFERENCIADAS. EN LA 1A PARTIENDO DE LOS DATOS DE DIFRACCION RECOGIDOS EN UN DIFRACTOMETRO DE 4 CIRCULOS SE HA RESUELTO LA ESTRUCTURA CRISTALINA DEL BI2S3 ENCONTRANDOSE COMO HECHOS DESTACABLES UNA EXPLICACION DEL CARACTER LAMINAR Y LA DIFERENTE AMISOTROPIA DENTRO DE CADA LAMINA. EN CUANTO A LAS PROPIEDADES OPTICAS SE HA ESTUDIADO LA REGION CORRESPONDIENTE AL BORDE DE ABSORCION DETERMINANDOSE EL VALOR DEL GAP Y SU VARIACION CON LA TEMPERATURA Y SE HA HECHO UN ESTUDIO MAS PROFUNDO DE LA REGION EXCITONICA Y DE LA COLA DE ABSORCION CORRESPONDIENTE A BAJOS COEFICIENTES DE ABSORCION. DE LAS PROPIEDADES ELECTRICAS MEDIDAS EFECTO HALL RESISTIVIDAD Y EFECTO SEEBECH SE HA DETERMINADO LA MASA EFECTIVA DE LA LUNISIDAD DE ESTADO Y SE HAN ESTIMADO LAS MASAS EFECTIVAS Y LA CONSTANTE DE ACOPLO ENTRE ELECTRONES Y FONONES OPTICOS HOMOPOLARES MECANISMO DE DISPERSION PREDOMINANTE A ALTA TEMPERATURA.

Autor: GUTIERREZ GARCIA M. TERESA .
Año: 1986.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DIVISION DE ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA - CIEMAT.

Resumen: EL DESARROLLO DE LAS NUEVAS FUENTES DE ENERGIA CONSTITUYE UNA DE LAS AREAS DE INVESTIGACION MAS ACTIVA Y CAMBIANTE DE NUESTROS DIAS. DENTRO DE ESTE CAMPO HA TOMADO PARTICULAR IMPORTANCIA LA CONVERSION DE ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA DADO QUE ESTOS SISTEMAS CONVIERTEN DIRECTAMENTE LA ENERGIA SOLAR QUE INCIDE SOBRE UN SEMICONDUCTOR EN ENERGIA ELECTRICA. A PESAR DE ESTA VENTAJA EL USO DE SISTEMAS FOVOLTACIOS ES LIMITADO SIENDO LA RAZON FUNDAMENTAL PARA ESTO EL COSTE TODAVIA ELEVADO DE LOS DISPOSITIVOS. UNO DE LOS OBJETIVOS DE ESTA MEMORIA ES CONTRIBUIR A LA REDUCCION DEL COSTE DE ESTOS DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS MEDIANTE LA UTILIZACION DE METODOS ASEQUIBLES TANTO PARA LA PREPARACION DEL MATERIAL FOTOSENSIBLE COMO PARA LA FORMACION DE LA UNION. EL METODO DE PREPARACION ELEGIDO ES EL ELECTROQUIMICO Y EL CAMPO ELECTRICO SE FORMA EN LA INTERFASE SEMICONDUCTOR/ELECTROLITO AL SUMERGIR EL SEMICONDUCTOR EN UN ELECTROLITO CONVENIENTE. RESUMIENDO SE PUEDE DECIR QUE EL OBJETIVO DE LA MEMORIA QUE SE PRESENTA ES DESCRIBIR LAS EXPERIENCIAS REALIZADAS EN LA PREPARACION ELECTROQUIMICA DEL N-CDSE Y N-CDSE1-XTEX Y SU CARACTERIZACION MEDIANTE ANALISIS QUIMICO DISFRACCION DE RAYOS X MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO TECNICAS OPTICAS Y METODOS FOTOELECTROQUIMICOS. A PARTIR DE LOS DATOS OBTENIDOS ON ESTAS TECNICAS SE HACE UN ESTUDIO DE LA EVOLUCION DE LOS PARAMETROS FISICOS QUE DETERMINAN LAS PROPIEDADES FOTOVOLTAICAS DEL SEMICONDUCTOR COMO SON: LA CONCENTRACION DE PORTADORES MINORITARIOS ND Y LA LONGITUD DE DIFUSION DE ESTOS PORTADORES LP. FINALMENTE TENIENDO EN CUENTA LOS RESULTADOS OBTENIDOS MEDIANTE LA CARACTERIZACION DEL N-CDSE Y N-CDSE1XTEX SE PROCEDE A LA CONSTRUCCION DE UNA CELULA FOTOELECTROQUIMICA UTILIZANDO DOS TIPOS DIFERENTES DE ELECTROLITO: SULFURO-POLISULFURO Y FERRO-FERRICIANURO.

Autor: LOUSA RODRIGUEZ ARTURO.
Año: 1986.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA Y ELECTRONICA. FACULTAD DE FISICA. UNIVERSIDAD DE BARCELONA..

Resumen: SE HA PUESTO A PUNTO UN SISTEMA DE COEVAPORACION EN ALTO VACIO. LAS LAMINAS DELGADAS DE ZN3P2 SE HAN DEPOSITADO POR COEVAPORACION DE LOS ELEMENTOS SOBRE SUSTRATOS DE VIDRIO. EL DEPOSITO DEL MATERIAL HA SIDO POSIBLE GRACIAS A LA PRESENSIBILIZACION DE LOS SUSTRATOS CON GERMENES DE INDIO (20 A) EN UN AMPLIO MARGEN DE CONDICIONES TECNOLOGICAS. LAS DISTINTAS MUESTRAS OBTENIDAS PRESENTAN COMPOSICIONES EN UN AMPLIO INTERVALO ALREDEDOR DE LA ESTEQUIOMETRIA. LA OBSERVACION AL MICROSCOPIO ELECTRONICO DE BARRIDO INDICA QUE LAS MUESTRAS SON POLICRISTALINAS CON TAMAÑOS DE GRANO ENTRE 0.1 Y 0.7 MICRAS. EL ESPECTRO DE DIFRACCION DE RAYOS X DE LAS LAMINAS CORRESPONDE A LA FASE TETRAGONAL DEL ZN3P2 Y PRESENTA UN ALTO GRADO DE ORIENTACION CON LA DIRECCION (220). LAS LAMINAS PRESENTAN CONDUCCION TIPO P INDEPENDIENTEMENTE DE SU COMPOSICION. LOS VALORES DE LA CONDUCTIVIDAD EN LA OSCURIDAD ESTAN ENTRE 10-6 Y 10-4 S.CM-1 QUE CORRESPONDEN A UNA CONCENTRACION DE PORTADORES LIBRES DE 10 12 -10 14 CM-3 Y A MOVILIDADES DE 2-4 CM2V-1S-1. LOS ANTERIORES PARAMETROS MUESTRAN UN COMPORTAMIENTO TERMICAMENTE ACTIVADO Y SU COMPARACION CON EL MODELO DE CONDUCCION EN MATERIALES POLICRISTALINOS PERMITE DETERMINAR LOS VALORES DE LOS DISTINTOS PARAMETROS. ESTOS RESULTADOS SE CONFIRMAN CON LAS MEDIDAS DE FOTOCONDUCTIVIDAD Y EFECTO HALL. A TRAVES DE LOS ESPECTROS DE TRANSMISION EXPERIMENTALES EN EL VISIBLE Y EN EL INFRARROJO PROXIMO SE HAN DETERMINADO LAS DEPENDENCIAS DEL INDICE DE REFRACCIONY DEL COEFICIENTE DE ABSORCION CON LA ENERGIA. EL AJUSTE CON LOS MODELOS TEORICOS PERMITE ATRIBUIR EL FRENTE DE ABSORCION EXPERIMENTAL A UNA TRANSICION DIRECTA BANDA A BANDA CON UN VALOR DEL GAP OPTICO DE 1.51 EV. PARA ENERGIAS SUPERIORES AL FRENTE DE ABSORCION SE HAN DEDUCIDO ADEMAS OTRAS TRANSICIONES A 1.66 EV Y 1.78 EV. LAS MEDIDAS ELIPSOMETRICAS EN EL ULTRAVIOLETA DAN OTRAS TRANSICIONES A 2.6 Y 4.3 EV.

Autor: ALONSO PRIETO MARIA.
Año: 1985.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: INSTITUTO DE FISICA DE MATERIALES DEL C.S.I.C. .

Resumen: EL ESTUDIO MEDIANTE AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY (AES) DE LA INTERACCION DE OXIGENO CON SUPERFICIES POLARES DE 62AS (111) CARAS (111) Y (111) PERMITE DISTINGUIR TRES ETAPAS EN EL PROCESO: ADSORCION PREOXIDACION Y OXIDACION. EN LAS DOS PRIMERAS SE HA ANALIZADO EL PAPEL DESEMPEÑADO POR EL ESTADO DE LA SUPERFICIE Y POR DISTINTOS TIPOS DE ACTIVACION ELECTRONICA. LA IRRADIACION ELECTRONICA ACTIVA EL PROCESO PUDIENDO INCREMENTAR SU CINETICA HASTA EN DOS ORDENES DE MAGNITUD. LAS CARACTERISTICAS DE LA SUPERFICIE (ORIENTACION GRADO DE DEFECTOS MODO DE PREPARACION) DETERMINA EL MODO EN QUE SE INCORPORA EL OXIGENO AL SUSTRATO (SOBRE LA SUPERFICIE O BAJO LAS PRIMERA O SEGUNDA CAPAS SUPERFICIALES). HAN SIDO INVESTIGADAS LAS CARACTERISTICAS DE LA OXIDACION ACTIVADA ELECTRONICAMENTE COMO TECNICA DE ESCRITURA DIRECTA.

Autor: HERNANDEZ CABRERA ANTONIO JOSE.
Año: 1985.
Universidad: LA LAGUNA.
Centro de lectura: QUIMICA.
Centro de realización: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID. UNIVERSIDAD DE LA LAGUNA..

Resumen: SE HA CALCULADO TANTO ANALITICA COMO NUMERICAMENTE EL COMPORTAMIENTO DEL TENSOR RAMAN ANTE DISTINTOS ESTIMULOS EXTERNOS PARA DIFERENTES ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS DE INTERES TECNOLOGICO. EN LAS HETEROESTRUCTURAS LLAMADAS SUPERREDES SE HA ESTUDIADO LA MODIFICACION DEL TENSOR RAMAN POR EFECTO DE CAMPOS ELECTRICOS EXTERNOS COMPROBANDOSE SU DISMINUCION DE AMPLITUD FRENTE A LA INTENSIDAD DE DICHOS CAMPOS Y EL CORRIMIENTO DE LOS MAXIMOS A REGIONES DE MENOR ENERGIA. EN LOS SEMICONDUCTORES TIPO ZINC-BLENDA SE HAN CALCULADO DENTRO DE UN FORMALISMO MICROSCOPICO Y LA APROXIMACION TBA LOS COEFICIENTES ELECTROOPTICOS DE FAUST-HENRY Y GENERADORES DE SEGUNDO ARMONICO COEFICIENTES QUE CARACTERIZAN LA RESPUESTA ELECTRO-OPTICA DE ESTOS MATERIALES (GA-AS IN-P ETC.) TAMBIEN SE HAN CALCULADO LOS POTENCIALES DE DEFORMACION CORRESPONDIENTES A LOS DISTINTOS FONONES OPTICOS EXISTENTES EN LAS ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS TIPO WURTZITAS. TODOS LOS MATERIALES ESTUDIADOS PROCEDENTES DE LOS GRUPOS III-V O II-VI DE LA TABLA PERIODICA SON LOS UTILIZADOS EN LA TECNOLOGIA OPTOELECTRONICA ACTUAL.

Autor: MIGUEL ANTON JOSE LUIS DE.
Año: 1985.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: INSTITUTO FISICA DE MATERIALES CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS...

Resumen: EL TRABAJO SUPONE UNA APORTACION AL CAMPO DE LOS SEMICONDUCTORES EPITAXIADOS POR HACES MOLECULARES EN LOS SIGUIENTES PUNTOS: 1. ENSAYO DE DOPANTES ALTERNATIVOS 2. ESTUDIO DE LA ESTEQUIOMETRIA Y MORFOLOGIA DE LA SUPERFICIE QUE CRECE MEDIANTE DIFRACCIONDE ELECTRONES RASANTES DE ALTA ENERGIA (RHEED) 3. CRECIMIENTO DE SUPERREDES SEMICONDUCTORAS DEL SISTEMA AP-GA-AS INCIDIENDO SOBRE SUS CARACTERISTICAS DE EMISION MEDIANTE LA OPTIMIZACION DE SU DISEÑO.

Autor: ESQUIVIAS MOSCARDO IGNACIO.
Año: 1983.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: ESCUELA TECNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION DE MADRID..

Resumen: SE PRESENTA EL DESARROLLO DE UN METODO DE OBTENCION DE CAPAS DELGADAS DE SILICIOMEDIANTE EVAPORACION CON HAZ DE ELECTRONES LA CARACTERIZACION DEL MATERIAL OBTENIDO EN CUANTO A SU ESTRUCTURA MORFOLOGICA Y CRISTALINA PROPIEDADES OPTICASY ELECTRICAS Y LA FABRICACION Y MEDIDA DE DIVERSOS DISPOSITIVOS REALIZADOS CON ESTE MATERIAL. LOS RESULTADOS INDICAN QUE LA ESTRUCTURA MORFOLOGICA ES DE TIPO MICROCOLUMNAR SIENDO EL MATERIAL AMORFO O POLICRISTALINO SEGUN LA TEMPERATURA DE DEPOSICION SEA INFERIOR O SUPERIOR A 400 C RESPECTIVAMENTE. SE PROPONE UN MODELO DE MEZCLA DE FASES AMORFA Y CRISTALINA QUE EXPLICA SATISFACTORIAMENTE LOS RESULTADOS OBTENIDOS EN CUANTO A PROPIEDADES OPTICAS ELECTRICAS Y CARACTERISTICAS DE LOS DISPOSITIVOS.

Autor: GONZALEZ BRIS CARLOS.
Año: 1982.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION .
Centro de realización: E.T.S.I. TELECOMUNICACION- MADRID. DPTO. ELECTRONICA..

Resumen: SE ESTUDIA EL COMPORTAMIENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES EN BAJAS CORRIENTES CARACTERIZANDO EL COMPORTAMIENTO ELECTRICO DE LA COMPONENTE NO IDEAL CON EL FIN DE DETERMINAR EL ORIGEN FISICO DEL MISMO. SE REVISA EL MODELO CLASICO DEL TRANSISTOR Y LOS MODELOS DE BAJAS CORRIENTES. POSTERIORMENTE SE PRESENTAN LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES. LA DISCREPANCIA OBSERVADA ENTRE PREDICCIONES Y RESULTADOS CONDUCE A CONSIDERAR UN MODELO DIFERENTE. ESTE MODELO BASADO EN LA PRESENCIA DE PRECIDITADOS METALICOS EN LA UNION SE DESARROLLA Y PERMITE EXPLICAR LOS DATOS OBTENIDOS EXPERIMENTALMENTE.

Autor: ALVAREZ DE TOLEDO BANDEIRA GONZALO.
Año: 1981.
Universidad: NAVARRA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS (DIVISION FISICAS)..

Resumen: LA RDF CALCULADA A PARTIR DE LAS INTENSIDADES DE DIFRACCION DE RAYOS X MEDIDAS EN DOS EXPERIMENTOS PRESENTA UN PRIMER MAXIMO EN R=2 35 DE AREA 2 48 ATOMOS. SIGUIENDO EL METODO DE MONTE CARLO SE GENERO UN MODELO DE ESTRUCTURA -QUE SE CIÑE A LAS CONCLUSIONES OBTENIDAS EN EL ESTUDIO DEL ORDEN LOCAL- QUE AJUSTA DE MODO CORRECTO LAS CURVAS EXPERIMENTALES CON O ELEVADO A 2 ENTRE LA RDF DEL MODELO Y LA EXPERIMENTAL DE 0 0287; TAMBIEN OTRO MODELO DE FASES SEPARADAS UNA DE GESE SUB 2 Y LA OTRA DE TE DESCRIBE CORRECTAMENTE LOS DATOS CON O ELEVADO A 2 = 0 0290. OTROS MODELOS CONSTRUIDOS NO CONSIGUEN UN RAZONABLE AJUSTE DE ALGUNAS ZONAS DE LAS CURVAS EXPERIMENTALES. UN ANALISIS DE LAS DOS ESTRUCTURAS MAS REPRESENTATIVAS NOS PERMITIO ENCONTRAR DIFERENCIAS CLARAS ENTRE ELLAS AUNQUE POR LAS CONCLUSIONES A LAS QUE SE LLEGA EN UN ESTUDIO EXPECTROSCOPICO DE ALEACIONES DE ESTE SISTEMA Y POR LOS RESULTADOS OBTENIDOS DE LA OBSERVACION DE LA MUESTRA POR EL SEM SE PROPONE EL PRIMERO DE ELLOS COMO MAS REPRESENTATIVO DE LA ESTRUCTURA MEDIA DE LA ALEACION.

Autor: ESTOP GRAELLS EUGENIA.
Año: 1980.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: GEOLOGIA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE CRISTALOGRAFIA Y MINERALOGIA FACULTAD DE CIENCIAS GEOLOGICAS DE LA UNIVERSIDAD DE BARCELONA..

Resumen: SE HAN ESTUDIADO LAS HETEROUNIONES AL GA - AS-GAAS INVOLUCRADAS EN LA ELABORACION DEL LASER DE GAAS EMISOR DE RADIACION INFRAROJA. SE HAN EFECTUADO MEDIDAS PRECISAS DE DIFERENCIA DE PARAMETRO CRISTALINO ENTRE SUBSTRATO DE GAAS Y EPITAXIA DE AL GA - AS CON UN ESPECTROGRAFO DE DOS CRISTALES Y PARA UNA SERIE DE COMPOSICIONES. DICHOS DATOS JUNTO CON LA DETERMINACION DEL RADIO DE CURVATURA PERMITEN EL CALCULO DE ESFUERZOS Y EL ESTABLECIMIENTO DEL ESTADO DE DEFORMACION ELASTICA A QUE ESTAN SOMETIDAS ESTAS ESTRUCTURAS. SE CARACTERIZAN LOS DEFECTOS INTRODUCIDOS POR LA DEPOSICION DE LA EPITAXIA MEDIANTE TOPOGRAFIA DE RAYOS X.

Autor: SANZ MAUDES JESUS.
Año: 1980.
Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
Centro de realización: E.T.S.I. TELECOMUNICACION DE MADRID CATEDRA DE TECNOLOGIA.

Resumen: DESARROLLA UN PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE SN02(SB) EN CAPAS DELGADAS EN LA PRIMERA PARTE ESTUDIANDO LOS MECANISMOS DE REACCION Y CARACTERIZANDO EL PROCEDIMIENTO. DESPUES SE ESTUDIAN LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ELECTRICAS Y ESTRUCTURALES DE DICHAS CAPAS TRANSPARENTES RELACIONANDOLAS ENTRE SI Y CON LOS PARAMETROS DE OBTENCION. EN LA SEGUNDA PARTE SE DESARROLLA Y OPTIMIZA EL PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE CELULAS SOLARES SN02-SI CARACTERIZANDO EXPERIMENTALMENTE LOS MECANISMOS DE CORRIENTE. EN DICHAS ESTRUCTURAS Y LA INFLUENCIA DE LA INTERFASE. POSTERIORMENTE SE PROPONE UN PRIMER MODELO QUE EXPLICA LOS COMPORTAMIENTOS OBSERVADOS Y SE JUSTIFICAN TEORICAMENTE LAS HIPOTESIS REALIZADAS. SE OBSERVAN Y CARACTERIZAN FENOMENOS ANOMALOS EN FOTOCORRIENTES Y SE PROPONEN Y ESTUDIAN VARIAS APLICACIONES.

Autor: JIMENEZ LOPEZ JUAN.
Año: 1979.
Universidad: VALLADOLID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: LABORATORIO DE FISICA DEL ESTADO SOLIDO DEL DPTO DE FISICA FUNDAMENTAL DE LA FACULTAD DE CIENCIAS DE LA UNIV. DE VALLADOLID.

Resumen: SEMICONDUCTORES EN REGIMEN DE TIEMPO DE VIDA MEDIA Y DE RELAJACION. COMPENSACION EN EL ASGA: CONDUCTIVIDAD ACTIVADA TERMICAMENTE; CARACTERISTICAS CORRIENTE-TENSION (I-V). ESTUDIO DE LAS TRAMPAS Y DE SUS MECANISMOS DE CAPTURA POR EL METODO DE LAS CORRIENTES ESTIMULADAS TERMICAMENTE (TSC): ESTUDIO DE LA INFLUENCIA DE LOS CONTACTOS EN LOS ESPECTROS DE TSC MEDIANTE UNA NUEVA TECNICA (CCVD-TSC). CARACTERIZACION DE LAS TRAMPAS DEL ASGA:CR Y CALCULO DE SUS PARAMETROS. DISCUSION EN BASE AL PROBLEMA DE LOS SEMICONDUCTORES EN REGIMEN DE RELAJACION.

Autor: JURADO EGEA JOSE RAMON.
Año: 1978.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: INSTITUTO DE CERAMICA Y VIDRIO CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS..

Resumen: SE LLEVA A CABO LA OBTENCION Y CARACTERIZACION DE VIDRIOS SEMICONDUCTORES DE LOS SISTEMAS DE COMPOSICION V SUB 2 O SUB 5 - AS SUB 2 O SUB 3 - RO Y V SUB 2 O SUB 5 - RO SIENDO R = BA CA Y PB. SE DELIMITARON PARCIALMENTE LAS ZONAS DE FORMACION DE VIDRIO. SE COMPROBO QUE ESTAS SUSTANCIAS POSEIAN CONDUCCION TIPO-N SIENDO EL MECANISMO DE CONDUCCION DEBIDO A LA PRESENCIA DE POLARONES-PEQUEÑOS. ASIMISMO PRESENTAN FENOMENOS DE CONMUTACION DE NATURALEZA FUNDAMENTALMENTE TERMICA. Y POR TRATAMIENTOS TERMICOS DIFERENTES SE HAN OBTENIDO Y SINTERIZADO A PARTIR DE ESTOS VIDRIOS OXIDOS DE VANADIO DE IMPORTANTISIMAS PROPIEDADES ELECTRICAS Y MAGNETICAS; SE HAN ESTUDIADO TAMBIEN LAS POSIBILIDADES DE UTILIZACION COMO SONDAS DE OXIGENO.