SUPERFICIES, 5

Autor: VEGA HIERRO ANDRES.
Año: 1992.
Universidad: VALLADOLID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA TEORICA, ATOMICA, MOLECULAR Y NUCLEAR PROGRAMA DE DOCTORADO: DEL DT. DE FISICA TEORICA, ATOMICA, MOLECULAR Y NUCLEAR..

Resumen: HEMOS DESARROLLADO UN METODO SIMPLE, EFICIENTE Y PRECISO PARA DETERMINAR LOCALMENTE LOS ELEMENTOS DE MATRIZ A UNO Y DOS CUERPOS EN UNA BASE ORTOGONAL, EN TERMINOS DE LOS CORRESPONDIENTES EN UNA BASE NO ORTOGONAL. ESTA TEORIA COMBINA LA SENCILLEZ DEL ALGEBRA ORTOGONAL CON LA "TRANSFERIBILIDAD" DE LA FORMULACION NO ORTOGONAL. HEMOS DEMOSTRADO LA APLICABILIDAD DEL METODO A TRAVES DEL CALCULO DE LA ESTRUCTURA DE BANDAS EN NI FCC Y SI "DIAMANTE", Y DEL CALCULO DE LA ESTRUCTURA ELECTRONICA EN AGREGADOS DE 13 ATOMOS DE NI Y SI. HEMOS ESTUDIADO EL EFECTO DE LOS ELECTRONES SP EN EL MAGNETISMO DE AGREGADOS ATOMICOS PEQUEÑOS DE FE Y CR. ADEMAS, HEMOS INVESTIGADO LAS PROPIEDADES MAGNETICAS (MOMENTOS MAGNETICOS LOCALES, ORDEN MAGNETICO) EN LOS SIGUIENTES SISTEMAS: AGREGADOS MEZCLA DE FE Y CR; SISTEMA SEMI-INFINITO DE FE (001); SISTEMA FORMADO POR DEPOSICION DE VARIAS CAPAS DE CR(FE) SOBRE EL SUSTRATO DE FE(CR) (001); PELICULAS DELGADAS Y SUPERREDES DE FE/CR Y FE/V; SUPERFICIES DE FE(001) E INTERFASES V/FE (001) CON ESTRUCTURA DE TERRAZAS. PARA ESTOS ESTUDIOS HEMOS REALIZADO UN CALCULO AUTOCONSISTENTE DONDE LAS INTERACCIONES ELECTRONICAS HAN SIDO TENIDAS EN CUENTA DENTRO DE UNA APROXIMACION DE CAMPO MEDIO. LOS RESULTADOS DE ESTE TRABAJO HAN SIDO PUBLICADOS EN DIFERENTES REVISTAS INTERNACIONALES ESPECIALIZADAS.

Autor: BACHS CARRE MARGARITA.
Año: 1991.
Universidad: BARCELONA.
Centro de lectura: QUIMICA .
Centro de realización: DEPARTAMENTO: QUIMICA FISICA.

Autor: BARNIOL BEUMALA NURIA .
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA.

Resumen: EN ESTA TESIS SE HA REALIZADO UN ESTUDIO TEORICO SOBRE LOS FENOMENOS FISICOS EN QUE SE BASA LA MICROSCOPIA DE EFECTO TUNEL. DENTRO DE ESTE ESTUDIO SE HA PRESENTADO UN MODELO FISICO QUE TIENE EN CUENTA LA TRIDIMENSIONALIDAD DEL FENOMENO Y QUE ES CAPAZ DE DAR UNA RESOLUCION LATERAL DEL INSTRUMENTO COHERENTE CON LA QUE SE ENCUENTRA EXPERIMENTALMENTE. A CONTINUACION SE HAN PRESENTADO LOS RESULTADOS DE LA APLICACION DEL STM ATMOSFERICO EN MICROELECTRONICA. CONCRETAMENTE SE HAN CARACTERIZADO MUESTRAS DE SI (100) TOPOGRAFICA Y ESPECTROSCOPICAMENTE. LAS RUGOSIDADES ENCONTRADAS SON DE 3-4 A (RMS). LAS MEDIDAS ESPECTROSCOPICAS NOS HAN PERMITIDO DISTINGUIR EL TIPO Y EL NIVEL DE DOPAJE ASI COMO SI LA SUPERFICIE ESTA OXIDADA O NO. FINALMENTE SE HAN CARACTERIZADO CAPACIDADES MOS CON STM ANTES Y DESPUES DE LA RUPTURA DIELECTRICA DEL OXIDO DE PUERTA. LAS MEDIDAS STM PERMITEN DIFERENCIAR CUANDO LA CAPACIDAD ESTA ROTA O NO. ESTAS MEDIDAS SE HAN COMPARADO CON SIMULACIONES SPICE OBTENIENDOSE ANALOGOS RESULTADOS.

Autor: COLERA GARZON INMACULADA.
Año: 1991.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.

Resumen: EN LA PRESENTE TESIS SE ESTUDIA LA REACTIVIDAD DEL H20 CON SUPERFICIES DE NB (110) A 240 K, MEDIANTE LAS TECNICAS DE ESPECTROSCOPIA DE ELECTRONES AUGER (AES), ESPECTROSCOPIA DE PERDIDAS DE ENERGIA (EELS) Y ESPECTROSCOPIA FOTOELECTRONICA DE ULTRAVIOLETA (UPS). UN ASPECTO BASICO QUE SE HA CONSIDERADO ES LA INFLUENCIA DEL BOMBARDEO ELECTRONICO EN LA QUIMISORCION Y OXIDACION DEL NB EXPUESTO A H20. A EFECTOS COMPARATIVOS TAMBIEN SE ESTUDIA LA REACTIVIDAD DEL 02. ESTE ESTUDIO PONE DE MANIFIESTO QUE LA TASA DE FIJACION DE ATOMOS DE OXIGENO ES MUCHO MAS EFICIENTE CUANDO LA SUPERFICIE SE EXPONE A H20 Y DOSIS DE BOMBARDEO ELECTRONICO EL ESTADO FINAL ES EL DEL OXIDO NB205, MIENTRAS QUE PARA 02 EL ESTADO FINAL ES UN OXIDO DE MENOR VALENCIA. TAMBIEN SE DETERMINAN LOS COEFICIENTES INICIALES DE CAPTURA PARA EL H20 (0.41) Y EL 02 (0.9), A 240 K. EN BASE A ESTE ESTUDIO SE PRESENTA UN MODELO TANTO PARA LA ADSORCION DISOCIATIVA COMO PARA LA OXIDACION BAJO BOMBARDEO ELECTRONICO, BASADA EN LA EXISTENCIA DE RADICALES OH Y EN LA DESORCION INDUCIDA POR ELECTRONES DEL H, Y QUE EXPLICA EL DIFERENTE COMPORTAMIENTO ENTRE EL 02 Y H20.

Autor: GARCIA VIDAL FRANCISCO JOSE.
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: EN ESTA MEMORIA HEMOS PRESENTADO UNA TEORIA DE ORBITALES MOLECULARES CREADA A PARTIR DE PRIMEROS PRINCIPIOS. Y LA HEMOS APLICADO AL ESTUDIO TEORICO DE DIVERSOS PROCESOS DE ADSORCION QUE OCURREN EN LAS SUPERFICIES DE METALES Y DE SEMICONDUCTORES. ENTRE LOS CASOS DE LA QUIMISORCION EN METALES HEMOS ANALIZADO LA ADSORCION DE H EN METALES SIMPLES Y EL PROCESO DE INTERACCION DE ATOMOS CON VARIADA ELECTRONEGATIVIDAD EN ALUMINIO (LI, CL Y SI) DENTRO DEL CAMPO DE LA QUIMISORCION EN SEMICONDUCTORES HEMOS ANALIZADO LA ADSORCION DE ATOMOS ELECTRONEGATIVOS EN AS GA(110) Y LA RECONSTRUCCION Y PASIVACION MEDIANTE AZUFRE DE GE(001), NUESTRAS PRINCIPALES CONCLUSIONES SON QUE MIENTRAS QUE EN LOS PROCESOS LIGADOS A SUPERFICIES DE METALES LA REACTIVIDAD QUIMICA RESIDE EN LA DENSIDAD ELECTRONICA DEL SUSTRATO, EN LOS CASOS DE SUPERFICIES DE SEMICONDUCTORES, LA REACTIVIDAD QUIMICA SE ENCUENTRA EN LOS ENLACES NO SATURADOS DE ESTAS.

Autor: GOMEZ RODRIGUEZ JOSE M..
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: MEDIANTE UN MICROSCOPIO DE EFECTO TUNEL (STM) COMBINADO CON UN MICROSCOPIO ELECTRONICO DE BARRIDO (SEM) SE HA REALIZADO UN ESTUDIO CUANTITATIVO DE LA RUGOSIDAD Y DE LAS PROPIEDADES GEOMETRICAS Y COMPOSICIONALES DE SUPERFICIES RELACIONADAS CON PROCESOS DE MICROFABRICACION. DOS HAN SIDO LOS ENFOQUES QUE SE HAN CONSIDERADO EN ESTE ESTUDIO: LA GEOMETRIA CONVENCIONAL O EUCLIDEA Y LA GEOMETRIA FRACTAL. LA GEOMETRIA EUCLIDEA HA GUIADO EL ANALISIS DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES CON SUPERFICIES DE CARACTER SUAVE: ESTRUCTURAS DE GAAS MICROFABRICADAS POR LITOGRAFIA HALOGRAFICA, SUPERREDES DE ALGAAS/GAAS CRECIDAS POR EPITAXIA DE HACES MOLECULARES Y NANODEPOSITOS METALICOS SOBRE SI FABRICADOS CON EL STM Y CARACTERIZADOS TOPOGRAFICA Y ESPECTROSCOPICAMENTE. POR OTRA PARTE, SE HA LLEVADO A CABO UN TRABAJO INNOVADOR EN EL CAMPO DE LA CARACTERIZACION FRACTAL DE SUPERFICIES RUGOSAS. ASI, SE HA DESARROLLADO POR PRIMERA VEZ UN METODO ORIGINAL QUE PERMITE EL ESTUDIO DE COMPORTAMIENTOS FRACTALES EN LA TOPOGRAFIA DE MUESTRAS MEDIDAS CON STM. ESTE METODO HA SIDO APLICADO AL ANALISIS DE PELICULAS DELGADAS DE ORO CRECIDAS POR EVAPORACION EN VACIO, DEMOSTRANDOSE EL CARACTER FRACTAL AUTO-AFIN DE ESTAS SUPERFICIES. LA COMPARACION CON MODELOS TEORICOS DE CRECIMIENTO Y SIMULACIONES POR ORDENADOR HA PERMITIDO OBTENER LA PRIMERA VERIFICACION EXPERIMENTAL A NIVEL SUB-MICROMETRICO DE FORMALISMO DE ESCALADO DINAMICO.

Autor: LOPEZ VAZQUEZ DE PARGA AMADEO.
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: SE HA DISEÑADO Y CONSTRUIDO UN MICROSCOPIO DE EFECTO TUNEL QUE OBTIENE DE FORMA RUTINARIA RESOLUCION ATOMICA EN ULTRA ALTO VACIO. SE HA DESARROLLADO EL SOPORTE INFORMATICO NECESARIO PARA EL MANEJO Y TRATAMIENTO DE LOS DATOS. SE HA APLICADO EL MICROSCOPIO A LA CARACTERIZACION DEL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE SILICIUROS DE HIERRO SOBRE SI(111)-(7X7). EN EL TRANSCURSO DEL TRABAJO SE HA ESTUDIADO CON DETALLE EL PROCESO DE PREPARACION DE LA SUPERFICIE SI(111) MOSTRANDO LA POTENCIA DEL MICROSCOPIO DE EFECTO TUNEL PARA DETECTAR LA PRESENCIA DE AGREGADOS DE CARBURO DE SILICIO EN LA SUPERFICIE QUE DEBIDO A QUE ESTAN PRESENTES EN CANTIDADES BAJO EL LIMITE DE DETECCION DE OTRAS TECNICAS EN FISICA DE SUPERFICIE. SE HA ESTUDIADO LA INTERACCION DE LOS ATMOS DE HIERRO CON LA SUPERFICIE DE SILICIO A TEMPERATURA AMBIENTE Y EL DIAGRAMA DE FASES DEL SISTEMA HIERRO SILICIO EN FUNCION DEL RECUBRIMIENTO DE HIERRO Y LA TEMPERATURA DE CALENTAMIENTO. SE HA CARACTERIZADO UNA NUEVA FASE DE DISILICIURO DE HIERRO QUE NO ES POSIBLE CRECERLA EN MUESTRAS DE VOLUMEN Y SOLO ES POSIBLE CRECERLA POR EPITAXIA SOBRE SI(111).

Autor: MENENDEZ GARCIA HEVIA JOSE RAMON.
Año: 1991.
Universidad: VALLADOLID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA, CRISTALOGRAFIA Y MINERALOGIA PROGRAMA DE DOCTORADO: PLAN ANTIGUO-CURSOS MONOGRAFICOS.

Resumen: SE DIVIDIO EL TRABAJO DE INVESTIGACION EN TRES GRANDES BLOQUES: EN EL PRIMERO SE ANALIZARON ESPECTROS DE ABSORCION N.V-VIS; EN EL SEGUNDO, ESPECTROS VIBRACIONALES DEL TIPO RRS Y SERRS Y, EN EL TERCERO, SE APLICO ESTA ULTIMA TECNICA AL ANALISIS DEL FENOMENO DE LA DEPENDENCIA CON EL RECUBRIMIENTO. TODOS ESTOS ESTUDIOS, REALIZADOS SOBRE UNA SERIE DE COLORANTES SEMICONDUCTORES ORGANICOS, LAS FTALOCIANINAS, CUYAS PROPIEDADES REVIERTEN EN MULTIPLES APLICACIONES EN AMPLIAS RAMAS DE LA CIENCIA. PARA LOS DIFERENTES ESTUDIOS REALIZADOS SOBRE ELLAS, SE CONFORMARON LAS MUESTRAS DE DIFERENTES FORMAS. EN NUESTRO TRABAJO, HEMOS HECHO ESPECIAL HINCAPIE EN LA TECNICA DE DEPOSICION EN FORMA DE MONOCAPAS LANGMUIR-BLODOETT (LB), QUE FAVORECE LAS POTENCIALES APLICABILIDADES DE LAS METALOFTALOCIANINAS. TAMBIEN ESTA TECNICA NOS PERMITIO CONTROLAR LA CONCENTRACION DE FTALOCIANINA DEPOSITADA, VARIANDOLA DE FORMA TAL QUE SE PUDIERA ANALIZAR ADECUADAMENTE EL, APARENTEMENTE ANOMALO COMPORTAMIENTO, RELATIVO A LA VARIACION NO LINEAL DE LA INTENSIDAD SERRS FRENTE AL RECUBRIMIENTO, QUE JUSTIFICAMOS MEDIANTE UN MODELO PROPIO. AÑADIMOS TRES APENDICES CON LA MATEMATICA COMPLETA DE OTROS MODELOS PREVIOS.

Autor: SANTA CRUZ FERNANDEZ CARLOS ALEJANDRO.
Año: 1991.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA .

Resumen: EN ESTE TRABAJO DE TESIS DOCTORAL SE HA INVESTIGADO EN UNA GRAN VARIEDAD DE MATERIALES POLIMERICOS SEMICRISTALINOS (POLIETILENO Y POLIOXIETILENO CON DISTINTOS PESOS MOLECULARES Y CONDICIONES DE CRISTALIZACION, ALEACIONES DE POLIETILENO Y POLIPROPILENO, AGREGADOS DE MONOCRISTALES Y GELES SOLIDIFICADOS DE POLIETILENO, POLLETILENO TEREFTALATO EN DISTINTAS ETAPAS DE CRISTALIZACION Y COPOLIMEROS ALEATORIOS DE CRISTALES LIQUIDOS) LAS RELACIONES EXISTENTES ENTRE LA MICRODUREZA Y DUREZA CRISTALINA CON LOS PARAMETROS MICROESTRUCTURALES QUE CARACTERIZAN AL SOLIDO POLIMERICO SEMICRISTALINO COMO EL ESPESOR PROMEDIO DE LOS CRISTALES, ENERGIA DE SUPERFICIE DE LOS CRISTALES CRISTALINIDAD GLOBAL DEL SISTEMA Y CRISTALINIDAD LINEAL DENTRO DEL APILAMIENTO DE LAMINILLAS CON UNA INTERPRETACION TEORICA DE LOS RESULTADOS UTILIZANDO LA TEORIA DE DISLOCACIONES ASI COMO TRANSCIONES DE FASES QUE TIENEN LUGAR EN COPOLIMEROS FERROELECTRICOS CON LA TEMPERATURA Y LAS RELACIONES EXISTENTES ENTRE LA MICRODUREZA Y LAS PROPIEDADES MECANICAS MACROSCOPICAS COMO MODULO ELASTICO Y TENSION DE FLUENCIA. INTERPRETANDO LOS RESULTADOS OBTENIDOS EN BASE A LA TEORIA DE PLASTICIDAD DE TABOR PARA MATERIALES PLASTICOS IDEALES Y LA TEORIA DE MARSH PARA MATERIALES QUE NO SE PUEDEN CONSIDERAR COMO PLASTICOS IDEALES.

Autor: ZABALA UNZALU NEREA.
Año: 1991.
Universidad: PAIS VASCO.
Centro de lectura: QUIMICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA MATERIALES. PROGRAMA DE DOCTORADO:.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HA ESTUDIADO LA PERDIDA DE ENERGIA DE LA INTERACCION DE ELECTRONES RAPIDOS, DEL ORDEN DE 100 KEV, CON LA MATERIA CONDENSADA, INTENTANDO REPRODUCIR ALGUNAS SITUACIONES QUE SE DAN EN MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Y TRANSMISION (STEM). SE HA UTILIZADO LA TEORIA DIELECTRICA CLASICA, DENTRO DE LA CUAL EL MEDIO CON EL QUE INTERACCIONA EL ELECTRON INCIDENTE SE CARACTERIZA POR UNA FUNCION DIELECTRICA, EN GENERAL DEPENDIENTE DEL MOMENTO Y LA ENERGIA. EN PRIMER LUGAR SE HAN ESTUDIADO LOS EFECTOS DE DISPERSION EN INTERFASES PLANAS, CUANDO EL HAZ DE ELECTRONES VIAJA MUY PROXIMO A LAS MISMAS, A DISTANCIAS MENORES DE 10 A. SE HA HECHO UN ESTUDIO DE LA PERDIDA DE ENERGIA EXPERIMENTADA POR LOS ELECTRONES QUE VIAJAN A LO LARGO DE CAVIDADES CILINDRICAS, REPRODUCIENDO LOS RESULTADOS DE EELS OBTENIDOS EN STEM CUANDO EL HAZ DE ELECTRONES PERFORA AGUJEROS DEL ORDEN DE 10 NM EN CIERTO TIPO DE MATERIALES COMO ALF3 Y AL2O3. POR FIN, SE HA ESTUDIADO LA PERDIDA DE ENERGIA EN PARTICULAS ESFERICAS, DEL ORDEN DE 100 A DE RADIO, EXPLICANDO LAS CORRECCIONES INTRODUCIDAS EN EL ESPECTRO DE PERDIDAS POR LA PRESENCIA DEL SOPORTE DENTRO DEL CUAL SE ENCUENTRAN PARCIALMENTE INTRODUCIDAS.

Autor: CLEMENT LORENZO MARTA.
Año: 1990.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA C-XII FACULTAD DE CIENCIAS, UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID .

Resumen: EL TRABAJO HA CONSISTIDO EN LA CARACTERIZACION MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE ELECTRONES AUGER (AES) Y ESPECTROMETRIA DE RETRODISPERSION DE IONES (RBS) DE PELICULAS DE SIXTI Y SIXTA DEPOSITADAS POR "SPUTTERING" SOBRE SUSTRATOS DE ASGA CON EL FIN DE ESTUDIAR LA POSIBILIDAD DE SER USADOS COMO CONTACTOS DE PUERTA DE TRANSISTORES MESFET. SE HA HECHO HINCAPIE EN LOS SIGUIENTES PUNTOS: - CUANTIFICACION DE LOS PERFILES DE CONCENTRACION OBTENIDOS POR AES SIMULTANEO CON BOMBARDEO CON IONES DE AR+. DETERMINACION DE EFICIENCIAS DE EXTRACCION DE LOS SILICIUROS, Y EFECTOS DEL BOMBARDEO (CAMBIOS DE COMPOSICION, ENSANCHAMIENTO DE LA INTERCARA SILICIURO/ASGA). - ESTUDIO DE LAS PRIMERAS ETAPAS DE LA OXIDACION DE SIXTI Y SIXTA A TEMPERATURA AMBIENTE Y BAJA PRESION (0-10000 L). EFECTO DE LA COMPOSICION SUPERFICIAL DEL SILICIURO EN LA CINETICA DE OXIDACION. - EFECTO DE LOS TRATAMIENTOS TERMICOS HASTA 850 GRADOS C EN ATMOSFERAS INERTES Y OXIDANTES EN LOS CONTACTOS SIXTI/ASGA Y SIXTA/ASGA. EFECTO DE LA COMPOSICION Y MORFOLOGIA DEL SILICIURO EN LA ESTABILIDAD TERMICA DEL CONTACTO. - CARACTERIZACION I-V DE LOS CONTACTOS SCHOTTKY SIXTI/ASGA SIXTA/ASGA.

Autor: GALLEGO VAZQUEZ JOSE M..
Año: 1990.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO:.

Resumen: MEDIANTE TECNICAS DE SUPERFICIE (AES, LEED, EELS) SE HAN ANALIZADO LAS INTERFASES CO/SI Y FE/SI, ASI COMO LA FORMACION DE LOS SILICIUROS DE CO E FE. FORMADOS MEDIANTE LA REACCION DE EPITAXIA DE FASE SOLIDA. ASIMISMO, SE HA LOGRADO CRECER SILICIUROS EPITAXIALES DE CO (COSI2, METALICO) Y FE ( -FESI2, SEMICONDUCTOR) SOBRE SI(100), LO QUE ABRE CAMINO A LA POSIBILIDAD DE CRECER SILICIUROS TERNARIOS (COX FE1-X SI).

Autor: GOMEZ HERRERO JULIO.
Año: 1990.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID..

Resumen: EN LA PRESENTE TESIS, SE HA PASADO REVISTA A LAS TEORIAS QUE DAN CUENTA DEL FUNCIONAMIENTO DE UN STM. A CONTINUACION, LA TESIS EXPLICA LAS UNIDADES DE TUNEL DESARROLLADAS EN EL LABORATORIO CON ESPECIAL ENFASIS EN LA INSERCION DE ESTAS UNIDADES EN UNA CAMARA DE ULTRA ALTO VACIO. EL TERCER CAPITULO ESTA DEDICADO A LAS ANOMALIAS PRESENTAS EN LAS MEDIDAS DE ALTURA DE BARRERA POR STM. EN PARTICULAR SE REVISAN LOS POSIBLES EFECTOS QUE PUEDEN DAR LUGAR A ESTAS ANOMALIAS Y SE DESCARTAN ALGUNAS DE LAS TEORIAS USADAS PARAS JUSTIFICARLAS. EL CUARTO CAPITULO ESTA CONSAGRADO AL ESTUDIO DE LA QUIMISORCION DE AZUFRE SOBRE LA CARA (1000) DEL RENIO, PARTICULARIZANDO EN LA ESTRUCTURA P(2X2) QUE SE OBTIENE CUANDO EL RECUBRIMIENTO ES DE 0.25 MONOCAPAS. LOS PUNTOS MAS IMPORTANTES ES LA DEDUCCION DEL LUGAR DE QUIMISORCION DEL AZUFRE BASANDOSE EN LA SIMETRIA DE LAS IMAGENES Y LA APARICION DE CORRUGACIONES NEGATIVAS EN LA ESTRUCTURA P(2X2).

Autor: MENDEZ DELGADO M. ANTONIA.
Año: 1990.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.

Resumen: EN ESTE TRABAJO SE PRESENTA LA CARACTERIZACION CRISTALOGRAFICA, MEDIANTE LA TECNICA LEED, DE LA SUPERESTRUCTURA P (3X3) R30 -0/NI (111), RESULTADO DE LA ABSORCION ORDENADA DE 0.33MC DE OXIGENO SOBRE LA SUPERFICIE (111) DEL NIQUEL. Y SE OFRECE UN ESTUDIO DE LA ABSORCION DESORDENADA DEL OXIGENO SOBRE ELLA, MEDIANTE LA TECNICA DLEED, DE ANALISIS DEL FONDO DIFUSO ELASTICO DEL DIAGRAMA LEED. FRENTE A ESTOS ANALISIS "INDIRECTOS" DEL DIAGRAMA LEED, EN UNA SEGUNDA PARTE DEL TRABAJO SE COMPRUEBA EXPERIMENTALMENTE LA POSIBILIDAD DE INTERPRETAR EL DIAGRAMA DLEED DEL SISTEMA DE ABSORCION DESORDENADA 0/NI (111) COMO HOLOGRAMA DE LA SUPERFICIE. ESTO PERMITE APLICAR UNA TRANSFORMADA DE FOURIER MODIFICADA EN LA FASE SOBRE LOS HOLOGRAMAS, PARA RECUPERAR "DIRECTAMENTE" LA IMAGEN DE LA DISTRIBUCION DE LOS ATOMOS EN LA SUPERFICIE. EN LA PRESENTE INVESTIGACION SE HA EXTENDIDO LA INTERPRETACION ANTERIOR AL DIAGRAMA LEED ORIGINADO POR LA SUPERESTRUCTURA P (2X2)- 0/NI (100). DE ESTE MODO SE HAN OBTENIDO IMAGENES HOLOGRAFICAS DE LA SUPERFICIE CON UNA RESOLUCION DE HASTA 0.35A.

Autor: MORANT ZACARES CARMEN.
Año: 1990.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DPTO FISICA APLICADA C-XII.

Resumen: LOS OXIDOS SE CRECEN EN LAMINAS DELGADAS Y SE ANALIZAN POR XPS. EN EL PROCESO DE OXIDACION DEL ZR SE DETECTAN LOS ESTADOS DE OXIDACION: OXIDO (ZR4+) Y LOS SUBOXIDOS (ZR3+, ZR2+, ZR+) QUE PERMANECEN EN LA INTERFAZ ZRO2/ZR. EL CRECIMIENTO DE ESTE OXIDO SIGUE UNA CINETICA LOGARITMICA. EN EL ESTUDIO DE LA REDUCCION DE LOS OXIDOS DE ZR POR BOMBARDEO DE IONES AR+ SE OBTIENE UN SPUTTERING PREFERENCIAL DE OXIGENO, APARECEN TODOS LOS ESTADOS DE OXIDACION DEL ZR Y UNA DENSIDAD DE ESTADOS A 1.9 EV DEL NIVEL DE FERMI QUE AUMENTA LA POLARIZABILIDAD. LA OXIDACION DEL HF A TEMPERATURA AMBIENTE Y BAJAS PRESIONES ES SIMILAR A LA DEL ZR. A ALTAS TEMPERATURAS Y ALTAS PRESIONES DE OXIGENO NO SE DETECTA UNA REGION DE SATURACION Y A BAJAS PRESIONES DE OXIGENO, EL CRECIMIENTO DEL OXIDO QUEDA LIMITADO POR LA CORRIENTE DE DIFUSION. LA CINETICA DE DISOLUCION DEL OXIGENO EN EL HF ES PARABOLICA, DISOLUCION CONTROLADA POR LA DIFUSION CON UNA ENERGIA DE ACTIVACION DE 1.32 EV. EN LA OXIDACION TERMICA DEL RE Y POR IMPLANTACION DE IONES OXIGENO SE OBTIENE: RE METAL, RE METALICO CON OXIGENO DISUELTO Y RE EN EL SUBOXIDO REO. LA CINETICA DE DISOLUCION DE OXIGENO EN EL METAL NO DEPENDE DE LA TEMPERATURA, MIENTRAS QUE LA FORMACION DEL SUBOXIDO DEPENDE DE FORMA POTENCIAL CON LA TEMPERATURA. ESTADOS DE OXIDACION SUPERIORES SE CONSIGUEN CON LA OXIDACION DEL RE CATALIZADA POR EL CS. SE CARACTERIZAN POR XPS LOS OXIDOS DE CS Y SUS BANDAS DE VALENCIA. SE REALIZARON ESTUDIOS XPS, XAES Y MICROSCOPIA SEM/EDX EN LA EVAPORACION DEL RE SOBRE ZRO2 QUE PERMITEN DISTINGUIR LOS EFECTOS DE ESTADO INICIAL Y FINAL Y EL MODELO DE CRECIMIENTO (VOLMER WEBER).

Autor: VELASCO CARAVACA ENRIQUE.
Año: 1990.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPARTAMENTO FISICA MATERIA CONDENSADA.

Resumen: EN ESTE TRABAJO DE TESIS DOCTORAL SE REALIZA UN ESTUDIO DE LAS INTERFASES SOLIDO-FLUIDO UTILIZANDO MODELOS REALISTAS PARA LA ESTRUCTURA DEL SUSTRATO SOLIDO. EN PARTICULAR, SE REALIZO UNA COMPARACION CON SIMULACIONES POR ORDENADOR DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS CON UNA TEORIA FUNCIONAL. ESTA TEORIA NO PROPORCIONA, SIN EMBARGO, BUENOS RESULTADOS CUANDO SE APLICA AL PROBLEMA DE CAPILARES MUY ESTRECHOS, POR LO QUE SE HA HECHO UN ESTUDIO CON UNA TEORIA MAS SOFISTICADA, OBTENIENDOSE MUY BUENOS RESULTADOS.

Autor: FERNANDEZ ALVAREZ LUIS.
Año: 1989.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: INSTITUTO DE CIENCIA DE MATERIALES, C.S.I.C..

Resumen: SE HAN ESTUDIADO LAS PROPIEDADES VIBRACIONALES DE SUPERREDES; RELACIONES DE DISPERSION Y DENSIDADES DE ESTADOS DE LOS MODOS VIBRACIONALES. EN PRIMER LUGAR SE HAN ESTUDIADO LAS RELACIONES DE DISPERSION DE LOS MODOS DE SUPERFICIE PARA SUPERREDES PIEZOELECTRICAS CON SIMETRIA 6 MM, DANDOSE LA RELACION DE DISPERSION ANALITICAMENTE. SE HAN ESTUDIADO, TAMBIEN, LOS MODOS PIEZOELECTRICOS EN SUPERREDES DE SIMETRIA CUBICA. EN AMBOS CASOS SE HA ANALIZADO LA IMPORTANCIA DEL EFECTO PIEZOELECTRICO LLEGANDO A LA CONCLUSION DE QUE APENAS MODIFICA LAS RELACIONES DE DISPERSION PERO SI MODIFICA DRASTICAMENTE LAS DENSIDADES DE ESTADOS Y POR TANTO ES DE GRAN IMPORTANCIA PARA LAS PROPIEDADES TERMODINAMICAS DE ESTOS MATERIALES. TODO ELLO SE HA HECHO EN EL MARCO DE LA TEORIA DE LA ELASTICIDAD Y USANDO EL METODO SGFM. EN SEGUNDO LUGAR SE HAN ESTUDIADO, UTILIZANDO UN MODELO FENOMENOLOGICO CON 6 CONSTANTES DE FUERZA Y EN EL MARCO DE LA DINAMICA DE REDES, LAS RELACIONES DE DISPERSION Y FUNCIONES ESPECTRALES DE LOS FONONES EN SUPERREDES DE METALES DE TRANSICION. SE HA PUESTO ESPECIAL ENFASIS EN EL ESTUDIO DEL CONFINAMIENTO DE LOS MODOS, POR SU IMPORTANCIA EN TRANSPORTE Y SUPERCONDUCTIVIDAD Y EN LA INFLUENCIA DE LOS ESPESORES DE LOS MATERIALES QUE COMPONEN LAS SUPERRED SOBRE LAS PROPIEDADES VIBRACIONALES DE LAS SUPERREDES: CONFINAMIENTO Y POSIBILIDAD DE MODOS DE INTERCARA.

Autor: GONZALEZ FERNANDEZ M. LYDIA.
Año: 1989.
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
Centro de lectura: FISICA.
Centro de realización: U. E. I. DE INTERCARAS Y CRECIMIENTOS INSTITUTO DE CIENCIA DE MATERIALES DE MADRID -SEDE A C. S. I. C. .

Resumen: EN LA MEMORIA PRESENTADA BAJO EL TITULO MAS ARRIBA INDICADO SE RECOGEN LOS RESULTADOS DEL ESTUDIO DE LAS PRIMERAS FASES DE CRECIMIENTO DE LA INTERCARA FORMADA POR SI/GAAS (111). SI Y GAAS SON LOS DOS SEMICONDUCTORES DE MAYOR ATRACTIVO DESDE EL PUNTO DE VISTA TECNOLOGICO. EL INTERES DE ESTE TRABAJO RADICA EN SU CONTRIBUCION A UN MEJOR CONOCIMIENTO DE LA FORMACION DE HETEROUNIONES SEMICONDUCTORAS Y, CONCRETAMENTE, CON VISTAS A LA POSIBLE INTEGRACION DE LAS TECNOLOGIAS DE SI Y GAAS, COMBINANDO LAS MEJORES PROPIEDADES DE AMBOS MATERIALES. LAS TECNICAS USADAS EN EL DESARROLLO EXPERIMENTAL DE ESTE TRABAJO HAN SIDO TECNICAS DE ANALISIS SUPERFICIAL, CUYO USO QUEDA JUSTIFICADO PORQUE VARIACIONES QUE SE PRODUZCAN EN LA FORMACION DE LA INTERCARA PUEDEN INDUCIR CAMBIOS EN LAS PROPIEDADES DE LA HETEROUNION. UNA VEZ EFECTUADA LA CARACTERIZACION TANTO ESTRUCTURAL COMO EN COMPOSICION DE LAS SUPERFICIES DE GAAS SOBRE LAS QUE SE DEPOSITA EL SI, LOS EXPERIMENTOS LLEVADOS A CABO HAN CONSISTIDO EN LA EVAPORACIOND E SI SOBRE EL SUBSTRATO DE GAAS MANTENIDO A DISTINTAS TEMPERATURAS DURANTE EL TIEMPO DE CRECIMIENTO. EL ANALISIS DE LA EVOLUCION DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS CON LAS DISTINTAS TECNICAS PERMITE ESTABLECER LA FORMA DE CRECIMIENTO DEL SI SOBRE LAS SUPERFICIES DE GAAS, ADEMAS DE LAS DIFERENCIAS QUE SE INTRODUCEN POR EL HECHO DE CAMBIAR LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO (SUPERFICIE Y TEMPERATURA).

Autor: ORTEGA CONEJERO JOSE ENRIQUE.
Año: 1989.
Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: DEPTO. FISICA MATERIA CONDENSADA. FACULTAD DE CIENCIAS. UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID.

Resumen: LA INTERFASE ALCALI/GA AS (110) RESULTA SER IDEAL PARA EL ESTUDIO DE PROBLEMAS DE LA FISICA DE SUPERFICIES FUNDAMENTALES. EN EL TRABAJO QUE SE PRESENTA SE HACEN UNA CORRECTA DESCRIPCION DE LAS PARTES, INFLUENCIA DE LOS SISTEMAS DE MEDIDA, DE LAS CONDICIONES DE EXPERIMENTACION SE ANALIZAN ADECUADAMENTE, ESTABLECIENDO LA MANERA EN LA QUE PUEDE ESTUDIARSE EL SISTEMA. A CONTINUACION SE PROCEDE AL ESTUDIO DEL MODO DE CRECIMIENTO DE LOS METALES ALCALINOS EN EL GA AS (110) DETERMINANDOSE VALORES TALES COMO LA TRANSFERENCIA DE CARGA ADATOMO-SUSTRATO Y EL RECIBIMIENTO DE SATURACION. A CONTINUACION SE PROCEDE A LA OXIDACION DE LA INTERFASE CRECIDA Y SE CONCLUYE ESTABLECIENDO LAS CONDICIONES EN LAS QUE SE PRODUCE LA OXIDACION DEL SUSTRATO, LA PARTE FINAL ESTUDIA EL CASO CONCRETO DE INTERFASE ABRUPTA OXIDO-GA AS (110) Y SE APROVECHA ESTA CIRCUNSTANCIA PARA ABORDAR LOS PROBLEMAS: LA INFLUENCIA DEL CAMPO CRISTALINO EN LOS ORBITALES DE VALENCIA DEL OXIGENO Y LA RELACION ENTRE "BAND-BENDING" Y METALICIDAD.

Autor: PITARKE DE LA TORRE JOSE M..
Año: 1989.
Universidad: PAIS VASCO.
Centro de lectura: CIENCIAS.
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS. UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO.

Resumen: EN ESTA TESIS SE HAN INVESTIGADO DIFERENTES ASPECTOS DE LA INTERACCION DE CARGAS EN MOVIMIENTO CON LA MATERIA. EN PRIMER LUGAR SE HA ECHO USO DE LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES OBTENIDOS CON EL MICROSCOPIO DE EFECTO TUNEL, PARA ESTUDIAR EL POTENCIAL DE INTERACCION EN LA SUPERFICIE ASI COMO EN LA INTERFASE METAL-VACIO-METAL Y LOS EFECTOS DE LA GEOMETRIA DE LA SUPERFICIE. ASIMISMO, SE HA LLEVADO A CABO UN ANALISIS DETALLADO DE LA ALTURA APARENTE DE LA BARRERA, LA CUAL PUEDE SER MEDIDA EXPERIMENTALMENTE CON EL MICROSCOPIO DE EFECTO TUNEL, Y SE HA INVESTIGADO LA CONTRIBUCION DEL POTENCIAL IMAGEN A DICHA MEDIDA EXPERIMENTAL. EN SEGUNDO LUGAR, SE HAN INVESTIGADO CIERTOS ASPECTOS DE LA INTERACCION DE IONES RAPICOS CON LA MATERIA. POR UNA PARTE, SE HA ESTUDIADO EL PROCESO DE INTERACCION DE IONES DIMOLECULARES RAPIDOS CON EL GAS DE ELECTRONES QUE DA LUGAR A EMISION DE ELECTRONES DE COLISION, RELACIONANDOLO CON LA FLUCTUACION INDUCIDA EN LA DENSIDAD ELECTRONICA DEL MEDIO, Y SE HA DADO UNA INTERPRETACION A LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES RECIENTEMENTE OBTENIDOS AL BOMBARDEAR LAMINAS DELGADAS DE CARBON CON HACES CONSTITUIDOS POR MOLECULAS DE NITROGENO DOBLEMENTE IONIZADAS. POR OTRA PARTE, SE HA LLEVADO A CABO UN ESTUDIO DEL PROCESO DE CAPTURA RADIATIVA DE ELECTRONES POR IONES RAPIDOS CANALIZADOS EN SOLIDOS, Y SE HA DADO UNA INTERPRETACION DEL APARENTE DEFICIT EN LA ENERGIA DE LA RACIACION EMITIDA QUE HA SIDO OBSERVADO EN EXPERIMENTOS REALIZADOS RECIENTEMENTE.