SUPERFICIES, 4

Autor: TORRO PALAU ANA M..
Año: 1996.
Universidad: ALICANTE.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: QUIMICA INORGANICA PROGRAMA DE DOCTORADO: CIENCIA DE MATERIALES .

Resumen: LAS SILICES PIROGENICAS SON CARGAS HABITUALES EN ADHESIVOS DE POLIURETANO, YA QUE MODIFICAN PROPIEDADES ESPECIFICAS DE LOS MISMOS. ESTAS SILICES, SIN EMBARGO, SON CARAS Y DIFICILES DE MANEJAR DEBIDO A SU PEQUEÑO TAMAÑO DE PARTICULA. UNA ALTERNATIVA A LAS SILICES PIROGENICAS SON LOS SILICATOS, Y ENTRE ELLOS, LA SEPIOLITA, UN SILICATO DE MAGNESIO HIDRATADO DE PROCEDENCIA ESPAÑOLA, LA CUAL PUEDE SER UTILIZADA COMO CARGA EN ADHESIVOS DE POLIURETANO, SI SE ADICIONA UNA PEQUEÑA CANTIDAD DE UN TENSIOACTIVO (PARA EVITAR QUE SE PRODUZCA LA SEDIMENTACION EN EL SENO DE LAS DISOLUCIONES ADHESIVAS). EN ESTE TRABAJO SE ESTUDIARON DISTINTAS VARIABLES EXPERIMENTALES TALES COMO LA CANTIDAD DE SEPIOLITA, LA NATURALEZA Y CANTIDAD DE TENSIOACTIVO, ASI COMO LA FORMA DE INCORPORAR EL TENSIOACTIVO EN LA SEPIOLITA. ADICIONALMENTE, SE REALIZO UNA COMPARACION DE LAS PROPIEDADES DE LOS ADHESIVOS QUE CONTIENEN SEPIOLITA CON LAS DE LOS ADHESIVOS QUE CONTIENEN SILICE PIROGENICA. LAS TECNICAS EXPERIMENTALES UTILIZADAS EN ESTE ESTUDIO HAN SIDO: ESPECTROSCOPIA IR, REOMETRIA, DMTA, TMA, ENSAYOS MECANICOS DE TRACCION- DEFORMACION, DSC, DIFRACCIN DE RAYOS X, SEM, MEDIDA DE ANGULOS DE CONTACTO Y ENSAYOS DE PELADO EN T PARA EVALUAR LA ADHESION. LA ADICION DE SEPIOLITA A ADHESIVOS DE POLIURETANO PRODUCE UN AUMENTO DE LA VISCOSIDAD, ASI COMO UN COMPORTAMIENTO PSEUDOPLASTICO Y TIXOTROPICO. ADEMAS, PRODUCE UN AUMENTO DE LOS MODULOS DE ALMACENAMIENTO Y DE PERDIDA, ASI COMO UNA MEJORA DE LAS PROPIEDADES TERMOMECANICAS. LAS PROPIEDADES SUPERFICIALES NO SE MODIFICAN POR LA ADICION DE ESTA CARGA Y, EN GENERAL, LAS FUERZAS DE PELADO INICIALES AUMENTAN. TODOS ESTOS EFECTOS SON MAS MARCADOS AL AUMENTAR LA CANTIDAD DE SEPIOLITA EN EL ADHESIVO. ADEMAS, LAS MEJORES PROPIEDADES LAS PROPORCIONAN AQUELLOS ADHESIVOS QUE CONTIENEN UN TENSIOACTIVO CATIONICO CON CADENA AROMATICA, NO SIENDO RELEVANTE LA CANTIDAD AÑADIDA. LA ADSORCION PREVIA DEL TENSIOACTIVO SOBRE LA SUPERFICIE DE LA SEPIOLITA ES UN METODO MAS EFICAZ PARA LA PREPARACION DE ADHESIVOS DE POLIURETANO CON DICHA SEPIOLITA. LA CONDICIONES OPTIMAS (ENCONTRADAS EN ESTE TRABAJO) DE PREPARACION DE ADHESIVOS DE POLIURETANO QUE CONTIENEN SEPIOLITA SON UN 5-10% EN PESO DE SEPIOLITA RESPECTO AL POLIURETANO Y EL USO DE UN TENSIOACTIVO DE NATURALEZA CATIONICA (15, EN PESO RESPECTO A LA SEPIOLITA) ADSORBIDO SOBRE SU SUPERFICIE. EN ESTAS CONDICIONES ES FACTIBLE LA SUSTITUCION DE LA SILICE PIROGENICA POR SEPIOLITA COMO CARGA DE ADHESIVOS DE POLIURETANO.

Autor: DAVILA BENITEZ M. EUGENIA.
Año: 1995.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: EL TEMA BASE CONSISTE EN LA DETERMINACION ESTRUCTURAL DE SUPERFICIES UTILIZANDO LA TECNICA DE DIFRACCIONDE FOTOELECTRONES (PHD). UN SISTEMA ESTUDIADO FUE LA ADSORCION DE OXIGENO SOBRE NI (111), EN PARTICULAR LA FASE P (2X2). SE ESCOGIO ESTE SISTEMA POR SU SIMPLICIDAD PARA DETERMINAR CUANTITATIVAMENTE LA FIABILIDAD DE LA METODOLOGIA DESARROLLADA PARA EL TRATAMIENTO DE DATOS EXPERIMENTALES DE PHD, COMO SON LOS LLAMADOS METODOS DIRECTOS. TAMBIEN SE ESTUDIO LA ADSORCION DE CO SOBRE NI (111). ESTRUCTURALMENTE SE TRATA DE UN SISTEMA DONDE LA MOLECULA SE ADSORBE EN DOS SITIOS DIFERENTES QUE COEXISTEN EN LA SUPERFICIE CON ORDEN A LARGO ALCANCE, CARACTERIZADO POR UN PATRON LEED C(4X2). UN TEMA NOVEDOSO CONSISTE EN EL ESTUDIO DEL DESPLAZAMIENTO QUIMICO ENTRE ATOMOS DE UNA ESPECIE QUIMICA DEBIDO A LA DIFERNECIA DE ENTORNO ESTRUCTURAL. EN PARTICULAR, EL ESTUDIO DEL CRECIMIENTO EPITAXIAL YTERBIO SOBRE W(110), EMPLEANDO LOS ORBITALES 4F, SE OBSERVA UN CLARO DESDOBLAMIENTO DE LA COMPONENTE DE SUPERFICIE DETERMINADO POR LA DIFERENTE COORDINACION ATOMICA, RESPECTO DE LA DE VOLUMEN. POR ULTIMO, SE EVALUO LA SUPERFICIE DEL SI (111) RECONSTRUIDA 7X7, EN AUSENCIA DE ADSORBATOS. EN CONCRETO, SE EVALUO LA IMPORTANCIA DE LOS EFECTOS DE ESTADO FINAL Y LOCALIZACION DE LOS ESTADOS ELECTRONICOS SUPERFICIALES.

Autor: ESSAFTI ABDELHADI .
Año: 1995.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA.

Resumen: EN LA MEMORIA DEL TRABAJO SE DESCRIBE EL DESARROLLO DE LA TECNICA EXPERIMENTAL PARA LA DEPOSICION DE PELICULAS DELGADAS DE NITRURO DE BORO (B-N) Y DE COMPUESTOS TERNARIOS DEL TIPO B-N-SI Y B-N-C, POR ACTIVACION TERMICA DE MEZCLAS GASEOSAS A BAJA PRESION (CVD), ASI COMO LA CARACTERIZACION ESTRUCTURAL Y LA COMPOSICION DE LAS PELICULAS. EN PARTICULAR , SE HA ESTUDIADO EL EFECTO DE LAS CONDICIONES EXPERIMENTALES TALES COMO LA PRESION TOTAL LA TEMPERATURA DE DEPOSICION Y LA RELACION DE FLUJOS EN LA COMPOSICION, ESTRUCTURA Y PROPIEDADES OPTICAS Y MECANICAS DE LAS PELICULAS. A PARTIR DEL ANALISIS DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS SOBRE EL EFECTO DE LA RELACION DE FLUJOS DIBORANO/AMONIACO EN LA VELOCIDAD DE DEPOSICION DE NITRURO DE BORO SE HA ESTUDIADO LA CINETICA DE LA REACCION DE DIBORANO CON AMONIACO, RELACIONANDO LOS PARAMETROS DE DEPOSICION CON LOS POSIBLES COMPUESTOS INTERMEDIOS QUE DAN LUGAR FINALMENTE A LA FORMACION DEL NITRURO DE BORO. ADEMAS SE HA HECHO UN ESPECIAL ESFUERZO EN EL ESTUDIO DE LA ESTABILIDAD DE ATMOSFERAS HUMEDAS DE LAS PELICULAS DE NITRURO DE BORO, QUE SE ASOCIA PARTICULARMENTE A UNA MAYOR CONTRIBUCION DE LA FASE AMORFA RESPECTO A LA ESTRUCTURA TURBOSTRATICA (T-BN), QUE PUEDE ESTAR PRESENTE. SE CONCLUYE QUE EL EXCESO DE AMONIACO EN LA MEZCLA GASEOSA PRODUCE LA FASE TURBOSTRATICA INESTABLE EN AGUA, Y LA ADICION DE SILANO A LA MEZCLA GASEOSA (DIBORANO+AMONIACO) PRODUCE CAMBIOS IMPORTANTES EN EL PROCESO DE DEPOSICION. POR OTRA PARTE, LA INCORPORACION DEL SILICIO A LA RED DE NITRURO DE BORO MEJORA LA ESTABILIDAD, Y PROPIEDADES MECANICAS Y LA RESISTENCIA AL ATAQUE QUIMICO EN SOLUCION LIQUIDA, DEL MATERIAL RESULTANTE (B-N-SI).Ð POR ULTIMO SE HA INVESTIGADO LA REACCION DE FORMACION DEL COMPUESTO TERNARIO B-N-C A PARTIR DE MEZCLAS DE DIBORANO Y METILAMINA.

Autor: HINAREJOS MURILLO JUAN JOSE.
Año: 1995.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: ESTE TRABAJO DE TESIS PRESENTA UN ESTUDIO DEL CRECIMIENTO Y LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DE COMPUESTOS SILICIO-HIERRO (SILUROS DE HIERRO). ESTOS MATERIALES TIENEN INTERES TANTO DESDE EL PUNTO DE VISTA TECNOLOGICO COMO DESDE EL DE LA FISICA DEL ESTADO SOLIDO. EL TRABAJO PRESENTADO HA PERMITIDO LA CARACTERIZACION E IDENTIFICACION MEDIANTE ARUPS DE LAS FASES METAESTABLES CRECIDAS SOBRE SI(111), FASES QUE DEPENDIENDO DE LAS TEMPERATURAS EMPLEADAS EN SU FORMACION PRESENTAN UNA TERMINACION SUPERFICIAL Y ESTRUCTURA ELECTRONICA DIFERENTE CORRESPONDIENDO NO OBTANTE TODAS ELLAS A LA FASE FESI (CSCL). SE MUESTRA COMO EL COMPUESTO FESI (CSCL) APARECE TAMBIEN SOBRE LA SUPERFICIE DE UN MONOCRISTAL FE3SI (100) COMO CONSECUENCIA DE UN PROCESO DE AUTOSEGREGACION Y DE LA ESTABILIZACION APITAXIAL SOBRE LA SUPERFICIE DEL CRISTAL ESTABILIZADA TERMICAMENTE. TAMBIEN SE MUESTRA QUE EXISTEN SERIAS LIMITACIONES PARA EL CRECIMIENTO DEL COMPUESTO SEMICONDUCTOR BETA- FESI2 EN FORMA MONICRISTALINA SOBRE SUSTRATOS DE SI. EN PARTICULAR EN EL CASO DE LA SUPERFICIE SI(100) SE PRODUCE LA FORMACION INICIAL DE UN COMPUESTO METAESTABLE FESI(CSCL) SEGUIDO DE UNA REGION EN LA QUE SE APARECE UN PROCESO DE DEWETTING QUE IMPIDE LA FORMACION DE ESTE COMPUESTO EN UN CIERTO RANGO DE RECUBRIMIENTOS PARA POSTERIORMENTE APARECER EN FORMA POLICRISTALINA. POR OTRA PARTE SE HA PROCEDIDO AL ESTUDIO DE LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DEL COMPUESTO E-FESI CRECIDO SOBRE SI(111) QUE PRESENTA UNA ESTRUCTURA .ESTE COMPUESTO ES EXTREMADAMENTE INTERESANTE PUES PRESENTA UN COMPORTAMIENTO MAGNETICO INESPERADO Y PODRIA SER EL PRIMER EJEMPLO DE UN MATERIAL EN EL QUE LOS ELECTRONES D SERIAN RESPONSABLES DE UN EFECTO DE ALTA CORRELACION. NUESTROS DATOS MUESTRAN LA PRESENCIA DE UN PICO MUY ESTRECHO LOCALIZADO AL NIVEL DE FERMI LO QUE APOYA LA POSIBLE PRESENCIA DE UN EFECTO DE ALTA CORRELACION TIPICO DE LOS "MATERIALES KONDO". SE HA MEDIDO TAMBIEN LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE ESTE COMPUESTO ENCONTRANDO UN BUEN ACUERDO ENTRE LA TEORIA Y EL EXPERIMENTO.

Autor: JUARISTI OLIDEN JOSEBA IÑAKI.
Año: 1995.
Universidad: PAIS VASCO.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE NUEVOS MATERIALES .

Resumen: EL ESTUDIO DE LOS PROCESOS INELASTICOS QUE TIENEN LUGAR EN LA INTERACCION DE IONES CON SUPERFICIES METALICAS ES UNA HERRAMIENTA ADECUADA PARA ANALIZAR TANTO PROPIEDADES DEL BLANCO COMO DEL PROYECTIL. EN ESTA TESIS ESTUDIAMOS DIFERENTES ASPECTOS LIGADOS A ESTE PROBLEMA. EN PRIMER LUGAR, SE PRESENTA UN CALCULO DE LA PERDIDA DE ENERGIA DE PROTONES RAPIDOS REFLEJADOS ESPECULARMENTE POR SUPERFICIES METALICAS. PARA ELLO, SE CALCULAN DE FORMA SEPARADA LAS PERDIDAS DEBIDAS A LAS EXCITACIONES DE LA BANDA DE CONDUCCION DEL METAL Y LAS ORIGINADAS EN LAS EXCITACIONES DE LOS ELECTRONES DE LAS CAPAS INTERNAS DE LOS ATOMOS DEL BLANCO. SE ANALIZA A CONTINACION, EL EFECTO LIGADO AL ESTADO DE CARGA EN LA PERDIDA DE ENERGIA DE IONES MULTICARGADOS LENTOS (V 1 A.U.) EN INTERACCION CON UN GAS DE ELECTRONES LIBRES. PARA ELLO, SE REALIZA UN CALCULO DENTRO DE LA TEORIA DE SCATTERING, OBTENIENDOSE EL POTENCIAL DE SCATTERING MEDIANTE EL FORMALISMO DEL FUNCIONAL DE DENSIDAD. FINALMENTE, CON UN MODELO SIMILAR, SE HAN CALCULADO LAS DISTRIBUCIONES EN ENERGIA Y ANGULO DE ELECTRONES EXCITADOS POR IONES LENTOS VIAJANDO POR EL INTERIOR DE UN GAS DE ELECTRONES LIBRES.

Autor: ALDUCIN OCHOA MAITE.
Año: 1994.
Universidad: PAIS VASCO.
Centro de lectura: QUIMICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE NUEVOS MATERIALES.

Resumen: LOS PROCESOS DE TRANSFERENCIA DE CARGA DESEMPEÑAN UN PAPEL FUNDAMENTAL EN LA INTERACCION DE LAS PARTICULAS CON SUPERFICIES. EN ESTE TRABAJO SE HAN ANALIZADO EN PROFUNDIDAD DESDE UN PUNTO DE VISTA TEORICO LOS PROCESOS INELASTICOS DENOMINADOS AUGER, MAS CONCRETAMENTE LOS PROCESOS DE DESEXCITACION Y EXCITACION QUE TIENEN LUGAR ENTRE ESTADOS LIGADOS AL ATOMO, Y LOS DE CAPTURA QUE SE PRODUCEN CUANDO UN ELECTRON DEL SUSTRATO ES ATRAPADO POR EL ION INCIDENTE. EL ESTUDIO DE LA PROBABILIDAD DE QUE OCURRAN ESTE TIPO DE PROCESOS SE HA REALIZADO DENTRO DE LA TEORIA DE RESPUESTA LINEAL, UTILIZANDO EL FORMALISMO DIELECTRICO PARA DESCRIBIR LAS EXCITACIONES PRODUCIDAS EN EL SOLIDO. LA FALTA DE SIMETRIA TRASLACIONAL ORIGINADA POR LA PRESENCIA DE LA SUPERFICIE OBLIGA A ADOPTAR APROXIMACIONES QUE PERMITAN LA OBTENCION DE UNA FUNCION DE RESPUESTA SUPERFICIAL EQUIPARABLE A LA FUNCION DIELECTRICA DE VOLUMEN. EN ESTE SENTIDO SE HAN CALCULADO LAS PROBABILIDADES DE TRANSICION HACIENDO USO DE LA FUNCION DE RESPUESTA CLASICA, Y DE LA FUNCION DE RESPUESTA OBTENIDA SEGUN EL MODELO DE REFLEXION ESPECULAR, ANALIZANDOSE LA VALIDEZ DE CADA CASO. DENTRO DE LOS PROCESOS AUGER INTRA-ATOMICOS (DESEXCITACION Y EXCITACION) SE HA ESTUDIADO EL COMPORTAMIENTO CON LA VELOCIDAD DE LA PARTICULA INCIDENTE PARA LOS CASOS CONCRETOS DE ATOMOS H Y HE INCIDIENDO SOBRE UNA SUPERFICIE DE ALUMINIO. EN EL CASO DE LA DESEXCITACION ENTRE LOS NIVELES N= 2 Y N= 1 EXISTE UNA VELOCIDAD RELACIONADA CON LA POSIBILIDAD DE RESONAR CON LA FRECUENCIA DEL PLASMON PARA LA CUAL LA PROBABILIDAD DE DESEXCITACION ES MAXIMA. ADEMAS, SE ENCUENTRA UNA VELOCIDAD UMBRAL A PARTIR DE LA CUAL LOS PROCESOS DE EXCITACION AL NIVEL N=2 PUEDEN OCURRIR. SE HA INCLUIDO UN ESTUDIO DE LA PERTURBACION SUFRIDA POR LOS ESTADOS HIDROGENOIDES DE LOS NIVELES N=2 Y N=1 COMO CONSECUENCIA DEL POTENCIAL INDUCIDO ORIGINADO POR LA INTERACCION DEL PROYECTIL CON LA SUPERFICIE. SE ANALIZAN LAS PROBABILIDADES DE TRANSICION AUGER INTRA-ATOMICAS PARA ESTOS NUEVOS ESTADOS. ASIMISMO SE PROPONEN DOS MODELOS PARA EL CALCULO DE LAS PROBABILIDADES DE CAPTURA AUGER. EN LAS PROXIMIDADES DE LA SUPERFICIE SE DESARROLLA UN MODELO DE DENSIDAD LOCAL QUE PERMITE EXTRAPOLAR LOS CALCULOS DE VOLUMEN HACIENDO USO DEL PERFIL DE DENSIDAD ELECTRONICA. PARA DISTANCIAS MAYORES ES NECESARIO INCLUIR LOS EFECTOS NO LOCALES, POR ESTE MOTIVO SE APLICA UN MODELO DE FUNCION DE RESPUESTA SUPERFICIAL EQUIVALENTE AL DESARROLLADO PARA LOS PROCESOS INTRA-ATOMICOS. FINALMENTE, SE HAN CALCULADO LAS PROBABILIDADES DE DESEXCITACION AUGER ENTRE LOS NIVELES N=3 Y N=2 PARA EL CASO DE IONES MULTICARGADOS, ANALIZANDO QUE TRANSICIONES SE DEBEN A UNA INTERACCION DIPOLAR Y CUALES A UNA DE CARACTER CUADRUPOLAR.

Autor: FIGUERA BAYON JUAN DE LA.
Año: 1994.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: EL PRESENTE TRABAJO CONSTITUYE UNA INVESTIGACION DE LOS PRIMEROS ESTADIOS DEL CRECIMIENTO DE COBALTO EN CU (111), MEDIANTE LA UTILIZACION DE LAS TECNICAS DE FISICA DE SUPERFICIES: MEDIDAS DE DIFRACION DE ELECTRONES LENTOS (LEED) PARA DETERMINAR LA ESTRUCTURA DE LAS PELICULAS Y MICROSCOPIA DE EFECTO TUNEL (STM) PARA OBTENER LA MORFOLOGIA DE LAS MISMAS. LOS DEPOSITOS DE CO PRESENTAN INICIALMENTE UNA FORMA TRIANGULAR DE DOS ALTURAS ATOMICAS, CON UNA ESTRUCTURA ATOMICA CUBICA CENTRADA EN LAS CARAS. AL IR AUMENTANDO EL RECUBRIMIENTO COMIENZA LA TRANSICION HACIA LA ESTRUCTURA ESTABLE DE VOLUMEN (HEXAGONAL COMPACTA) POR MEDIO DE LA INTRODUCCION DE FALLAS DE APILAMIENTO A PARTIR DE LA TERCERA CAPA. SE HA DISCUTIDO LA INFLUENCIA DE ESTOS EFECTOS SOBRE EL CRECIMIENTO DE MULTICAPAS Y SE HA PROPUESTO UNA EXPLICACION PARA LA FALTA DE REPRODUCIBILIDAD DE MEDIDAS MAGNETICAS REALIZADAS POR DIFERENTES GRUPOS. EN LA SUPERFICIE CON DEPOSITOS DE CO SE HAN CREADO DE FORMA INTENCIONADA ISLAS DE VACANTES DE TAMAÑO MESOSCOPICO (UNOS POCOS NANOMETROS DE RADIO), QUE SE MUEVEN DE FORMA ALEATORIA POR LA SUPERFICIE DE CU, FUSIONANDOSE ENTRE ELLAS E INTERACCIONANDO CON LOS DEFECTOS DE DICHA SUPERFICIE (COMO ESCALONES Y DISLOCACIONES).

Autor: LORENTE PALACIOS NICOLAS.
Año: 1994.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATER CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICAS DE LA MATER CONDENSADA.

Resumen: SE HA CALCULADO LA PROBABILIDAD DE NEUTRALIZACION AUGER DE IONES CUANDO SE ACERCAN A UNA SUPERFICIE METALICAS. EL CALCULO PRINCIPAL SE BASA EN LA SUMA DE TODOS LOS CABALES DE NEUTRALIZACION, POR MEDIO DE LA FUNCION RESPUESTA LOCAL DENSITY. ES LA PRIMERA VEZ QUE SE INCLUYE EL EFECTO DE LARGA DISTANCIA DE UN PLASMON DE SUPERFICIE COMO EXCITACION QUE LLEVA LA ENERGIA DE LA TRANSFERENCIA DEL ELECTRON CALCULADO. COMO RESULTADO SE ENTIENDE MUCHO MEJOR LAS PROBABILIDADES DE NEUTRALIZACION. ESTE MISMO CALCULO HA DADO LUGAR A UNA APROXIMACION VALIDA CUANDO NO SE EXCITAN PLASMONES, EN LA QUE SE PUEDE CALCULAR LOS ESPECTROES ELECTRONICOS CON UN ACUERDO EXCELENTE CON EL EXPERIMENTO. LA TESIS CONCLUYE CALCULANDO EL EFECTO DE LAS COLISIONES ELECTRON-ELECTRON DENTRO DEL SOLIDO QUE DA LUGAR A CASADAS DE ELECTRONES BORRANDO TODA LA INFORMACION QUE ORIGINARIAMENTE SE CREIA QUE LOS ESPECTROS LLEVABAN. DE TODAS FORMAS, LA NEUTRALIZACION AUGER SE HA PROBADO PUEDE SEGUIR SIENDO UNA TECNICA EFICAZ DE CARACTERIZACION DE SUPERFICIES METALICAS CUANDO SE EMPLEAN IONES SIMPLEMENTE CARGADAS Y LA CANTIDAD DE SECUNDARIOS ES PEQUEÑA.

Autor: PEÑALBA OTADUY MIRIAM.
Año: 1994.
Universidad: PAIS VASCO.
Centro de lectura: QUIMICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.

Resumen: EL TRABAJO DE INVESTIGACION QUE CONSTITUYE ESTA TESIS DOCTORAL TRATA SOBRE LA INTERACCION DE IONES CON MATERIA CONDENSADA. EN CONCRETO, SE HAN ESTUDIADO LOS PROCESOS DE PERDIDA DE ENERGIA POR EXCITACION ELECTRONICA EN EL RANGO 1KEV/AMU E 400KEV/AMU DE LA FORMA SIGUIENTE: 1- LIMITE DE ALTAS VELOCIDADES. ESTUDIO DE IONES H Y HE EN DISTINTOS ESTADOS DE CARGA UTILIZANDO EL FORMALISMO DIELECTRICO. 2- LIMITE DE BAJAS VELOCIDADES ESTUDIO DE IONES CON CARGAS 1 Z 20. TRATAMIENTO NO LINEAL DEL APANTALLAMIENTO UTILIZANDO EL FORMALISMO DEL FUNCIONAL DE DENSIDAD. 3- VELOCIDADES INTERMEDIAS. MODELO DE ESTADOS DE CARGA. SE HACE HINCAPIE EN LA CONTRIBUCION DE LOS PROCESOS DE TRANSFERENCIA DE CARGA A LA PERDIDA DE ENERGIA. 4- APLICACION DEL MODELO DE ESTADOS DE CARGA A DOS PROBLEMAS PARA LOS CUALES EXISTEN DATOS EXPERIMENTALES (CARGA EFECTIVA DE IONES HE Y EFECTOS DE AGREGACION EN BLANCOS DE CARBONO.

Autor: TORQUEMADA VICO M. CARMEN.
Año: 1994.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.

Resumen: EN ESTA MEMORIA SE PRESENTAN LOS RESULTADOS DEL ESTUDIO LA SUPERFICIE DE TIO2 (110) MEDIANTE LA TECNICA DE DESORCION ESTIMULADA POR ELECTRONES, UTILIZANDO LA ESPECTROSCOPIA DE ELECTRONES AUGER COMO TECNICA COMPLEMENTARIA. TAMBIEN SE HA ESTUDIADO LA REACTIVIDAD DE LOS GASES SO2 Y CO SOBRE LA SUPERFICIE. PARA LA SUPERFICIE DE TIO2 (110) LIMPIA, HEMOS ABORDADO EL ESTUDIO DE LA SUPERFICIE TANTO PERFECTA COMO CON DISTINTAS DENSIDADES DE DEFECTOS, DE FORMA QUE SE HA DETECTADO, POR PRIMERA VEZ, LA EMISION DE DOS TIPOS DE IONES O+ DESORBIDOS DE LA SUPERFICIE POR EFECTO DEL HAZ DE ELECTRONES INCIDENTE, QUE SE HAN IDENTIFICADO CON IONES DESORBIDOS DE DOS POSICIONES DISTINTAS EN LA SUPERFICIE: ATOMOS DE OXIGENO SITUADOS EN EL PLANO Y ATOMOS DE OXIGENO SITUADOS EN LUGARES PUENTE. OTROS ASPECTOS IMPORTANTES QUE SE HA ESTUDIADO HAN SIDO EL EFECTO DE LA TEMPERATURA EN LA ESTABILIDAD SUPERFICIAL Y EL DAÑADO ELECTRONICO EN EL GRADO DE OXIDACION DE LA SUPERFICIE. EN CUANTO A LA REACTIVIDAD DEL SO2 Y EL CO SOBRE TIO2 (110), PODEMOS DECIR QUE EL PROCESO DE ADSORCION ES TOTALMENTE DIFERENTE. EN LA SUPERFICIE PERFECTA SE HA ESTUDIADO LA ADSORCION DE SO2 ASI COMO LA ESTABILIDAD TERMICA DE LA CAPA ADSORBIDA, SIN EMBARGO NO SE PUEDE OBSERVAR ADSORCION DE CO EN LA SUPERFICIE PERFECTA INCLUSO PARA MUY ALTAS EXPOSICIONES DE CO POR ELLO LA ADSORCION DE CO SE REALIZO EN UNA SUPERFICIE DEFECTIVA. SE PRESENTAN MODELOS DE ADSORCION DE LOS DOS GASES, SO2 Y CO SOBRE LA SUPERFICIE Y DE DESORCION DE LOS IONES O+.

Autor: ARENAS DALLA VECCHIA AURELIO.
Año: 1993.
Universidad: MURCIA.
Centro de lectura: QUIMICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA.

Resumen: INICIALMENTE SE DESCRIBE LA CONSTRUCCION MECANICA Y ELECTRONICA DE UN MICROSCOPIO DE EFECTO TUNEL PARA OPERAR AL AIRE, BAJO CONTROL ANALOGICO O CONTROL DIGITAL (PI). TRAS UN PROCESO DE IDENTIFICACION DE LAS PARTES QUE COMPONEN EL MICROSCOPIO, SE DETERMINAN LOS PARAMETROS DEL SISTEMA DE CONTROL PARA LA PLANTA. SE DESCRIBE ADEMAS, LA CONSTRUCCION Y FUNCIONAMIENTO DE UN SISTEMA (HARDWARE-SOFTWARE) INTERFASE PARA CONTROLAR EL MICROSCOPIO CON EL ORDENADOR. SE MUESTRAN GRAFICAS DE LAS TOPOGRAFIAS OBTENIDAS CON RESOLUCION ATOMICA, DE UNA MUESTRA DE GRAFITO PIROLITICO Y DE OTROS METALES, ASI COMO MANOLITOGRAFIAS SOBRE SUPERFICIE DE ORO. SE MUESTRAN LOS RESULTADOS DE EXPERIENCIAS CORRIENTE/VOLTAJE Y CORRIENTE/DISTANCIA SOBRE PLATINO Y GRAFITO HOPG. COMO ULTIMA APLICACION SE MUESTRAN TOPOGRAFIAS DE SUPERFICIES DE LAS DISTINTAS ETAPAS DE UN PROCESO DE METALIZADO DE PLASTICOS ABS. SE OBSERVA LA PRESENCIA, INEDITA HASTA LA ACTUALIDAD, DE NUCLEOS ACTIVOS DE PLATA, QUE ACTUAN COMO CATALIZADORES INDISPENSABLES EN ESTOS PROCESOS.

Autor: NOGUES SANMIQUEL JOSEP.
Año: 1993.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA.

Resumen: EN LA TESIS SE DESCRIBE LA PUESTA A PUNTO DE DIFERENTES MICROSCOPIOS DE EFECTO TUNEL (STM), ESPECIALMENTE LA CONSTRUCCION DE UN MICROSCOPIO DE GRAN AREA DE BARRIDO (50 UM X 50 UM).. LA NANOMETRIA ES UN TERMINO INTRODUCIDO PARA CLASIFICAR UN CAMPO DENTRO DEL STM, EL QUE ESTUDIA LA MORFOLOGIA DE LAS SUPERFICIES CON RESOLUCION DE NANOMETROS, PARA SOLUCIONAR PROBLEMAS DE INGENIERIA Y CIENTIFICOS. ESTE CAMPO SE PUEDE DIVIDIR EN CUATRO SECCIONES PRINCIPALES: MORFOLOGIA, PUGOSIDAD, NANOMETROLOGIA, NANOLITROGRAFIA. DISTINTOS EJEMPLOS DE MORFOLOGIA SON DISCUTIDOS. EN LA SECCION DE RUGOSIDAD UTILIZAMOS LA TECNICA DE LOS FRACTALES PARA ANALIZAR CUANTITATIVAMENTE EL CRECIMIENTO DE CAPAS FINAS DE AU EN MICA DEPOSITADAS A DISTINTAS TEMPERATURAS DE SUBSTRATO, Y LOS RESULTADOS SON COMPROBADOS MEDIANTE TECNICAS DE "ROCKING CURVE" DE RAYOS-X. COMO EJEMPLO DE NANOMETROLOGIA PODEMOS UTILIZAR LA CALIBRACION DE UNO DE LOS STM MEDIANTE UNA REJILLA DE INTERFEROMETRIA. FINALMENTE LA PUNTA DEL STM SE AMPLIA UTILIZANDO UNA CAPA FINA LIBRE DE NIQUEL PARA PODER MEDIR CAMPOS MAGNETICOS SUPERFICIALES, EL LLAMADO TUNNELING STABILIZED MAGNETIC FORCE MICROSCOPE. COMO EJEMPLOS DE ESTE MICROSCOPIO HEMOS ESTUDIADO LOS BITS MAGNETICOS DE UN DISCO DURO Y UNA ALEACION NANOCRISTALINA.

Autor: PALOMARES SIMON FRANCISCO JAVIER.
Año: 1993.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICAS (MATERIA CONDENSADA) PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA.

Resumen: EL PROPOSITO DEL PRESENTE TRABAJO HA SIDO EL ESTUDIO DE LAS ETAPAS INICIALES DE LA FORMACION DE HETEROUNIONES SI/GAAS(100), SU CRECIMIENTO Y OXIDACION MEDIANTE LA APLICACION CONJUNTA DE VARIAS TECNICAS DE FISICA DE SUPERFICIES COMO SON LA ESPECTROSCOPIA DE ELECTRONES AUGER (AES), LA DIFRACCION DE ELECTRONES DE BAJA ENERGIA (LEED) Y LA ESPECTROSCOPIA DE FOTOEMISION UTILIZANDO RADIACION SINCROTRON (PES). PARA ELLO PRIMERAMENTE HA TENIDO LUGAR LA CARACTERIZACION DE LAS SUPERFICIES DE GAAS (100) QUE SIRVEN DE SUBSTRATO EN EXPERIMENTOS ADICIONALES, PARA A CONTINUACION ANALIZAR LAS PRIMERAS ETAPAS DE CRECIMIENTO Y LA CONSIGUIENTE FORMACION DE LA INTERCARA SI/GAAS (100) A DIFERENTES TEMPERATURAS, REQUISITOS IMPRESCINDIBLES PARA POSTERIORMENTE PODER ABORDAR EL COMPORTAMIENTO DE AMBOS SISTEMAS TRAS LOS PROCESOS DE OXIDACION ACTIVADOS POR BOMBARDEO ELECTRONICO A QUE SON SOMETIDOS.

Autor: NOGUERS SANMIQUEL JOSEP.
Año: 1993.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: ESCOLA DE DOCTORAT I DE FORAMCIÓ CONTINUADA.

Autor: ALCALA GONZALEZ M. DOLORES.
Año: 1992.
Universidad: SEVILLA.
Centro de lectura: QUIMICA .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: QUIMICA INORGANICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ESTADO SOLIDO. QUIMICA DE SUPERFICIE.

Resumen: SE HA ESTUDIADO LA INFLUENCIA DE LAS CONDICIONES EXPERIMENTALES EN LA SINTESIS DE NITRUROS DE SILICIO Y SIALONES CON DISTINTOS COEFICIENTES DE SUSTITUCION Z POR REDUCCION CARBOTERMICA DE SILICE Y CAOLINITA. LA REACCION DE REDUCCION CARBOTERMICA DE SILICE Y SILICO ALUMINATOS EN ATMOSFERA DE NITROGENO PUEDE ESCRIBIRSE EN UN MODO GENERAL: (6-Z)SIO2.2Z/2AL2O3 + (12-3/2Z)C + (8-Z/2)N2 --- (12-3/2)CO + -SI6-ZALZOZN8-Z (1) DONDE Z PUEDE VARIAR DE CERO (NITRURACION DE SIO2 PARA PRODUCIR SI3N4) A VALORES SUPERIORES DEPENDIENDO DEL GRADO DE SUSTITUCION DEL SIALON OBTENIDO QUE A SU VEZ SERA FUNCION DE LA RAZON SIO2/AL2O3 EN LA MATERIA PRIMA. LA REACCION ANTERIOR DEBE TRANSCURRIR A VELOCIDAD CONSTANTE PARA LO CUAL SE HA DISEÑADO EL SISTEMA ADECUADO. EN ALGUNAS MUESTRAS SE HA ESTUDIADO LA INFLUENCIA QUE TIENE, TANTO EN LA REACTIVIDAD QUIMICA DE LAS MATERIAS PRIMAS COMO EN LAS ESTRUCTURALES DEL PRODUCTO OBTENIDO, EL MODO DE LA INCORPORACION DEL CARBON, ES DECIR, POR SIMPLE MEZCLA MECANICA COMO ES CONVENCIONAL O BIEN OBTENIENDO UNA MEZCLA NATURAL DE C MAS SIO2 QUEMANDO, POR EJEMPLO, LA MATERIA ORGANICA DE CASCARILLA DE ARROZ EN ATMOSFERA INERTE. SE HA REALIZADO LA CARACTERIZACION DE TODAS LAS MUESTRAS OBTENIDAS POR MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Y TRANSMISION Y, POR DIFRACCION DE RAYOS X.

Autor: ALVAREZ ALONSO JESUS.
Año: 1992.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: EN LOS ULTIMOS AÑOS EL INTERES POR LOS SILICIUROS DE LOS METALES DE TRANSICION HA CRECIDO CONSIDERABLEMENTE DEBIDO A SU UTILIDAD EN LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS. LA MAYORIA DE LOS SILICIUROS DE LOS METALES DE TRANSICION SON METALICOS, POR LO QUE SUELEN SER UTILIZADOS COMO CONTACTOS OHMICOS, ELECTRODOS DE PUERTA O BARRERAS SCHOTTKY. APARTE DE ESTOS SILICIUROS METALICOS, EXISTEN OTROS SILICIUROS QUE SON SEMICONDUCTORES. ENTRE ESTOS, CABE DESTACAR EL B-FESI2. ESTE COMPUESTO HA MERECIDO ULTIMAMENTE GRAN ATENCION DEBIDO A QUE POSEE UN GAP DIRECTO DE 0.85 EV, CON UN CONSIDERABLE INTERES PARA EL DESARROLLO DE DETECTORES Y EMISORES DE LUZ EN EL INFRARROJO. EN ESTE TRABAJO DE INVESTIGACION SE HA ESTUDIADO LA FORMACION DE SILICIUROS DE HIERRO SOBRE SI(100) Y SI(111). SE HA ENCONTRADO LOS RANGOS DE ESTABILIDAD DE LOS DIVERSOS SILICIUROS DE HIERRO ESTABLES EN VOLUMEN. EL CRECIMIENTO DE LAS PELICULAS DE SILICIUROS SE HA EFECTUADO POR MEDIO DE EPITAXIA DE FASE SOLIDA Y EPITAXIA DE DEPOSICION REACTIVA. SE HA ENCONTRADO LA FORMACION DE FASES METAESTABLES DE SILICIUROS DE HIERRO SOBRE SI(111). SE HA OBSERVADO TAMBIEN UNA TRANSICION DE FASE ESTRUCTURAL DEL TIPO JAHN-TELLER ENTRE FASES METAESTABLES Y FASES DE VOLUMEN.

Autor: GARCIA DE ABAJO FRANCISCO JAVIER.
Año: 1992.
Universidad: PAIS VASCO.
Centro de lectura: QUIMICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES.

Resumen: EL POTENCIAL DE ESTELA DE SUPERFICIE DESEMPEÑA UN PAPEL IMPORTANTE EN EL ENTENDIMIENTO DE DIVERSOS FENOMENOS QUE TIENEN LUGAR EN COLISIONES DE IONES CON SUPERFICIES. EN ESTE TRABAJO SE UTILIZAN VARIOS MODELOS DE FUNCION RESPUESTA DE SUPERFICIE A FIN DE ESTUDIAR ESTE CONCEPTO. LOS CASOS DE TRAYECTORIAS PERPENDICULAR Y PARALELA SON ESTUDIADOS EN DETALLE. SE PRESENTAN ABUNDANTES RESULTADOS NUMERICOS DE LAS DISTRIBUCIONES DE POTENCIAL Y DENSIDAD DE CARGA EN LA ESTELA DE SUPERFICIE. LA EMISION CINETICA DE ELECTRONES DE LA BANDA DE CONDUCCION DEL SOLIDO ES ANALIZADA HACIENDO USO DEL POTENCIAL DE ESTELA DE SUPERFICIE. SE ENCUENTRA QUE LA DISTRIBUCION ELECTRONICA DE BAJA ENERGIA APARECE CARACTERIZADA POR LA PRESENCIA DE PICOS RELACIONADOS CON LA DESEXCITACION DE PLASMONES. SE PROPONE ASIMISMO UNA NUEVA ESPECTROSCOPIA BASADA EN LA EXCITACION RESONANTE-COHERENTE DE ELECTRONES AL CONTINUO EN COLISIONES RASANTES DE IONES CON SUPERFICIES. SE PREDICE LA APARICION DE UNA SERIE DE PICOS EN LA DISTRIBUCION DE ELECTRONES EMITIDOS DESDE ESTADOS LIGADOS A LOS PROYECTILES, CORRESPONDIENTES A LAS DIFERENCIAS DE ENERGIA DETERMINADAS POR LA INTERACCION RESONANTE CON LAS FILAS DE ATOMOS DE LA SUPERFICIE ORIENTADA DEL SOLIDO. LA DISTRIBUCION ANGULAR ESTA FUNDAMENTALMENTE DIRIGIDA ALREDEDOR DE CIERTA DIRECCIONES PREFERENTES. LA ENERGIA DEL ESTADO INICIAL SE VE MODIFICADA POR EL POTENCIAL, DEPENDIENTE DE LA VELOCIDAD, DE ESTELA DE SUPERFICIE. FINALMENTE, SE REVISAN LOS RESULTADOS EXISTENTES ACERCA DE CAPTURA DE ELECTRONES A LA ESTELA. SE SUGIERE LA POSIBILIDAD DE CAPTURA A LA ESTELA DE SUPERFICIE CREADA POR UN ION QUE SE MUEVE EN DIRECCION PARALELA A LA MISMA.

Autor: PEREZ MURANO FRANCESC.
Año: 1992.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA .

Resumen: LA TESIS ESTA DIVIDIDA EN CINCO PARTES. EN PRIMER LUGAR UN RESUMEN DE LA TECNICA STM Y DE LOS MICROSCOPIOS DE BARRIDO CON SONDA. EL CAPITULO 2 ESTA DEDICADO A INSTRUMENTACION STM, Y ESPECIALMENTE ENFOCADO A LA PARTE ELECTRONICA I A LA ADQUISICION, VISUALIZACION Y TRATAMIENTO DE DATOS CON ORDENADOR. EL CAPITULO 3 ES UN CONJUNTO DE ESTUDIOS CON STM SOBRE SUPERFICIES DE SI (100) E INCLUYE MEDIDAS EN AMBIENTE CONTROLADO, CARACTERIZACION DE LA RUGOSIDAD DE LA INTERFICIE SI-SI02 DE OBLEAS SOMETIDAS A DIVERSOS PROCESOS DE OXIDACION, MODELIZACION MIS DE LA UNION TUNEL, Y RECONOCIMIENTO DE ADSORBATOS SOBRE SUPERFICIES DE SI PASSIVADO. EL CAPITULO 4 PRESENTA LA TECNICA DE MODIFICACION NANOMETRICA DE SUPERFICIES DE SI (100) PASIVADO CON STM A L'AIRE Y EN CONDICIONES NORMALES DE OPERACION. FINALMENT, HAY UN APENDICE EN EL QUE SE PRESENTAN LOS RESULTADOS PRELIMINARES EN LA CARACTERIZACION CON STM DE SENSORES DE GASES FORMADOS A PARTIR DE DIODOS SCHOTTKY PT/GAAS.

Autor: PRIETO RECIO PILAR .
Año: 1992.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA.

Resumen: EL TRABAJO CONSISTE FUNDAMENTALMENTE EN EL ESTUDIO DE LA FORMACION DE NITRUROS DE METALES DE TRANSICION POR IMPLANTACION A BAJA ENERGIA DE GASES REACTIVOS, SOBRE TODO LA RELACION EXISTENTE ENTRE COMPOSICION, ENLACE Y ESTRUCTURA ELECTRONICA.SE HA OBTENIDO LA FASE METAESTABLE ZR3N4 ASI COMO FASES METAESTABLES DE OXINITRUROS. SE HA OBSERVADO QUE LA IMPLANTACION FAVORECE LA FORMACION DE LAS FASES CON ENLACE MAS ENERGETICO. SE HAN REALIZADO MEDIDAS XPS, AUGER, DE EMISION SECUNDARIA, ESPECTROSCOPIAS DE PERDIDAS (REELS) Y ABSORCION DE RAYOS X (XAS) EN ESTOS MATERIALES.

Autor: RODRIGUEZ HERNANDEZ PLACIDA.
Año: 1992.
Universidad: LA LAGUNA.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA FUNDAMENTAL Y EXPERIMENTAL PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA.

Resumen: SE ESTUDIAN PROPIEDADES ELECTRONICAS DE SUPERFICIES Y DE HETEROUNIONES DE SEMICONDUCTORES III-V, EMPLEANDO METODOS SEMIEMPIRICOS Y DESDE PRIMEROS PRINCIPIOS, DETERMINANDOSE TAMBIEN PROPIEDADES ELASTICAS DE SEMICONDUCTORES.SE DEDUCE EL ORIGEN DE LOS DESPLAZAMIENTOS ADICIONALES EN LOS NIVELES DE ENERGIA PROFUNDOS DE ATOMOS SITUADOS EN LA SUPERFICIE Y UN MODELO PARA DETERMINARLOS. SE COMPRUEBA LA IMPORTANCIA DE LA AUTOCONSISTENCIA EN LA DETERMINACION DE LAS BANDAS DE SUPERFICIE (INP(110) Y SB/GAAS(110)). SE DEMUESTRA QUE SE PUEDE CONTROLAR LA DISCONTINUIDAD DE BANDA EN HETEROUNIONES NO POLARES (110), DEPOSITANDO FINAS CAPAS DE GE Y SI EN LA UNION. SE INCLUYE EN EL MODELO TEORICO LA EXISTENCIA DE DIFUSION DE LA INTRACAPA EN LA UNION POLAR (100) Y MOSTRAMOS QUE ESTE EFECTO ES ESENCIAL PARA EXPLICAR EL COMPORTAMIENTO EXPERIMENTAL. SE PREDICEN LOS MODULOS DE ELASTICIDAD DEL ALP DESDE PRIMEROS PRINCIPIOS.